第4章场效应管及其放大电路

1、场效应管及其放大电路场效应管及其放大电路模拟电子技术基础场效应管是电压控制器件。场效应管是电压控制器件。它具有输入阻抗高，噪声低的优点。它具有输入阻抗高，噪声低的优点。 本章是本课程的难点，但不是本课程的重点。本章是本课程的难点，但不是本课程的重点。 由于学时数少，又因为场效应管放大电路与由于学时数少，又因为场效应管放大电路与三极管放大电路有许多相同之处，所以，本章学三极管放大电路有许多相同之处，所以，本章学习采用对比学习法，即将场效应管与三极管放大习采用对比学习法，即将场效应管与三极管放大电路比较，了解相同点，掌握不同点。电路比较，了解相同点，掌握不同点。模拟电子技术基础三极管特点三极管特点

2、电流控制器件（基极电流控制晶体管导电能力）电流控制器件（基极电流控制晶体管导电能力）输入阻抗不高输入阻抗不高双极型器件（两种载流子：多子少子参与导电）双极型器件（两种载流子：多子少子参与导电）噪声高噪声高场效应管特点场效应管特点电压控制器件（用电压产生电场来控制材料电压控制器件（用电压产生电场来控制材料的导电能力）故称为的导电能力）故称为Field Effect Transistor输入阻抗极高输入阻抗极高( (107 1015W)W)单极型器件（一种载流子：多子参与导电）单极型器件（一种载流子：多子参与导电）噪声小、热稳定性好噪声小、热稳定性好体积小、重量轻、耗电省、寿命长。体积小、重量轻、

3、耗电省、寿命长。模拟电子技术基础场效应管场效应管(Field Effect Transistor)1. 结型场效应管，简称结型场效应管，简称JFET (Junction Field Effect Transistor)。场效应管按结构可分为场效应管按结构可分为场效应管的类型场效应管的类型2. 绝缘栅型场效应管，简称绝缘栅型场效应管，简称IGFET (Isolated Gate Field Effect Transistor)。增强型增强型耗尽型耗尽型模拟电子技术基础结型场效应管（结型场效应管（JFET）一、一、JFET的结构和工作原理的结构和工作原理1、结构、结构在一块在一块N型半导体材料两边

4、扩散型半导体材料两边扩散高浓度的高浓度的P型区（型区（ P+ ），形成），形成两个两个PN结。两边结。两边P+型区连在一型区连在一起为起为栅极栅极g，N型本体两端各引型本体两端各引出电极，分别为出电极，分别为源极源极s和和漏极漏极d。两个两个PN结中间的结中间的N型区域为导型区域为导电沟道。称为电沟道。称为N型沟道型沟道JFET符号符号结构示意图结构示意图栅极栅极漏极漏极源极源极导电导电沟道沟道 场效应管有三个极：源极（场效应管有三个极：源极（s）、栅极（）、栅极（g）、漏）、漏极（极（d），对应于晶体管的），对应于晶体管的e、b、c；有三个工作区；有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，

5、对应于晶体管域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。的截止区、放大区、饱和区。高浓度高浓度P区区模拟电子技术基础2.工作原理工作原理N沟沟JFET与与 P沟沟JFET虽然结构不同，虽然结构不同，但工作原理相同，下面以但工作原理相同，下面以N沟沟JFET讨讨论论JFET的工作原理。的工作原理。实质上是讨论实质上是讨论栅源电压栅源电压vGS对漏极电流对漏极电流iD的的控制作用，控制作用，以及漏极电压以及漏极电压vDS对漏极电流对漏极电流iD的影响。的影响。为了使场效应管工作，应在栅源之间加为了使场效应管工作，应在栅源之间加反偏反偏电压，在漏源之间加电压，在漏源之间加正

