第九课 光探测(上)_5.8final

1、第九课第九课光探测光探测(上上)2022-5-5主要内容主要内容5.1光电探测器的定义光电探测器的定义5.2 光电探测器的物理效应光电探测器的物理效应5.3光电探测器的特性参数光电探测器的特性参数5.4典型光电探测器件典型光电探测器件5.5光电探测技术的应用光电探测技术的应用 光探测器光探测器：凡是能把光辐射量转换成另一：凡是能把光辐射量转换成另一类便于测量的物理量的器件。类便于测量的物理量的器件。 光电探测器光电探测器：将光信号转换成电信号的器：将光信号转换成电信号的器件。件。它不仅在光探测器中占有绝对的它不仅在光探测器中占有绝对的支配地位，而且是光电系统的核心组成部支配地位，而且是光电系统

2、的核心组成部分（分（光源、信道和探测器光源、信道和探测器）。）。2022-5-55.1 光电探测器的定义光电探测器的定义2022-5-55.1.2光电探测器的物理效应光电探测器的物理效应 光电（光子）效应：光电（光子）效应：探测器吸收光子后，直接探测器吸收光子后，直接引起原子或分子内部电子状态的改变，光子能量引起原子或分子内部电子状态的改变，光子能量的大小直接影响内部电子状态的改变。的大小直接影响内部电子状态的改变。对光波频对光波频率表现出选择性，响应速度一般比较快（率表现出选择性，响应速度一般比较快（nsus）。）。 光热效应：光热效应：探测元件吸收光辐射能量后，并不探测元件吸收光辐射能量后

3、，并不直接引起内部电子状态的改变，而是把吸收的光直接引起内部电子状态的改变，而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量，引起探测元件温度上能变为晶格的热运动能量，引起探测元件温度上升，温度上升的结果又使探测元件的电学性质或升，温度上升的结果又使探测元件的电学性质或其他物理性质发生变化。其他物理性质发生变化。一般对光波频率没有选一般对光波频率没有选择性，响应速度比较慢（择性，响应速度比较慢（ms）。）。光电效应分类光电效应分类效效 应应典型探测器典型探测器外光电效应外光电效应 光阴极发射光电子 光电子倍增 打拿极倍增 通道电子倍增光电管光电倍增管像增强管内光电效应内光电效应 光电导（本征和非本征） 光

4、生伏特 PN结和PIN结（零偏） PN结和PIN结（反偏） 雪崩 肖特基势垒 光电磁 光子牵引光导管或光敏电阻光电池光电二极管雪崩光电二极管肖特基势垒光电二极管光电磁探测器光子牵引探测器2022-5-5光热效应分类光热效应分类效效 应应典型探测器典型探测器 辐射热计 负电阻温度系数 正电阻温度系数 超导 温差电 热释电 其他热敏电阻测辐射热计金属测辐射热计超导远红外探测器热电偶、热电堆热释电探测器高莱盒、液晶2022-5-52022-5-5光电发射效应光电发射效应 光电发射效应：光电发射效应：光子能量足够大，光子能量足够大，物体受物体受光照后向外发射电子。光照后向外发射电子。能产生光电发射效能

5、产生光电发射效应的物体称为应的物体称为光电发射体光电发射体，多为金属和金多为金属和金属氧化物，也可为半导体材料。属氧化物，也可为半导体材料。 爱因斯坦方程爱因斯坦方程 ： 光电发射条件：截止频率光电发射条件：截止频率 截止波长截止波长kEhEcEh1.24()()chcmEE eV电子逸出功：电子逸出功：是描述材料表是描述材料表面对电子束缚面对电子束缚强弱的物理量。强弱的物理量。光电子最大光电子最大动能动能2022-5-52022-5-5光电导效应光电导效应光电导效应：光电导效应：光照引起半导体材料电导率变化的现象。光照引起半导体材料电导率变化的现象。 本征型光电导：本征型光电导：当入射光子的

6、能当入射光子的能量等于或大于半导体材料的禁带量等于或大于半导体材料的禁带宽度宽度Eg时，激发一个电子空时，激发一个电子空穴对，在外电场的作用下，形成穴对，在外电场的作用下，形成光电流。光电流。 杂质型光电导杂质型光电导：对于型半导体，：对于型半导体，当入射光子的能量等于或大于杂当入射光子的能量等于或大于杂质电离能质电离能i时，将施主能级上时，将施主能级上的电子激发到导带而成为导电电的电子激发到导带而成为导电电子，在外电场的作用下，形成光子，在外电场的作用下，形成光电流。电流。 本征型用于可见光长波段本征型用于可见光长波段,杂质杂质型用于红外波段。型用于红外波段。价带导带电子空穴Eg价带导带电子

