三极管练习习题

1、第二章 基本放大单元电路一、填空题1、三极管具有电流放大作用的内部条件是：（ 基区 ）区很薄；（ 发射 ）区的多数载流子浓度很高；（ 集电 ）区的面积较大。2、三极管具有放大作用的外部条件是：（ 发射 ）结正向偏置；（集电 ）结反向偏置。3、三极管电流放大作用是指三极管的（ ）电流约是（ ）电流的倍，即利用（ ）电流来控制（ ）电流。4、某个放大电路的对数电压增益为40dB，换算成电压放大倍数为（ ）倍；另一个放大电路的电压放大倍数为150倍，换算成对数电压增益应是（ ）dB。5、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3KW的负载电阻后，输出电压降为3V，则该放大电路的输出电阻Ro=（

2、）K。6、FET管属于（ ）控制器件；BJT管则可以认为是（ ）控制器件。7、已知某基本共射放大电路，现在输入一个正弦信号，若逐渐增大信号的幅度，首先出现的失真是（ ）；若要使该电路具有最大的动态范围应使（ ）=（ ）。0A10A20A30A40AiB=50AiC(mA)vCE(V)01234568、单管共射放大电路、三极管的输出特性曲线、直流和交流负载线如下图所示。根据图填空回答下列问题：Vo-+-+VCCRbRcRL+ViC1C2（1）电源电压VCC=（ ）；（2）静态集电极电流ICQ=（ ）；静态管压降VCEQ=（ ）；（3）集电极负载电阻RC=（ ），负载电阻RL=（ ）；（4）放大电

3、路输出最大不失真正弦电压有效值约为（ ）；（5）当输入信号幅度逐渐增大时，将首先出现（ ）失真现象；（6）要使放大电路不出现失真，基极正弦电流的振幅应小于（ ）。9、判断下列说法是否正确，正确的在括号中画，错误的画x。（1）利用微变等效电路可以方便地分析计算小信号输入时三极管的静态工作点。（ ）（2）三极管的输入电阻rbe是一个动态电阻，故与静态工作点无关。（ ）（3）在基本共射放大电路中，为了获得较高的输入电阻，在Rb固定不变的条件下，三极管的应该尽可能大些。（ ）（4）在基本共射放大电路中，若三极管的增加一倍，则电压放大倍数也将相应增大一倍。（ ）（5）电压放大器的输出电阻越小，意味着放大

4、器带负载的能力越强。（ ）10、以电压控制（ ），属于（ ）控制电流型半导体器件。11、场效应管的导电过程仅仅取决于（ ）载流子的运动，故称场效应管为（ ）晶体管；而三极管的导电过程取决于（ ）载流子的运动，所以称三极管为（ ）晶体管。12、场效应管的栅极电流为（ ），所以输入电阻为（ ）。13、判断下列说法是否正确，正确的在括号中画，错误的画x。（1）场效应管输入电阻远高于三极管的输入电阻，其放大能力也远高于三极管。（ ）（2）场效应管的内部噪声比三极管大，故它不可用于高灵敏度的接收装置。（ ）（3）有的场效应管的漏极和源极可以互换使用，而不影响其工作性能。（ ）（4）使用MOS场效应管应避

5、免栅极悬空及减少外界感应。（ ）（5）耗尽型场效应管可以采用自给偏压和混合偏压两种偏压方式。（ ）（6）增强型MOS管也可以采用自给偏压和混合偏压两种偏压方式。（ ）14、从下图各三极管电极上的实测对地电压数据中，分析各管的情况，把结论在表中用标出。8V2V3DG100A-5V0V3AX51C0V12V3V3CX201C3V3DK2B(a)(b)(c)(d)0V3V2V3AG56A(e)图NPNPNP锗管硅管截止放大饱和损坏情况abcde15、在射极偏置电路中，测得ICQ=2mA，IBQ=40mA。现换一只b=80的三极管，ICQ（ ）mA，IBQ（ ）mA。Vo-+-+VCCRbRcRL+V

6、iC1C2二、选择题1、 电路如图所示，设电容C1、C2对交流信号相当于短路，对下面的问题选择正确的答案填空。（1）在Vi=0时，用直流电压表分别测量管压降VCE和输出端电压Vo，设三极管工作在线性放大区，则测出的两个数值应该（ ）。a、相等； b、不等； c、近似相等。（2）用示波器观察交流输出波形vo和集电极电压波形vC，则二者应该（ ）。a、相同； b、不同； c、反相。（3）输入f=1KHz的正弦电压信号，用示波器观察vo和vi，二者的波形应该（ ）。a、相同； b、相差45o； c、相差90o； d、相差180o。2、电路如上图所示，在线性放大状态下调整电路元件的参数，试分析电路状态

