chap6晶体管原理PN结

1、半导体物理与器件曹全君PN结空间电荷区和能带图结空间电荷区和能带图PN结触电势差结触电势差PN结的载流子分布结的载流子分布PN结的结的I-V特性特性PN结的电容特性结的电容特性第六章：第六章：PNPN结结 PN 结是构成各种半导体器件的基本单元。结是构成各种半导体器件的基本单元。 分析方法：将分析方法：将 PN 结分为三个区，在每个区中分别对半导体结分为三个区，在每个区中分别对半导体器件基本方程进行简化和求解。器件基本方程进行简化和求解。P 区区 NAN 区区 ND导言导言 MOS晶体管剖面示意图晶体管剖面示意图 ：P 区与区与 N 区的杂质浓区的杂质浓度都是均匀的，杂质浓度在冶金结度都是均匀

2、的，杂质浓度在冶金结面（面（x = = 0）处发生）处发生突变。当一侧的突变。当一侧的浓度远大于另一侧时，称为浓度远大于另一侧时，称为 ，分别记为，分别记为 PN+ 单边突变结和单边突变结和 P+N 单边突变结。单边突变结。 DAddNNax常数 ：冶金结面两侧的：冶金结面两侧的杂质浓度随距离作杂质浓度随距离作线性变化，线性变化，杂质杂质浓度梯度浓度梯度 a 为常数。为常数。DANNDANNDNANxx00 ：PN 结内部的温度均匀稳定，不存在外加电压、结内部的温度均匀稳定，不存在外加电压、光照、磁场、辐射等外作用。光照、磁场、辐射等外作用。 本节将介绍本节将介绍 PN 结结 ，PN 结的结的

3、 、，及平衡时的，及平衡时的 PN 结结 。 平衡少子平衡少子P 区：区： N 区：区：22iip0ip0A22iin0in0DnnnnpNnnpnnN 利用利用 的关系，可得：的关系，可得：p0Ain0DipNnnNn 平衡多子平衡多子P 区：区： N 区：区： 可见，可见，p0in0n0p0ipnpnnn空穴扩散：空穴扩散：P 区区 N 区区电子扩散：电子扩散：P 区区 N 区区扩散电流方向为，扩散电流方向为，P 区区 N 区区P 区区N 区区NA- -，pp0ND+，nn0 扩散电流：扩散电流： P 区区 N 区区 漂移电流：漂移电流： P 区区 N 区区 P 区留下区留下 NA- -

4、，N 区留下区留下 ND+ ，形成，形成 。空间电。空间电荷区产生的电场称为荷区产生的电场称为 ，方向为由，方向为由 N 区指向区指向 P 区。电场区。电场的存在会引起漂移电流，方向为由的存在会引起漂移电流，方向为由 N 区指向区指向 P 区。区。 。于是就形成一个稳定的有一定。于是就形成一个稳定的有一定宽度的空间电荷区。宽度的空间电荷区。内建电场内建电场空间电荷区空间电荷区P 区区 N 区区NA- -ND+NA- -pp0ND+nn0 ：假设空间电荷区内的载流子完全扩散掉，即完：假设空间电荷区内的载流子完全扩散掉，即完全耗尽，空间电荷完全由电离杂质提供。这时空间电荷区又可全耗尽，空间电荷完全

5、由电离杂质提供。这时空间电荷区又可称为称为。 ：假设假设耗尽区以外多子浓度等于电离杂质浓度耗尽区以外多子浓度等于电离杂质浓度 ，因而保持电中性。这时这部分区域又可称为因而保持电中性。这时这部分区域又可称为。 由泊松方程可得：采用耗尽近似后，在由泊松方程可得：采用耗尽近似后，在 N 区的耗尽区中，区的耗尽区中，泊松方程为泊松方程为积分一次，得：积分一次，得：由边界条件：由边界条件： n( )0 xxE x在处，可求得常数可求得常数 C 为为DsddEqNx DsqE xN xCDnsqCN x 于是可得：于是可得： nDns0qE xxxNxx（2-5a）PNmaxEEpx0nxx 同理，在同理

