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文档简介
1、霍尔效应 例. 一由南指向北均匀的磁场, 磁感应强度B=1.5T。如果有一个5.0MeV的质子沿竖直向下的方向通过磁场,问作用在质子上的力有多大?(质子质量m=1.6710-27kg)解:方向向东+ + + + + + + + + + + + +- - - - - - - - - - - - - -离子源1. 速度选择器(selector of velocity)FmFevE 取得了速度选择的目的。 B电荷在电场和磁场中运动的实例+ 改变E与B的比值。可以选择不同速度的粒子。2. 质谱仪(mass spectrograph)质谱仪是研究物质同位素的仪器。RN :离子源P:速度选择器 荷质比:
2、q、v、B不变,R与m成正比,同位素按质量大小排列+- P N B3. 回旋加速器(cyclotron)回旋加速器是原子核物理、高能物理等实验研究的一种基本设备。通过半圆盒的时间:V B振荡周期:频率:粒子动能:4. 磁聚焦(magnetic focus)轴对称磁场(短线圈) 磁透镜(电子显微镜)h近似相等均匀磁场,且 很小:5. 磁约束(magnetic leash)应用于受控热核聚变(磁约束、惯性约束)横向:在强磁场中可以将离子约束在小范围,脱离器壁。 纵向:非均匀磁场。 反射磁镜磁瓶:离子在两磁镜间振荡。 霍尔效应(Hall effect)方向向上,形成(2) 用电子论解释载流子q =
3、-e,漂移速率yzUBxI+ + + + + + + + + +- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - dbU1U2 -vFeFm动态平衡时:(1) 现象:导体中通电流I,磁场 垂直于I,在既垂直于I,又垂直于 方向出现电势差U。附:应用磁聚焦现象求荷质比U阴极控制极阳极BlhT=vcosv0qB=2mU阴极控制极阳极Bl=lv0 xTn调节B ,使比值为正整数n , 即:lv0 xT12Umve20 x=BT=2me又因为:nBm2=8Ue2l22所以:=(1.758819620.00000053)1011C/kgmeyzUHBxI+ +
4、+ + + + + + + +- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - dbU1U2 -vFeFm令: 若图示电流由正电荷流动形成,则UH反向,由此可确定半导体类型。RH :霍尔系数E+安培力(Ampere force)设:电子数密度 n电流元截面积 S电流元中的电子数: nSdl作用在电流元上的作用力:洛仑兹力:电流强度:1. 载流导线在磁场中受力IBS-任意形状载流导线在磁场中受安培力:大小:方向: 右螺旋实验验证:平行长直电流间的相互作用“安培”的定义 dF12单位长度受力:B1B2设: I1=I2 =1(A),a=1maI1I2dl1dF21dl2 “安培”的定义:两平行长直导线相距1m,通过大小相等的电流,如果这时它们之间单位长度导线受到的磁场力正好是210-7Nm-1时,就把两导线中所通过的电流定义为“1安培”。计算安培力步骤: 1、沿电流方向任意选取电流元为受力对象。 2、确定该电流元所在点的 B 、写出 dF 的表达式、并确定 dF 的方向。 3、建立坐标,写出 dF 的坐标分量式 。(若 dF 分布具有对称性,分量式可少写
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