7、和性能的变化。（1）若Rb的阻值减小，而电路其它元件参数不变，则静态的IB将（ ），VCE将（ ），电压放大倍数AV将（ ）。a、增大； b、减小； c、不变； d、无法确定（2）若换一只值较小的管子，而电路其它元件参数不变，则静态IB将（ ），VCE将（ ），电压放大倍数AV将（ ）。a、增大； b、减小； c、不变； d、无法确定+ReC2CeC1RLRb1Rb2Rc+VCC+_+_ViVo3、放大电路如右图所示，由于Rb1和 Rb2 阻值选取得不合适而产生了饱和失真，为了改善失真，正确的做法是（ ）。(a) 适当增加Rb2，减小Rb1(b) 保持Rb1不变，适当增加Rb2(c) 适当增加

8、Rb1，减小Rb2(d) 保持Rb2不变，适当减小Rb14、放大电路如右图所示，已知：Vo-+-+VCCRbRcRL+ViC1C2Rb240 kW，Rc3 kW，晶体管40， VCC12V, 现该电路中的三极管损坏，换上一个80的新管子， 若要保持原来的静态电流 ICQ不变且忽略VBE，应把Rb 调整为（ ）。(a) 480 kW(b) 120 kW(c) 700 kW(d) 240 kWRRWRcC+9V5、放大电路如图所示，设晶体管=50，RCW，VBE 为使电路在可变电阻RW0 时，晶体管刚好进入饱和状态，电阻R应取（ ）。(a) 75 kW (b) 100 kW (c) 25 kW6、

9、某固定偏置单管放大电路、三极管特性曲Vo-+-+VCCRbRcRL+ViC1C2线以及静态工作点Q如图所示，根据下列问题选择填空。iC(mA)vCE(V)Q1Q0iB=40mAQ2（1）欲使工作点Q移至Q1需使( )。(a) 偏置电阻Rb 增大。(b) 集电极电阻Rc 减小 (c) 偏置电阻Rb 减小（2）欲使静态工作点Q移至 Q2需使( )。(a) 偏置电阻Rb 增加 (b) 集电极电阻Rc 减小 (c) 集电极电阻Rc 增加 7、某固定偏置单管放大电路的静态工作点vCE(V)iC(mA)Q1Q0iB=40mAQ2Q3Q如右图所示，若将直流电源VCC适当降低，则Q点将朝着（ ）方向移动。(a

10、) Q1 (b) Q2 (c) Q38、固定偏置单管放大电路的静态工作点vCE(V)iC(mA)Q1Q0iB=40mAQ2Q如右图所示，当温度升高时工作点Q将( )。(a) 不改变 (b) 向Q1移动 (c)向 Q2移动 9、单管放大电路如下图1所示，其交直流负载的正确画法是下图2中的( )。Vo-+-+VCCRbRcRL+ViC1C2图1vCE(V)iC(mA)Q0直流负载线交流负载线(a)vCE(V)iC(mA)Q0交流负载线直流负载线(b)vCE(V)iC(mA)Q0直流负载线交流负载线(c)vCE(V)iC(mA)Q0交流负载线直流负载线(d)图210、某一固定偏置NPN管共射放大电路

11、，其输入和输出电压波形如图所示，这种失真是（ ）。vit00tvoa、饱和失真 b、截止失真 c、线性失真11、试分析下图所示的电路，选择正确的答案填空。+_RcC1+VCCC2CbRb1Rb2ReViVo+_（1）该电路是（ ）组态。a、 共发射极 b、 共基极 c、 共集电极（2）三极管的偏置电路是（ ）。a、固定偏置电路 b、分压式稳定偏置电路 c、电压反馈偏置电路（3）输出交流信号和输入交流信号的相位（ ）。a、相同 b、相反 c、相差90o（4）该电路的电压放大倍数的绝对值与（ ）相同。a、共发射极 b、共集电极 c、共栅极+12V=50+6VRbRc51KW6KW12、 微变等效电