7、空穴i施主2022-5-5光伏效应光伏效应 光伏效应：光伏效应：半导体的半导体的“结结”效应，效应，实现光实现光伏效应需要有内部电势垒伏效应需要有内部电势垒，当照射光激发，当照射光激发出电子出电子-空穴对时，电势垒的内建电场将把空穴对时，电势垒的内建电场将把电子电子-空穴对分开，从而在势垒两侧形成电空穴对分开，从而在势垒两侧形成电荷堆积，产生光伏效应。内部电势垒可以荷堆积，产生光伏效应。内部电势垒可以是是PN结结、PIN结结、肖特基结肖特基结、异质结异质结等。等。2022-5-5光热效应光热效应 光热效应光热效应：材料受光照射后，光子能量与：材料受光照射后，光子能量与晶格相互作用，振动加剧，温

8、度升高，从晶格相互作用，振动加剧，温度升高，从而导致材料的电学性质发生变化。而导致材料的电学性质发生变化。热释电效应热释电效应：介质的极化强度随温度变化而变：介质的极化强度随温度变化而变化，引起表面电荷变化的现象。化，引起表面电荷变化的现象。温差电效应温差电效应：由两种材料制成的结点出现温差：由两种材料制成的结点出现温差而在两结点间产生电动势，又称而在两结点间产生电动势，又称塞贝克效应塞贝克效应。辐射热计效应辐射热计效应：入射光的照射使材料由于受热：入射光的照射使材料由于受热而造成电阻率变化的现象。而造成电阻率变化的现象。2022-5-55.3 光电探测器的特性参数光电探测器的特性参数 5.3

9、.1响应特性响应特性 5.3.2噪声特性噪声特性 5.3.3量子效率量子效率 5.3.4线性度线性度 5.3.5工作温度工作温度2022-5-55.3.1响应特性响应特性1. 响应度（灵敏度）：响应度（灵敏度）：是光电探测器输出电是光电探测器输出电信号与输入光功率之间关系的度量。描述信号与输入光功率之间关系的度量。描述的是光电探测器件的的是光电探测器件的光电转换效率光电转换效率。电压响应度电压响应度：光电探测器件输出电压与入射：光电探测器件输出电压与入射光功率之比光功率之比电流响应度电流响应度：光电探测器件输出电流与入射：光电探测器件输出电流与入射光功率之比光功率之比)/(WVPURsU)/(

10、WAPIRsI2022-5-5响应特性响应特性2. 光谱响应度：光谱响应度：探测器在波长为探测器在波长为的单色光照射下，的单色光照射下，输出电压或电流与入射的单色光功率之比。光输出电压或电流与入射的单色光功率之比。光谱响应度随波长的变化称为探测器的谱响应度随波长的变化称为探测器的光谱响应光谱响应。 R RU U是常数时，相应探测器称为是常数时，相应探测器称为无选择性探测器无选择性探测器( (如光热探测器如光热探测器) )，光子探测器则是选择性探测，光子探测器则是选择性探测器。器。3. 积分响应度：积分响应度：探测器对各种波长光连续辐射量探测器对各种波长光连续辐射量的响应程度。的响应程度。)()

11、()(PURsU)()()(PIRsI1010( ) ( )( )UURPdURPPd1010( ) ( )( )IIRPdIRPPd2022-5-5响应特性响应特性4. 响应时间响应时间：描述光电探测器对入射光响应：描述光电探测器对入射光响应快慢的参数。快慢的参数。上升时间（上升时间（r）：入射：入射光照射到光电探测器后，光照射到光电探测器后，光电探测器输出上升到光电探测器输出上升到稳定值所需要的时间。稳定值所需要的时间。下降时间（下降时间（f） ：入：入射光遮断后，光电探测射光遮断后，光电探测器输出下降到稳定值所器输出下降到稳定值所需要的时间。需要的时间。rf光信号探测信号tP一般，一般，

