晶体三极管和场效晶体管概述学习教案

1、会计学1晶体晶体(jngt)三极管和场效晶体三极管和场效晶体(jngt)管概管概述述第一页，共56页。1.理解晶体管的结构和分类，熟悉其外形、图形符号。掌握理解晶体管的结构和分类，熟悉其外形、图形符号。掌握(zhngw)三极管电流分配关系。三极管电流分配关系。2.掌握三极管的输入特性掌握三极管的输入特性(txng)、输出特性、输出特性(txng)及三种工及三种工作状态，了解其主要参数。作状态，了解其主要参数。3.掌握用万用表对三极管进行测试的方法。掌握用万用表对三极管进行测试的方法。4.了解场效晶体管的类型及工作原理，熟悉其图形符号了解场效晶体管的类型及工作原理，熟悉其图形符号，理解其转移特性

2、和输出特性，了解其使用的注意事，理解其转移特性和输出特性，了解其使用的注意事项。项。第1页/共55页第二页，共56页。三极管的结构三极管的结构(jigu)、分类和符号、分类和符号 三极管的工作电压和基本三极管的工作电压和基本(jbn)连接方式连接方式三极管内电流的分配和放大作用三极管内电流的分配和放大作用三极管的输入和输出特性三极管的输入和输出特性三极管主要参数三极管主要参数三极管的简单测试三极管的简单测试第2页/共55页第三页，共56页。晶体三极管：是一种利用输入电流晶体三极管：是一种利用输入电流(dinli)控制输出电流控制输出电流(dinli)的电流的电流(dinli)控制型器件。控制型

3、器件。特点：管内有两种载流子参与特点：管内有两种载流子参与(cny)导电。导电。第3页/共55页第四页，共56页。一、晶体三极管的基本一、晶体三极管的基本(jbn)结构结构1三极管的外形三极管的外形(wi xn)特点：特点：有三个电极，故称有三个电极，故称三极管三极管。 第4页/共55页第五页，共56页。2三极管的结构三极管的结构(jigu)三极管的结构图三极管的结构图特点特点(tdin)：有三个区有三个区 发射区、基区、集电区；发射区、基区、集电区；两个两个(lin ) PN 结结 发射结发射结(BE 结结)、集电结、集电结(BC 结结)；三个电极三个电极 发射极发射极 e( (E) ) 、

4、基极、基极 b( (B) ) 和集电极和集电极 c( (C) )；两种类型两种类型 PNP 型管和型管和 NPN 型管。型管。 工艺要求：工艺要求：发射区掺杂浓度较大；基区很薄且掺杂最少；集电区比发射区发射区掺杂浓度较大；基区很薄且掺杂最少；集电区比发射区体积大且掺杂少。体积大且掺杂少。第5页/共55页第六页，共56页。二、晶体二、晶体(jngt)三极管的符号三极管的符号三极管符号三极管符号箭头：表示发射结加正向电压时的电流方向。箭头：表示发射结加正向电压时的电流方向。文字文字(wnz)符号：符号：V 第6页/共55页第七页，共56页。三、晶体三、晶体(jngt)三极管的分类三极管的分类1三极

5、管有多种分类三极管有多种分类(fn li)方法。方法。按内部结构分：有按内部结构分：有 NPN 型和型和 PNP 型管；型管；按工作频率分：有低频和高频管；按工作频率分：有低频和高频管；按功率分：有小功率和大功率管；按功率分：有小功率和大功率管；按用途分：有普通管和开关按用途分：有普通管和开关(kigun)管；管；按半导体材料分：有锗管和硅管等等。按半导体材料分：有锗管和硅管等等。2国产三极管命名法：见国产三极管命名法：见电子线路电子线路（陈其纯主编）（陈其纯主编）P261 附录。附录。例如：例如：3DG 表示高频小功率表示高频小功率 NPN 型硅三极管；型硅三极管； 3CG 表示高频小功率表

6、示高频小功率 PNP 型硅三极管；型硅三极管； 3AK 表示表示 PNP 型开关锗三极管等。型开关锗三极管等。第7页/共55页第八页，共56页。一、晶体一、晶体(jngt)三极管的工作电压三极管的工作电压 三极管的基本作用三极管的基本作用(zuyng)是放大电信号。是放大电信号。三极管工作在放大状态的外部条件是：三极管工作在放大状态的外部条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压，集电结加反向电压。三极管电源的接法三极管电源的接法第8页/共55页第九页，共56页。三极管电源三极管电源(dinyun)的接法的接法V为三极管为三极管GC为集电极电源为集电极电源GB为基极电源，又称

