电工与电子技术(二)练习

1、电工与电子技术(二)练习一、 填空型半导体是在本征半导体中加入 价物质后形成的，型半导体中自由电子浓度大于空穴浓度，在室温附近，当温度升高时，杂质半导体中浓度明显增加的是 少子 。2P型半导体是在本征半导体中加入 3 价物质后形成的。P型半导体的多子是 空穴 ，当温度升高时，二极管反向饱和电流将 增大 。3稳压管能够稳定电压，它必须工作在 反向击穿状态 状态。4二极管最主要的特点是 单向导电性 ，确保二极管安全工作的两个主要参数分别是 反向击穿电压 和 额定的整流电流 。5. 不能用万用表R×1档测量二极管的正向电阻原因是 二极管会因为过电流而烧毁 。6二极管伏安特性上有一个死区电压

2、，硅管的死区电压典型值约为 0.5V ，锗管的死区电压典型值约为 0.1V 。7在题7图所示电路中，若测得a、b两端的电位如图所示，则二极管工作状态为 导通 。8电路如题8图所示，输出电压Uo为 （-8V） 。9电路如题9图所示，二极管为同一型号的理想元件，VA=3 V，VB=2sint V，R=4k，VF等于 （2sint V ）10电路如题10图所示，二极管为同一型号的二极管，其正向压降均为0.7V，当VA=3V，VB=0.3V时，输出VF= 2.3V 。11电路如题11图所示，两个稳压管的稳定电压分别为6V和8V，其正向压降忽略不计，则U0为 6V 。12、晶体管从结构上可分成 PNP和

3、NPN 两种类型，根据使用的半导体材料不同可分成 硅 和 锗 管。NPN型和PNP型三极管的区别是 P区和N区的位置不同 。13、晶体三极管工作在放大区域的外部条件是 发射结必须正偏、集电结必须反偏 。14、在晶体管放大电路中，集电极负载电阻RC的主要作用是 把电流的控制放大作用转化为电压放大作用 。15、在放大电路中，若测得某晶体管三个电极的电位分别为 6.3V 7V、 4V， 则这三个电极依次是 BEC 。16、在放大电路中，若测得某晶体管三个电极的电位分别为10V、3V、3.7V，则这三个电极依次是 CEB 。17、如题17图所示共射放大电路中，=50，UBE0.2V，当开关与A相连时三

4、极管的工作状态为饱和，当开关与相连时三极管的工作状态为放大，当开关与相连时三极管的工作状态为截止 。18、 当一个PNP三极管工作于放大状态时，其三个电极对地的电位高低关系是 。19、 当一个NPN三极管工作于放大状态时，其三个电极对地的电位高低关系是 。20、双极型三极管饱和导通的外部条件是 集电结和发射结均处于正向偏置状态 。晶体三极管工作时，判定其饱和的可靠方法是 集电极与发射极之间的电压约为0 ， 双极型三极管截止的外部条件是 集电结和发射结均处于反向偏置状态 。判定其截止的可靠方法是 UCEUCC 。21、放大电路的静态是指 输入交流信号为零时的工作状态 ，放大电路的动态是指 输入交

5、流信号不为零时的工作状态 。22、放大电路的静态值主要是指 ，放大电路的动态分析是计算 电压放大倍数、输入电阻、输出电阻 。23、对于放大电路，所谓闭环是指 存在反馈通路 。24、引起电路静态工作点不稳定的主要原因是 工作环境温度变化引起元、器件参数变化 ，为了稳定静态工作点，通常在放大电路中引入 直流负反馈 。25、在固定偏置的单管共射极电路中，换上减小的管子，VCEQ将 增大 。26、交流负反馈在电路中的主要作用是 改善放大电路的动态特性 。27、直流负载线是放大电路 静态工作点 的移动轨迹，交流负载线是放大电路 动态工作点 的移动轨迹。28、多级放大电路常见的耦合方式有 阻容耦合 、 直

6、接耦合 和变压器耦合。29、放大电路的非线性失真包括 饱和 失真和 截止 失真，引起非线性失真的主要原因是 静态工作点设置的不合适 和输入信号幅值太大。30、在固定偏置共射级放大电路中，当输入信号为正弦波电压信号时，若输出电压波形下半部出现了失真，这种失真对NPN管为 饱和 失真，对PNP管为 截止 失真。若输出波形上、下半部均出现了失真，这种现象的原因是 输入信号幅值太大 。31、三极管放大电路中，静态工作点设置合理与否影响到电路能否正常工作及性能如何。共射电路中，若静态工作点设置过低，在输入信号增大时放大器会首先产生 截止失真 ，对NPN 管用示波器观察输出波形将看到 波形正半周被消去 的