6、向正向电压。电压。模拟电子技术基础2.工作原理工作原理为便于讨论，先假设漏源为便于讨论，先假设漏源极间所加的电压极间所加的电压vDS=0 vGS对对iD控制控制(a) 当当vGS=0时，沟道较宽，其电阻较小。时，沟道较宽，其电阻较小。模拟电子技术基础2.工作原理工作原理 vGS对对iD控制控制由于由于N区掺杂浓度小于区掺杂浓度小于P+区，因此，区，因此，耗尽层将主要向耗尽层将主要向N沟道中扩展，使沟道中扩展，使沟道变窄，沟道电阻增大。沟道变窄，沟道电阻增大。(b) 当当VPvGS|VP|所以栅源电压所以栅源电压vGS可以有效地控制沟道电阻的大小。可以有效地控制沟道电阻的大小。 模拟电子技术基础

7、2.工作原理工作原理 vDS对对iD影响（设影响（设vGS值值固定，且固定，且VPvGS0时，有电流时，有电流iD从漏从漏极流向源极，从而使沟道中各极流向源极，从而使沟道中各点与栅极间的电压不再相等点与栅极间的电压不再相等 ( (如如: :V VGSGS=-2V, =-2V, V VDSDS =3V, =3V, V VP P= -9V,= -9V,则漏端耗尽层受反偏电压为则漏端耗尽层受反偏电压为- -5V5V，源端耗尽层受反偏电压为，源端耗尽层受反偏电压为-2V)-2V)模拟电子技术基础(b) 当当vDS增大，使得增大，使得vGD = vGS vDS = Vp时，漏极一边时，漏极一边的耗尽层就

8、会出现夹断区。的耗尽层就会出现夹断区。称称vGD = Vp为预夹断为预夹断模拟电子技术基础(c)当当vDS继续增加时，预夹断继续增加时，预夹断点向源极方向伸长为预夹断点向源极方向伸长为预夹断区。由于预夹断区电阻很大，区。由于预夹断区电阻很大，使主要使主要vDS降落在该区。降落在该区。iD基本上不随基本上不随vDS增加而上升，漏极电流趋于饱和增加而上升，漏极电流趋于饱和, iD几几乎仅仅决定于乎仅仅决定于uGS。场效应管工作在恒流区的条件是什么？场效应管工作在恒流区的条件是什么？模拟电子技术基础2.工作原理工作原理当当vDS增加到大于某一极限值增加到大于某一极限值(用用v(BR)DS表示表示)后

9、，漏极一端后，漏极一端PN结上反向电压将使结上反向电压将使PN结发结发生雪崩击穿，生雪崩击穿，iD会急剧增加，会急剧增加，正常工作时正常工作时vDS不能超过不能超过v(BR)DS。(d)若若vDS继续增加，继续增加，模拟电子技术基础(1) JFET是是利用利用vGS 所产生的电场变化来改变所产生的电场变化来改变沟道电阻的大小沟道电阻的大小。(2) 场效应管为一个电压控制型的器件。场效应管为一个电压控制型的器件。(4) 在在N沟道沟道JFET中中，vGS和和Vp均为均为负值负值。小结小结在在P沟道沟道JFET中中，vGS和和Vp均为均为正值正值。即即JFET是是利用电场效应控制沟道中流通的电流大

10、小，因而称利用电场效应控制沟道中流通的电流大小，因而称为为场效应管场效应管。(3) 预夹断前，预夹断前，iD与与vDS呈近似线性关系；预夹断后，呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。趋于饱和。模拟电子技术基础JFET的特性曲线及参数的特性曲线及参数由于场效应管的输入电流由于场效应管的输入电流iG 0，讨论其输入特性没有意义，讨论其输入特性没有意义，故场效应管的伏安特性用输出特性和转移特性描述。故场效应管的伏安特性用输出特性和转移特性描述。GSvDSvGiDi+输出特性输出特性 CvDSDGS)|f(vi转移特性转移特性 CvSDS)|f(vi DG输出特性和转移特性表述的是同一个物理特性输出

