数字电路-分析与设计：第十章习题答案

1、第十章习题 解：ROM内部数据只能由半导体生产厂家编程；PROM可由用户编程，但只能编程一次；EPROM用户可多次编程，数据的擦除由非电方法，即紫外线照射完成；EEPROM可电擦除，使用非常方便。 解：EPROM 27080的容量为1M8Bit，它的地址线为20条（1M=220）、数据线为8位、字线为1M（220=1048576）根、位线为8条。 解：共需32Kx16/4Kx8=16片； 先进行位扩展：两片8位扩展为1个16位ROM：D15D8D7D0212 X8ROM212 X8ROMA11A02n X16ROMA11A0D15D0位扩展再进行地址线（容量）的扩展：D15D0212x16RO

2、M212x16ROM3-8译码器CSCSA11A0A14A11A0A13CS地址线的扩展A12MSB 解：RAM为随机存储器，又称为读写存储器（RWM），既可向RAM写数据，又可从中读出数据。在数字系统中，用于暂时存储数据；系统失电，数据丢失。为只读存储器，系统只可从中读出数据，而不可向其写数据。通常用于存储程序和固定的数据表格；系统失电，数据不丢失。. RAM与ROM都用于存储数据； 解：SRAM为静态RAM，系统不失电，数据不丢失；单位面积上的存储单元数较少；DRAM为动态RAM，其中数据需定时刷新，否则数据会丢失。单位面积上可集成更多的存储单元。 答：DRAM中的数据存储在存储电容上，这

3、些电容的容量都很小；随着时间的推移，这些电容上的电荷会减少，直至数据丢失；因此需要定时给这些电容补充电荷（能量）；给电容补充能力的过程称为刷新；在系统中定时将DRAM中的数据读出，再写回，从而完成刷新。 解：D7(A2,A1,A0)=0D6(A2,A1,A0)=(0,1,2,3,4,5,6)= A2+A1+A0D5(A2,A1,A0)=(7)= A2A1A0D4(A2,A1,A0)=(2,3)= A2A1D3(A2,A1,A0)=(1,3,5,6)= A2A0+A1 A0+A2A1A0D2(A2,A1,A0)=(2,3,6)= A2A1+A2A1A0D1(A2,A1,A0)=(0,3,4,6)

4、= A1A0+A2A1A0 +A2A0D0(A2,A1,A0)=(1,3,4,7)= A2A0+A1A0+A2A1A0 答：PLA的与、或阵列均可用户编程；而PAL的与阵列可编程，或阵列不可编程。PAL的输出固定，不可改变；而GAL的输出由输出宏单元组成，可用户编程，使用灵活。 解：1四位二进制数比较器有8个输入变量，3个输出变量。所以用ROM实现时，ROM的容量至少为28*3； 2三位二进制数乘法器有6个输入变量，6个输出变量。所以用ROM实现时，ROM的容量至少为26*6。解：此题涉及到多输出函数的化简。先作F1的K图：AF111111BCD得：F2、F4共用与项AB，共有7个与项。所以图

5、示PLA可实现这四个函数。结果见图。或阵列ABCDABCDF1F2F3F4与阵列图题10-10解：1. 写出所有与项：P0=CLKP1=ENQ1Q0P2=ENQ0P3=ENQ0P4=ENQ1P5=ENQ1Q0P6=ENQ1Q02. 写出触发器驱动和输出：CP=P0=CLK，同步时序电路；Z=P1=ENQ1Q0，米里型同步时序电路；D1=P4+P5+P6=ENQ1+ENQ1Q0+ENQ1Q0D0=P2+P3=ENQ0+ENQ0（Q1Q0）n（Q1Q0）n+1/ZEN=0EN=10 000/001/00 101/010/01 010/011/01 111/000/13. 触发器状态方程：Q1n+1=