12、 = r =f，称，称为探测器的为探测器的响应时间响应时间。2022-5-5响应特性响应特性5. 频率响应频率响应：描述光电探测器的响应度在入：描述光电探测器的响应度在入射光波长不变时，随入射光的调制频率而射光波长不变时，随入射光的调制频率而变化的特性。变化的特性。 20)2(1)(fRfRR0是零频响应度是零频响应度 f 是调制频率是调制频率是响应时间是响应时间 R(f)随随f的升高而下降，下降的升高而下降，下降的速度与响应时间的大小有关。的速度与响应时间的大小有关。一般规定一般规定R(f)下降到：下降到：21cf 光电探测器的频率响应曲线光电探测器的频率响应曲线00()20.707RfRR

13、此时的频率此时的频率f fc c为探测器的响应截止频率：为探测器的响应截止频率：特性曲线特性曲线i iF F（f f）的关系称为光电频率特性，相应）的关系称为光电频率特性，相应的曲线称为的曲线称为频率特性曲线频率特性曲线。i i = = F F ( (P P) )及曲线称为及曲线称为光电特性曲线光电特性曲线。i iF F ( () )及其曲线称为及其曲线称为光谱特性曲线光谱特性曲线。i iF F ( (u u) )及其曲线称为及其曲线称为伏安特性曲线伏安特性曲线。2022-5-52022-5-55.3.2噪声特性噪声特性 如果对这些随时间而起伏的电压如果对这些随时间而起伏的电压(流流)按时间取

14、平按时间取平均值，则平均值等于零。但这些值的均方根不等均值，则平均值等于零。但这些值的均方根不等于零，这个均方根电压于零，这个均方根电压(流流)称为探测器的称为探测器的噪声电噪声电压压(流流)。 从响应度的定义来看，好象只要有光辐射存在，从响应度的定义来看，好象只要有光辐射存在，不管它的功率如何小，都可探测出来。但事实并不管它的功率如何小，都可探测出来。但事实并非如此。当入射功率很低时，输出只是些杂乱无非如此。当入射功率很低时，输出只是些杂乱无章的变化信号，而无法肯定是否有辐射入射在探章的变化信号，而无法肯定是否有辐射入射在探测器上。这并不是探测器不好引起的，而是它所测器上。这并不是探测器不好

15、引起的，而是它所固有的固有的噪声噪声引起的。引起的。2022-5-5光电探测器常见噪声光电探测器常见噪声 热噪声热噪声 散粒噪声散粒噪声 产生产生-复合噪声复合噪声 1/f噪声噪声1、热噪声、热噪声 热噪声热噪声：或称：或称约翰逊噪声约翰逊噪声，即载流子无规则的，即载流子无规则的热运动造成的噪声。热运动造成的噪声。热噪声存在于任何电阻中。热噪声存在于任何电阻中。热噪声与温度成正比。热噪声与温度成正比。 热噪声与频率无关。热噪声与频率无关。热噪声是各种频率分量组成，就像白光是各种热噪声是各种频率分量组成，就像白光是各种波长的光组成一样，所以热噪声也称为波长的光组成一样，所以热噪声也称为白噪声白噪

16、声。2、散粒噪声、散粒噪声 散粒噪声散粒噪声：也称：也称散弹噪声散弹噪声， 穿越势垒的载流穿越势垒的载流子的随机涨落（统计起伏）所造成的噪声。在子的随机涨落（统计起伏）所造成的噪声。在每个时间间隔内，穿过势垒区的载流子的数或每个时间间隔内，穿过势垒区的载流子的数或从阴极到阳极的电子数都围绕一平均值上下起从阴极到阳极的电子数都围绕一平均值上下起伏。伏。 散粒噪声也是散粒噪声也是白噪声白噪声，与频率无关。，与频率无关。 散粒噪声是光电探测器的固有特性，对大多数散粒噪声是光电探测器的固有特性，对大多数光电探测器的研究表明：光电探测器的研究表明：散粒噪声是主要的噪散粒噪声是主要的噪声来源。声来源。3、

17、产生、产生-复合噪声复合噪声 半导体受光照，载流子不断产生半导体受光照，载流子不断产生复合。复合。在平衡状态时，在载流子产生和复合的在平衡状态时，在载流子产生和复合的平均数是一定的平均数是一定的,但在某一瞬间载流子的但在某一瞬间载流子的产生数和复合数是有起伏的，这种起伏产生数和复合数是有起伏的，这种起伏导致载流子浓度的起伏，由这种起伏引导致载流子浓度的起伏，由这种起伏引起的噪声起的噪声产生产生复合噪声复合噪声。它不是白噪。它不是白噪声。声。4、1/f噪声噪声 1/f噪声噪声：或称：或称闪烁噪声闪烁噪声或或低频噪声低频噪声。由。由于光敏层的微粒不均匀或不必要的微量于光敏层的微粒不均匀或不必要的微