7、现象，对PNP 管用示波器观察输出波形将看到 波形负半周被消去 的现象。32、如题32图所示放大电路，因静态工作点不合适而使uo出现严重的截止失真，通过调整偏置电阻RB，可以改善uo的波形，调整过程是应使RB 调小 。33、 两个独立的共射极阻容耦合放大电路，负载开路时的电压增益大小为 和，如果将它串接成两级电压放大电路时，则总的电压增益为。34、某放大电路在负载开路的情况下，测得电路的输出电压为4V，接上3K负载电阻后，测得输出电压为2V，则该放大电路的输出电阻为 3K 。35、单管共射极电路中，输入f = 1KHZ的正弦电压信号后，分别用示波器观察输入信号和输出信号，则二者波形的相位差是

8、1800 。36、对分压式偏置电路而言，当更换晶体管时若两管的电流放大系数不同，则放大电路的静态值 随着变化 ， 基本不会发生变化 。37、射极输出器的电压放大倍数约为 1 ，却常用作多级放大电路的输出级原因是 其输入电阻高，可以减小对前级信号源的影响 ， 其输出电阻小，可以提高整个放大器带负载的能力 。38、为了使运算放大器工作于线性状态，应 有深度的负反馈 。39、集成运放电路，可用来放大低频信号，是因为在各级放大电路之间采用了 直接 耦合方式，为了使运算放大器工作于线性状态，输入端应 引入深度负反馈 ，当集成运算放大器工作在线性区时，通常把称为 虚短 ，把称为 虚断 ，当同相输入端接地时

9、，则把反相输入端称为 虚地 。40、在线性运算电路中，为了减小输入偏置电流带来的运算误差，通常要求运算放大器两个输入端外接的电阻等效值 近似相等 。41、在比较电路中，运算放大器工作在 开环 或 正反馈 条件下，运算放大器输出电压只有 正和负两种饱和值 。在这种情况下，运算放大器虚短的结论不再适用，但 虚断 的结论仍然存在。42、 电路如题42图所示，该理想运算放大器工作在 饱和 区域，若为正弦波电压，则为 矩形 波（填形状）电压。43、 所谓零点漂移是输入信号为零时， 输出 信号会产生缓慢的无规则的变化，直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 晶体管参数受温度影响 。 44、桥式整流电路和

10、单相半波整流电路相比，在变压器二次电压相同的条件下，桥式整流电路输出的电压平均值是单相半波整流电路输出电压平均值的 2 倍。 45、把交流电变为直流电的环节有整流、滤波、稳压，整流的功能是 将交流电变换为单向脉动电压 ，整流元件必需具有 单向导电 特性，滤波电路的功能是 减小整流电压的脉动程度 。对输入有效值为U的正弦波，桥式整流电路整流输出电压的平均值为 0.9U 。46、直流稳压电源的主要组成部分是电源变压器 、整流电路 、滤波电路 、稳压电路 。47、在题47图所示的单相桥式整流电路中，如果某个二极管极性接反，其后果是 电源变压器被短路 ，如果输出电压的平均值约为0.45U2，则原因是

11、某个二极管开路或脱焊 。48、稳压管稳压电路如题48图所示，已知交流电源频率为50Hz，稳压管DZ的稳压值UZ=6V，电容C两端的直流电压为18V，C=1000uF，R=1k,RL=2k,则输出电压Uo= 6V ，变压器次级电压的有效值约为 15V 。48、在题47图所示电路中（二极管为理想），若U2=20V，则Uo（平均）= 18V 。图中将RL换成电容C，则输出电压平均值Uo(AV)= 28.2V 。49、在题49图所示电路中，已知U1=-25 V，若稳压管DZ的稳定电压UZ=10 V，正向压降忽略不计，则电路输出电压O (-22)V 。50、如图所示电路中（二极管为理想），若=20sin

