电子技术课件第1章复件二极管

1、电 子 技 术真空管第一代电子器件晶体管第二代电子器件小，中规模集成第三代电子器件大规模集成第四代电子器件超大规模集成第五代电子器件第一章 半导体二极管和三极管导电性能：导体，绝缘体，半导体半导体特点： 1-1 半导体的基本知识温度 ，导电能力热敏元件光照，导电能力光敏元件掺入微量杂质，导电能力二极管、三极管一、本征半导体本征半导体：完全纯净的，结构完整的半导体 共价键结构 激发（热、光） 导电方式 自由电子导电 +自由电子和空穴同时参与导电 空穴导电 在本征半导体中，自由电子和空穴成对出现 带电粒子示意图 呈电中性 T载流子数量温度对半导体器件性能影响很大 二、杂质半导体 1、N型半导体（电

2、子半导体） 在本征半导体中掺入微量杂质元素电中性带电粒子示意图 掺入微量五价元素，使自由 电子浓度大大增加的半导体 N型半导体（电子半导体） 载流子：电子空穴 多子 少子 2、P型半导体（空穴半导体）电中性带电粒子示意图 掺入微量三价元素，使空穴浓度大大增加的半导体 P型半导体（空穴半导体） 载流子：空穴电子 多子 少子 一、PN结的形成 1-2 PN 结及其单向导电性结合多子扩散内电场阻止多子扩散，增强少子漂移动态平衡PN结（耗尽层、空间电荷区） N型P型N型P型内电场二、PN结的单向导电性1、外加正向电压P区接电源正极、N区接电源负极 正向接法：空间电荷区变窄 形成较大的正向电流 PN结处

3、于导通状态 导通时呈低阻 反向接法：空间电荷区变宽 I反向饱和电流（很小） 截止时呈高阻 PN结处于截止状态 温度增加反向电流增加 外加反向电压N区接电源正极、P区接电源负极结论：PN结正向导通，反向截止； 导通时呈低阻，截止时呈高阻。 PN结的单向导电性一、基本结构 1-3 半导体二极管NPD表示符号正向：U死区电压，UI二、伏安特性I（mA）正向死区电压 Si 0.5V Ge 0.3V反向反向饱和电流U（BR）U（V）反向：|U| U(BR)， |U|I击穿毁坏I（mA）正向死区电压 Si 0.5V Ge 0.3V反向反向饱和电流U（BR）U（V）三、主要参数1、最大整流电流IOM二极管长

4、时间 使用时，允许通过二极管的最大正向平均电流。当电流超过允许值时，PN结将过热而使管子损坏。2、反向工作峰值电压URWM一般为反向击穿电压的一半或三分之二3、反向峰值电流IRM二极管上加 URWM 时的反向电流值，该值大，说 明二极管的单向导电性能差。四、含二极管电路的计算折线化的伏安特性 UD正向导通压降 Si 0.6V Ge 0.3V+ Ui R I 考虑正向导通压降 忽略正向导通压降（理想二极管） OI/mAU/V2、如何用三用表判断二极管的P端，N端问题：1、不加电阻R是否可以？+ U R I 例：已知UD=0.6V，求Uo=？ Ui=6VUi=0.3VUi=-6V例2：若E=-4V，求U0=？ 解：将D开路，求其两端开路电压U，若U0，则D导通；反之D截止。故D导通，U0=0V 例：已知D为理想二极管，求Uo=？ +4V故D截止，U0=-2V 例3：若将E改为ui，求U0+4V解：例：已知 ，画 的波形。 RDE解：考虑：画电阻两端电压的波形