11、特性和转移特性表述的是同一个物理特性 模拟电子技术基础JFET的特性曲线及参数的特性曲线及参数1、输出特性、输出特性 JFET的输出特性是指在栅源极电压的输出特性是指在栅源极电压vGS一定的情况一定的情况下，漏极电流下，漏极电流iD与漏源电压与漏源电压vDS之间的关系，即之间的关系，即)常数常数CvDSDGSvfi)(24061020PGSVvmA/DiV0GSvV5 . 0 VDS/vPGSDSVvvV5 . 1 V0 . 1 V0 . 2 可变电阻区可变电阻区放大区放大区截止区截止区模拟电子技术基础(1) 可变电阻区可变电阻区a. vDS较小，沟道尚未夹较小，沟道尚未夹断，图中黄线预夹断轨

12、迹断，图中黄线预夹断轨迹的左侧的左侧 b. vDS |VP| + vGSc. .管子相当于受管子相当于受vGS控制的控制的压压控电阻，控电阻，| |vGS|越越小，沟道越宽，小，沟道越宽，沟道电阻越小，曲线斜率越大。沟道电阻越小，曲线斜率越大。 各区的特点：各区的特点：24061020PGSVvmA/DiV0GSvV5 . 0 VDS/vPGSDSVvvV5 . 1 V0 . 1 V0 . 2 可变电阻区可变电阻区模拟电子技术基础(2) 放大区放大区放大区也称为饱和区、恒流区。放大区也称为饱和区、恒流区。b. vDS |VP| + vGS图中黄图中黄线预夹断轨迹的右侧线预夹断轨迹的右侧 a.

13、沟道预夹断沟道预夹断c.曲线近似为一组平行于曲线近似为一组平行于横轴的直线，沟道预夹横轴的直线，沟道预夹断后，将不再随断后，将不再随vDS的增的增大而增大；大而增大； iD几乎与几乎与vDS无关。无关。d. iD只受只受vGS的控制。的控制。24061020PGSVvmA/DiV0GSvV5 . 0 VDS/vPGSDSVvvV5 . 1 V0 . 1 V0 . 2 放大区放大区模拟电子技术基础a. vGSVP (3) 截止区截止区b.沟道完全夹断沟道完全夹断c. iD0，场效应管截止，场效应管截止24061020PGSVvmA/DiV0GSvV5 . 0 VDS/vPGSDSVvvV5 .

14、1 V0 . 1 V0 . 2 截止区截止区模拟电子技术基础2、转移特性转移特性表示场效应管的表示场效应管的vGS对对iD的控制特性。的控制特性。定义定义转移特性曲线可由输出特性曲线得到转移特性曲线可由输出特性曲线得到CvSDS)|f(vi DG模拟电子技术基础 （1）对于不同的对于不同的vDS，所对应的转移特性曲线不同。所对应的转移特性曲线不同。曲线特点：曲线特点：（2）当管子工作于恒流区时，转移特性曲线基本重合。当管子工作于恒流区时，转移特性曲线基本重合。0GS3vGS1vPvDiGSv0GS2v10VDS/vDiV0GSvGS1vGS2vGS3vGS4v2PGSDSSD1)Vv(Ii（3

15、）电流方程与饱和漏极电流）电流方程与饱和漏极电流IDSS或称为零偏漏极电流或称为零偏漏极电流PDSGSV0DDSSVvviIDSSICvSDS)|f(vi DG模拟电子技术基础JFET的主要参数的主要参数1直流参数直流参数 (1) 夹断电压夹断电压UGS(off)(Vp) (2) 零偏漏极电流零偏漏极电流IDSS (也称为漏极饱和电流也称为漏极饱和电流)A50()V10(GSGS(off)DDS测试值测试值常数常数 IUuU0)(DDSSGSGS(off)DS UUUiI常数常数模拟电子技术基础 (3) 直流输入电阻直流输入电阻RGS)V10()V0(GGSGSGSDS常数常数常数常数 UUI

