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微电子工艺微电子工艺(gngy)之刻蚀技术之刻蚀技术第一页，共18页。第1页/共18页第二页，共18页。第2页/共18页第三页，共18页。第3页/共18页第四页，共18页。第4页/共18页第五页，共18页。第5页/共18页第六页，共18页。 T太低或太高都易浮胶或钻蚀腐蚀时间(shjin)：由腐蚀速度和SiO2厚度决定。 t 太短：腐蚀不干净。 t 太长：腐蚀液穿透胶膜产生浮胶；边缘侧蚀严重。第6页/共18页第七页，共18页。碱性溶液：2Al+2NaOH+2H2O=2NaAlO2+3H2配方： NaOH:H2O:甘油(n yu):酒精=5g:8ml:3ml:6ml甘油(n yu)的作用：减弱NaOH的活泼性。缺点：对胶膜有浸蚀，横向腐蚀严重，Na污染。第7页/共18页第八页，共18页。第8页/共18页第九页，共18页。(wngshu)： HNO3（发烟）:HCl=1:3（体积比）Au+HNO3+3HCl=AuCl3+NO+2H2O3Pt+4HNO3+12HCl=3PtCl4+4NO+8H2O第9页/共18页第十页，共18页。第10页/共18页第十一页，共18页。第11页/共18页第十二页，共18页。第12页/共18页第十三页，共18页。第13页/共18页第十四页，共18页。第14页/共18页第十五页，共18页。第15页/共18页第十六页，共18页。第16页/共1

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