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p区 n区 -+p区 n区 -+p区 n区 -+平衡正偏压负偏压外加偏压作用下扩散、漂移运动的竞争作用导致空间电荷区的变化DpDnp区 n区 V1V2V1V2正向偏压下扩散区的非平衡载流子分布Dpn(x)Dnp (x)- - - - -+ + + + + +势垒区pnN(x)NDNAr(x)qNDqNA+ + + + + +- - - - -杂质电荷密度xn-xp0 0 势垒区pn (-xp) (xn) 1(x) 2(x)- - - - -+ + + + + +pnmxn-xpm=-qNAxp/ere0 =qNDxn/ere0- - - - -+ + + + + +pnVxn-xpVDVDENB (cm-3)1014101510161017XD (mm)3.1 1.00.310.1VD=0.75eVND-NAxxj线性缓变结 x-XD/2XD/2m(x)x-XD/2XD/2mVxVD/2EVDDnDpp区 n区 V1V2V1V2二维半导体二维半导体(林源宝林源宝&叶志勇叶志勇)朱秋蓉 刘小慧半导体激光器万达明、张德来氮化镓器件（王树州邱若谷）纳米光电器件朱杰辉、马凯捷半导体制冷：宁威，？半导体芯片

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