单片机抗干扰技术

1、抗干扰技术抗干扰技术硬件常识干扰的分类干扰的分类一、按噪声产生的原因分类一、按噪声产生的原因分类 1、放电噪声 2、高频振荡噪声 3、浪涌噪声二、按噪声传导模式分类二、按噪声传导模式分类 1、常模噪声 2、共模噪声三、按噪声的波形及性质分类三、按噪声的波形及性质分类 1、持续正弦波 2、偶发脉冲电压波形 3、脉冲 列其中按噪声传导模式分类其中按噪声传导模式分类1、常模噪声：又称线间噪声或对称噪声、串模噪声、差动噪声、横向噪声等。2、差模噪声：又叫地感应噪声、纵向噪声或不对称噪声。3、共模噪声向串模噪声转换：有一种说法：本质上讲，共模噪声是可以除掉的，但是由于线路的不平衡状态，共模噪声会转换成串

2、模噪声。干扰的耦合方式干扰的耦合方式1、直接耦合方式2、公共阻抗耦合方式3、电容耦合方式4、电磁感应耦合方式5、辐射耦合方式6、漏电耦合方式*1、直接耦合方式 电导性耦合最普遍的方式是干扰信号经过导线直接传到到被干扰电路中。滤波去耦2、公共阻抗耦合方式 噪声源和信号源具有公共阻抗时的传导耦合。 避免公共阻抗。3、电容耦合方式 电位变化在干扰源与干扰对象之间引起的静电感应。又称静电耦合或电场耦合。 原件之间、导线之间、导线与原件之间都存在着分布电容。如某一导体上的信号电压通过分布电容使其他导体上的电位受到影响，这样的现象就称为电容性耦合。电容耦合例子 Vs中的信号如何从A线耦合到B线并干扰B线的

3、负载。4、电磁感应耦合方式 电磁感应耦合又称磁场耦合。在任何载流导体周围都会产生磁场。变化电流的磁场会对周围的闭合电路产生感应电势。5、辐射耦合方式 电磁场辐射也会造成干扰耦合。当高频电流流过导体时，在该导体周围便产生电力线和磁力线，并发生高频变化，从而形成一种在空间传播的电磁波。处于电磁波中的导体便会感应出相应频率的电动势。两个导体间电磁感应耦合例子数字集成电路特性与型号数字集成电路特性与型号曲线为：非门的 电压传输 特性任一点斜率；duO/duI= ；电压放大倍数区为过渡区，Q点斜率最大，Q点对阀值电压UTUIL 最大输入低 电平，Q1点斜率-1UIH 最小输入高 电平，Q2点斜率-1UO

4、L 输出低电平UOL的上限值，最大值UOH 输出高电平UOH的下限值，最小值UOH - UOL = 摆幅，小于E，越大越可靠UOH - UOL = 摆幅，小于E，越大越可靠UOH - UIH = UNH ，高 电平噪 声 容 限UIL - UOL = UNL ，低 电平噪 声 容 限以上不要用在施密特最常用的两种基本的数字集成电路TTL和CMOS1、Transistor-Transistor Logic ，是市面上常用的逻辑门数字集成电路，由电阻器和三极管和二极管组成。最早是由德州仪器所开发出来的，其他厂商的编号命名都是以德州仪器所公布的资料为主。 举例一个标准型：结构的材料最简单，相对的特性

5、也是不理想，所以此类型已经被淘汰。7400 74002、Complementary Metal Oxide Semiconductor就是CMOS+PMOS。TTL与与CMOS的特点和区别的特点和区别TTL：双极型器件，速度快（ns），功耗大（mA），负载力大，空闲脚多数不用处理。因为多晶体管结构，决定了转换电平是2倍PN节正向压降，大约1.4V，输入端电流是向外的。Vcc:5V；VOH2.4V；VOL0.5V；VIN 2V；VIL 0.8V。TTL电平一般过冲都会比较严重，可在始端串22欧或33欧电阻；当输入脚悬空时内部认为是高电平，要下拉的话应用1K以下电阻下拉。TTL输出不能直接驱动CO

6、MS输入。COMS：单极型器件，速度慢（几百ns），功耗低（uA），负载力小，空闲脚须处理。因为输入阻抗比较大，容易捕捉到干扰信号，所以NC脚不应开路，可以根据情况将不用端与使用端并联，或接电源或接地，如果悬空，且COMS有电流闩锁效应，容易烧掉IC，所以输入端电流尽量不要太大，最好加限流电阻。输入端的转换电平是1/2的电源电压。Vcc：5V；VOH 4.45V；VOL 0.5V；VIH 3.5V；VIL 1.5V。COMS结构内部寄生有可控硅结构，当输入或输入管脚高于VCC一定值时，电流足够大的话，可能引起闩锁效应，导致芯片烧毁。其他的集成电路3.3V LVTTL：Vcc:3.3V；VOH2

7、.4V；VOL0.4V；VIH 2V；VIL 0.8V。2.5V LVTTL：Vcc:2.5V；VOH2V；VOL0.2V；VIH 1.7V；VIL 0.7V。3.3V LVCMOS：Vcc:3.3V；VOH3.2V；VOL0.1V；VIH 2V；VIL 0.7V。2.5V LVCMOS：Vcc:3.3V；VOH2V；VOL0.1V；VIH 1.7V；VIL 0.7V。3.3V LVTTL和3.3V LVCOMS可以相互驱动ECL：Vcc=0V；Vee=-5.2V；VOH=-0.88V；VOL=-1.72V；VIH=-1.24V；VIL=-1.36V。速度快，驱动能力强，噪声小，很容易达到几百M的应用。但是功耗大，需要附在电源。为简化电源，出现了PECL和LVPECL。PECL：Vcc=5V；VOH=4.12V；VOL=3.28V；VIH=3.78V；VIL=3.64VLVPECL：Vcc=3.3V；VOH=2.42V；VOL=1.58V；VIH=2.06V；VIL=1.