16、UR2交流参数交流参数 (1) 跨导跨导gm 也称为互导。其定义为也称为互导。其定义为常数常数 DSGSDmddUuig模拟电子技术基础3. 极限参数极限参数(1) 漏极最大允许耗散功率漏极最大允许耗散功率 PDSM (2) 最大漏极电流最大漏极电流IDSM (2) 极间电容极间电容栅源电容栅源电容Cgs栅漏电容栅漏电容Cgd漏源电容漏源电容Cds (3) 栅源击穿电压栅源击穿电压U（BR）GS(4) 漏源击穿电压漏源击穿电压U（BR）DS模拟电子技术基础例例 在图示电路中，已知场效应管的在图示电路中，已知场效应管的 ；问在下列三种情况下，管子分别工作在那个区？问在下列三种情况下，管子分别工作

17、在那个区？V5GS(off) UV4,V3DSGS uu(b)V1,V3DSGS uu(c)V4 ,V8DSGS uu(a) 解解 (a) 因为因为uGS0较小时，则栅极和较小时，则栅极和衬底之间的衬底之间的SiO2绝缘层中绝缘层中便产生一个电场。其电场便产生一个电场。其电场方向垂直于半导体表面，方向垂直于半导体表面，由栅极指向衬底的电场。由栅极指向衬底的电场。由于由于vGS数值较小，吸数值较小，吸引电子的能力不强时，引电子的能力不强时，漏源极之间仍无导电漏源极之间仍无导电沟道出现，沟道出现， 在电场的作用下空穴在电场的作用下空穴被排斥而电子被吸引。被排斥而电子被吸引。使栅极附近的使栅极附近的

18、P型衬底型衬底中剩下不能移动的受中剩下不能移动的受主离子主离子(负离子负离子)，形成，形成耗尽层。耗尽层。模拟电子技术基础(1) vGS对沟道的控制作用对沟道的控制作用, vDS=0当当vGSVT时，电场增强时，电场增强将将P衬底的电子吸引到表面，衬底的电子吸引到表面，这些电子在栅极附近的这些电子在栅极附近的P衬底衬底表面便形成一个表面便形成一个N型薄层，称型薄层，称为为反型层反型层且与两个且与两个N+区相连通，在漏区相连通，在漏源极间形成源极间形成N型导电沟道型导电沟道。开始形成沟道时的栅源极电开始形成沟道时的栅源极电压称为压称为开启电压，用开启电压，用VT表示表示。 大到一定大到一定值才开

19、启值才开启反型层反型层vGS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。沟道电阻越小。模拟电子技术基础N沟道增强型沟道增强型MOSFET的工作原理的工作原理(1) vGS对沟道的控制作用对沟道的控制作用, vDS=0综上所述：综上所述：N沟道沟道MOS管在管在vGSVT时，时，不能形成导电沟道，管子处于不能形成导电沟道，管子处于截止状态。截止状态。这种必须在这种必须在vGSVT时才能形成时才能形成导电沟道的导电沟道的MOS管称为增强型管称为增强型MOS管。管。只有当只

20、有当vGSVT时，方能形成沟道。时，方能形成沟道。沟道形成以后，在漏沟道形成以后，在漏-源极间加上正源极间加上正向电压向电压vDS，就有漏极电流产生。，就有漏极电流产生。模拟电子技术基础(2) vDS对对iD的影响的影响当当vGSVT且为一确定值时，且为一确定值时，漏漏-源电压源电压vDS对导电沟道对导电沟道及电流及电流iD的影响与结型场的影响与结型场效应管相似。效应管相似。，靠近源极一端的电，靠近源极一端的电压最大、沟道最厚，而压最大、沟道最厚，而漏极一端电压最小，其漏极一端电压最小，其值为值为VGD=vGSvDS，因，因而沟道最薄。而沟道最薄。模拟电子技术基础(2) vDS对对iD的影响的