12、t V，=10k，C=50uF，则输出电压V（AV）为 24V ，流过二极管的平均电流为 1.2mA ，二极管承受的最大反向电压为 28.2V 。51、电子技术中，电信号可分为两大类，一类是 模拟信号 ，另一类是 数字信号 。模拟信号是指 在时间上或数值上是连续变化的信号 ，数字信号是指 在时间上和数值上都是不连续变化的信号 。52、组合电路由_基本门电路_构成，它的输出只取决于 当前的输入 而与原状态无关。时序逻辑电路的基本单元是 触发器 ，时序逻辑电路输出不仅和 当前的输入 有关，而且还与 原来的状态 有关。53、输入端为A、B的异或门作为反相器使用时多余的输入端应接 高电平 。输入端为A

13、、B的同或门，要实现，多余输入端应接 低电平 。为了实现逻辑非，对于与非门多余输入端应 接高电平或与信号输入端并接使用 。为了实现逻辑非，对于或非门多余输入端应 接低电平或与信号输入端并接使用 。54、 至少说出逻辑函数的三种表达方式 逻辑状态表 ， 逻辑函数式 ， 逻辑电路图 。55、有一共阳极八段数码管，要让其显示5这一字符，则显示译码器输出的代码= 0100100 ，有一共阴极七段数码管，要让其显示2这一字符，则显示译码器输出的代码= 1101101 。56、显示译码器驱动共阴极数码管，当显示译码器输出代码=1011011时，显示器显示的字符是 5 。57、n个变量可构成最小项的总数为

14、。58、三变量函数所含最小项个数为 4 。三变量函数所含最小项个数为 5 。59、某三变量函数 ， 请写出该函数的最小项的表达式Y= m2+m3+m5 。60、某三变量函数 ，请写出该函数的最小项的表达式Y= m1+m3+m7 。61、指出下列各图中74HC系列CMOS门电路的输出状态（低电平在括号内填L，高电平在括号内填H，高阻态在括号内填Z）。62、指出下列各图中74系列TTL门电路的输出状态（低电平在括号内填L，高电平在括号内填H，高阻态在括号内填Z）。63、完成数字转换（245）D=( E5)H =( 11110101)B。64、十进制数（156）D= = 。65、完成数字转换（110

15、10011）B= (D3)H = (211)D 。66、若要对全班50位同学进行编码，该编码器至少应设 50 个输入端口， 6 个输出端口。67、数字译码器输入的是 二进制代码 ，输出的是 一系列高低电平信号 ，用以驱动数码管。68、已知某逻辑电路的输入，输出电压波形如图所示，该电路完成的逻辑功能是 同或 功能。69、一个32选1的数据选择器有 5 个选择控制信号输入端，用它来产生组合逻辑函数，逻辑函数的逻辑变量最多可达 6 个。 70、优先编码器和普通编码器的区别是 前者可以同时输入几个电信号，后者每次只能输入一个电信号 。71、二进制编码器，输入的是 高低电平 信号，输出的是 二进制代码

16、，译码器的功能是编码器的逆过程。72、电源电压为的CMOS反相器其阈值电压为。73、电路如题73图所示，则输出端的状态为 高阻 。74、在计数电路中，同步置数是指 预置端电平有效的情况下，还要加入时钟脉冲时序电路才会预置送数 ，异步置数是指 只要预置端电平有效的情况下就能完成预置送数，与时钟脉冲无关 。75、扭环形电路如题75图所示，若初始状态=0000，经4个CP脉冲，状态变为= 1111 ，当CP端不断输入系列脉冲，该电路完成一次循环需要 8 个CP脉冲。76、四位扭环形移位寄存器，初始状态，数码串行出入端为，经过三个脉冲后并行输出状态 0001 。77、四位扭环形移位寄存器，初始状态，数

17、码串行输入端为，经过两个脉冲后并行输出状态 0011 。78、电路如图所示，若初始状态=1000，经两个CP脉冲，状态变为 0010 ，当CP端不断输入系列脉冲，该电路完成一次循环需要 4 个CP脉冲。79、在CP作用下，欲使D触发器具有的功能，其D端应接。80、顺序脉冲发生器一般由 计数器 和 译码器 两部分组成，以产生先后顺序的脉冲，实现机器的协调工作。81、JK触发器如题81图所示， 触发器初始状态为0， 当时钟脉冲第一个触发沿到来时触发器的状态为 1 。时钟脉冲继续持续跳变时触发器的状态 维持不变 。82、把JK触发器转换为D触发器的方法是 .把JK触发器转换为T触发器的方法是 J=K

