光学曝光技术

1、关于光学曝光技术现在学习的是第一页，共50页光刻工艺的基本要素光刻工艺的基本要素 光源(light sources) 曝光系统(exposure system) 光刻胶(photoresist)能量(光源): 引起光刻胶化学反应，改变光刻胶溶解速率；掩膜版(mask): 对光进行掩膜，在光刻胶上制造掩膜版的图形；对准系统(Aligner): 在硅片上把掩膜版和以前的图形对准；光刻胶(Resist): 把图形从掩膜版转移到硅片；衬底(substrate)：具有以前的掩膜版图形。现在学习的是第二页，共50页光刻工艺的基本流程光刻工艺的基本流程现在学习的是第三页，共50页第二章第二章 光学曝光技术光

2、学曝光技术u 光学曝光的工艺过程光学曝光的工艺过程u 光学曝光的方式和原理光学曝光的方式和原理u 光刻胶的特性光刻胶的特性u 光学掩膜的设计与制造光学掩膜的设计与制造u 短波长曝光技术短波长曝光技术u 大数值孔径与浸没式曝光技术大数值孔径与浸没式曝光技术u 光学曝光分辨率增强技术光学曝光分辨率增强技术u 光学曝光的计算机模拟技术光学曝光的计算机模拟技术u 其它光学曝光技术其它光学曝光技术u 厚胶曝光技术厚胶曝光技术u LIGA LIGA技术技术东南大学东南大学 南京南京 MEMS教育部重点实验室教育部重点实验室现在学习的是第四页，共50页（1 1）接触式光学曝光技术）接触式光学曝光技术东南大学

3、东南大学 南京南京 MEMS教育部重点实验室教育部重点实验室 优点：设备简单，分辨率高（约优点：设备简单，分辨率高（约1 m ）。）。 缺点：掩模寿命短（缺点：掩模寿命短（10 20次），硅片上图形缺陷多，光刻成品率低。次），硅片上图形缺陷多，光刻成品率低。现在学习的是第五页，共50页（2 2）接近式光学曝光技术）接近式光学曝光技术东南大学东南大学 南京南京 MEMS教育部重点实验室教育部重点实验室 优点：掩模寿命长（可提高优点：掩模寿命长（可提高10 倍以上），图形缺陷少。倍以上），图形缺陷少。 缺点：衍射效应使分辨率下降。缺点：衍射效应使分辨率下降。 现在学习的是第六页，共50页（3 3）

4、投影式光学曝光技术）投影式光学曝光技术投影式曝光的优点：投影式曝光的优点： 掩模寿命长。掩模寿命长。 可以在不十分平整的大晶片上获得高分可以在不十分平整的大晶片上获得高分辨率的图形。辨率的图形。 掩模尺寸远大于芯片尺寸，使掩模制掩模尺寸远大于芯片尺寸，使掩模制造简单，可减少掩模上的缺陷对芯片造简单，可减少掩模上的缺陷对芯片成品率的影响。成品率的影响。投影式曝光的缺点：设备复杂、昂贵，投影式曝光的缺点：设备复杂、昂贵， 曝曝光效率低。光效率低。 步进式投影光刻步进式投影光刻投影式光刻投影式光刻现在学习的是第七页，共50页光刻工艺的相关光学基础光刻工艺的相关光学基础 光在空间中以电磁波的形式传播

5、当物体的尺寸远大于波长时，把光作为粒子来处理当物体的尺寸和波长可比拟时，要考虑光的波动性衍射光的衍射效应光的衍射效应光的衍射影响分辨率，决定分辨率极限：2minL现在学习的是第八页，共50页q如果想在像平面(如光刻胶）对小孔进行成像，可以用透镜收集光并聚焦到像平面现在学习的是第九页，共50页数值孔径(Numerical Aperture NA) 光学系统的数值孔径描述透镜收集光的能力 n是透镜到硅片间介质的折射率，对空气而言为1sin61. 0)sin2(22. 122. 1nfnffDR分辨率分辨率现在学习的是第十页，共50页分辨率-ResolutionfdNANAdfbl261. 022.

