第二章(之二)--晶体缺陷检测

1、第二章第二章 晶向与晶体缺陷检测晶向与晶体缺陷检测二、晶体缺陷检测二、晶体缺陷检测（一）晶体缺陷检测的重要性（一）晶体缺陷检测的重要性（二）晶体缺陷的种类（二）晶体缺陷的种类点缺陷点缺陷空位、间隙杂质原子空位、间隙杂质原子 （主要）（主要）线缺陷线缺陷位错位错 （主要）（主要）面缺陷面缺陷堆垛层错、挛晶界、晶界等堆垛层错、挛晶界、晶界等体缺陷体缺陷孔洞、夹杂物等孔洞、夹杂物等半导体加工过程中的二次缺陷半导体加工过程中的二次缺陷（1）点缺陷）点缺陷G 晶格中点缺陷常常是外来原子或杂质原子造成的。晶格中点缺陷常常是外来原子或杂质原子造成的。 单晶硅中点缺陷包括：单晶硅中点缺陷包括：l有意掺入电活性

2、杂质有意掺入电活性杂质（如（如P，B) 控制电导率和导电类型l 氧，碳，硼杂质氧，碳，硼杂质 来源于气态生长、化学试剂、石英玻璃 成为硅体内自间隙原子，并诱生出位错 和层错等缺陷，影响晶体整体完整性、载流子浓度 以及少子寿命，并容易导致器件漏电。l 重金属杂质（重金属杂质（Fe,Cu,Ni,Au,Al,Co等等) 来源于硅片生长、加工（不锈钢）、 清洗、金属电极制作过程 影响载流子浓度和少子寿命，导致器件失效。（2）线缺陷）线缺陷位错位错 G 位错是半导体中最主要的缺陷。位错是半导体中最主要的缺陷。位错产生的根本原因是晶体内部应力的存在，例如在晶体制备、后热处理等过程中，由于不均匀的加热或冷却

3、，晶体内部存在应力就可产生位错。除此之外，杂质原子引起位错。刃型位错后发生滑移。 刃形位错形成示意图刃形位错形成示意图滑移面滑移面位错线位错线刃型位错后发生滑移刃型位错后发生滑移附加的原子或者附加的原子或者受热不均受热不均位错形成的一系列透射电子显微镜照片（3）面缺陷）面缺陷 a. 堆垛层错：堆垛层错：由位错的相关原子组成的多余原子面。 螺型位错后发生堆垛螺型位错后发生堆垛 堆垛层错通常在外延生长层中观察到外延生长层中观察到。一般要求外延层中的层错密度小于102/cm2。 b. 挛晶：挛晶：从同一个界面生长出两种不同方向晶体从同一个界面生长出两种不同方向晶体 c. 晶界：晶界：具有很大取向差别

4、的晶块结合时产生具有很大取向差别的晶块结合时产生一个硅圆柱锭的晶界一个硅圆柱锭的晶界挛晶挛晶（三）晶体缺陷检测方法（三）晶体缺陷检测方法1、点缺陷的检测、点缺陷的检测 u电学性能测量电学性能测量有意掺杂原子浓度的确定有意掺杂原子浓度的确定 如：电阻率测量，霍尔效应测量， 对应N型或P型掺杂浓度 u 少子寿命测试少子寿命测试金属杂质分析金属杂质分析u 二次离子质谱二次离子质谱金属杂质分析金属杂质分析u 原子吸收光谱原子吸收光谱金属杂质分析金属杂质分析u红外光谱吸收法红外光谱吸收法碳、氧杂质碳、氧杂质 红外光谱红外光谱：测量C、O、N杂质含量利用利用SIMS进行器件失效分析进行器件失效分析 杂质杂