18、=T 。83、D触发器如题83图所示，触发器初始状态为0，当时钟脉冲第一个触发沿到来时触发器的状态为 1 。时钟脉冲继续持续跳变时触发器的状态为 计数状态 。84、构成100进制的计数器，至少需要 7 触发器。85、由同一时钟脉冲控制的时序逻辑电路称为 同步 时序逻辑电路；由不同时钟脉冲控制的时序逻辑电路称为 异步 时序逻辑电路。异步时序电路的响应速度要比同步时序电路的响应速度 慢 。86、由12个触发器构成的计数器，其最大计数的模为 ，由两片8位二进制计数器可以构成模为的最大计数器。87、由4线16线译码器产生组合逻辑函数，函数的逻辑变量最多为 4 个，译码器所有输出端产生的最小项可达 16

19、 个。88、仅具有翻转和保持功能的是 T 触发器，仅具有翻转功能的是触发器。89、用555定时器构成多谐振荡器，外接电容C=0.1F,若充电回路的电阻为20k，放电回路的电阻为10k，则输出波形的振荡频率为 476Hz ，占空比为 2/3 。90、电路如题90图所示555定时器构成了 多谐震荡器 ，当电源电压UDD=12V，其输出波形的频率f=Hz，电容C的最高电压为 8V ，电容C的最低电压为 4V 。91、由555定时器构成的单稳态触发器，其触发脉冲为（正或负） 负 脉冲，稳定状态为“0”，暂稳状态为“1”，若外接充电回路的时间常数为RC，则暂稳态持续的时间为 1.1RC 。92、用555

20、定时器构成的单稳态触发器，当电源电压UDD=12V，外接R=100k，C=10uF时，输出脉冲宽度tPH= 1.1ms ，电容C的转折电压（最高电压）为 8V ，要求触发负脉冲的宽度（填定性关系） 小于 输出脉冲的宽度，输出脉冲的频率（填定性关系） 等于 触发脉冲的频率。93、存储器ROM和RAM基本结构的最大相同点是 都有地址译码器和存储矩阵 ，存储器ROM和RAM功能上两个最大不同点是（1） ROM只能读出信息而不能写入信息；RAM可以随时读写信息 ，（2） ROM断电时不会丢失信息，RAM断电时会丢失信息 。94、为构成4096×8的RAM，需要 8 片1024×4的

21、RAM，并且要有 12 位地址译码，以完成寻址操作。95、为了构成4K×16位的RAM，需要 8 块1K×8位的RAM，地址线的高 2 位由译码器地址输入端承担，地址译码使用的是 2线4线 译码器。96、试分析题96图所示电路扩展后的RAM有 10位 地址码，有 1K 字，每字有 16 位，有 1K×16 存储单元。97、试分析图6所示电路扩展后的RAM有 12位 地址码，有 4K 字，每字有 8 位，有 4K×8 存储单元。98、A/D转换器的转换精度是指 分辨率 和 转换误差 两个指标。99、某倒T形电阻网络4位D/A转换器，设参考电压 则输出模拟电

22、压的最小值为 0.5V ，输出模拟电压最大值为 7.5V 。二、选择题1、在室温附近，当温度升高时，杂质半导体中浓度明显增加的是（ ）。A、所有载流子 B、多数载流子 C、少数载流子 D、正负离子2、P型半导体的多数载流子是（       ）。A. 空穴       B.自由电子        C.正离子      &

23、#160;   D.负离子3、N型半导体的多数载流子是（       ）。A. 空穴       B. 自由电子        C. 正离子          D. 负离子4、N型半导体（ ）。A、带正电 B、带负电 C、呈中性 D、无法确定5、二极

24、管的伏安特性曲线的反向部分在环境温度升高时将（ ）。A 、右移 B、左移 C、上移 D、下移 6、 PN结不加外部电压时，PN结中的电流为（ ）。A、只从P区流向N区 B、等于零C、只从N区流向P区 D、无法判别7、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ ）。A、电子 B、空穴 C、三价硼元素 D、五价磷元素8、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（ ）。 A. 多数载流子浓度增大 B. 少数载流子浓度增大C. 多数载流子浓度减小 D. 少数载流子浓度减小9. 电路如图所示，其输出波形为（ ）。 10、电路如题10图所示，二极管为理想元件，已知ui