6、，在 P 区区耗尽区中求解泊松方程，得：耗尽区中求解泊松方程，得： 以上求得的以上求得的 E(x) 就是就是 PN 结的结的 。 pAsqE xxxN p0 xx （2-5b） 在在 x = 0 处，内建电场达到最大值，处，内建电场达到最大值，由上式可求出由上式可求出 及及 ：式中，式中， 称为称为 。AD0ADN NNNN maxnDpAss0qqEEx Nx NsnmaxDxEqNspmaxAxEqNssADdnpmaxmaxAD0NNxxxEEqN NqN 3、耗尽区宽度、耗尽区宽度 （2-6）（2-8）（2-7） 对内建电场作积分可得对内建电场作积分可得 （也称为（也称为 ）Vbi 或

7、或120maxbis2qNEV npbidxxVE xx 以上建立了以上建立了 3 个方程，个方程， ( 2-6 ) 、( 2-7 ) 和和 ( 2-10 ) ，但有，但有 4 个个未知数，即未知数，即 、 、 和和 。下面用另一方法来求。下面用另一方法来求 。biVnxpxmaxEbiVnpmax12xxE2smax02EqN 4、内建电势、内建电势 （2-10）并可进一步求出内建电势为并可进一步求出内建电势为 np0pn0biddlnxpxpkTVE x xpqpppd0dpJqDqpEx 从上式可解出内建电场，从上式可解出内建电场， pp1ddDpE xpxd lndpxqkTp0n0l

8、npkTqpp0n0lnlnkTppq 已知在平衡状态下，净的空穴电流密度为零，故由空穴的已知在平衡状态下，净的空穴电流密度为零，故由空穴的电流密度方程可得：电流密度方程可得：ADbi2ilnN NkTVqn 由于由于 ， ，故得：，故得：22iip0An0n0DnnpNpnN 由上式可见，由上式可见，Vbi 与掺杂浓度、温度及半导体的材料种类有与掺杂浓度、温度及半导体的材料种类有关。在常用的掺杂浓度范围和室温下，关。在常用的掺杂浓度范围和室温下，（2-13）12ssAnmaxbiDDAD2()NxEVqNqNNN12ssDpmaxbiAAAD2()NxEVqNqNNN12bisdnpbima

9、x022VxxxVEqN 最后可得：最后可得：120maxbis2qNEV 对于对于 P+N 单边突变结，单边突变结，PNnxx0nxADNN则以上各式可简化为则以上各式可简化为p0 x 12Dmaxbis2qNEV12sndbiD2xxVqN0DNNE0 xE00 对于对于 PN+ 单边突变结，单边突变结，PNpxpxDANN以上各式又可简化为以上各式又可简化为n0 x 可见，可见，dxmaxE12Amaxbis2qNEV12spdbiA2xxVqN0ANN PN 结能带图中的导带底结能带图中的导带底 EC、价带顶、价带顶 EV 与本征费米能级与本征费米能级 Ei 均与均与 有相同的形状，而

10、平衡状态下的费米能级有相同的形状，而平衡状态下的费米能级 EF 则是则是水平的。由此可画出平衡水平的。由此可画出平衡 PN 结的能带图如下图所示。结的能带图如下图所示。 再利用再利用 “ ” 的关系，的关系，就可进一步求出电子和空穴的浓度分布。就可进一步求出电子和空穴的浓度分布。 6.1.3 能带图能带图 已知突变结耗尽区内的电场分布已知突变结耗尽区内的电场分布 E(x) 后，对后，对 E(x) 作一次作一次积分就可以求出耗尽区内的积分就可以求出耗尽区内的 以及以及 ，这也就是，这也就是 PN 结的能带图。结的能带图。 kT exp x xq xq E xpxnx0 xxxbiVbiqVbiq

11、VCECEiEiEFEFEVEVE x xqN区区P区区 由图可见，电子从由图可见，电子从 N 区到区到 P 区区必须克服一个高度为必须克服一个高度为 qVbi 的势垒，的势垒，空穴从空穴从 P 区到区到 N 区也必须克服一个区也必须克服一个同样高度的势垒，所以耗尽区也被同样高度的势垒，所以耗尽区也被称为称为。PN 下面讨论载流子的浓度分布。平衡载流子浓度可表为下面讨论载流子的浓度分布。平衡载流子浓度可表为iF0i( )expExEnnkTFi0i( )expEExpnkT 根据能带图，根据能带图，Ei (x) 可表为可表为代入载流子浓度表达式中，得：代入载流子浓度表达式中，得： iinExE

