工艺原理作业题：氧化部分习题_第1页
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文档简介

1、氧化部分习题根据Deal Grove Model，当氧化温度介于700摄氏度到1300摄氏度，炉膛压力为0.2Bar到1Bar之间，氧化厚度介于30nm到2000nm之间的湿法氧化和干法氧化，其氧化厚度与时间的关系如下：d0+Ad0=B(t+) (1.1)求解可得氧化层厚度和时间的关系： (1.2)时间和氧化层厚度的关系是 （1.3）当氧化时间较短，满足：t+ A2/4B时，有d0（B/A)(t +)，即氧化层厚度与时间成线性关系，故B/A称为线性速率常数；如果满足：ttA2/4B，则有d0 Bt，即氧化层厚度与时间成抛物线关系，故B称为抛物线速率常数。 线性速率常数B/A和抛物线速率常数B的

2、计算公式分别为：湿法氧化：线性速率常数： (1.4a） 抛物线速率常数为 (1.4b)干法氧化： (1.5a) (1.5b) 其中k为常数，大小为k=8.617105eV/K, K为绝对温度，计算的时候注意要把摄氏温度换算成绝对温度，即TKTC+273.15。例题1、计算在1150摄氏度时，在（100）硅片上干法生长1.2微米的氧化硅所需的时间。解题如下：根据公式（1.5）,1150度下干法氧化的线性速率常数为：0.5930496微米/小时抛物线速率常数为：0.03445498微米2/小时根据公式(1.3)，可以计算干法氧化1.2微米所需的时间是：小时例题2、在1100摄氏度下，在（100）硅片上先进行30分钟干法氧化，再进行30分钟湿法氧化，求最终得到的氧化层厚度是多少？根据公式(1.5)，1100度下干法氧化的线性速率常数为：0.327微米/小时抛物线速率常数为：0.024微米/小时根据公式(1.1)，1100度下湿法氧化的线性速率常数为：4.77微米/小时抛物线速率常数为：0.466微米2/小时第一步干法氧化时，根据公式(1.2)，得到干法氧化的厚度为：0.079微米第二步湿法氧化时，必须计算代表经过干法氧化后已经存在的0.079微米的氧化层，但是，我们要注意，不是干法氧化的时间0.5小时，而是必须折算成湿法氧化0.079微米氧化层所需的时间：

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