25、=6sint V， U=3 V，当t=瞬间，输出电压uo为( )。A、0 V B、3 V C、6 V D、9 V 11、电路如题11图所示，二极管D承受的最高反向电压为（ ）。A 、 B 、10 V C、 D、 20V 12、稳压二极管电路如题12图所示，稳压管稳压值UZ=6.3V，正向导通压降UD=0.7V，其输出电压为（ ）。A7V B24VC56V D14V13、判断题13图所示电路中二极管是否导通和输出电压值（ ）。 A. 均导通， B. 导通不通，C. 导通不通， D. 导通不通，14、 电路如题14图所示，设硅稳压管和的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V,输出电压为（

26、）。A. 13V B. 8V C. 5V D. 无法确定15. 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4，与某电阻串联后其两端施加的电压分别为+5（正向偏置）和5（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为（ ）。A +5和-5 B -5和+4 C +4和-0.7 D +0.7和-416、NPN型和PNP型三极管的区别是（ ）。A、由两种不同的材料硅或锗构成； B、掺入的杂质不同；C、导电的载流子不同； D、P区和N区的位置不同。17、双极型晶体管的控制方式为（ ）。A、输入电流控制输出电压 B、输入电压控制输出电压 C、输入电压控制输出电流 D、输入电流控制输出电流18、场效应晶体管的控制方式为（

27、）。A、输入电流控制输出电压 B、输入电压控制输出电压 C、输入电压控制输出电流 D、输入电流控制输出电流19、共射三极管各极对地的电压为VB= -0.3V，VC= -5.1V，VE= -0.1V，则该三极管结构及工作状态为（ ）。A、NPN型放大 B、PNP型饱和 C、NPN型饱和 D、PNP型放大20、某三极管各极对地的电压为VB= 6.3V，VC= 4V，VE= 7V，则该三极管结构及工作状态为（ A ）。A、NPN型放大 B、PNP型饱和 C、NPN型饱和 D、PNP型放大21如果工作在放大电路中的三极管电流如题21图所示，若穿透电流可忽略，则三极管三个管脚从左向右分别为（ ）。ABC

28、EBBECCCEBDECB22、对于基本共射放大电路，当RC增大时，其输出电阻（ ）。A、不变 B、减小 C、增大 D、无法确定23、对于基本共射放大电路，负载RL减小时，输出电阻（ ）。A、增大 B、减小 C、不变 D、无法确定24、场效应管控制漏极电流的大小是利用外加电压产生的（ ）。A、电场 B、磁场 C、电流 D、以上均否25、双极型晶体管工作在饱和区的偏置条件是（ ）。 A发射结正偏；集电结正偏 B发射结正偏；集电结反偏C发射结反偏；集电结正偏 D发射结反偏；集电结反偏26、三极管放大电路中，静态工作点的合理设置与否影响到电路能否正常工作及性能如何。共射电路中，若静态工作点设置过低，

29、在输入信号增大时放大器会首先产生 （ ）。A、交越失真 B、饱和失真 C、截止失真 D、不能确定的失真27、三极管放大电路中，静态工作点的合理设置影响到电路能否正常工作及性能如何。共射电路中，若静态工作点设置过高，在输入信号增大时放大器会首先产生 ( )。A、交越失真 B、饱和失真 C、截止失真 D、不能确定的失真28、放大电路如题28图所示，已知：RB=240k，RC=3k，晶体管=20，VCC=12V，现该电路中的三极管损坏，换上一个=40的新管子，若要保持原来的静态电流IC不变，且忽略UBE，应把RB调整为（ ）。A、480 k B、240 k C、120 k D、360 k29、利用微

30、变等效电路可以计算晶体管放大电路的（ ）。A、输出功率 B、交流参数 C、静态工作点 D、交流和直流参数30、N沟道增强型绝缘栅场效应管中的载流子是（ ）。A、自由电子 B、空穴 C、电子和空穴 D、带电离子31、温度升高时，三极管的输出特性曲线将（ ）。A、上移 B、下移 C、不变 D、以上均有可能32、电路如题32图所示，该电路（ ）。A、能放大交流信号 B、不能放大交流信号 C、静态时一定饱和 D、静态时一定截止33、多级放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使（ ）。 A、电压放大倍数高 B、输出电流小C、输出电阻增大 D、带负载能力强34、差动放大电路的主要特点是（ ）。 A、既抑制