12、xqx 0n0( )expqxnxnkT bi0p0( )expqVqxpxpkT 在线性缓变结中，杂质分布为在线性缓变结中，杂质分布为 ND - - NA = ax ，DANNx0d2xd2xd2xd2xE0 x 耗尽近似下的耗尽近似下的泊松方程为泊松方程为 边界条件为边界条件为dd()()022xxEE 积分并应用边界条件后得电场分布为积分并应用边界条件后得电场分布为 222dmaxsdd22118aqxxxE xExxDAssddEqqNNaxx 内建电势内建电势 Vbi 为为 dd2bimaxd22d3xxVExxEx 将上面关于将上面关于 与与 的两个方程联立，可解得：的两个方程联立

13、，可解得：maxEdx1123smaxsbid812EVxaqaq1233maxbis1128aqEV 上式中，上式中，2dmaxs8aqxE 以上关于平衡以上关于平衡 PN 结的各个公式，都可以推广到有外加电结的各个公式，都可以推广到有外加电压时的情形压时的情形 。 如果设外加电压全部降落在耗尽区上，如果设外加电压全部降落在耗尽区上， 则则 例如，已知平衡时势垒区中的载流子浓度及其乘积为：例如，已知平衡时势垒区中的载流子浓度及其乘积为： 0n0( )expqxnxnkT bi0p0( )expqVqxpxpkT 则当有外加电压则当有外加电压 V 时，时， bip0( )expqVqVqxp

14、xpkT 这时载流子浓度的乘积为，这时载流子浓度的乘积为，2bin0p0i( )( )expexpqVqVqVn xp xnpnkTkT2bi00n0p0i( )( )expqVnxpxn pnkT 以上在求解以上在求解泊松方程时采用了泊松方程时采用了耗尽近似和中性近似。实际耗尽近似和中性近似。实际上载流子在所谓的耗尽区内并未严格耗尽，这从上载流子在所谓的耗尽区内并未严格耗尽，这从 n(x) 和和 p(x) 的的表达式也可看出来。载流子浓度在耗尽区和中性区的边界附近表达式也可看出来。载流子浓度在耗尽区和中性区的边界附近也是逐渐过渡的，在中性区中靠近耗尽区的地方，载流子浓度也是逐渐过渡的，在中性

15、区中靠近耗尽区的地方，载流子浓度已开始减少。然而严格的计算表明，精确结果与采用耗尽近似已开始减少。然而严格的计算表明，精确结果与采用耗尽近似所得到的结果是相当接近的，所得到的结果是相当接近的， 本小节的其余内容请同学们自学。本小节的其余内容请同学们自学。 PN 结结在正向电压下电流很大，在反向电压下电流很小，这说明在正向电压下电流很大，在反向电压下电流很小，这说明 PN 结结具有单向导电性，可作为二极管使用。具有单向导电性，可作为二极管使用。 PN 结二极管的直流电流电压特性曲线，及二极管在电路中的符号为结二极管的直流电流电压特性曲线，及二极管在电路中的符号为 1、中性区与耗尽区边界处的少子浓

16、度与外加电压的关系。这称为、中性区与耗尽区边界处的少子浓度与外加电压的关系。这称为，并将被用做求解扩散方程的边界条件。，并将被用做求解扩散方程的边界条件。 2、PN 结耗尽区两侧中性区内的少子浓度分布。结耗尽区两侧中性区内的少子浓度分布。 3、PN 结的直流电流电压方程。结的直流电流电压方程。面积为面积为 Vbi 外加正向电压外加正向电压 V 后，后，PN 结势垒高度由结势垒高度由 qVbi 降为降为 q(Vbi - -V) ， xd 与与 减小，使扩散电流大于漂移电流，形成正向电流。减小，使扩散电流大于漂移电流，形成正向电流。maxE 由于正向电流的电荷来源是由于正向电流的电荷来源是 N 区

17、电子和区电子和 P 区空穴，区空穴，PNx0E平衡时平衡时外加正向电压时外加正向电压时外加电场外加电场内建电场内建电场面积为面积为 Vbi- -VVJdpdnrJJJdpJdnJrJP区区N区区pxnx0 正向电流密度由三部分组成：正向电流密度由三部分组成： 1、空穴扩散电流密度空穴扩散电流密度 Jdp ( ( 在在 N 区中区中推导推导 ） 2、电子扩散电流密度电子扩散电流密度 Jdn ( ( 在在 P 区中区中推导推导 ） 3、势垒区复合电流密度势垒区复合电流密度 Jr ( ( 在势垒区中在势垒区中推导推导 ） 外加反向电压外加反向电压 V (V kT/ /q ( 室温时约为室温时约为 2