18、量杂质的存在，当电流流过时在微粒间发杂质的存在，当电流流过时在微粒间发生微火花放电而引起的微电爆脉冲称为生微火花放电而引起的微电爆脉冲称为1/f噪声。噪声。 噪声的功率近似与频率成反比噪声的功率近似与频率成反比 多数器件的多数器件的1/f噪声在噪声在200300Hz以上已以上已衰减到可忽略不计。衰减到可忽略不计。2022-5-5噪声特性参数噪声特性参数1. 信噪比（信噪比（SNR）：负载电阻上信号功率与：负载电阻上信号功率与噪声功率之比，是判定噪声大小的参数。噪声功率之比，是判定噪声大小的参数。2222NSLNLSNSIIRIRIPPNS22()10lg20lgSSNNIISdBNII2022

19、-5-5噪声特性参数噪声特性参数2. 噪声等效功率（噪声等效功率（NEP）：信号功率与噪声功：信号功率与噪声功率比为率比为1（SNR=1）时，入射到探测器件上）时，入射到探测器件上的光功率的光功率(单位为瓦单位为瓦)。 NEP反映了探测器的最小可探测功率。反映了探测器的最小可探测功率。 NEP越小说明探测器的噪声特性越好，探测越小说明探测器的噪声特性越好，探测能力越强。能力越强。1isSNRNEPP2022-5-5噪声特性参数噪声特性参数3. 探测度探测度：噪声等效功率的倒数。：噪声等效功率的倒数。1DNEP*1/ 2*1()dDDAfNEP经过分析，发现经过分析，发现NEP与探测元件的面积与

20、探测元件的面积Ad和测量和测量带宽带宽f 乘积的平方根成正比，为了方便比较不同乘积的平方根成正比，为了方便比较不同探测器之间的探测能力，定义探测器之间的探测能力，定义归一化探测度归一化探测度：2022-5-55.3.3量子效率量子效率 量子效率量子效率：某一特定波长下，单位时间内：某一特定波长下，单位时间内产生的平均光电子数与入射光子数的比。产生的平均光电子数与入射光子数的比。 量子效率是一个微观参数，量子效率愈高量子效率是一个微观参数，量子效率愈高愈好。愈好。对理想的探测器，入射一个光量子对理想的探测器，入射一个光量子发射一个电子，发射一个电子， =1=1；实际上，实际上， 1410nm的可

21、见光来说，很难产生光电发的可见光来说，很难产生光电发射，射，金属材料是否满足良好的光电发射材料的条件？金属材料是否满足良好的光电发射材料的条件？半导体材料是否满足良好的光电发射材料的条件？半导体材料是否满足良好的光电发射材料的条件？光吸收系数比金属大；光吸收系数比金属大；体内自由电子少，散射能量变小体内自由电子少，散射能量变小故量子效率比金属大；故量子效率比金属大；半导体溢出功相对较小，光发射波半导体溢出功相对较小，光发射波长延伸至可见光、近红外波段。长延伸至可见光、近红外波段。 (1)(1)使光电阴极发射的光电子尽可能全部会聚到第一倍增使光电阴极发射的光电子尽可能全部会聚到第一倍增极上，而将

22、其他部分的杂散电子散射掉，提高信噪比；极上，而将其他部分的杂散电子散射掉，提高信噪比； (2) (2)使阴极面上各处发射的光电子在电子光学系统中有使阴极面上各处发射的光电子在电子光学系统中有尽可能相等的渡越时间，以保证光电倍增管的快速响应。尽可能相等的渡越时间，以保证光电倍增管的快速响应。光电阴光电阴极极聚焦极聚焦极3 3电子光学系统电子光学系统 倍增系统是由许多倍增极组成的综合体，每个倍增极倍增系统是由许多倍增极组成的综合体，每个倍增极都是由二次电子倍增材料构成，具有使一次电子倍增的能都是由二次电子倍增材料构成，具有使一次电子倍增的能力。力。因此倍增系统是决定整管灵敏度最关键的部分。因此倍增