7、偏置电源为基极电源，又称偏置电源Rb为基极电阻为基极电阻Rc为集电极电阻。为集电极电阻。 第9页/共55页第十页，共56页。二、晶体三极管在电路中的基本连接二、晶体三极管在电路中的基本连接(linji)方式方式有三种基本连接有三种基本连接(linji)方式：共发射极、共基极和共集电极接法。最常用的是共发射极接法。方式：共发射极、共基极和共集电极接法。最常用的是共发射极接法。三极管在电路中的三种基本连接方式三极管在电路中的三种基本连接方式第10页/共55页第十一页，共56页。一、电流一、电流(dinli)分配关系分配关系测量测量(cling)电路如图电路如图第11页/共55页第十二页，共56页。

8、调节电位器，测得发射极电流、基极电流和集电极电流的对应调节电位器，测得发射极电流、基极电流和集电极电流的对应(duyng)数据如表所示。数据如表所示。因因 IB 很小，则很小，则IC IE IE = IC + IB由表可见由表可见(kjin)，三极管中电流分配关系如下：，三极管中电流分配关系如下：IB/mA-0.00100.010.020.030.040.05IC/mA0.0010.010.561.141.742.332.91IE/mA00.010.571.161.772.372.96 第12页/共55页第十三页，共56页。说明说明(shumng)：1IE = 0 时，时，IC = - -IB

9、 = ICBO 。ICBO 称为集电极称为集电极基极基极(j j)反向饱和电流，见图反向饱和电流，见图 (a) 。一般。一般 ICBO 很小，与温度有关。很小，与温度有关。2 IB = 0 时，时，IC = IE = ICEO 。ICEO 称为称为(chn wi)集电极集电极发射极反向电流，又叫发射极反向电流，又叫 穿透电流，见图穿透电流，见图 (b)。ICEO 越小，三极管温度稳定性越好。硅管的温度稳定性比锗管好。越小，三极管温度稳定性越好。硅管的温度稳定性比锗管好。ICBO 与与 ICEO示意图示意图第13页/共55页第十四页，共56页。二、晶体二、晶体(jngt)三极管的电流放大作用三极

10、管的电流放大作用当基极电流当基极电流(dinli) IB 由由 0.01 mA 变到变到 0.02 mA 时，集电极电流时，集电极电流(dinli) IC 由由 0.56 mA 变到变到 1.14 mA 。上面两个变化量之比为。上面两个变化量之比为58mA01. 0mA58. 0BC II这说明，当这说明，当 IB 有一微小变化时，就能引起有一微小变化时，就能引起 IC 较大的变化，这种现象称为三极管的电流放大作用较大的变化，这种现象称为三极管的电流放大作用(zuyng)。比值用符号。比值用符号 来表示，称为共发射极交流电流放大系数，简称来表示，称为共发射极交流电流放大系数，简称“交流交流 ”

11、 ，即，即BCII 第14页/共55页第十五页，共56页。结论结论(jiln)： 1三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用基极基极(j j)电流电流 IB 微小的变化，引起集电极电流微小的变化，引起集电极电流 IC 较大变化。较大变化。BCII 2交流电流放大系数交流电流放大系数 表示三极管放大交流电流的能力表示三极管放大交流电流的能力 4通常通常 ， ，所以可表示为，所以可表示为 BCII BCII考虑考虑 ICEO ，则，则CEOBCIIIBCII 3直流电流放大系数直流电流放大系数 表示三极管放大直流电流的能力表示三极管放大直流电流的能力 第15页/共55页第十六页，共56页。一、共发

12、射极输入特性一、共发射极输入特性(txng)曲线曲线集射极之间的电压集射极之间的电压 VCE 一定时，发射结电压一定时，发射结电压 VBE 与基极电流与基极电流 IB 之间的关系之间的关系(gun x)曲线。曲线。共发射极输入特性曲线共发射极输入特性曲线由图可见：由图可见：1当当V CE 2 V 时，特性曲线基本重合。时，特性曲线基本重合。2当当 VBE 很小时，很小时，IB 等于零，三极管处于截止状态。等于零，三极管处于截止状态。第16页/共55页第十七页，共56页。共发射极输入特性曲线共发射极输入特性曲线4三极管导通后，三极管导通后，VBE 基本基本(jbn)不变。硅管约为不变。硅管约为