18、6 mV ) 时，时，非平衡少子的边界非平衡少子的边界条件是条件是nnn0nexp,0 xqVpxppkTppp0pexp,0 xqVnxnnkT 外加反向电压且外加反向电压且|V| kT/ /q 时，时，非平衡少子的边界条件是非平衡少子的边界条件是nnn0n,0 xpxpp ppp0p,0 xnxnn 直流情况下直流情况下 ， 又因又因 ，故可得：，故可得：2nnp2ppppDtxn0pt2n020px 由第一章的式（由第一章的式（1-23），），N 区中的空穴扩散方程为区中的空穴扩散方程为2nnp2pd0dppDx2nn22pddppxL式中，式中， ，称为空穴的，称为空穴的 ，典型值为，

19、典型值为 10 m 。pp pLD（1-23） ppp0npexp1 exp,xxqVnxnkTLxx P 区内的非平衡少子电子也有类似的分布，即区内的非平衡少子电子也有类似的分布，即nnn0pn( )exp1 exp,()xxqVpxpkTLxxnpp( )expexpxxpxABLL 当当 N 区足够长区足够长 ( Lp ) 时，利用时，利用 pn(x) 的边界条件可解出系数的边界条件可解出系数 A、B ，于是可得于是可得 N 区内的非平衡少子空穴的分布为区内的非平衡少子空穴的分布为 扩散方程的通解为扩散方程的通解为 外加正向电压时外加正向电压时 PN 结中的少子分布图为结中的少子分布图为

20、ppp0expqVnxnkTnnn0expqVpxpkTp0nn0pnxpxxP区区N区区 注入注入 N 区的非平衡空穴，在区的非平衡空穴，在 N 区中区中 ，其浓度随距离，其浓度随距离作指数式衰减。衰减的特征长度就是空穴的扩散长度作指数式衰减。衰减的特征长度就是空穴的扩散长度 Lp 。每经过一个。每经过一个 Lp 的的长度，长度，非平衡非平衡空穴浓度降为空穴浓度降为 1/ /e 。 ppp0nxnnnn0pxpp0nn0pnxpxxP区区N区区 外加反向电压时外加反向电压时 PN 结中的少子分布图为结中的少子分布图为 N 区中势垒区附近的少子空穴全部被势垒区中的强大电场拉向区中势垒区附近的少

21、子空穴全部被势垒区中的强大电场拉向 P 区，区， 所所以以空穴浓度在势垒区边界处最低，随距离作指数式增加，在足够远处恢复为空穴浓度在势垒区边界处最低，随距离作指数式增加，在足够远处恢复为平衡少子浓度。减少的空穴由平衡少子浓度。减少的空穴由 N 区内部通过热激发产生并扩散过来补充。区内部通过热激发产生并扩散过来补充。 假设中性区内无电场，所以可略去空穴电流密度方程中的漂移分量，将假设中性区内无电场，所以可略去空穴电流密度方程中的漂移分量，将上面求得的上面求得的 pn(x)npn0dpppdexp1dnx xqD ppqVJqDxLkT np0dnnexp1qD nqVJLkT 同理，同理，P 区

22、内的电子扩散电流为区内的电子扩散电流为（2-52a）（2-52b） 代入后，得：代入后，得：nnn0p( )exp1 expxxqVpxpkTLpnddpdnn0p0pnp2ni0pDnAexp1exp1exp1DDqVJJJqpnLLkTDDqVqVqnJL NL NkTkT PN 结总的扩散电流密度结总的扩散电流密度 Jd 为为 当当 V = 0 时，时，Jd = 0 ， d0expqVJJkT 当当 V kT/ /q 时，时， 当当 V kT/ /q 时，时，Jd = - -J0pp2nn0n0p0ipnpDnADDDDJqpnqnLLL NL N 室温下硅室温下硅 PN 结的结的 J0