21、影响随着随着vDS的增大，靠近的增大，靠近漏极的沟道越来越薄。漏极的沟道越来越薄。当当vDS增加到使增加到使VGD=vGSvDS=VT时，时，沟道在漏极一端出现沟道在漏极一端出现预夹断。预夹断。 vGSVT为定值为定值模拟电子技术基础(2) vDS对对iD的影响的影响再继续增大再继续增大vDS，vGSvDSVT为定值为定值由于由于vDS的增加部分几的增加部分几乎全部降落在夹断区，乎全部降落在夹断区，故故iD几乎不随几乎不随vDS增大而增大而增加，管子进入饱和区，增加，管子进入饱和区，iD几乎仅由几乎仅由vGS决定决定 。 N沟道增强型沟道增强型MOS管工作管工作在恒流区的条件是什么？在恒流区的

22、条件是什么？模拟电子技术基础N沟道增强型沟道增强型MOSFET的特性曲线的特性曲线MOS管的伏安特性用管的伏安特性用输出特性输出特性和和转移特性转移特性描述描述输出特性输出特性 CvDSDGS)|f(vi转移特性转移特性 CvSDS)|f(vi DG输出特性曲线也分为输出特性曲线也分为可变电阻区可变电阻区、饱和区饱和区、截止区截止区几部分。几部分。GSvDSvGiDi+模拟电子技术基础a输出特性输出特性TGSVv CvDSDGS)|f(vi24061020mA/DiVDS/vTGSDSVvv 可变电阻区可变电阻区放大区放大区截止区截止区模拟电子技术基础(1) 可变电阻区可变电阻区a. vDS较

23、小，沟道尚未夹断较小，沟道尚未夹断b. vDS vGS- |VT| a输出特性输出特性可变电阻区可变电阻区TGSVv 24061020mA/DiVDS/vTGSDSVvv 模拟电子技术基础(2) 放大区放大区( (饱和区、恒流区饱和区、恒流区) )a. 沟道预夹断沟道预夹断c. iD几乎与几乎与vDS无关无关d. iD只受只受vGS的控制的控制b. vDS vGS- |VT| 放大放大(饱和饱和)区区a输出特性输出特性vDS = vGS- |VT| 22(1)()GSDDOnGSTTviIKvVVIDo是是vGS=2VT时的时的iDTGSVv 24061020mA/DiVDS/vTGSDSVv

24、v 模拟电子技术基础a. vGSVT(3) 截止区截止区b.沟道完全夹断沟道完全夹断c. iD= =0a输出特性输出特性TGSVv 24061020mA/DiVDS/vTGSDSVvv 截止区截止区模拟电子技术基础转移特性转移特性0VGS/vVV2T VVv2TGS 24061020mA/DiVDS/vTGSDSVvv 转移特性曲线转移特性曲线Vv3GS Vv4GS V3V4mA/DiVv10DS 输出特性曲线输出特性曲线CvSDS)|f(vi DGCvDSDGS)|f(vi模拟电子技术基础N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSFET的结构的结构耗尽型耗尽型MOS管管 1). 耗尽型耗尽型MOS管管结构

25、示意图结构示意图N沟道耗尽型沟道耗尽型MOS管表示符号管表示符号 GSD模拟电子技术基础耗尽型耗尽型MOS管管 2). 耗尽型耗尽型MOS管原理管原理造成的原因是：造成的原因是：制造制造N沟道耗尽型沟道耗尽型MOS管时，在管时，在SiO2绝缘层中掺入了大量绝缘层中掺入了大量的正离子的正离子 ，在这些，在这些正离子产生的电场作正离子产生的电场作用下，漏源极间的用下，漏源极间的P型衬底表面已感应生型衬底表面已感应生成成N沟道。沟道。只要加上正向电压只要加上正向电压vDS，就有电流，就有电流iD。uGS=0时就存在时就存在导电沟道导电沟道加正离子加正离子模拟电子技术基础N沟道耗尽型沟道耗尽型MOS管