13、0.7 V ，锗管，锗管 约为约为 0.3 V ，称为三极管的导通电压。，称为三极管的导通电压。5VBE 与与 IB 成非线性关系成非线性关系(gun x)。3当当 VBE 大于门槛电压大于门槛电压(硅管约硅管约 0.5 V，锗管约，锗管约 0.2 V)时，时，IB 逐渐逐渐(zhjin)增大，三极管开始导通。增大，三极管开始导通。第17页/共55页第十八页，共56页。二、晶体二、晶体(jngt)三极管的输出特性曲线三极管的输出特性曲线基极电流一定时，集、射极之间的电压基极电流一定时，集、射极之间的电压(diny)与集电极电流的关系曲线。与集电极电流的关系曲线。动画动画 晶体晶体(jngt)三

14、极管的输出特性曲线三极管的输出特性曲线第18页/共55页第十九页，共56页。输出特性曲线输出特性曲线(qxin)可分为三个工作区可分为三个工作区:1截止截止(jizh)区区条件条件(tiojin)：发射结反偏或两端电压为零。：发射结反偏或两端电压为零。 特点：特点： IB = 0，IC = ICEO 。2饱和区饱和区条件：条件：发射结和集电结均为正偏。发射结和集电结均为正偏。 特点：特点：VCE = VCES。VCES 称为饱和管压降，小功率硅管约称为饱和管压降，小功率硅管约 0.3 V，锗管约为，锗管约为 0.1 V。3放大区放大区条件：条件：发射结正偏，集电结反偏。发射结正偏，集电结反偏。

15、特点：特点： IC 受受 IB 控制控制 ，即，即 IC = IB 。在放大状态，当在放大状态，当 IB 一定时，一定时，IC 不随不随 VCE 变化，即放大状态的三极管具有恒流特性。变化，即放大状态的三极管具有恒流特性。 第19页/共55页第二十页，共56页。三极管的参数是表征管子三极管的参数是表征管子(gun zi)的性能和适用范围的参考数据。的性能和适用范围的参考数据。一、共发射极电流一、共发射极电流(dinli)放大系数放大系数 1直流放大系数直流放大系数2交流交流(jioli)放大系数放大系数 电流放大系数一般在电流放大系数一般在 10 100 之间。太小，放大能力弱，太大易使管子性

16、能不稳定。一般取之间。太小，放大能力弱，太大易使管子性能不稳定。一般取 30 80 为宜。为宜。 第20页/共55页第二十一页，共56页。二、极间反向二、极间反向(fn xin)饱和电流饱和电流1集电极集电极 基极基极(j j)反向饱和电流反向饱和电流 ICBO。2集电极集电极 发射极反向发射极反向(fn xin)饱和电流饱和电流 ICEO。ICEO = ( 1 + ) ICBO 反向饱和电流随反向饱和电流随温度温度增加而增加，是管子工作状态不稳定的主要因素。因此，常把它作为增加而增加，是管子工作状态不稳定的主要因素。因此，常把它作为判断管子性能判断管子性能的重要依据。的重要依据。硅硅管管反向

17、饱和电流反向饱和电流远远小小于于锗锗管，在温度变化范围大的工作环境应选用硅管。管，在温度变化范围大的工作环境应选用硅管。 第21页/共55页第二十二页，共56页。三、极限三、极限(jxin)参数参数1集电极最大允许集电极最大允许(ynx)电流电流 ICM 三极管工作时，当集电极电流超过三极管工作时，当集电极电流超过(chogu) ICM 时，管子性能将显著下降，并有可能烧坏管子。时，管子性能将显著下降，并有可能烧坏管子。2集电极最大允许耗散功率集电极最大允许耗散功率 PCM 当管子集电结两端电压与通过电流的乘积超过此值时，管子性能变坏或烧毁。当管子集电结两端电压与通过电流的乘积超过此值时，管子

18、性能变坏或烧毁。3集电极集电极 发射极间反向击穿电压发射极间反向击穿电压 V(BR)CEO 管子基极开路时，集电极和发射极之间的最大允许电压。当电压越过此值时，管子将发生电击穿，若电击穿导致热击穿会损坏管子。管子基极开路时，集电极和发射极之间的最大允许电压。当电压越过此值时，管子将发生电击穿，若电击穿导致热击穿会损坏管子。第22页/共55页第二十三页，共56页。判别硅管和锗管的测试电路判别硅管和锗管的测试电路 一、硅管或锗管的判别一、硅管或锗管的判别(pnbi)当当V = 0.10.3V时为时为锗管。锗管。当当V =0. .60. .7V时时，为硅管，为硅管第23页/共55页第二十四页，共56