12、路法适用于( )。(a) 放大电路的动态分析 (b) 放大电路的静态分析(c) 放大电路的静态和动态分析13、电路如图所示，管子的临界饱和电流ICS 约为( ) 。(a) 2 mA (b) 5 mA(c) 60 A(d) 40 A+RLReC2C1RbTRs+VCCvo+_+_vs14、放大电路如右图所示，其输入电阻ri的正确表达式是（ ）。(a) (b)(c)(d)15、射极输出器电路如上图所示，根据下列问题选择填空。（1）与共射单管放大电路相比，射极输出器电路的特点是( )。a、输入电阻高，输出电阻低 b、输入电阻低，输出电阻高c、输入，输出电阻都很高 d、 输入，输出电阻都很低 （2）就

13、放大作用而言，射极输出器是一种 ( )。a、有电流放大作用而无电压放大作用的电路b、有电压放大作用而无电流放大作用的电路c、电压和电流放大作用均没有的电路（3）正常工作的射极输出器，电压放大倍数近似等于1，那么电路中的三极管一定工作在( )。a、 饱和区 b、 截止区c、 放大区（4）射极输出器的输入输出公共端是( )。a、集电极 b、发射极 c、基极（5）射极输出器电路中，输出电压vo与输入电压vi之间的关系是( )。C1C2RL+VDDRsCsRd+4KRg+_vovi+_a、 两者反相，且输出电压大于输出电压b、 两者同相，输出电压近似等于输入电压c、 两者相位差90 ，且大小相等16、

14、场效应管放大电路如图所示，根据下列问题选择填空。（1）耦合电容C2约几十微法，则C1的取值通常( )。a、大于C2 b、等于C2 c、比C2小得多，约F（2）静态时该电路的栅极电位等于( )。a、零 b、 IDRd c、 - IDRd （3）动态时该电路的漏极电流id取决于( )。a、输入端电流ii的大小 b、 输入端电压vi的大小 c、 输入端电压vi和电流ii的大小三、简答题1、放大电路如图所示，晶体管为硅管，VBEQ=，=45，若要求静态时VCEQ= 5V，Rb的数值应该调到多少+ReC2C1RLRb270Rc+24V+_+_ViVo10K2、某集成电路的局部电路如右图所示，T1、T2的

15、参数完全相同且足够大。问：（1）T1、T2和R组成什么电路voIRR+VCCviT1T2IC2ILT3（2）IC2与IR有什么关系，写出IC2的表达式。四、分析计算题Vo-+-+VCCRbRcRL+ViC1C21、如图所示，已知：VCC=12V、Rb=45kW、Rc=3KW、b=50、VBE=。（1）判断电路静态工作点位于哪个区；（放大区、饱和区、截止区）（2）若要使电路不处于饱和区，而Rb又要求不变，则Rc的数值最大不超过多大（3）若Rc=3KW，为使电路能正常放大，Rb至少应选多大2、基本共射电路仍然如上题图所示，已知VCC=12V、b=60、三极管的饱和管压降VCES可忽略，试计算：（1

16、）设Rc=1KW，求基极临界饱和电流IBS。RG1RG2RS+VDDRDRL+-vivoCS（2）设IB=0.15A，欲使三极管饱和，Rc的最小值为多少3、电路如图所示。已知：VDD=20V，RG2=500KW，RD=RL=10KW，RS=2KW；场效应管的IDSS=2mA，VGS(off)=-4V，静态时管子的VGSQ=-1V；所有电容的值均足够大，对交流信号可视作短路。试求：(1) RG1的阻值；(2) 管子的静态值IDQ；(3) Av、Ri和Ro；(4)CS断开时，Av下降了百分之几RG1RS+VDDRD+-vivo1+-vo2RG2RG34、电路如图所示。已知：VDD=24V，RG1=

17、90KW，RG2=25KW，RG3=1MW，RD=RS=10KW；场效应管的IDSS=2mA，VGS(off)=-5V；所有电容的值均足够大，对交流信号可视作短路。试求：（1） 从漏极输出时的电压放大倍数Av1及输出电阻Ro1值；（2） 从源极输出时的电压放大倍数Av2及输出电阻Ro2值；（3） 输入电阻Ri值。RbRcVCC=+5VvovsVEE=-5V50KRe1100WCeC15、For the circuit in figure, the transistor parameters are b=100. Design the circuit such that ICQ= and VCEQ=3V. Find the small-signal v