26、管当当vGS为负时，沟道变窄，为负时，沟道变窄，沟道电阻变大，沟道电阻变大，iD减小。减小。当当vGS负向增加到某一数负向增加到某一数值时，导电沟道消失，值时，导电沟道消失，iD趋于零，管子截止；趋于零，管子截止；使沟道消失时的栅源电使沟道消失时的栅源电压称为压称为夹断电压，仍用夹断电压，仍用VP表示。表示。2). 耗尽型耗尽型MOS管原理管原理耗尽型耗尽型MOS管可以在管可以在uGS为正或负下为正或负下工作。工作。小到一定小到一定值才夹断值才夹断模拟电子技术基础DSGSPvvV0PV 模拟电子技术基础在饱和区内，耗尽型在饱和区内，耗尽型MOS管的电流方程与结型场效应管的电管的电流方程与结型场

27、效应管的电流方程相同，即流方程相同，即 3). 耗尽型耗尽型MOS管电流方程管电流方程2PGSDSSDVv1Ii DSGSPvvVDSSI漏极饱和电流漏极饱和电流模拟电子技术基础场效应管的特点（与双极型晶体管比较）场效应管的特点（与双极型晶体管比较）(1) 场效应管是一种电压控制器件，即通过场效应管是一种电压控制器件，即通过uGS来控来控 制制iD；双极型晶体管是一种电流控制器件，即通；双极型晶体管是一种电流控制器件，即通 过过iB来控制来控制iC。(2) 场效应管的输入端电流几乎为零，输入电阻非常场效应管的输入端电流几乎为零，输入电阻非常 高高; ;双极型晶体管的发射结始终处于正向偏置，有双

28、极型晶体管的发射结始终处于正向偏置，有一定的输入电流，基极与发射极间的输入电阻较小。一定的输入电流，基极与发射极间的输入电阻较小。模拟电子技术基础(3) 场效应管是利用多数（一种极性）载流子导电的场效应管是利用多数（一种极性）载流子导电的; ;在双极型在双极型晶体晶体管中二种极性的载流子（电子和空管中二种极性的载流子（电子和空穴）同时参与了导电。穴）同时参与了导电。(4) 场效应管具有噪声小、受辐射的影响小、热稳定场效应管具有噪声小、受辐射的影响小、热稳定 性较好，且存在零温度系数工作点性较好，且存在零温度系数工作点( (不受温度影响不受温度影响) )。(5) 场效应管的结构对称，有时（除了源

29、极和衬底场效应管的结构对称，有时（除了源极和衬底在在 制造时已连在一起的制造时已连在一起的MOS管）管）漏极和源极可以漏极和源极可以 互换使用，且各项指标基本不受影响，使用方便、互换使用，且各项指标基本不受影响，使用方便、 灵活。灵活。模拟电子技术基础(6) 场效应管制造工艺简单，有利于大规模集成。场效应管制造工艺简单，有利于大规模集成。每个每个MOS场效应管在硅片上所占的面积只有双极场效应管在硅片上所占的面积只有双极性晶体管性晶体管5%。(7)(7)场效应管的跨导小，当组成放大电路时，在相场效应管的跨导小，当组成放大电路时，在相 同的负载电阻下，电压放大倍数比双极性同的负载电阻下，电压放大倍

30、数比双极性晶体晶体管管 低。低。模拟电子技术基础场效应管类型的判断场效应管类型的判断（根据转移特性曲线）（根据转移特性曲线）v沟道类型：N型或P型 N沟道|iD|随vGS的增加逐渐增加； P沟道|iD|随vGS的增加逐渐减小。N沟道耗尽型沟道耗尽型JFETP沟道增强型沟道增强型MOSFET模拟电子技术基础v耗尽型与增强型：耗尽型与增强型： MOSFET增强型增强型vGS正向偏置时存在导电沟道，有开启电压正向偏置时存在导电沟道，有开启电压VT且转移曲线在一个坐标象限；且转移曲线在一个坐标象限； JFET耗尽型耗尽型vGS反向偏置反向偏置，超过夹断电压，超过夹断电压VP可夹断导电沟道可夹断导电沟道

