2022更新电大【光伏电池原理与工艺】形考作业任务01-04网考试题及答案

1、最新电大光伏电池原理与工艺形考作业任务01-04网考试题及答案100%通过考试说明：光伏电池原理与工艺形考共有4个任务。任务1至任务4是客观题，任务1至任务4需在考试中多次 抽取试卷，直到出现01任务_0001、02任务_0001、03任务_0001、04任务_0001试卷，就可以按照该套试卷答案答题。 做考题时，利用本文档中的查找工具，把考题中的关键字输到查找工具的查找内容框内，就可迅速查找到该题答案。 本文库还有其他教学考一体化答案，敬请查看。01任务01 任务 _0001一、单项选择题(共10道试题，共20分。)轨道杂化，是共价()结构晶体的一个共同特点。四面体五而体六面体多而体色心属于

2、()o点缺陷线缺陷而缺陷体缺陷布喇菲格子的特点是每个格点周围的环境都()。相同不同部分相同部分不同()层位于对流层之外，属太阳大气层中的最底层或最 里层。光球色球日冕针状体若原子脱离格点后，形成填隙原子，这样的热缺陷称为()缺陷。弗仑克尔肖特基组成以上皆不是在固体物理学中，只考虑晶格的周期性，选取()的重 复单元作为固体物理学原胞，简称原胞。最大最小中间以上皆不是晶胞()是体积最小的重复单元，结点一般不仅在顶点，而且可以在体心、而心上。一定一定不不一定以上皆不是当杂质原子取代基质原子占据晶格的格点位置时，形成 ()杂质。替位式间隙式组成式以上皆不是太阳常数的参考值为Isc= () 7W/m2o

3、 TOC o 1-5 h z 1357136713771387非晶硅有两个致命缺点。一是工作性能不稳定，寿命短。二是它的光电转化效率比晶体硅太阳电池（）。同低一致未知二、多项选择题（共10道试题，共30分。）根据晶体缺陷在空间延伸的线度，晶体缺陷可分为（）。点缺陷线缺陷而缺陷体缺陷以下（）地区属于我国太阳能热能资源分布三类地区。山西北部山东河南吉林弗仑克尔缺陷的特点有（）。空位和填隙原子成对地产生空位和填隙原子数目相等一定的温度下，缺陷的产生和复合过程达到平衡一定的温度下，晶体内部的空位和表而上的原子处于平衡并网光伏供电系统的组成结构主要有（）。太阳电池阵列控制器蓄电池逆变器交流负载地球太阳能

4、资源丰富程度最低地区有（）。北非加拿大西北欧洲中美洲立方晶系的下列（）而是完全等价的。 TOC o 1-5 h z （100）（010）（001）（100）太阳从中心向外可分为（）。核反应区辐射区对流区太阳大气点缺陷对材料性能的影响有（）。提高材料的电阻加快原子的扩散迁移形成其他晶体缺陷改变材料的力学性能我国（）等西部地区光照资源尤为丰富。青藏高原内蒙古宁夏陕西地球太阳能资源丰富程度最高地区有（）。印度巴基斯坦澳大利亚中国三、判断题（共10道试题，共20分。）点缺陷的特点：在三维尺寸均很小，只在某些位置发生, 只影响邻近几个原子。错误正确一般而言，晶体在同一方向上具有相同的周期性，而不 同方向

5、上具有不同周期性。错误正确在倒格子中，以某一倒格点为原点，离原点最近的多而 体称为第一布里渊区。错误正确电子在原子之间的转移不是任意的，电子只能在能量相同的轨道之间发生转移。错误正确对于原胞，结点只出现在顶点上。错误正确大气层的影响不仅与太阳光的入射方向有关，而旦还与 大气中吸收、散射、反射太阳辐射的物质有关。错误正确当天空晴朗，太阳在头顶直射且阳光在大气中经过的光 程最短时，到达地球表面的太阳辐射最强。错误正确每个正格子都有一个倒格子与之相对应。错误正确根据各地接受太阳总辐射量的多少，可将我国划分为五 类地区。错误正确太阳常数的常用单位为W/m2o错误正确四、连线题(共10道试题，共30分。