31、差模信号，又抑制共模信号 B、既放大差模信号，又放大共模信号C、既有效放大共模信号，又有效抑制差模信号 D、既有效放大差模信号，又有效抑制共模信号 35、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是( )。 A、电阻阻值有误差 B、晶体管参数的分散性 C、受输入信号变化的影响 D、晶体管参数受温度影响36、集成运放电路的实质是一个（ ）的多级放大电路。 A. 阻容耦合式 B. 直接耦合式 C. 变压器耦合式 D. 三者都有37、电路如题37图所示，在固定偏置单管共射放大电路中，Rb、Rc分别是基极和集电极偏置电阻，用直流电压表测出VCEQVCC，有可能的原因为（ B ）A、Rb短路； B、Rb开路

32、； C、 RC开路； D、过大。38、电路如题37图所示，用直流电压表测得0，有可能是因为（ ）。ARB 开路BRL 短路CRC 开路DRB 过小39与双极型晶体管比较，场效应管（ ）A、输入电阻小 B、输入电阻大 C、不便于集成 D、电子和空穴都参与导电40、电路如题40图所示，在静态情况下若将Rb调小，则集电极电流Ic和集电极电位Vc的变化趋势为（ ）。A . Ic增大，Vc增大 B . Ic增大，Vc减小 C . Ic减小，Vc减小 D. 二者都不变41、射极输出器（ ）。A、没有电流放大作用，有电压放大作用 B、有电流放大作用，也有电压放大作用C、没有电流放大作用，也没有电压放大作用

33、D、有电流放大作用，没有电压放大作用 42、集成运放内部是直接耦合放大电路，因此能放大（ ）A、直流信号 B、交流信号 C、交直流信号 D、两者均否43. 工作在放大区的某晶体管，当IB从40A 增大至60A 时，IC 从2mA 变为4mA，则它的值约为（ ）。A10 B50 C100 D20044在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ ），则说明引入的是负反馈。 A. 电路稳定性变差 B. 输出量增大 C. 净输入量增大 D. 净输入量减小45电路如题45图所示，若不慎将耦合电容C2 断开，则将（ ）。A不影响静态工作点，只影响电压增益 B只影响静态工作点，但不影响电压增益C不仅影响静态工作点

34、，而且也影响电压增益D. 不影响静态工作点，也不影响电压增益46电路如图3所示，若不慎将耦合电容Ce 断开，则将（ ）。A不影响静态工作点，只影响电压增益 B只影响静态工作点，但不影响电压增益C不仅影响静态工作点，而且也影响电压增益D.不影响静态工作点，也不影响电压增益47、用两个Au相同放大电路A和B分别对同一个具有内阻的电压信号进行放大，测试结果为VoAVoB,这是由于放大电路A的( )。A、输出电阻小 B、输出电阻高 C、输入电阻高 D、输入电阻小48、电路如题48图所示，输入电压，试问指示灯HL的亮暗情况为（ ）。A、亮暗交替且亮暗时间相等 B、亮暗交替但亮的时间大于暗的时间C、亮暗交

35、替但暗的时间大于亮的时间 D、亮暗时间与R3的值有关。49. 电路如题49图所示负载电流与输入电压的关系为 (     )。A.       B.    C.      D. 50. 电路如题50图所示运算放大器输出电压值为（ ）。A.、4V B、2V C 、3V D、1V 51、电路如题51图所示，若ui为正弦电压，则uo为（ ）A 与ui同相的正弦电压 B 与ui反相的正弦电压C对称矩形波电压 D不对称

36、的矩形波电压 52电路如题52图所示，A 为理想运放，电路的输出电压值为（ ）。A5VB-5VC3VD以上都不是53. 如题53图所示的单相半波整流电路，整流电压平均值为（ ）。A63.45V B. 45V C. 90V D. 120V54、如题54图所示的稳压电路中，输出电压U0的可调范围是（ ）。A Uomax=15V，Uomin=7.5V B Uomax= 7.5V，Uomin= 15V C Uomax=1V，Uomin=V D Uomax=15V，Uomin=5V55、如题55图所示的稳压电路中，已知UZ=6V，则Uo为（ ）。A 、21V B 、15V C 、6V D、 9V 56、