19、页。二、估计比较二、估计比较(bjio) 的大小的大小 NPN 管估测电路管估测电路(dinl)如图所示。如图所示。估测估测 的电路的电路万用表设置万用表设置(shzh)在在 R 1 k 挡，测量并比较开关挡，测量并比较开关 S 断开和接通时的电阻值。前后两个读数相差越大，说明管子的断开和接通时的电阻值。前后两个读数相差越大，说明管子的 越高，即电流放大能力越大。越高，即电流放大能力越大。估测估测 PNP 管时，将万用表两只表笔对换位置。管时，将万用表两只表笔对换位置。 第24页/共55页第二十五页，共56页。三、估测三、估测 ICEONPN 管估测电路如图所示。所测阻值越大，说明管子管估测电

20、路如图所示。所测阻值越大，说明管子(gun zi)的的 ICEO 越小。若阻值无穷大，三极管开路；若阻值为零，三极管短路。越小。若阻值无穷大，三极管开路；若阻值为零，三极管短路。 测测 PNP PNP 型管时，红、黑表笔型管时，红、黑表笔(biob)(biob)对调，方法同前。对调，方法同前。I CEO 的的估测估测第25页/共55页第二十六页，共56页。四、四、NPN 管型和管型和 PNP 管型的判断管型的判断(pndun)基极基极 b 的判断的判断将万用表设置在将万用表设置在 R 1 k 或或 R 100 k 挡，用黑表笔和任一管脚相接挡，用黑表笔和任一管脚相接(假设它是基极假设它是基极

21、b)，红表笔分别和另外两个管脚相接，如果测得两个阻值都很小，则黑表笔所连接，红表笔分别和另外两个管脚相接，如果测得两个阻值都很小，则黑表笔所连接(linji)的就是基极，而且是的就是基极，而且是 NPN 型的管子。如图型的管子。如图(a)所示。如果按上述方法测得的结果均为高阻值，则黑表笔所连接所示。如果按上述方法测得的结果均为高阻值，则黑表笔所连接(linji)的是的是 PNP 管的基极。如图管的基极。如图 (b)所示。所示。第26页/共55页第二十七页，共56页。五、五、e、b、c 三个管脚的判断三个管脚的判断(pndun)估测估测 的电路的电路如图所示，首先确定三极管的基极如图所示，首先确

22、定三极管的基极(j j)和管型，然后采用估测和管型，然后采用估测 值的方法判断值的方法判断 c 、e 极。极。方法是先假定一个待定电极为集电极方法是先假定一个待定电极为集电极(另一个假定为发射极另一个假定为发射极)接入电路，记下接入电路，记下(j xi)电阻表的摆动幅度，然后再把两个待定电极对调一下接入电路，并记下电阻表的摆动幅度，然后再把两个待定电极对调一下接入电路，并记下(j xi)电阻表的摆动幅度。电阻表的摆动幅度。摆动幅度大的一次，黑表笔所连接的管脚是集电极摆动幅度大的一次，黑表笔所连接的管脚是集电极 c，红表笔所连接的管脚为发射极，红表笔所连接的管脚为发射极 e。测测 PNP 管时，

23、只要把图管时，只要把图 示电路中红、黑表笔对调位置，仍照上述方法测试。示电路中红、黑表笔对调位置，仍照上述方法测试。第27页/共55页第二十八页，共56页。结型场效晶体管结型场效晶体管绝缘绝缘(juyun)栅场效晶体栅场效晶体管管场效晶体管的主要参数和特点场效晶体管的主要参数和特点(tdin)工程工程(gngchng)应应用用第28页/共55页第二十九页，共56页。 场效晶体管：是利用输入电压产生的电场效应控制场效晶体管：是利用输入电压产生的电场效应控制(kngzh)输出电流的电压控制输出电流的电压控制(kngzh)型器件。型器件。特点：管子内部只有一种载流子参与导电，称为特点：管子内部只有一