5、质C（替位）的最强红外吸收峰波长（替位）的最强红外吸收峰波长:16.4m 杂质杂质O （间隙）的红外吸收峰波长：（间隙）的红外吸收峰波长：9.1mC吸收最强吸收次强2、位错和层错的检测、位错和层错的检测u 腐蚀金相显微镜观测腐蚀金相显微镜观测（简单常用的方法）（简单常用的方法）u X X射线衍射法射线衍射法 （精确的方法）（精确的方法） u 电子显微镜电子显微镜 （1）检测基本原理）检测基本原理 在适宜的腐蚀剂中，晶体表面靠近位错附近的区域其腐在适宜的腐蚀剂中，晶体表面靠近位错附近的区域其腐蚀速度要比其它区域大，腐蚀一定时间后就会形成凹下的坑，蚀速度要比其它区域大，腐蚀一定时间后就会形成凹下的

6、坑，即所谓腐蚀坑即所谓腐蚀坑，利用这个特性可进行位错和层错的显示。2.12.1 腐蚀金相观察法腐蚀金相观察法 由于位错是一种线缺陷，晶格畸变是沿着一条线延伸下来的，贯穿于整个晶体，终止在表面或形成闭环，因此在表面的交点是一个点状在表面的交点是一个点状小区域小区域.(100)硅片表面的位错(111)硅片表面的位错 （111）面）面 （100）面）面 （110）面）面 蚀坑是一倒置正四面体（三角锥体）蚀坑是一倒置四棱锥体，从表面看呈实心正方形蚀坑为两个对顶三角锥体（2）位错与层错的腐蚀坑观察）位错与层错的腐蚀坑观察 位错密度位错密度 是垂直于位错线单位截面积中穿过的位错线数。 多点平均法。 图2.

7、21 五点平均 图2.22 分区标图法 （3）层错、位错密度的测量）层错、位错密度的测量2.22.2 X X射线衍射法（射线衍射法（XRDXRD） 在近完整晶体中，缺陷、畸变等体现在X射线谱中只有几十弧秒，而半导体材料进行外延生长要求晶格失配要达到10-4或更小。这样精细的要求使双晶X射线衍射技术成为近代光电子材料及器件研制的必备测量仪器，以双晶衍射技术为基础而发展起来的四晶及五晶衍射技术（亦称为双晶衍射），已成为近代X射线衍射技术取得突出成就的标志。纯谱线的形状和宽度由试样的平均晶粒尺寸、尺寸分布以及晶体点阵中的主要缺陷决定，故对线形作适当分析，原则上可以得到上述影响因素的性质和尺度等方面的

8、信息。检测基本原理检测基本原理 当电子束照到晶体上，除了产生透射束（零级衍射）外，还会产生各级衍射束，经物镜聚集后，在其后焦面形成电子衍射谱像。电子衍射原电子衍射原理与理与X 射线衍射原理相同，遵循布拉格衍射定律，但电子能量高，波长射线衍射原理相同，遵循布拉格衍射定律，但电子能量高，波长非常短（非常短（电子能量越大，电子波长越短。当加速电压为100 kV时，电子的波长仅为0.0037nm ；当 E = 30KeV 时, 0.007nm），衍射角小，），衍射角小，因此电子衍射是对晶体二维倒易点阵结构的放大显示，因此电子衍射是对晶体二维倒易点阵结构的放大显示，根据显示图形可以鉴定所观察晶体的种类、

9、结构、晶格常数等。 2.32.3 电子显微镜法电子显微镜法1937年诺贝尔物理学奖：电子衍射年诺贝尔物理学奖：电子衍射戴维森戴维森 G .P .汤姆孙汤姆孙 背景：20世纪20年代中期物理学发展的关键时期。波动力学已经由薛定谔在德布罗意的物质波假设的基础上建立起来，和海森伯从不同的途径创立的矩阵力学，共同形成微观体系的基本理论。这一巨大变革的实验基础自然成了人们关切的课题，这就激励了许多物理学家致力于证实粒子的波动性。直到1927年，才由美国的戴维森和英国的G .P .汤姆孙分别作出电子衍射实验。虽然这时量子力学已得到广泛的运用，但电子衍射实验成功引起了世人的注意。贝尔电话实验室英国伦敦大学最