6、)1.将下列我国太阳电池发展历程一一对应。1958年A.我国开始研制太阳电池1971年B.我国发射的第二颗人造卫星一科学实验卫 星实践一号上首次应用太阳电池1979年C.我国开始利用半导体工业废次硅材料生产 单晶硅太阳电池-A、(2) -B、(3) -C2.将下列事件与时间关系等一一对应。1839年A.法国物理学家A. E. Becqueral第一次在实验室中发现液体的光生伏特效应1877年B.制作了第一片硒太阳电池1954C.贝尔实验室Chapin等人开发出第一块实用的 效率为6%的单晶硅光电池-A、(2) -B、(3) -C3.将下列晶体缺陷与特征一一对应。点缺陷A.在一维尺寸小，在另二维

7、尺寸大，可被光 学显微镜观察到线缺陷B.在二维尺寸小，在另一维尺寸大，可被电 镜观察到而缺陷C.在三维尺寸均很小，只在某些位置发生， 只影响邻近几个原子-C、(2) -B、(3) -A4.将下列定义与公式一一对应。太阳高度角A.太阳方位角B.太阳入射角C.-C、(2) -A、(3) -B5.将下列太阳大气结构与名称一一对应。光球A.最外层色球B.中层日冕C.最底层-C、(2) -B、(3) -A6.将下列地球太阳能资源分布情况与地区一一对应。丰富程度最高地区A.中国丰富程度中高地区B.印度丰富程度中低地区C.日本-B、(2) -A、(3) -C7.将下列世界气候带一一对应。赤道带A.纬度10回

8、归线(23.5)热带B.回归线至极圈(23. 5-66. 5)温带C.南北纬10以内-C、(2) -A、(3) -B8.将下列省份地区与太阳能资源分布情况一一对应。山东A.二类江西B.三类宁夏南部C.四类-B、(2) -C、(3) -A9.将下列晶胞所含原子个数的计算方法一一对应。顶点的原子A.同时为2个晶胞所共有棱上的原子B.同时为4个晶胞所共有面心的原子C.同时为8个晶胞所共有-C、(2) -B、(3) -A10.将下列概念与意义一一对应。太阳常数A.描述大气层上的太阳辐射强度太阳光谱B.太阳发射的电磁辐射在大气顶上随波长的分布大气光学质量C.太阳光线穿过地球大气的路径与太阳光线在天顶角方

9、向时穿过大气路径之比(1) -A、(2) -B、(3) -C02任务02 任务_0001一、单项选择题(共10道试题，共20分。)以下()为价带的有效状态密度计算公式。A.B.C.D.下列哪项不属于配位数的可能值()。 TOC o 1-5 h z 12986自然界的晶体结构只有()种。200210220230空间点阵可分为()晶系。四种五种六种七种PN结中的总的电子电流计算公式为()。A.B.C.D.在PN结中施主掺杂浓度为，受主掺杂浓度为，在300K 时Si突变结的接触电势差VD为（）0. 736V0. 976V0. 686V0. 876V300K时，在本征半导体中掺入施主杂质形成N型半导

10、体,欲使得错中的费米能级低于导带底能量0.15eV,施 主掺杂浓度ND为（）oA.B.C.D.在下列公式中计算本征半导体费米能级的是（）A.B.C.D.体心立方堆积空间利用率为（）。68%67%66%65%空穴的漂移电流为（）。A.B.C.D.二、多项选择题（共10道试题，共30分。）晶体结合的基本形式可分为（）高子键合金属键合共价键合分子键合点缺陷对材料造成的影响有（）。提高材料的电阻加快原子的扩散迁移形成其它晶体缺陷改变材料的力学性能本征半导体电子浓度和空穴浓度是（）电子浓度空穴浓度相等的电子浓度空穴浓度费米能级通常在带隙中央附近平衡PN结其扩散电流与漂移电流（）大小相等大小不等方向相反方

11、向一致PN结在光照作用下发生的变化是（）产生电子和空穴对数电子和空穴对在内建电场作用下产生漂移运动形成光照电流光能转化为电能的光电效应正格子原胞体积与倒格子原胞体积互为倒数，表达正确的是（）A.B.C.D.以下对弗仑克尔缺陷的特点描述正确的是（）。空位和填隙原子成对产生只留下空位，而没有填隙原子空位和填隙原子数目相等在一定温度下，缺陷的产生和复合过程达到平衡P型半导体是在本征半导体中掺入受主杂质在扩散作用 下形成的，其特征为()多数载流子是空穴少数载流子是电子费米能级在价带顶之上费米能级的位置在本征费米能级之下晶体缺陷按照缺陷的几何形状和涉及的范围可以分为()O点缺陷线缺陷而缺陷体缺陷以下对半