24、种载流子参与导电，称为(chn wi)单极型晶体三极管。单极型晶体三极管。第29页/共55页第三十页，共56页。N 沟道结型场效晶体管沟道结型场效晶体管P 沟道结型场效晶体管沟道结型场效晶体管一、结构一、结构(jigu)和符号和符号N 沟道沟道(u do)结型场效晶体管的结构、符号如图所示；结型场效晶体管的结构、符号如图所示；P 沟道沟道(u do)结型场效晶体管如图所示。结型场效晶体管如图所示。特点：由两个特点：由两个 PN 结和一个导电沟道所组成结和一个导电沟道所组成(z chn)。三个电极分别为源极。三个电极分别为源极 S、漏极、漏极 D 和栅极和栅极 G。漏极和源极具有互换性。漏极和源

25、极具有互换性。工作条件：工作条件：两个两个 PN 结加反向电压。结加反向电压。第30页/共55页第三十一页，共56页。二、工作二、工作(gngzu)原理原理以以 N 沟道沟道(u do)结型场效晶体管为例，原理电路如图所示。结型场效晶体管为例，原理电路如图所示。动画结型场效晶体管结构动画结型场效晶体管结构(jigu)第31页/共55页第三十二页，共56页。工作工作(gngzu)原理如下：原理如下：VDS 0； VGS 0 ，在绝缘层和衬底之间感应，在绝缘层和衬底之间感应(gnyng)出一个反型层，使漏极和源极之间产生导电沟道。在漏、源极间加一正向电压出一个反型层，使漏极和源极之间产生导电沟道。

26、在漏、源极间加一正向电压 VDS 时，将产生电流时，将产生电流 ID 。开启电压开启电压 VT ：增强型：增强型 MOS 管开始形成反型层的栅源电压。管开始形成反型层的栅源电压。N 沟道增强型绝缘栅场效晶体管工作原理沟道增强型绝缘栅场效晶体管工作原理 第38页/共55页第三十九页，共56页。N 沟道增强型绝缘栅场效晶体管工作原理沟道增强型绝缘栅场效晶体管工作原理 ( (3) )在在 VDS 0 时：时：若若 VGS VT ，出现，出现(chxin)反型层反型层(即导电沟道即导电沟道) ，D、S 之间有电流之间有电流 ID 流过；流过；若若 VGS 逐渐增大逐渐增大(zn d)，导电沟道变宽，导

27、电沟道变宽，ID 也随之逐渐增大也随之逐渐增大(zn d)，即，即 VGS 控制控制 ID 的变化。的变化。第39页/共55页第四十页，共56页。2N 沟道耗尽沟道耗尽(ho jn)型绝缘栅场效晶体管型绝缘栅场效晶体管夹断电压夹断电压(diny)(diny)：使：使 ID = 0 ID = 0 时的栅源电压时的栅源电压(diny)(diny)。 结构结构(jigu)及符号如图所示。及符号如图所示。特点：特点：管子本身已形成导电沟道。管子本身已形成导电沟道。 N 沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管第40页/共55页第四十一页，共56页。 N 沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管沟道耗尽型

28、绝缘栅场效晶体管工作工作(gngzu)原理：在原理：在 VDS 0 时，时，当当 VGS = 0 导电沟道导电沟道(u do)有电流有电流 ID；当当 VGS 0 并逐渐并逐渐(zhjin)增大时，沟道变宽，使增大时，沟道变宽，使 ID 增大；增大； 当当 VGS VT 时，时，ID 0 。 耗尽型耗尽型：当当 VGS = 0 时，时， ID 0 ；当当 VGS 为负电压时为负电压时 ID 减小；减小；当当 VGS = VPS 时，时， ID = 0 。 第42页/共55页第四十三页，共56页。2输出特性曲线输出特性曲线(qxin)3跨导跨导可调电阻可调电阻(dinz)(dinz)区区饱和饱和

29、(boh)(boh)区区击击穿区穿区三个区三个区的含义与结型管输出特性的含义与结型管输出特性曲线曲线三个区相同。三个区相同。N 沟道沟道 MOS 管输出特性曲线管输出特性曲线常数DSGSDmVVIg 第43页/共55页第四十四页，共56页。三、绝缘三、绝缘(juyun)栅场效晶体管的图形符号栅场效晶体管的图形符号MOS 管的图形符号管的图形符号 注意注意 N、P 沟沟道的区别在于道的区别在于图中箭头的指图中箭头的指向相反。向相反。第44页/共55页第四十五页，共56页。一、主要参数一、主要参数1直流参数直流参数(cnsh) (1)(1)开启开启(kiq)(kiq)电压电压 VT VT 在在 V