31、（存在（存在IDSS和和VP ） ，转移曲线在，转移曲线在一个一个坐标象限；坐标象限； MOSFET耗尽型耗尽型vGS正反向正反向偏置均可，反偏时可夹断导电沟道偏置均可，反偏时可夹断导电沟道（存在（存在IDSS和和VP ） ，且转移曲线在，且转移曲线在两个两个坐标象限。坐标象限。模拟电子技术基础场效应管放大电路场效应管放大电路 根据场效应管在放大电路中的连接方式，场效根据场效应管在放大电路中的连接方式，场效应管放大电路分为三种组态：共源极电路、共栅极电应管放大电路分为三种组态：共源极电路、共栅极电路和共漏极电路路和共漏极电路共源极电路：共源极电路：栅极是输入端，漏极是输出端，源极是输入输出的公

32、栅极是输入端，漏极是输出端，源极是输入输出的公共电极。共电极。共栅极电路：共栅极电路：源极是输入端，漏极是输出端，栅极是输入输出的源极是输入端，漏极是输出端，栅极是输入输出的公共电极。公共电极。共漏极电路：共漏极电路：栅极是输入端，源极是输出端，漏极是输入输出的栅极是输入端，源极是输出端，漏极是输入输出的公共电极。公共电极。模拟电子技术基础场效应管放大电路场效应管放大电路1、场效应管的直流通路及静态工作点、场效应管的直流通路及静态工作点1 1）基本共源放大电路）基本共源放大电路根据场效应管工作在恒流区的条件，在根据场效应管工作在恒流区的条件，在g-sg-s、d-sd-s间加间加极性合适的电源极

33、性合适的电源dDQDDDSQ2TGGDODQGGGSQ) 1(RIVVVVIIVV模拟电子技术基础2 2）自给偏压电路）自给偏压电路哪种场效应管能够采用这种电路形式设置哪种场效应管能够采用这种电路形式设置Q点？点？sDQSQGQGSQsDQSQGQ0RIVVVRIVV，)(sdDQDDDSQRRIVV2PGSQDSSDQ)1 (VVII由正电源获得负偏压由正电源获得负偏压称为自给偏压称为自给偏压模拟电子技术基础3)3)分压式偏置电路分压式偏置电路为什么加为什么加Rg3?其数值应大些小些？其数值应大些小些？哪种场效应管能够采用这种电路形式设置哪种场效应管能够采用这种电路形式设置Q点？点？即典型的

34、即典型的Q点稳定电路点稳定电路sDQSQDDg2g1g1AQGQRIVVRRRVV2TGSQDODQ) 1(VVII)(sdDQDDDSQRRIVVDDg2g1g1VRRRGSQVGQVSQV RsIDQ 模拟电子技术基础例例：Rg1=2M， Rg2=47k, Rd=30k, R=2k, VDD=18V,FET的的VP=-1V, IDSS=0.5mA,试试确定确定Q点点。mAvi2GSD)11 (5 . 0解：解：mAii2DD)24 . 01 (5 . 0mAi)64. 095. 0(D解之：解之：因因iD不应大于不应大于IDSS，所以：，所以：)VRRIVVvViVvmAIidDDDDSQDSDGSQGSDQD1 . 822. 024 . 031. 0VivDGS24720001847模拟电子技术基础近似分析时可认近似分析时可认为其为无穷大！为其为无穷大！与晶体管的与晶体管的h参数等效模型类比：参数等效模型类比：DSGSDmUuig根据根据iD的表达的表达式或转移特性式或转移特性可求得可求得gm。场效应管的小信号模型分析法场效应管的小信号模型分析法模拟