10、简单的电子衍射装置。最简单的电子衍射装置。从阴极K发出的电子被加速后经过阳极A的光阑孔和透镜L到达试样S上，被试样衍射后在荧光屏或照相底板P上形成电子衍射图样。由于物质（包括空气）对电子的吸收很强，故上述各部分均置于真空中。电子的加速电压一般为数万伏至十万伏左右，称高能电子衍射透射。 为了研究表面结构，电子加速电压也可低达数千甚至数十伏，这种装置称低能电子衍射装置，称反射电子衍射（RHEED）。 自从60年代以来，商品透射电子显微镜都具有电子衍射功能（见电子显商品透射电子显微镜都具有电子衍射功能（见电子显微镜），微镜），而且可以利用试样后面的透镜，选择小至1微米的区域进行衍射观察，称为选区电子

11、衍射。 （a）非晶）非晶 （b）单晶）单晶 （c）多晶）多晶 （d）会聚束）会聚束 硅单晶硅单晶图图6.16 典型电子衍射图典型电子衍射图l 在位错存在的区域附近，晶格发生了畸变，因此衍射强度亦将随之变化，于是位错附近区域所成的像便会与周位错附近区域所成的像便会与周围区域形成衬度反差，这就是用围区域形成衬度反差，这就是用TEM观察位错的基本原观察位错的基本原理，理，因上述原因造成的衬度差称为衍射衬度衍射衬度。l 电子衍射作用远比X射线与物质的交互作用强烈，因而在金属和合金的微观分析中特别适用于对含少量原子的样品，如薄膜、微粒、表面等进行结构分析。薄膜、微粒、表面等进行结构分析。半导体异质结构中

12、的位错半导体异质结构中的位错位错的透射电子显微镜照片位错的透射电子显微镜照片中间稍亮区域（晶粒）里的暗线就是所观察到位错的像。光学显微镜（助教内容）光学显微镜（助教内容）u 结构和原理结构和原理u 光学显微镜的性能参数光学显微镜的性能参数u 光学显微镜的使用光学显微镜的使用1、显微镜的构造、显微镜的构造光学系统光学系统:物镜物镜,目镜目镜,反光镜反光镜,聚光器聚光器,虹虹彩光圈彩光圈.机械系统机械系统:镜座镜座,镜柱镜柱,镜壁镜壁,镜筒镜筒,物镜转物镜转换器换器,载物台载物台,调焦螺旋调焦螺旋,聚光聚光器调节螺旋器调节螺旋2、显微镜的性能参数、显微镜的性能参数 放大倍数放大倍数 几何光学的缺陷

13、几何光学的缺陷 显微镜的分辨率显微镜的分辨率 显微镜的景深显微镜的景深 物镜和目镜的测微尺物镜和目镜的测微尺 金相显微镜，金相显微镜，是专门用于观察金属和矿物等不透明不透明物体金相组织的显微镜，即反射式显微镜物体金相组织的显微镜，即反射式显微镜。它是鉴别和分析各种金属和合金的组织结构及缺陷的专业仪器。放放大倍率大倍率10010015001500倍。倍。3、金相显微镜、金相显微镜电子显微镜种类电子显微镜种类(自学）自学）u 透射电子显微镜透射电子显微镜 (TEM)u 扫描电子显微镜扫描电子显微镜(SEM)u 扫描隧道电子显微镜扫描隧道电子显微镜(STM)u 原于力电子显微镜原于力电子显微镜(AF

14、M) 真真空空系系统统光学显微镜光学显微镜 透射电镜透射电镜 电电子子光光学学系系统统分辨率分辨率放大倍数放大倍数0.10.2nm106数量级以上。 透射电镜实物图片2、扫描电子显微镜、扫描电子显微镜(SEM)光学显微镜与电子显微镜的性能比较光学显微镜与电子显微镜的性能比较显微镜的分辨率：d0.61/（nsin）3、扫描隧道电子显微镜、扫描隧道电子显微镜(STM) 扫描隧道显微镜(STM) 是一种利用量子理论中的隧道利用量子理论中的隧道效应探测物质表面结构的仪器效应探测物质表面结构的仪器。 扫描隧道显微镜可以定位单个原子可以定位单个原子，使人类第一次能够实时地观察单个原子在物质表面的排列状态和

