模电-模拟-电子技术基础课后答案11

1、.PAGE 1：.；PAGE 26第一章自测题 一、1 2 3 4 5 6 二、1A 2C 3C 4B 5A C三、UO11.3V UO20 UO31.3V UO42V UO52.3V UO62V四、UO16V UO25V五、根据PCM200mW可得：UCE40V时IC5mA，UCE30V时IC6.67mA，UCE20V时IC10mA，UCE10V时IC20mA，将改点衔接成曲线，即为临界过损耗线。图略。六、1、 UOUCE2V。2、临界饱和时UCESUBE0.7V，所以 七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。习题1.11A C 2A 3C 4A1.2不能。由于二极管的正向电流与其

2、端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。 1.3 ui和uo的波形如下图。 1.4 ui和uo的波形如下图。 1.5 uo的波形如下图。 1.6 IDVUD/R2.6mA，rDUT/ID10，IdUi/rD1mA。 1.7 1两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。 2两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。 1.8 IZMPZM/UZ25mA，RUZ/IDZ0.241.2k。 1.9 1当UI10V时，假设UOUZ6V，那么稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 当UI15V时，由于上述同样的缘由，UO5V。

3、 当UI35V时，UOUZ5V。 229mAIZM25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。 1.10 1S闭合。 2 1.11 波形如下图。 1.12 60时ICBO32A。 1.13 选用100、ICBO10A的管子，其温度稳定性好。 1.14 1.15 晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如表管号T1T2T3T4T5T6上ecebcb中bbbeee下ceccbc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN资料SiSiSiGeGeGe 1.16 当VBB0时，T截止，uO12V。当VBB1V时，T处于放大形状。由于当VBB3V时，T处于饱和形状。由于1.17 取UCESUBE，假设管子饱和，那么

4、1.18 当uI0时，晶体管截止，稳压管击穿，uOUZ5V。 当uI5V时，晶体管饱和，uO0.1V。由于 1.19a能够 b能够 c不能 d不能，T会损坏。 e能够1.20 根据方程 逐点求出确定的uGS下的iD，可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中，将各条曲线上uGDUGSoff的点衔接起来，便为予夹断线。 1.21 1.22 过uDS为某一确定值如15V作垂线，读出它与各条输出特性的交点的iD值；建立iDfuGS坐标系，根据前面所得坐标值描点连线，便可得转移特性。 1.23 uI4V时T夹断，uI8V时T任务在恒流区，uI12V时T任务在可变电阻区。1.24 a能够 b不能 c不能

5、 d能够第二章 根本放大电路自测题 一、1 2 3 4 5 6 7 二、a不能。由于输入信号被VBB短路。 b能够 c不能。由于输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。 d不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。e不能。由于输入信号被C2短路。 f不能。由于输出信号被VCC短路，恒为零。 g能够。 h不合理。由于G-S间电压将大于零。 i不能。由于T截止。 三、1 2 四、1A 2C 3B 4B 五、1C，D E 2B 3A C D 4A B D E 5C 6B C E，A D 六、习题 2.1 e b c 大 大 中 大 c b c 小 大 大 小 b e c 大 小 小

6、 大 2.2a将VCC改为VCC 。 b在VCC 与基极之间加Rb。 c将VBB反接，且加输入耦合电容。 d在VBB支路加Rb，在VCC与集电极之间加Rc。 2.3 图P2.3所示各电路的交流通路；将电容开路即为直流通路，图略。 2.4空载时：IBQ20A，ICQ2mA，UCEQ6V；最大不失真输出电压峰值约为5.3V。 带载时：IBQ20A，ICQ2mA，UCEQ3V；最大不失真输出电压峰值约为2.3V。 2.51 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 122.6 16.4V 212V 30.5V 412V 512V2.7 2.8a饱和失真，增大Rb，减小Rc。 b截止失真，减小Rb

7、。 c同时出现饱和失真和截止失真，增大VCC。2.9 a截止失真 b饱和失真 c同时出现饱和失真和截止失真2.10 1 2 空载时， 2.131静态及动态分析： (2) Ri增大，Ri4.1k；减小，1.92。 2.14 2.15 Q点： 动态： 2.16 2.17 图略。2.18 1求解Q点： 2求解电压放大倍数和输入电阻： 3 求解输出电阻： 2.19 (1) (2) 2.20a源极加电阻RS。 b输入端加耦合电容，漏极加电阻RD。 c输入端加耦合电容 d在Rg支路加VGG，VDD改为VDD 2.21 1在转移特性中作直线uGSiDRS，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ1m