6、 12)(min K1是一个独立于光学成像的因子，取决于光刻系统和光刻胶的性质等其它因素一般来说，最小线宽K10.60.8NAK1 现在学习的是第十一页，共50页 然而采用高数值孔径的光学系统然而采用高数值孔径的光学系统(大透镜），会使景深变差大透镜），会使景深变差现在学习的是第十二页，共50页 焦深（DoF） 焦深就是聚焦深度（焦深就是聚焦深度（Depth of Focus），），它是指沿着光通路，圆片可以移动而依然保持图形聚焦清晰的移动距离。对于投影系统，焦深由下式给出：2DoFNAk2 +-光刻胶光刻胶膜膜焦深焦深焦平面焦平面透镜透镜焦点是沿透镜中焦点是沿透镜中心出现最佳图像心出现最佳图

7、像的点，焦深是焦的点，焦深是焦点上面和下面的点上面和下面的一个范围。焦点一个范围。焦点可能不是正好在可能不是正好在光刻胶层的中心光刻胶层的中心，但是焦深应该，但是焦深应该穿越光刻胶层上穿越光刻胶层上下表面。下表面。现在学习的是第十三页，共50页NGL: X射线(5)，电子束(0.62)，离子束(0.12 )光源光源波长波长 (nm)术语术语技术节点技术节点汞灯汞灯436g线0.5mm汞灯汞灯365i线0.5/0.35mmKrF(激光激光)248DUV0.25/0.13mmArF (激光激光)193193DUV90/6532nmF2 (激光激光)157VUVCaF2 lenses激光激发激光激发

8、Xe等离子体等离子体13.5EUVReflective mirrors光光 源源现在学习的是第十四页，共50页第二章第二章 光学曝光技术光学曝光技术u 光学曝光的工艺过程光学曝光的工艺过程u 光学曝光的方式和原理光学曝光的方式和原理u 光刻胶的特性光刻胶的特性u 光学掩膜的设计与制造光学掩膜的设计与制造u 短波长曝光技术短波长曝光技术u 大数值孔径与浸没式曝光技术大数值孔径与浸没式曝光技术u 光学曝光分辨率增强技术光学曝光分辨率增强技术u 光学曝光的计算机模拟技术光学曝光的计算机模拟技术u 其它光学曝光技术其它光学曝光技术u 厚胶曝光技术厚胶曝光技术u LIGA LIGA技术技术东南大学东南大

9、学 南京南京 MEMS教育部重点实验室教育部重点实验室现在学习的是第十五页，共50页光刻胶基本成分光刻胶基本成分 光学曝光过程中，为了将掩模上的图形转移到圆片上，辐照必须光学曝光过程中，为了将掩模上的图形转移到圆片上，辐照必须作用在光敏物质上，该光敏物质必须通过光照，改变材料性质，使作用在光敏物质上，该光敏物质必须通过光照，改变材料性质，使在完成光刻工艺后，达到转移图形的目的。该光敏物质称为在完成光刻工艺后，达到转移图形的目的。该光敏物质称为光刻光刻胶胶。东南大学东南大学 南京南京 MEMS教育部重点实验室教育部重点实验室光刻胶基本成分组成：光刻胶基本成分组成：（1）树脂（Resin）（2）感

10、光剂（PAC）（3）溶剂（Solvent）（4）添加剂（Additive）现在学习的是第十六页，共50页树脂（树脂（ResinResin）：光刻胶中的基体材料，是一种对光敏感的高分子化合物，当它受适当波长的光照射后，就能吸收一定波长的光能量，发生交联、聚合或分解等光化学反应，使光刻胶改变性质。感光剂感光剂（PAC，photoactive compound)：在曝光前作为抑制剂（inhibitor），降低光刻胶在显影液中的溶解速度，而在暴露于光线时有化学反应发生，使抑制剂变成了感光剂，增加了胶的溶解性（正胶），或产生交联催化剂，使树脂交联，降低胶的溶解性（负胶）。溶剂（溶剂（solvent）：使

11、光刻胶保持液体状态。绝大多数的溶剂在曝光前挥发除去，对光刻胶的化学性质几乎没有什么影响。添加剂（添加剂（additive）：）：用来控制和改变光刻胶材料的特定化学性质或光刻胶材料的光响应特性，也包括控制光刻胶反射率的染色剂。现在学习的是第十七页，共50页 凡是在能量束（光束、电子束、离子束等）凡是在能量束（光束、电子束、离子束等）的照射下，以交联反应为主的光刻胶称为的照射下，以交联反应为主的光刻胶称为 ，简称，简称 。 凡是在能量束（光束、电子束、离子束等）的照凡是在能量束（光束、电子束、离子束等）的照射下，以降解反应为主的光刻胶称为射下，以降解反应为主的光刻胶称为 ，简，简称称 。光刻胶是长