12、导体性能描述正确的是()N型半导体电子浓度远大于空穴浓度P型半导体电子浓度远大于空穴浓度半导体的导电性能跟施主杂质浓度有关半导体的导电性能跟受主的杂质浓度无关三、判断题(共10道试题，共20分。)晶体在不同方向上具有相同的周期性。错误正确在熔化过程中，晶体的长程序解体时对应着一定的熔 点，非晶体也有固定的熔点。错误正确组成缺陷包括替位式杂质原子和填隙式杂质原子。错误正确对于一定的晶格，结点所占的体积是一定的，面间距大 的晶面上，格点的而密度小。错误非晶体内部的原子、分子排列整齐，有周期性规律。错误正确晶体缺陷是固体物理中的重要研究领域。错误正确在不同的带轴方向上，晶体中原子排列情况不同，晶体

13、性质也不同。错误正确在晶体中，位于晶格点阵上的原子是静止不动的。错误正确晶体内的位错滑移是使临界切应力大为减小的主要原 因。错误正确对于结构相同的晶体，滑移方向和滑移而通常不相同。错误正确四、连线题(共10道试题，共30分。)1.根据均摊法，将晶胞中处于不同位置上的原子与晶胞所含原子个数的计算方法一一对应。处于顶点的原子A.每个原子有1/4属于该晶胞处于棱上的原子B.每个原子有1/8属于该晶胞处于而心的原子C.每个原子有1/2属于该晶胞-B、(2) -A、(3) -C2.将晶体金属中原子堆积方式一一对应。正确(2)而心立方密堆积B.钾型堆积六方密堆积A.铜型堆积(3)体心立方堆积C.镁型堆积-

14、C、(2) -A、(3) -B3.P型半导体的费米能级随受主杂质浓度的增加而变化，根 据变化图将以下符号表达的意义一一对应。EcA.费米能级EvB.价带顶能量EfC.导带底能量-C、(2) -B、(3) -A4.将下列不同半导体的费米能级求解公式一一对应。本征半导体费米能级A.N型半导体费米能级B.P型半导体费米能级C.-A、(2) -B、(3) -C5.将下列定义与其计算公式一一对应导带的有效状态密度A.导带中电子浓度B.价带中空穴浓度C.-A、(2) -C、(3) -B6.将下列关于晶体结构的描述一一对应。晶棱A.互相平行的晶棱的共同方向晶带B.晶而的交线晶带带轴C.晶棱互相平行的晶面的组

15、合(1) -B、(2) -C、(3) -A7.将以下物质室温下的本征载流子浓度一一对应。SiA.GaAsB.GeC.(1) 一A、 (2) 一B、 (3) -C8.同一品种的晶体，两个对应晶而间的夹角恒定不变。将石 英晶体的各面间夹角情况一一对应。a、bA. 141 47a、cB. 120 00b、 cC.113 08，(1) -A、 (2) -C、 (3) -B9.对称操作过程中保持不变的几何要素称为对称元素，将以下对称元素的定义一一对应。点A.旋转轴线B.反演中心。而C.反映而(1) -B、(2) -A、(3) -C将下列晶体缺陷类型与描述一一对应。点缺陷A.在一维尺寸小，在另二维尺寸大,

16、可被光 学显微镜观察到。线缺陷B.在二维尺寸小，在另一维尺寸大，可被电 镜观察到而缺陷C.在三维尺寸均很小，只在某些位置发生，只影响邻近几个原子(1) -C、(2) -B、(3) -A03任务03 任务_0001一、单项选择题(共10道试题，共20分。)太阳电池组件的测量条件被“欧洲委员会定义为101 号标准，其中光谱辐照度为()。500W/m21000W/m21500W/m22000W/m2悬浮区熔方法制备的区熔单晶硅，纯度()，电学性能（）O高均匀高不均匀低均匀低不均匀内圆切割机切片的速度（），硅材料的损耗很（），效 率（），切片后硅片的表而损伤大。慢大低慢小低快大高快小高太阳电池组件的测

17、量条件被“欧洲委员会”定义为101 号标准，其中电池温度为（）。 TOC o 1-5 h z 15C20 C25 C30C常规电池的厚度（）,开路电压及填充因子（）。减小下降减小上升减小不变增加不变目前的拉晶工艺几乎都采用平放肩工艺,肩部形成一个 近（）的夹角。 TOC o 1-5 h z 304590180粒子（）差别的存在是产生扩散运动的必要条件。浓度大小颜色重量电池烧结前先对电极进行（）,之后再进行烧结。氧化加热烘干铜化常规硅太阳电池工艺中，形成电池PN结的主要方法是（）o扩散法离子注入法合金法分离法硅片清洗必须按照的次序清洗，才能除去硅片表而的 油脂、蜡等有机物。甲苯-丙酮-酒精-水丙