23、 值约为值约为 10-10A/ /cm2 的数量级。的数量级。 00IAJ 由于当由于当 V kT/ /q 后，反向电流达到饱和，不再随反向电压而后，反向电流达到饱和，不再随反向电压而变化，因此称变化，因此称 I0 为为 。IVI00 J0 乘以乘以 PN 结的结面积结的结面积 A ，得：，得： 与材料种类的关系：与材料种类的关系：EG，则，则 ni，J0； 与掺杂浓度的关系：与掺杂浓度的关系：ND 、NA，则，则 pn0 、np0，J0， 主要取决于低掺主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度；杂一侧的杂质浓度； 与温度与温度 T 的关系：的关系：T ，则，则 ni，J0，因此，因此 J0 具有正温系

24、数。这是影响具有正温系数。这是影响 PN 结热稳定性的重要因素。结热稳定性的重要因素。 npgrdxxJqU x 由式（由式（1-17），净复合率），净复合率 U 可表为可表为 2ii(2)npnUnpn 已知在中性区里，已知在中性区里，np(P)(N)nUp区内区内 外加电压外加电压 V 时，时， 200in xp xn 2iexpqVn xp xnkT 在势垒区中，平衡时，在势垒区中，平衡时， 可见：可见： 当当 V = 0 时，时，np = ni2 ，U = 0 ， 不发生净复合；不发生净复合； 当当 V 0 时，时，np ni2 ，U 0 ， 发生净复合；发生净复合； 当当 V 0 时

25、，时，np ni2 ，U kT/ /q 时，时， 当当 V kT/ /q 时，时，idg2qn xJ 以以 P+N 结为例，当外加正向电压且结为例，当外加正向电压且 V kT/ /q 时，时， pipCVdGrdDdD22expexp22L nLN NJEqVqVJx NkTx NkT 当当 V 比较小时，以比较小时，以 Jr 为主；为主； 当当 V 比较大时，以比较大时，以 Jd 为主。为主。 EG 越大，则越大，则过渡电压值就越高。过渡电压值就越高。 对于硅对于硅 PN 结，当结，当 V 0.45V 时，以时，以 Jd 为为主。主。 在在 ln I V 特性曲线中，当以特性曲线中，当以 J

26、r 为主时，为主时，idlnln22Aqn xqIVkTVkTqII 0lnln 当以当以 Jd 为主时，为主时，( 斜率斜率 = q/ /2kT )( 斜率斜率 = q/ /kT ) 当当外加反向电压且外加反向电压且 | |V| | kT/ /q 时，两种反向电流的比值为时，两种反向电流的比值为 pipCV0GgdDdD22exp2L nLN NJEJx Nx NkT 当温度较低时，以当温度较低时，以 Jg 为主，为主， 当温度较高时，以当温度较高时，以 Jd 为主，为主，idGexp22Aqn xEIkT EG 越大，则由以越大，则由以 Jg 为主过渡到以为主过渡到以 Jd 为主的温度就越

27、高。为主的温度就越高。2G0iexpEIInkT 反向电压下的反向电压下的 ln I 1/ /T 特性曲线特性曲线 在一般常用的正向电压和温度范围，在一般常用的正向电压和温度范围，PN 结的正向电流以扩散电流结的正向电流以扩散电流 Jd 为为主。这时正向电流可表示为主。这时正向电流可表示为d00exp1expqVqVIAJAJIkTkT 由于由于反向饱和电流反向饱和电流 I0 的值极小，当的值极小，当正向电压较低时，正向电流很小，正向电压较低时，正向电流很小，PN 结似乎未导通。只有当正向电压达到一定值时，才出现明显的正向电流。将结似乎未导通。只有当正向电压达到一定值时，才出现明显的正向电流。

28、将正向电流达到某规定值（例如几百微安到几毫安）时的正向电压称为正向电流达到某规定值（例如几百微安到几毫安）时的正向电压称为 ，记作，记作 。V(V)I (mA)0.20.40.624600.8硅硅锗锗 影响正向导通电压影响正向导通电压 VF 的因素的因素 I0 = AJ0 越大，越大，VF 就越小，因此，就越小，因此， EG，则，则 I0，VF； NA 、ND，则，则 I0，VF，主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度；，主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度； T ， 则则 I0，VF，因此，因此 VF 具有负温系数。具有负温系数。 对对 VF 影响最大的因素是影响最大的因素是 EG 。 锗锗 PN 结的结