12、链聚合物光刻胶是长链聚合物u正胶在感光时，曝光对聚合物起断链作用正胶在感光时，曝光对聚合物起断链作用，使长链变短，使长链变短，使聚合物更容易在显影液中溶解。，使聚合物更容易在显影液中溶解。u负胶在曝光后，使聚合物发生交联负胶在曝光后，使聚合物发生交联，在显影液中溶解，在显影液中溶解变慢。变慢。光刻胶类型光刻胶类型现在学习的是第十八页，共50页正胶正胶IC主导主导负胶负胶现在学习的是第十九页，共50页 光刻胶通过显影完全被清除所需要的曝光剂量（正胶）；光刻胶在光刻胶通过显影完全被清除所需要的曝光剂量（正胶）；光刻胶在显影后有显影后有50%以上的胶厚得以保留时所需要的曝光剂量（负胶）。是衡量曝光速

13、度以上的胶厚得以保留时所需要的曝光剂量（负胶）。是衡量曝光速度的指标，灵敏度越高，所需曝光剂量越小，曝光时间越短。的指标，灵敏度越高，所需曝光剂量越小，曝光时间越短。 灵敏度太低会影响生产效率，所以通常希望光刻胶有较高的灵敏度。但灵敏度灵敏度太低会影响生产效率，所以通常希望光刻胶有较高的灵敏度。但灵敏度太高会影响分辨率。太高会影响分辨率。现在学习的是第二十页，共50页指的是光刻胶上从曝光区到非曝光区过渡的陡度指的是光刻胶上从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度代表着只适于在掩膜版透光区规定范围内曝光的光刻胶的能力。对比度代表着只适于在掩膜版透光区规定范围内曝光的光刻胶的能力。差的光刻胶对比度斜侧

14、壁膨胀差的反差光刻胶膜好的光刻胶对比度陡直侧壁没有膨胀好的反差光刻胶膜 灵敏度曲线越陡，光刻胶的对比度就越大，这样有助于得到清晰的图形灵敏度曲线越陡，光刻胶的对比度就越大，这样有助于得到清晰的图形轮廓和高的分辨率。一般光刻胶的对比度在轮廓和高的分辨率。一般光刻胶的对比度在 0.9 2.0 之间。对于亚微米图形之间。对于亚微米图形，要求对比度大于，要求对比度大于 1。 现在学习的是第二十一页，共50页 光进入光刻胶后，其强度按下式衰减光进入光刻胶后，其强度按下式衰减 0( )ezI zI式中，式中，为光刻胶的光吸收系数。设为光刻胶的光吸收系数。设 TR 为光刻胶的厚度，则为光刻胶的厚度，则可定义

15、光刻胶的可定义光刻胶的 为为RR000RR( ) d1e1TTII zzAI TT 可以证明，对比度可以证明，对比度 与光吸收系数与光吸收系数及光刻胶厚度及光刻胶厚度 TR 之间有如下关系之间有如下关系 R1T 现在学习的是第二十二页，共50页指光刻时所能得到的光刻图形的最小尺寸。通常以每毫米最多可分辨的线条数来表示。光刻工艺中影响分辨率的因素有：光刻工艺中影响分辨率的因素有：和和 （包括灵敏度、对比度、颗粒的大小、显影时的溶胀、电子散射等）（包括灵敏度、对比度、颗粒的大小、显影时的溶胀、电子散射等）、硅片表面状况等。分辨率与灵敏度的关系分辨率与灵敏度的关系:当入射电子数为当入射电子数为 N

16、时，时，由于随机涨落，实际入射的电子数在由于随机涨落，实际入射的电子数在 范围内。为保证范围内。为保证出现最低剂量时不少于规定剂量的出现最低剂量时不少于规定剂量的 90%，也即，也即 。由此可得由此可得 。因此对于小尺寸曝光区，必须满足。因此对于小尺寸曝光区，必须满足NN%10NN100minN2minminminmin()10SWNqqNqWSS式中，式中，Wmin 为最小尺寸，即分辨率。可见，为最小尺寸，即分辨率。可见，现在学习的是第二十三页，共50页 S = h / E单位面积的光刻胶膜上的针孔数目称为针孔密度。单位面积的光刻胶膜上的针孔数目称为针孔密度。指光刻胶薄膜与衬底的粘附能力，主