8、A，UGSQ2V。 在输出特性中作直流负载线uDSVDDiDRDRS，与UGSQ2V的那条输出特性曲线的交点为Q点，UDSQ3V。 2 2.22 1求Q点：UGSQVGG3V 从转移特性查得，当UGSQ3V时，IDQ1mA，UDSQVDDIDQRD5V 2求电压放大倍数： 2.23 2.24 a b cNPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射极。 d e fPNP型管，上-发射极，中-基极，下-集电极。 gNPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射极。第三章 多级放大电路自测题 一、1 2 3 4 5 二、1A A 2D A 3B A 4D B 5C B 三、1B D 2C 3A 4A C

9、5B 6C 四、1IC3UZUBEQ3/ Re30.3mA IE1IE20.15mA2减小RC2。当uI0时uO0，ICQ4VEE / RC40.6mA。 习题a共射，共基 b共射，共射 c共射，共射 d共集，共基e共源，共集 f共基，共集 3.2 图a 图b 图c 图d 3.3 1de 2ce 3e 3.4 图a 图b 3.5 图c 图e 3.6 3.7 3.8 3.9 1 2 uOuOUCQ11.23V 3.10 3.11 AdgmRD40 Ri3.12 Ri 3.13 3.14 1 假设Ui10mV，那么Uo1V有效值。假设R3开路，那么uo0V。假设R3短路，那么uo11.3V直流。第

10、四章 集成运算放大电路自测题 一、1C 2B 3C 4A 5A 二、1 2 3 4 5 三、 四、1三级放大电路，第一级为共集-共基双端输入单端输出差分放大电路，第二级是共射放大电路，第三级是互补输出级。 2第一级：采用共集-共基方式，增大输入电阻，改善高频特性；利用有源负载T5、T6增大差模放大倍数，使单端输出电路的差模放大倍数近似等于双端输出电路的差模放大倍数，同时减小共模放大倍数。 第二级共射放大电路以T7、T8构成的复合管为放大管、以恒流源作集电极负载，增大放大倍数。 第三级加偏置电路，利用D1、D2消除交越失真。 五、1 2 3 4 5 6 7习题 4.1 输入级、中间级、输出级和偏

11、置电路。 输入级为差分放大电路，中间级为共射放大电路，输出级为互补电路，偏置电路为电流源电路。 对输入级的要求：输入电阻大，温漂小，放大倍数即能够大。 对中间级的要求：放大倍数大。 对输出级的要求：带负载才干强，最大不失真输出电压即能够大。 4.2 uO 1V 10V 14V 14V -1V -10V -14V -14V 4.3 A1通用型，A2高精度型，A3高阻型，A4高速型。 4.4 4.5 4.6 4.7 在图ab所示电路中 图a中： 图b中： 4.81T1和T2、组成的复合管为放大管，T5和T6为有源负载，双端输入、单端输出的差分放大电路。 24.9 同题4.8。 4.101 2当有共

12、模输入电压时，uO=0。Rc1rD，uC1uC2，因此uBE30，故uO=0。1C 2C 3B 4A 4.12 由于UBE3UCE12UD ，UBE1UD ，UCE1UD，所以UCB0，反向电路为零，因此ICBO对输入电流影响很小。 4.131由于2，所以iC2iC1iI2 。 2 iB3iI1iC2iI1iI2 3 4.14 图a所示电路中，D1、D2使T2、T3微导通，可消除交越失真。R为电流采样电阻，D2对T2起过流维护。当T2导通时，uD3uBE2iOR uD1，未过流时iOR较小， uD3因小于开启电压而截止；过流时uD3因大于开启电压而导通，为T2基极分流。D4对T4起过流维护，缘

13、由与上述一样。 图b所示电路中，T4、T5使T2、T3微导通，可消除交越失真。 R2为电流采样电阻，T6对T2起过流维护。当T2导通时，uBE6uBE2iOR uBE4，未过流时iOR较小，因uBE6小于开启电压T6截止；过流时6因大于开启电压T6导通，为T2基极分流。T7对T3起过流维护，缘由与上述一样。4.15 1为T1提供静态集电极电流、为T2提供基极电流，并为T1的有源负载。2T4截止。由于uB4uC1uOuRuB2uB3，uE4uO，uB4uE4。3T3的射极电流，在交流等效电路中等效为阻值非常大的电阻。 4维护电路。uBE5iOR，未过流时T5电流很小；过流时使iE550A，T5更