37、题56图所示电路中，已知U1=-25 V，若稳压管DZ的稳定电压UZ=10 V，正向压降忽略不计，则电路输出电压VO=( )。A、12 V B、22V C、-12 V D、-22 V57、已知桥式整流滤波电路如图5 所示,若一个整流二极管开路，则输出（ ）。A、不能整流 B、全波整流波形 C、无波形 D、半波整流波形58. 如题58图所示的单相桥式整流电路，若有一个二极管断开，整流电压平均值为（ ）。A 63.45V B. 45V C. 90V D. 120V59、和逻辑式 相等的是（ ）。A、ABC B、1+BC C、A D、 60、下列等式不成立的是（ C ）。A、 B、C、 D、61、与

38、函数相等的是（ ）。 A、 B、 C、 D、 62、与函数相等的表达式是（ ）。A B C D63、下列等式不正确的是（ ）。A. =+ B. (A+B)(A+C) =A+BCC. A( )=A+ D. AB+C+BC=AB+C64、下列等式不成立的是（ ）。A、A+B=A+B B、（A+B）（A+C）=A+BCC、AB+C+BC=AB+BC D、B+AB+A=165、与函数不等的是（ ）。A、 B、 C、 D、66、与函数式相等的表达式为（ ）。A B C D 67、与函数不相等的表达式是（ ）。A. B. C. D. ()68. 三变量函数的最小项表示中不含下列哪项 ( )。A. m2 B

39、. m5 C. m3 D. m769、可以作为非门使用的是（ ）。A、或非门可以、异或门不可以 B、或非门不可以、异或门可以 C、或非门、异或门都可以 D、或非门、异或门都不可以70、如题70图所示的组合逻辑电路中，表达正确的是（ ）。A、 B、 C、 D、 以上各式都不对 71、图示卡诺图的最简与或表达式为（ ）A、 B、C、 C、72、比较两个一位二进制数A和B,当A=B时输出F=1,则F的表达式是（ ）。A、F=AB B、 C、 D、F=AB73. 如题73图所示逻辑电路为（ ）。A与门 B. 或门 C. 非门 D. 同或门 74. 如题74图所示逻辑电路为（ ）A. 与门 B. 或门

40、C. 非门 D. 同或门75、已知TTL电路如题75图所示，则输出函数表达式为（ ）。A、B B、 C、+B D、A+B 76、题76图所示电路输出Y的正确函数式是（ A ）。 A、； B、；C、； D、。77、题77图所示电路输出Y的正确函数式是（ ）。 A、； B、；C、； D、。78、如题78图所示的组合逻辑电路中，逻辑表达式正确的是（ ）。A、 B、 C、 D、79、如题79图所示的组合逻辑电路中，逻辑表达式正确的是（ ）。A、 B、 C、 D、80、设某函数的表达式为F=A+B，若用4选1数据选择器来设计，则数据端D0D1D2D3的状态是（ ）（设A为权值高位）。A、0001 B、

41、1110 C、1010 D、011181、设某函数的表达式F=，若用4选1数据选择器来实现，则数据端D0D1D2D3的状态是（ ）（设A为权值高位）A、0001 B、1110 C、0101 D、101082、如题82图所示4选1数据选择器，其输出端正确的逻辑表达式为（ ）。A、 B、 C、 D、83、比较两个一位二进制数A和B,当A=B时输出F=1,则F的表达式是（ ）。A、F=AB B、 C、 D、F=AB84、比较两个二位的二进制数A=A1A0和B=B1B0，当A>B时输出F=1，则F的表达式是（ ）。A、F=A11 B、F=A1+B1+ C、F=A1+ D、F=A1+A0+85、一

42、个T触发器，在T=1时，加上时钟脉冲，则触发器（ ）。A、保持原态 B、置0 C、置1 D、翻转86、具有直接复位端和置位端的触发器，当触发器处于CP脉冲控制下工作时，这两端所加的信号为（ ）。A、 B、 C、 D、87、在时钟脉冲CP作用下，JK触发器的现态是，要使1，则应使（ ）。A、J=K=0 B、J=0、K=1 C、J=1、K=× D、J=×、K=188、用与非门构成的基本RS锁存器如题88图所示，如果要使，则端的输入为（ ）A、00 B、01 C、10 D、1189、电路如题89图所示，已知CP脉冲的频率为2000Hz，则波形的频率为（ ）。A、2000Hz B、