15、与表面电子行为有关的物化性质，在表面科学、材料科学、生命科学等领域的研究中有着重大的意义和广泛的应用前景，被国际科学界公认为20世纪80年代世界十大科技成就之一。它于1981年由IBM苏黎世实验室的两位研究者发明，两位发明者因此荣获了1986年诺贝尔物理学奖。 此外，在低温下（4K）可以利用探针尖端精确操纵原操纵原子子，可以在各种样品表面上进行直接刻写、光刻以及诱导淀积和刻蚀等，因此它是纳米科技重要的测量工具和加工工具。 用用STM移动氙原子排出的移动氙原子排出的“IBM”图案图案 用扫描隧道显微镜拍摄到的电子图像用扫描隧道显微镜拍摄到的电子图像 STM主体的主要部分是极细的探针针尖。工作时，

16、探针针尖和被研究的样品的表面是两个电极，使样品表面与探针针尖非常接近，并给两个电极加上一定的电压，就会形成隧道电流，二者的间距不同，隧道电流大小也二者的间距不同，隧道电流大小也不同不同。通过电子反馈电路控制隧道电流大小，探针针尖在计算机控制下对样品表面扫描，同时记录下扫描样品表面的原子排列图象。 4、原于力显微镜、原于力显微镜(AFM) 原子力显微镜 (Atomic Force Microscopy, AFM)，是由IBM公司的Binnig与史丹佛大学的Quate于1985年所发明的，其目的是为了使非导体也可以采用扫描探针显微镜其目的是为了使非导体也可以采用扫描探针显微镜（SPM）进行观测）进

17、行观测。 AFM是一种利用原子、分子间的相互作用力利用原子、分子间的相互作用力来观察物体表面微观形貌的新型实验技术，是一个表面仿型(profile)机器，能够扫描表面的三维图像。 显微镜有一根纳米级粗细的探针，被固定在可灵敏操控的微米级弹性悬臂上。当探针很靠近样品时,其顶端的原子与样品表面原子间的作用力会使悬臂弯曲，偏离原来的位置。根据扫描样品时探针的偏离量或振动频率重建三维图像，就能间接获得样品表面的形貌或原子成分。 如图所示采用的激光检测探针悬臂弯曲量的方法。激光器发出的激光束经过光学系统聚焦在微悬臂背面，并从微悬臂背面反射到光斑位置检测器。微悬臂将随样品表面形貌而弯曲起伏，反射光束也将随

18、之偏移，因而通过检测光斑位置的变化，就能获得被测样品表面形貌的信息。 AFM的工作原理的工作原理探针探针原子力显微镜本章复习题本章复习题(请做请做4、5、6、7、10、11、13序号题序号题)1 1、测定晶向有哪些方法？测定晶向偏离度有哪些方法？、测定晶向有哪些方法？测定晶向偏离度有哪些方法？2 2、画图说明光点定向检测方法的原理。、画图说明光点定向检测方法的原理。3 3、利用、利用X X射线衍射检测晶向时，是基于什么原理？画图说明。射线衍射检测晶向时，是基于什么原理？画图说明。4 4、什么是点缺陷？由哪些原因造成？、什么是点缺陷？由哪些原因造成？5 5、什么是位错？由哪些原因造成？、什么是位错？由哪些原因造成？6 6、什么是位错密度？如何统计硅圆片上的位错密度？、什么是位错密度？如何统计硅圆片上的位错密度？7 7、利用腐蚀金相法检测位错的原理。、利用腐蚀金相法检测位错的原理。8 8、画图并理解（、画图并理解（1