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文档简介

1、习 题 1. MOSFET在饱和区载流子以漂移为主要运动方式，在亚阈值区载流子以扩散为主要运动方式。2. 短沟道效应使阈值电压随沟长的减小而下降， 窄沟道效应使阈值电压随沟宽的减小而增加， 漏场感应势垒下降(DIBL)效应使阈值电压随漏源电压的增加而下降。3.理想FET饱和区gm随VGS的增加而增加，随VT的减少而增加，与VDS无关。非饱和区，gm随VDS的增加而增加，与VGS无关。4.夹段点相对源端的沟道压降为VGS-VT。5.表面沟道MOSFET有那四种可能的类型？怎样区分它们？请分别画出他们的正向转移特性。 按沟道导电载流子的极性，MOSFET被分为n沟和p沟两类。 按零栅压时是否存在导

2、电沟道又可分为增强(Enhanced)和耗尽型(Depletion mode) 。VGS0时截止，漏极电流近似等于零的器件是增强型的；VGS0时导通，漏极电流不等于零的器件是耗尽型的。N沟耗尽和增强p沟耗尽和增强7.欲将n沟增强型MOS的VT向正方向增加，需变更什么参数？ (1)Co减少(dox增加)； (2)衬底浓度NA增加； (3)金属电极尽量采用功函数大的材料。 (4)衬底反偏电压|VBS|增加； 长沟：夹断饱和；短沟：速度饱和时导致漏电流饱和，电流饱和后再增加VDS，就形成偶极层，以维持电流的连续性。6.场效应晶体管电流饱和的机理8. 如果制造出一批n沟MOSFET是耗尽型的，在设计和制造上可以从哪些途径改进才有可能提高VT使得在制造出的n-MOSFET成为增强型的。 由耗尽型n沟MOSFET的VT 0。 减小氧化层电荷; 提高表面浓度(可采用p-Si表面杂质注入); 用Al2O3作栅绝缘材料(带负电荷);增厚氧化层。 为获得高跨导，在器件设计中应当考虑：1）加大沟道宽长比Z/L。2）减薄栅氧化层厚度，以增大栅电容。3) 提高载流子迁移率：可选用高迁移率材料，选用表面迁移率高的晶面。4)减小源、漏区体电阻和欧姆接触电阻，以减小串联电阻。 g*m=gm/1+gmRS 9.写出n沟MOSF

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