17、要衡量光刻胶抗湿法腐指光刻胶薄膜与衬底的粘附能力，主要衡量光刻胶抗湿法腐蚀能力。它不仅与光刻胶本身的性质有关，而且与衬底的性质和其蚀能力。它不仅与光刻胶本身的性质有关，而且与衬底的性质和其表面情况等有密切关系。表面情况等有密切关系。光刻胶胶膜必须保持它的粘附性，并在后续的湿刻和干刻中光刻胶胶膜必须保持它的粘附性，并在后续的湿刻和干刻中保护衬底表面。这种性质被称为抗蚀性。保护衬底表面。这种性质被称为抗蚀性。现在学习的是第二十四页，共50页光刻胶具有产生相对大的表面张力的分子间力，所以在不光刻胶具有产生相对大的表面张力的分子间力，所以在不同工艺步骤中光刻胶分子会聚在一起。同时光刻胶的表面张力必须足

18、够同工艺步骤中光刻胶分子会聚在一起。同时光刻胶的表面张力必须足够小，从而在应用时能提供良好的流动性和硅的覆盖。小，从而在应用时能提供良好的流动性和硅的覆盖。现在学习的是第二十五页，共50页第二章第二章 光学曝光技术光学曝光技术u 光学曝光的工艺过程光学曝光的工艺过程u 光学曝光的方式和原理光学曝光的方式和原理u 光刻胶的特性光刻胶的特性u 光学掩膜的设计与制造光学掩膜的设计与制造u 短波长曝光技术短波长曝光技术u 大数值孔径与浸没式曝光技术大数值孔径与浸没式曝光技术u 光学曝光分辨率增强技术光学曝光分辨率增强技术u 光学曝光的计算机模拟技术光学曝光的计算机模拟技术u 其它光学曝光技术其它光学曝

19、光技术u 厚胶曝光技术厚胶曝光技术u LIGA LIGA技术技术东南大学东南大学 南京南京 MEMS教育部重点实验室教育部重点实验室现在学习的是第二十六页，共50页 掩膜版的材料掩膜版的材料u衬底材料：衬底材料：最主要的用于亚微米光刻的投影掩膜版衬底材料是熔最主要的用于亚微米光刻的投影掩膜版衬底材料是熔融石英（融石英（fused silica）。它在深紫外光谱部（）。它在深紫外光谱部（248nm和和193nm）有着很高的光学透射。熔融石英相对昂贵，但性能优越。它有着很高的光学透射。熔融石英相对昂贵，但性能优越。它具有很低的热膨胀系数。具有很低的热膨胀系数。u图形材料：图形材料：用于掩膜版上不透

20、明的图形材料通常是薄层的铬（用于掩膜版上不透明的图形材料通常是薄层的铬（Chrome，Cr）。厚度通常小于）。厚度通常小于1000A，通过溅射淀积。有时，通过溅射淀积。有时候会在铬上形成一层氧化铬（候会在铬上形成一层氧化铬（200A）的抗反射涂层。）的抗反射涂层。掩模版（掩模版（Photomask）：）：一种透明一种透明的平板，上面有要转印到硅片上光的平板，上面有要转印到硅片上光刻胶层的图形。刻胶层的图形。现在学习的是第二十七页，共50页 光学工程师将用户数据转换为写入系统所能接受的光学工程师将用户数据转换为写入系统所能接受的格式。包括数据分割，尺寸标记，图形旋转，增加套刻格式。包括数据分割，

21、尺寸标记，图形旋转，增加套刻标记，内部参照标记，以及一个标记，内部参照标记，以及一个jobdeck（掩膜上不同（掩膜上不同图形的位置的说明）。图形的位置的说明）。现在学习的是第二十八页，共50页 掩膜版上用于掩膜版上用于StepperStepper对准的套刻标记对准的套刻标记现在学习的是第二十九页，共50页掩膜版上的参照标记掩膜版上的参照标记 现在学习的是第三十页，共50页掩膜版的制备掩膜版的制备 通常采用电子束直写的方式把高分辨率的图形转印到掩膜版表面。 电子源产生的电子被加速并聚焦成形射到投影掩膜版上。电子束可以通过光栅扫描或矢量扫描的方式在掩膜版上形成图形。 掩膜版上的电子束胶在曝光显影