18、酮-甲苯-酒精-水水-甲苯-丙酮-酒精水-丙酮-甲苯-酒精二、多项选择题（共10道试题，共30分。）太阳电池的光电转换效率哪些因素有关（）。结构材料性质工作温度环境变化太阳电池的测试方法包括（）。阳极氧化法测结深四探针法测薄层电阻少子寿命的测试太阳电池负载特性的测试制备背电场电池较常用的方法还有硼扩散法，硼扩散法 的优点是（）。分配系数比铝大结均匀电极牢度好所需温度低固态氮化硼扩散与液态硼扩散比较，其有如下的特点（）o设备复杂、操作麻烦扩散效率高，更适于大批量生产扩散后硅片的均匀性、重复性和表面质量都较好产品的合格率较高多晶硅绒面制备时采用的酸腐蚀液主要由（）组成。HN03HFH20CH3CH

19、20H硅材料的选料主要包括（）。导电类型电阻率晶向、位错、寿命形状、尺寸、厚度离子注入法具有的特点主要有（）。精确的剂量控制均匀性好掺杂深度小不受固溶度限制常用的酸性腐蚀液配方中硝酸与氢氟酸与醋酸之比为（）o TOC o 1-5 h z 6:3:35:3:35:1:16:l:l单晶硅锭的两种常见生产工艺有（）。浇铸法直拉法直熔法区熔法碱腐蚀法的酸腐蚀法对比，其优点是（）O成本较低对环境的污染小外观平整光亮度高三、判断题（共10道试题，共20分。）水汽氧化是平面工艺最常用的方法。错误正确制作背场可以较大地改善太阳电池的性能。错误正确串、并联电阻对填充因子的影响极小，可以忽略不计。错误正确利用区熔

20、单晶硅制备的太阳电池的光电转换效率高，且 生产成本低，应用广泛。错误正确晶而间的共价键密度越低，则该晶而越容易被腐蚀。错误正确光伏电池具有对称的电子学结构。错误正确光伏电池可以用于微波中继站电源供给，作为无线电通讯系统电源。错误正确多晶硅一般采用碱溶液对进行表面腐蚀制绒。A.错误B.正确硅片进行表面腐蚀，其作用是去除表而的切片机械损 伤。错误正确常规硅太阳电池工艺中，形成电池PN结的主要方法是 合金法。错误正确四、连线题(共10道试题，共30分。)提高硅太阳电池效率的几种途径，请匹配。紫光电池A采用0. 10.15p m浅结和30条/cm精 细密栅M1S电池B在金属和半导体之间加入1.5 3.

21、 Onm绝缘层聚光电池C电池面积小，低成本-A (2) -B (3) -C硅片表面污染的杂质可分类为。分子型杂质 AK+, Na+, Ca2+, F-, CL-, C032离子型杂质B油脂、腊、松香原子型杂质C金、钳、铜、铁-B (2) -A (3) -C太阳电池组件的测量必须在标准条件下进行，测量条件被“欧洲委员会”定义为101号标准，其条件是。光谱辐照度A25C光谱 B1000W/m2电池温度CAM1. 5-B (2) -C (3) -A硅片的一般清洗顺序是，请按步骤一一匹配。有机溶剂去油A热王水或I号、II号清洗液去除残留的有机和无机杂质B热的浓硫酸清洗液彻底清洗C甲苯-C (2) -B

22、 (3) -A将下列常用儿种氧化方法一一匹配。水汽氧化法A生长速率最慢，生成的二氧化硅薄膜 结构致密、均匀性好干氧氧化法B生长速率介于两者之间，钝化效果不 好，进一步降低体寿命湿氧氧化法C生长速率最快，生长的二氧化硅层结 构疏松，表而有斑点(1) -C (2) -A (3) -B将下列概念与意义作用一一匹配。腐蚀A降低了表面反射提高光生载流子的收集扩散B由热运动所引起的杂质原子和基体原子的输 运过程绒而C去除表而的切片机械损伤(1) -C (2) -B (3) -A太阳电池的等效电路中，暗电流表达式式中各项分别指代。(1)-C(2)-A、(3) -BUA电子电量QB二极管曲线因子，取值在12之