23、系统是决定整管灵敏度最关键的部分。4 4二次发射倍增系统二次发射倍增系统 阳极是采用金属网作的栅网状结构，把它置于靠近最阳极是采用金属网作的栅网状结构，把它置于靠近最末一级倍增极附近，用来收集最末一级倍增极发射出来末一级倍增极附近，用来收集最末一级倍增极发射出来的电子。的电子。5 5阳极阳极光入射窗口光入射窗口光电阴极光电阴极电子光学输入系统电子光学输入系统二次发射电子倍增器二次发射电子倍增器阳极阳极1 1、光子透过入射窗入射到光电阴极、光子透过入射窗入射到光电阴极K K上。上。2 2、光电阴极的电子受光子激发，离开表面发射到真空中。、光电阴极的电子受光子激发，离开表面发射到真空中。3 3、光

24、电子通过电场加速和电子光学系统聚焦入射到第一、光电子通过电场加速和电子光学系统聚焦入射到第一倍增极倍增极D1D1上，倍增极发射出比入射电子数目更多的二次电上，倍增极发射出比入射电子数目更多的二次电子。入射电子经子。入射电子经N N级倍增后，光电子就放大级倍增后，光电子就放大N N次。次。4 4、经过倍增后的二次电子由阳极、经过倍增后的二次电子由阳极a a收集起来，形成阳极光收集起来，形成阳极光电流，在负载电流，在负载R RL L上产生信号电压。上产生信号电压。光电倍增管的工作原理光电倍增管的工作原理2022-5-5光电倍增管的结构及工作原理光电倍增管的结构及工作原理1）光窗；）光窗；2）光电阴

25、极；）光电阴极；3）电子光学系统；）电子光学系统；4）倍增系统；）倍增系统；5）阳极）阳极、基本特性参数、基本特性参数1 1光谱响应度光谱响应度 PMTPMT的光谱响应曲线与光电阴极的相同，主要的光谱响应曲线与光电阴极的相同，主要取决于取决于光电阴极材料的性质光电阴极材料的性质。2 2放大倍数放大倍数( (电流增益电流增益) ) 在一定工作电压下，光电倍增管的阳极电流与阴极在一定工作电压下，光电倍增管的阳极电流与阴极电流之比称为管子的放大倍数电流之比称为管子的放大倍数M M或电流增益或电流增益G G。 其中其中N N为倍增电极数目，为倍增电极数目，为单个倍增电极的二级为单个倍增电极的二级发射系

26、数：发射系数：(NaKiMGi或 ）3.3.暗电流暗电流 它限制了可测直流光通量的最小值，同时也是产生它限制了可测直流光通量的最小值，同时也是产生噪声的重要因素，是鉴别管子质量的重要参量。应选噪声的重要因素，是鉴别管子质量的重要参量。应选取暗电流较小的管子。取暗电流较小的管子。 21NN4.4.伏安特性伏安特性 光电倍增管的伏安光电倍增管的伏安特性曲线分为阴极伏安特性曲线分为阴极伏安特性曲线与阳极伏安特特性曲线与阳极伏安特性曲线。在电路设计时，性曲线。在电路设计时，一般使用阳极伏安特性一般使用阳极伏安特性曲线来进行负载电阻、曲线来进行负载电阻、输出电流、输出电压的输出电流、输出电压的计算。计算

27、。 5. 5. 频率响应频率响应 由于由于PMTPMT是光电发射型器件，而光电发射是光电发射型器件，而光电发射的延迟时间的延迟时间331010- -1313S S，所以所以PMTPMT有很高的频有很高的频率响应。率响应。6.6.噪声噪声 主要来源是光电阴极、光电发射的随机性主要来源是光电阴极、光电发射的随机性和各倍增极二次电子发射的随机性，同时也与和各倍增极二次电子发射的随机性，同时也与背景光或信号光中的直流分量有关。背景光或信号光中的直流分量有关。光电倍增管实物图光电倍增管实物图2022-5-52022-5-55.4.3光敏电阻（光敏电阻（LDR） 光敏电阻光敏电阻是是光电导型光电导型器件，

28、其工作原理为器件，其工作原理为光电导光电导效应效应，即半导体受光照后，内部产生光生载流子，即半导体受光照后，内部产生光生载流子，半导体中的载流子数显著增加而电阻减少。半导体中的载流子数显著增加而电阻减少。 光敏电阻材料：主要是金属硫化物、硒化物和碲光敏电阻材料：主要是金属硫化物、硒化物和碲化物，例如：硫化镉（化物，例如：硫化镉（CdS），锑化铟（），锑化铟（InSb）等。等。2022-5-5光敏电阻工作原理光敏电阻工作原理 当入射光子使半导体中的电子由价带跃迁到导带时，当入射光子使半导体中的电子由价带跃迁到导带时，导带中的电子和价带中的空穴均参与导电导带中的电子和价带中的空穴均参与导电，其阻值