43、1000Hz C、500Hz D、250Hz90、如题90图所示触发器具有（ ）功能。A、保持 B、计数 C、 置1 D 、置0A、91、用触发器设计一个24进制的计数器，至少需要( )个触发器。A、5 B、4 C、6 D、392、计数电路如图所示，74LS161是异步清零、同步置数的四位二进制计数器，该计数电路正为计数状态，其计数进制为（ ）。A、7 B、10 ； C、9 D、8 93、计数电路如图所示，74LS161是异步清零、同步置数的四位二进制计数器，该计数电路正为计数状态，其计数进制为（ ）。A、10 B、8 C、6 D、7 94、74LS290是8421码二-五-十进制计数器，它有

44、两个时钟脉冲输入端CP0、P1，只输入计数脉冲CP0由Q0输出，为二进制计数器。只输入计数脉冲CP1，由Q3Q2Q1输出，为五进制计数器。将Q0与CP1端连接，输入计数脉冲CP0为十进制计数器.图示5电路为（ ）。A、六进制 B、七进制C、八进制 D、九进制95、如题95图所示触发器具有（ ）功能。A、保持 B、计数 C、 置1 D、 置096、如题96图所示触发器具有（ ）功能。A. 保持 B. 计数 C. 置1 D. 置零97、如题97图所示电路中，触发器原状态Q1Q0=00，则在下一个CP作用后，Q1Q0为（ ）。A 、00 B 、01 C、 10 D、 1198. 如题97图所示电路中

45、，触发器原状态Q1Q0=10，则在下一个CP作用后，Q1Q0为（ ）。A 、00 B 、01 C、 10 D、 1199. 如题99图所示电路中，触发器原状态Q1Q0=00，则在下一个CP作用后，Q1Q0为（ ）。A . 00 B . 01 C. 10 D. 11100、如题99图所示电路中，触发器原状态Q1Q0=01，则在下一个CP作用后，Q1Q0为（ ）。A 、00 B、 01 C 、10 D 、11101、把JK触发器改装为D触发器使用，正确的联接方式为（ ）A、 B、C、 D、102、为了把串行输入的数据转换为并行输出的数据，可以使用（ ）。A、移位器存器 B、寄存器 C、计数器 D、

46、存储器103、如题103图所示移位寄存器的初始状态为0000，在CP移位脉冲作用下寄存器的状态每重复一次，需要脉冲的个数为（ ）。A、4个 B、8个C、12个 D、16个104、一序列信号发生器，使之在一系列CP信号作用下能周期性地输出“0010110111”的序列信号，则使用的触发器的个数至少为（ ）。A、5个 B、3个 C、4个 D、10个 105、如题105图所示555定时器构成的电路具有（ ）A. 单稳态功能 B . 双稳态功能C. 无稳态功能 D. 回差电压功能106、由555定时器组成的多谐振荡器如题105图所示，欲使振荡频率增高，可以（ ）。A、减小电容C B、增大电容C C、增

47、大电阻R1、R2 D、增大电源的值107、如题107图所示555定时器构成的电路具有（ ）A. 单稳态功能,RC决定输出脉冲的宽度,由555定时器确定其值 B. 双稳态功能 C. 单稳态功能,RC决定输出脉冲的宽度,是555定时器外接元件 D. 无稳态功能108、如题107图所示的由555定时器组成的单稳态触发器，输出脉冲的宽度取决于（ ）。A、触发脉冲的频率 B、触发脉冲的宽度C、电路本身的电阻、电容参数 D、电源电压的数值109、一片512k×8存储容量的随机存储器（RAM），有（ ）。A. 512条地址线和18条数据线 B. 18条地址线和8条数据线C. 19条地址线和8条数据

48、线 D. 19条地址线和18条数据线110、若ROM地址译码器有10位输入地址码、8条数据线，则（ ）。A.  它的存储字单元为10，字长为8B. 它的存储字单元为256，字长为10C. 地址输入从10位扩大到12位，则地址可增加2048个D.地址输入从10位扩大到12位，则地址可增加3072个111. 一片64k×8存储容量的只读存储器（ROM），有（ ）。A. 64条地址线和8条数据线 B. 64条地址线和16条数据线C. 16条地址线和8条数据线 D. 16条地址线和16条数据线112. 模/数 转 换 器 的 分 辨 率 取 决 于（       ）。A.   输 入 模 拟 电 压 的 大 小，电 压 越 高，分 辨 率 越 高B.  输 出 二 进