14、多地为T5的基极分流。4.16 T1共射电流的放大管，T2和T3互补输出级，T4、T5、R2消除交越失失真。 4.17 1u11为反相输入端，u12为同相输入端。 2为T1和T2管的有源负载，将T1管集电极电路变化量转换到输出，使单端输出的放大倍数近似等于双端输出时的放大倍数。 3为T6设置静态电流，且为T6的集电极有源负载。 4消除交越失真。 4.18 1由T10、T11、T9、T8、T12、T13、R5构成。 2三级放大电路： T1T4共集-共基差分放大电路，T14T16共集-共射-共集电路，T23、T24互补输出级。 3消除交越失真。UBE23UBE24UBE20UBE19第五章 放大电

15、路的频率呼应自测题 一、1A 2B A 3B A 4C C二、1静态及动态分析估算： 2估算： 3 4，频率特性曲线略。 三、160 103 210 10 3习题 5.11 2 5.2 5.3 5.4 1直接耦合； 2三级； 3当f104Hz时，o；当f105Hz时，270o 。 5.5 5.6 1 2图略。 5.7 图略。1a 2c 3c5.9 5.101C1RsRiC2RcRL，C1 : C25 : 1。 2 5.11 减小，由于在同样幅值的作用下，将减小，随之减小，必然减小。 fL减小，由于少了一个影响低频特性的电容。 fH减小，由于会因电压放大倍数数值的减小而减小。 5.12 5.13

16、 1 2 图略。5.14 5.15 图略。 5.16 3折线画法，低频段有两个拐点，f4Hz时幅频特性的斜率为40dB/十倍频，4Hzf50Hz时幅频特性的斜率为20dB/十倍频；高频段有一个拐点，f105Hz时幅频特性的斜率为40dB/十倍频。图略。 5.17 1Ce 2所在回路的大于所在回路的，第二级的上限频率低。 5.18 。在折线化幅频特性中，频率小于10Hz时斜率为40dB/十倍频，频率大于105Hz时斜率为40dB/十倍频。在折线化相频特性中，f10Hz时相移为90o，f105Hz时相移为90o。第六章 放大电路中的反响自测题 一、1 2 3 4 二、1B 2C 3A 4D 三、a

17、电流串联负反响。 b电压并联负反响。 c电压串联负反响。 d正反响。 四、1应引入电压串联负反响。 2五、由于f105Hz时，为使此时，那么需 习题 6.1 1B B 2D 3C 4C 5A B B A B1A 2B 3C 4D 5B 6A1 2 3 4 6.4 a直流负反响 b交、直流正反响 c直流负反响 d、e、f、g、h均引入交、直流负反响 6.5 a交、直流负反响 b交、直流负反响 cRS引入交、直流负反响，C2引入交流正反响。 d、e、f均引入交、直流负反响。 gR3和R7引入直流负反响，R4引入交、直流负反响。 6.6 d电流并联负反响 e电压串联负反响 f电压串联负反响 g电压串

18、联负反响 h电压串联负反响 6.7 a电压并联负反响 b电压并联负反响 e电流并联负反响 f电压串联负反响 g电流串联负反响 6.8 6.9 6.10d输入电阻减小，输出电阻增大。eh输入电阻增大，输出电阻减小。 6.11a输入电阻减小，输出电阻增大。 b输入电阻减小，输出电阻减小。c输入电阻增大，输出电阻增大。 e输入电阻减小，输出电阻增大。 f输入电阻增大，输出电阻减小。 g输入电阻增大，输出电阻增大。 6.12 电压串联负反响 无穷大 11 11 1 14 14 16.13 假设uB1= uB2增大，那么产生以下过程： uB1= uB2uC1= uC2(uB4= uB5)iE4=iE5uR5(uB3)iC3uR1 uC1= uC2 6.14 1Af1/F500 2Af相对变化率为A的相对变化率的，约为0.1。6.15 6.16 UO的调理范围约为 反响系数的上限值为60dB，即的上限值为103。 6.18 6.19 1引入电流串联负反响，经过电阻Rf将三极管的发射极与T2管的栅极衔接起来。2 Rf18.5k 6.201一定会产生自激振荡。由于在f103Hz时附加相移为45o，在f104Hz时附加相移约为o，在f105Hz时附加相移约为225o，因此附加相移为180o的频 率在104Hz105Hz之间，此时，故一定会产生自激振荡。 2加消振电容，在晶体管T2的