22、后，通过湿法或干法刻蚀去掉不需要的铬层。现在学习的是第三十一页，共50页CAD设计、模拟、验证后由图形发生器产生数字图形设计、模拟、验证后由图形发生器产生数字图形数字图形数字图形4或或5投影光刻投影光刻版（版（reticle）投影式光刻投影式光刻1掩膜版（掩膜版（mask）制作）制作接触式、接近式光刻接触式、接近式光刻掩膜版制作掩膜版制作现在学习的是第三十二页，共50页掩模版制作过程：是一个微纳加工过程掩模版制作过程：是一个微纳加工过程12. Finished现在学习的是第三十三页，共50页掩膜版缺陷掩膜版缺陷掩膜版上的缺陷会被复制到光刻胶层中，从而进一步复制到硅片上。制造好的掩膜版要进行大量

23、测试来检查缺陷和颗粒。掩膜版缺陷的来源可能是掉铬，表面擦伤，静电放电或灰尘颗粒。现在学习的是第三十四页，共50页第二讲第二讲 光学曝光技术光学曝光技术u 光学曝光的工艺过程光学曝光的工艺过程u 光学曝光的方式和原理光学曝光的方式和原理u 光刻胶的特性光刻胶的特性u 光学掩膜的设计与制造光学掩膜的设计与制造u 短波长曝光技术短波长曝光技术u 大数值孔径与浸没式曝光技术大数值孔径与浸没式曝光技术u 光学曝光分辨率增强技术光学曝光分辨率增强技术u 光学曝光的计算机模拟技术光学曝光的计算机模拟技术u 其它光学曝光技术其它光学曝光技术u 厚胶曝光技术厚胶曝光技术u LIGA LIGA技术技术东南大学东南

24、大学 南京南京 MEMS教育部重点实验室教育部重点实验室现在学习的是第三十五页，共50页u 深紫外曝光技术深紫外曝光技术 一般，436nm为G线，356nm的为I线，。采用准分子激光器的深紫外曝光技术。u 极紫外曝光技术极紫外曝光技术 极紫外是波长为13nm的光辐射。而其本质是一种软X射线。极紫外波长可被几乎所有材料吸收，故所有的光学系统包括掩模都必须是反射式的。组成：极紫外光源等离子体激发和同步辐射源；极紫外光学系统利用多层膜反射镜，可提高反射率；极紫外掩模掩模基板和金属层；极紫外光刻胶更高灵敏度和分辨率。u X射线曝光技术射线曝光技术 X射线是指波长在0.0110nm间的电磁波谱，又可分为

25、软硬两种。X射线不能被折射，故只能做成1 1邻近式曝光，不可做成缩小式曝光，这样就加大了掩模的制造难度和成本。现在学习的是第三十六页，共50页第二章第二章 光学曝光技术光学曝光技术u 光学曝光的工艺过程光学曝光的工艺过程u 光学曝光的方式和原理光学曝光的方式和原理u 光刻胶的特性光刻胶的特性u 光学掩膜的设计与制造光学掩膜的设计与制造u 短波长曝光技术短波长曝光技术u 大数值孔径与浸没式曝光技术大数值孔径与浸没式曝光技术u 光学曝光分辨率增强技术光学曝光分辨率增强技术u 光学曝光的计算机模拟技术光学曝光的计算机模拟技术u 其它光学曝光技术其它光学曝光技术u 厚胶曝光技术厚胶曝光技术u LIGA

26、 LIGA技术技术东南大学东南大学 南京南京 MEMS教育部重点实验室教育部重点实验室现在学习的是第三十七页，共50页1mNAlkDsinNADn 大数值孔径是高分辨率成像的必要条件 但增加数值孔径会受到焦深的影响和限制，过大的数值孔径会使焦深过小。 进一步增加数值孔径还受到光极化效应的影响当数值孔径达到0.8以上时，光波通过透镜会被极化成s极和p极分量，在大入射角的情况下，s极分量会被反射，使得入射光的能量损失以及成像对比度下降。2DoFNAk2 投影物镜的设计和加工难度增大投影物镜的设计和加工难度增大单单轴轴和和多多轴轴设设计计方方案案现在学习的是第三十八页，共50页浸没式曝光浸没式曝光1

27、mNAlkD n=1.0, DNA=0.93, lm 60 nm n=1.44, DNA=1.34, lm 42 nm21.44H On增加数值孔径增加数值孔径:sinNADn193 nm浸没式光刻技术已在2006年投入使用现在学习的是第三十九页，共50页东南大学东南大学 南京南京 MEMS教育部重点实验室教育部重点实验室u 当今高精度的浸没式步进扫描投影光刻机对浸没液当今高精度的浸没式步进扫描投影光刻机对浸没液体的选择相当苛刻，高折射率和高透射系数是最基本体的选择相当苛刻，高折射率和高透射系数是最基本的要求。的要求。u 一般地，使用水作为一般地，使用水作为193nm193nm光刻的浸没液体。