30、DS 为定值的条件下，增强型场效晶体管开始导通为定值的条件下，增强型场效晶体管开始导通( (ID 达到某一定值，如达到某一定值，如 10 A) )时，所需加时，所需加 VGS 的值。的值。( (2) )夹断电压夹断电压 VP 在在VDS 为定值的条件下，耗尽型场效晶体管为定值的条件下，耗尽型场效晶体管 ID 减小到近于零时减小到近于零时 VGS 的值。的值。第45页/共55页第四十六页，共56页。(3)(3)饱和饱和(boh)(boh)漏极电流漏极电流 IDSS IDSS 耗尽耗尽(ho jn)型场效晶体管工作在饱和区且型场效晶体管工作在饱和区且 VGS = 0 时，所对应的漏极电流。时，所对

31、应的漏极电流。 ( (4) )直流输入电阻直流输入电阻 RGS 栅源电压栅源电压(diny) VGS 与对应的栅极电流与对应的栅极电流 IG 之比。之比。场效晶体管输入电阻很高，结型管一般在场效晶体管输入电阻很高，结型管一般在 107 以以 上；绝缘栅管则更高，一般在上；绝缘栅管则更高，一般在 109 以上。以上。 第46页/共55页第四十七页，共56页。2交流交流(jioli)参数参数( (1) )跨导跨导 gmVDS 一定一定(ydng)时，漏极电流变化量时，漏极电流变化量 ID 和引起这个变化的栅源电压变化量和引起这个变化的栅源电压变化量 VDS 之比。它表示了栅源电压对漏极电流的控制能

32、力。之比。它表示了栅源电压对漏极电流的控制能力。( (2) )极间电容极间电容场效晶体管三个电极之间的等效电容场效晶体管三个电极之间的等效电容 CGS、CGD、CDS，一般为几个，一般为几个(j )皮法，结电容小的管子，高频性能好。皮法，结电容小的管子，高频性能好。第47页/共55页第四十八页，共56页。3极限极限(jxin)参数参数(1)(1)漏极最大允许漏极最大允许(ynx)(ynx)耗散功率耗散功率 PDM PDMID 与与 VDS 的乘积的乘积(chngj)不应超过的极限值。不应超过的极限值。( (2) )漏极击穿电压漏极击穿电压 V(BR) DS漏极电流漏极电流 ID 开始剧增时所加

33、的漏源间的电压。开始剧增时所加的漏源间的电压。第48页/共55页第四十九页，共56页。二、场效晶体管的特点二、场效晶体管的特点(tdin)场效晶体管与普通场效晶体管与普通(ptng)三极管比较表三极管比较表项项 目目器器 件件 名名 称称晶体三极管晶体三极管场场 效效 应应 管管极型特点极型特点双双 极极 型型单单 极极 型型控制方式控制方式电电 流流 控控 制制电电 压压 控控 制制类类 型型PNP 型、型、NPN 型型N 沟道、沟道、P 沟道沟道放大参数放大参数 = 50 200gm= 1 000 5 000 A/V输入电阻输入电阻102 104 107 1015 噪噪 声声较较 大大较较

34、 小小热稳定性热稳定性差差好好抗辐射能力抗辐射能力差差强强制造工艺制造工艺较较 复复 杂杂简单、成本低简单、成本低第49页/共55页第五十页，共56页。1.结形场效晶体管的栅源电压必须使结形场效晶体管的栅源电压必须使 PN 结反偏，不能接反。因结反偏，不能接反。因结型场效晶体管的源极及漏极通常制成对称的，所以原极和结型场效晶体管的源极及漏极通常制成对称的，所以原极和漏极可以漏极可以(ky)调换使用。调换使用。2.绝缘栅场效晶体管中，有的产品将彻底绝缘栅场效晶体管中，有的产品将彻底(chd)引出引出(有四个有四个管脚管脚)，此时源极和漏极可以互换使用，但有的产品在制造，此时源极和漏极可以互换使用，但有的产品在制造时已把源极和衬底连接在一起，这种管子源极和漏极就不时已把源极和衬底连接在一起，这种管子源极和漏极就不能调换使用。能调换使用。3.绝缘栅场效晶体管由于输入电阻很高，如果在管脚开路状态下保绝缘栅场效晶体管由于输入电阻很高，如果在管脚开路状态下保存存 ，会使管子还未使用时就已击穿或性能下降。因