29、，其阻值急剧减小，电导增加。若连接电源和负载电阻，即急剧减小，电导增加。若连接电源和负载电阻，即可输出电信号。可输出电信号。入射光入射光2022-5-5光敏电阻的工作特性光敏电阻的工作特性 光电特性光电特性 光谱特性光谱特性 伏安特性伏安特性 时间响应和频率特性时间响应和频率特性 温度特性温度特性2022-5-5光敏电阻的光电特性光敏电阻的光电特性q在弱光照下，光电流在弱光照下，光电流Ip与光照度与光照度E具有良好的具有良好的线性关系线性关系。q在强光照下，则为在强光照下，则为非线性关系非线性关系。2022-5-5光敏电阻的光谱特性光敏电阻的光谱特性不同波长的光，光敏电阻的不同波长的光，光敏电

30、阻的灵敏度灵敏度是不同的。是不同的。在选用光电器件时必须充分考虑到这种特性。在选用光电器件时必须充分考虑到这种特性。2022-5-5光敏电阻的伏安特性光敏电阻的伏安特性q 光敏电阻是一个纯电阻，因此符合光敏电阻是一个纯电阻，因此符合欧姆定律欧姆定律，其伏安特性，其伏安特性曲线为直线。曲线为直线。q 不同光照度对应不同直线。不同光照度对应不同直线。2022-5-5光敏电阻的频率特性光敏电阻的频率特性 光敏电阻时间常数比较大，一般为数毫秒光敏电阻时间常数比较大，一般为数毫秒到几十毫秒，所以其上限截止频率低。只到几十毫秒，所以其上限截止频率低。只有有PbS(PbS(硫化铅硫化铅) )光敏电阻（曲线光

31、敏电阻（曲线4 4）的频率）的频率特性稍好些，可工作到几千赫兹。特性稍好些，可工作到几千赫兹。2022-5-5光敏电阻的温度特性光敏电阻的温度特性 光敏电阻是多数载流子导光敏电阻是多数载流子导电，随着温度的电，随着温度的升高升高，光，光敏电阻的敏电阻的暗电阻暗电阻和和灵敏度灵敏度都要都要下降下降。 温度的变化也会影响温度的变化也会影响光谱光谱特性曲线特性曲线。例如：硫化铅。例如：硫化铅光敏电阻，随着温度的升光敏电阻，随着温度的升高光谱响应的峰值将向短高光谱响应的峰值将向短波方向移动。尤其是红外波方向移动。尤其是红外探测器要采取制冷措施。探测器要采取制冷措施。几种典型的光敏电阻几种典型的光敏电阻

32、 1,CdS（硫化镉）和（硫化镉）和CdSe（硒化镉）光敏（硒化镉）光敏电阻电阻 两种两种低造价可见光低造价可见光光敏电阻光敏电阻,主要特点是主要特点是高可靠高可靠性性和和长寿命长寿命,广泛应用于自动化技术和摄影机中广泛应用于自动化技术和摄影机中的光计量的光计量.光电增益比较高光电增益比较高(103-104),但响应时但响应时间比较长间比较长. 2,PbS（硫化铅）光敏电阻（硫化铅）光敏电阻 近红外近红外光敏电阻光敏电阻,其波长相应范围在其波长相应范围在1-3.4um,峰峰值响应波长为值响应波长为2um,内阻内阻(暗电阻暗电阻)大约大约1M,响响应时间约为应时间约为200us,室温工作能提供较

33、大的电压室温工作能提供较大的电压输出输出.广泛应用于各种遥感技术和各种红外制导广泛应用于各种遥感技术和各种红外制导技术技术.2022-5-5几种典型的光敏电阻几种典型的光敏电阻 3,InSb（锑化铟）光敏电阻（锑化铟）光敏电阻 良好的良好的近红外近红外光敏电阻光敏电阻,峰值响应波长为峰值响应波长为5um,与与PbS光敏电阻的不同在于光敏电阻的不同在于:内阻低内阻低(50),响应响应时间短时间短(50nm),适用于快速红外信号探测适用于快速红外信号探测. 4,HgxCd1-xTe光敏电阻光敏电阻 这类是化合物本征型光敏电阻这类是化合物本征型光敏电阻,由由HgTe（碲化（碲化汞）和汞）和CdTe（碲化镉）良种材料混在一起得（碲化镉）良种材料混在一起得固溶体固溶体,相应波长随组分相应波长随组分x的不同而线性变化的不同而