29、的 VF 约为约为 0.25 V ， 硅硅 PN 结的结的 VF 约为约为 0.7 V 。 本小节的结果在第本小节的结果在第 3 章中有重要用途。章中有重要用途。 前面讨论少子浓度的边界条件时曾假设前面讨论少子浓度的边界条件时曾假设 pn0,0 xxnpPN这时中性区外侧的非平衡少子浓度的边界条件是这时中性区外侧的非平衡少子浓度的边界条件是 是指，是指， PN 结的某一个或两个结的某一个或两个 nn0nB0exp10qVppkTpWPNWB0 这时其扩散电流这时其扩散电流 Jd 会因为少子浓度的边界条件不同而有所不同。但势会因为少子浓度的边界条件不同而有所不同。但势垒区产生复合电流垒区产生复合

30、电流 Jgr 的表达式无任何变化。的表达式无任何变化。 上图上图 N 型区内的非平衡少子浓度边界条件为型区内的非平衡少子浓度边界条件为 利用上述边界条件，求解扩散方程得到的利用上述边界条件，求解扩散方程得到的 N 区中的非平衡少子分布区中的非平衡少子分布 为为 Bpnn0Bpsinhexp1sinhWxLqVpxpkTWL式中，式中， eesinh2uuu 上式实际上可以适用于任意上式实际上可以适用于任意 WB 值。当值。当 WB 时，上式近似为时，上式近似为 nn0pexp1expqVxpxpkTL npx 对于薄基区二极管，对于薄基区二极管，WB Lp ，利用近似公式，利用近似公式 ， (

31、 |u| 1 时时) ，得：，得： 上式对正、反向电压都适用。类似地可得上式对正、反向电压都适用。类似地可得 P 区中的非平衡少子分布区中的非平衡少子分布 np(x) 的表达式。薄基区二极管中的少子分布图为的表达式。薄基区二极管中的少子分布图为 nn0Bexp11qVxpxpkTW uu )sinh( 当当 WB Lp 时的空穴扩散电流密度为时的空穴扩散电流密度为ndpp02piBDddexp1xpJqDxqD nqVW NkT 与厚基区二极管的扩散电流密度公式相比，与厚基区二极管的扩散电流密度公式相比，差别仅在于分别用差别仅在于分别用 WB 、WE 来代替来代替 Lp 、Ln 。2nidnE

32、Aexp1qD nqVJW NkT 当当 WE Ln 时的电子扩散电流密度为时的电子扩散电流密度为势垒电容势垒电容 CTPN 结电容结电容扩散电容扩散电容 CD 势垒电容形成的机理；势垒电容形成的机理； 导出突变结、线性导出突变结、线性缓变结和实际扩散结的势垒电容的计算方法。缓变结和实际扩散结的势垒电容的计算方法。 当外加电压有当外加电压有 ( - V ) 的变化时，势垒区宽度发生变化的变化时，势垒区宽度发生变化 ，使，使势垒区中的空间电荷也发生相应的势垒区中的空间电荷也发生相应的 Q 的变化的变化 ，如下图。，如下图。P区区N区区QQQQ PN 结势垒微分电容结势垒微分电容 CT 的定义为的

33、定义为 简称为简称为 。T0dlimdVQQCVVpxnxpxnx（2-126） (- (- Q ) )与与( (+ Q ) )虽然是由空间分布的电荷所构成，但由于虽然是由空间分布的电荷所构成，但由于 xp 与与 xn 远小于势垒区总宽度远小于势垒区总宽度 xd ，所以可将这些电荷看作是集，所以可将这些电荷看作是集中在势垒区边缘无限薄层中的面电荷。于是，中在势垒区边缘无限薄层中的面电荷。于是，PN 结就像一个普结就像一个普通的平行板电容器一样。通的平行板电容器一样。所以势垒电容所以势垒电容 CT 可以简单地表为可以简单地表为 有时也将单位面积的势垒电容称为势垒电容。即：有时也将单位面积的势垒电容称为势垒电容。即：sTdCAxsTdCAx（2-127） 12sAnbiDAD2 NxVVqNNN 于是可得：于是可得：式中，式中，AD0ADN NNNN12s0Tbidd2q NQCAVVVnDQAx qN 1122s0bi2AqNVV（2-130） 根据根据势垒电容的定义，势垒电容的定义， 势垒区总宽度势垒区总宽度 xd 可以表为可以表为12sdnpb