28、光刻的浸没液体。u 在曝光过程中，由于水中溶解的物质有可能沉积到投影在曝光过程中，由于水中溶解的物质有可能沉积到投影物镜最后一个透镜的下表面或者光刻胶上，引起成像缺陷物镜最后一个透镜的下表面或者光刻胶上，引起成像缺陷，而水中溶解的气体也有可能形成气泡，使光线发生散射，而水中溶解的气体也有可能形成气泡，使光线发生散射和折射。因此，目前业界普遍使用价格便宜、简单易得的和折射。因此，目前业界普遍使用价格便宜、简单易得的去离子和去气体的纯水作为第一代浸没式光刻机的浸没液去离子和去气体的纯水作为第一代浸没式光刻机的浸没液体。体。u 另外，还要考虑水层的厚度对扫描速度的影响。在另外，还要考虑水层的厚度对扫

29、描速度的影响。在500mm/s 500mm/s 的扫描速度下，水层的厚度应该控制在的扫描速度下，水层的厚度应该控制在12mm12mm。现在学习的是第四十页，共50页第二章第二章 光学曝光技术光学曝光技术u 光学曝光的工艺过程光学曝光的工艺过程u 光学曝光的方式和原理光学曝光的方式和原理u 光刻胶的特性光刻胶的特性u 光学掩膜的设计与制造光学掩膜的设计与制造u 短波长曝光技术短波长曝光技术u 大数值孔径与浸没式曝光技术大数值孔径与浸没式曝光技术u 光学曝光分辨率增强技术光学曝光分辨率增强技术u 光学曝光的计算机模拟技术光学曝光的计算机模拟技术u 其它光学曝光技术其它光学曝光技术u 厚胶曝光技术厚

30、胶曝光技术u LIGA LIGA技术技术东南大学东南大学 南京南京 MEMS教育部重点实验室教育部重点实验室现在学习的是第四十一页，共50页除了除了和和NANA外，提高分辨率的另一个方法就是改变外，提高分辨率的另一个方法就是改变因子。因子。因子包含了透镜光学以外的因素，它的理论极限值是因子包含了透镜光学以外的因素，它的理论极限值是0.250.25。这些技术统称为光学曝光分辨率增强技术。这些技术统称为光学曝光分辨率增强技术。（7 7种）种）（1）离轴照明技术）离轴照明技术有意将中有意将中心轴部分的光遮住，这有利于衍心轴部分的光遮住，这有利于衍射光波的高次谐波分量通过透镜射光波的高次谐波分量通过透

31、镜成像到硅片表面上。主要有两种成像到硅片表面上。主要有两种方式：环形离轴照明和四级离轴方式：环形离轴照明和四级离轴照明。该技术是一种最易实现，照明。该技术是一种最易实现，成本最低的分辨率增强技术成本最低的分辨率增强技术现在学习的是第四十二页，共50页（2）移相掩模技术(PSM, Phase Shifting Mask)调制光波的相位来改善成像的对比度和焦深。常见形式有：辅助式，交替式，周边式，无铬式，衰减式。各种移相掩模的目的都是通过引进相反的相位光波，在各种移相掩模的目的都是通过引进相反的相位光波，在相的边缘部分产生抵消作用。相的边缘部分产生抵消作用。选择一种具有一定厚度和折射率的材料，选择

32、一种具有一定厚度和折射率的材料，使得相位移动使得相位移动180,形成相消干涉。形成相消干涉。普通铬掩模移相掩模现在学习的是第四十三页，共50页（3）光学邻近效应校正技术有意的改变掩模的设计尺寸和形状来补偿图形局部曝光过强或过弱。另外一种校正技术不是修改设计图形本身，而是在设计图形附近加一些图形（亚分辨率辅助图形）或散射条。这些辅助图形的尺寸很小，不会在光刻胶上成像，但其会影响光强分布，从而影响设计图形的成像质量。现在学习的是第四十四页，共50页现在学习的是第四十五页，共50页（4）消除表面反射和驻波效应抗反射层和表面平坦化技术驻波：驻波：由于入射光和反射光间的相长与相消干涉造成。驻波造成光刻胶中的光强随厚度变化，由于曝光的变化产生光刻胶溶解