23、间AC等效二极管的端电压电池的总短路电流是全部光谱段贡献的总和，用表达式表示如下：式中各项分别指代。A 0A表面反射率R(A )B本征吸收波长限F(A )C太阳光谱中波长为11+dl间隔内的光子数(1) -B (2) -A (3) -C将下列常用减反射膜一一匹配。SiO膜A折射率在1.82.5,具有明显的表面钝化 和体钝化作用Ti02膜B折射率为1. 8-1. 9,是最常用的减反射膜 材料Si3N4膜C折射率为2.02. 7,可得到比较理想的 太阳电池减反射膜。(1) -B (2) -C (3) -A将下列扩散源一一匹配。液态源扩散A五氧化二磷涂布源扩散B硼酸三甲酯固态源扩散C氮化硼(1) -

24、B (2) -A (3) -C04任务04 任务_0001一、单项选择题(共10道试题，共20分。)要提高微晶硅太阳电池性能，核心技术是()，可使光 电转换效率超过20%。陷光技术掺杂工艺大面积均匀性技术抗光致衰减技术因转化率低，而旦存在光致衰退，因此在太阳能发电市 场多用于功率小的小型电子产品市场。如电子计算器、玩 具等的太阳能电池是()。单晶硅电池多晶硅太阳电池铜锢镣硒太阳电池非晶硅太阳电池下列哪个不是染料敏化太阳电池(DSSC)的优点()结构简单光电转换效率高对环境无污染成本低廉、易于制造硅太阳电池地面应用倾向于采用电阻率为()的材料，以 获得高的转换效率。0. 1 至 50 cm10

25、至 200Q cm零点几至2Q cm小于0. 01目前产业化太阳电池中，所占比例最大的是()。MIS光伏电池硅基太阳电池碇化镉太阳电池(a-Si)铜锢镣硒太阳电池下列不是半导体异质结太阳电池的是()。硫化亚铜-硫化镉太阳电池碇化镉太阳电池碑化铉太阳电池非晶硅薄膜太阳电池目前，制备薄膜的主要方法中()是一种高效、低成本、适合大而积生产的方法。化学沉积法电沉积法(ED)喷涂法(SP)物理气相沉积法(PVD)()接触能形成整流特性接触和良好的欧姆接触。半导体与半导体金属与半导体金属与金属金属与绝缘体单晶硅的生产工艺在太阳电池领域主要应用的是()。浇铸法直熔法区熔法直拉法MIS光伏电池是什么结构()。

26、金属-绝缘层-半导体结构金属-绝缘层-金属结构半导体-绝缘层-半导体结构绝缘层-金属-半导体结构二、多项选择题(共10道试题，共30分。)多晶硅可采用哪种溶液对进行表而腐蚀制绒()。NaOHHN03、HF、H20KOHCH3CH20HMIS结构实际上是一个()o金属-绝缘层-半导体金属电阻电容染料敏化太阳电池主要由组成()。纳米多孔薄膜染料敏化剂电解质对电极铸造多晶硅主要的工艺有()。直熔法浇铸法直拉法区熔法王水儿乎能溶解所有不活泼金属如铜、银以及金、钮等。具有极强的()O强碱性氧化性腐蚀性强酸性电池的优缺点有()。可在不同的衬底上制作，非常适合于大规模自动化生产电池生产成本低廉。效率低，缺少

27、硅电池那种固有的稳定性系统其他部分的成本高直拉单晶硅的制备工艺一般包括()。晶硅的装料和熔化种晶引细颈、放肩、等径收尾铜锢铉硒薄膜太阳电池受到全世界广泛研究的原因是()o性能稳定成木低抗辐射能力强光电转换效率高下面关于硅太阳电池的形状、尺寸、厚度，说法正确的是()o125X125mm2156X156mm2基体厚度为200Mm左右球形硝酸(HN03)不能溶解的有()。 TOC o 1-5 h z 金钳铜铁三、判断题(共10道试题，共20分。)硅片清洗必须按照酒精-水-甲苯-丙酮的次序清洗，才能除去有机物及有机溶剂分子。错误正确N型半导体样品，热端的空穴向冷端扩散，冷端带正电,热端带负电。错误正确金属-绝缘层-半导体(MIS)结构实际上是一个电容。错误正确非晶硅薄膜太阳电池一般被设计成pin结构。错误正确II号清洗液是由去离子水、含量为30%的过氧化氢和含 量为37%的浓盐酸混合而成。错误正确太阳电池工艺成本低，大而积均匀性好，可以自动化生 产。错误正确用于硅片清洗常用的有机溶剂有甲苯、丙酮、酒精等。错误正确多晶硅一般采用酸溶液对