《集成电路工艺原理》试题第4章

1、第四章填空题注入离子在靶内的能量损失分为 和 两个过程。使一个处于晶格位置的原子发生移位，所需要的最小能量称为 。当离子注入的方向与靶晶体的某个晶向平行时，会出现 。 是表征注入离子分布分散情况的一个量。横向效应与注入离子的 和 有关。答案1 核碰撞，电子碰撞 2 移位阈能 3 沟道效应 4 标准偏差 5 种类，能量选择题离子注入时，使晶体主轴方向偏离注入方向是为了避免 。BA.横向效应 B.沟道效应 C. 热电子效应注入离子的能量可分为三个区域，高能区是以 占主要地位。AA. 电子阻止本领 B. 核阻止本领 C. 核阻止和电子阻止本领注入离子的能量可分为三个区域，低能区是以 占主要地位。AA

2、.核阻止本领 B.电子阻止本领 C. 核阻止和电子阻止本领注入离子的能量可分为三个区域，中能区是以 占主要地位。CA.核阻止本领 B.电子阻止本领 C. 核阻止和电子阻止本领判断题相同能量注入离子，离子越轻，横向效应越显著。（ ) 相同离子，能量越轻，横向效应越显著。（ ) 轻离子在注入的初始阶段，其损伤是以电子阻止为主导。（ ）轻离子在注入时，其损伤是以核阻止为主导。（ ）重离子在注入时，其损伤是以电子阻止为主导。（ ）重离子在注入时，其损伤是以核阻止为主导。（ ）等离子体中高速运动的电子与其它粒子的碰撞是维持气体放电的主要微观机制。（ ）名词解释级联碰撞等离子体韒层RTP热退火沟道效应横向

3、效应LSS理论答案级联碰撞：ETEd：位移原子（反冲原子）再与靶原子碰撞，产生级联碰撞。等离子体鞘层-是电子与离子具有不同速度的一个直接后果。即任何处于等离子体中的物体相对于等离子体来讲都呈现出负电位，并且在物体的表面附近出现正电荷积累。RTP：快速退火技术，瞬时内使硅片的某个区域加热到所需要的温度，并在较短的时间内完成退火。热退火：将注有离子的硅片在一定温度下，经过适当时间的热处理，则硅片上的损伤可能部分或绝大部分得到消除，少数载流子的寿命以及迁移率也会不同程度的得到恢复，掺入的杂质也将得到一定比例的电激活，这样的处理过程称为热退火。沟道效应：离子沿沟道前进，核阻挡作用小，因而射程比非晶靶远

4、的多。好处：结较深；晶格损伤小。不利：难于获得可重复的浓度分布，使用价值小。横向效应：指注入离子在垂直入射方向的平面内的分布情况。它直接影响了MOS晶体管的有效沟道长度。LSS理论：（Lindhard，Scharff，Schiot三人创立）核碰撞（阻挡），注入离子与靶原子核碰撞，将能量传给靶核，离子发生偏转，靶核产生位移。电子碰撞（阻挡）注入离子与靶内的自由电子和束缚电子碰撞，产生电子空穴对。注入离子运动方向基本不变。沟道效应：离子沿沟道前进，核阻挡作用小，因而射程比非晶靶远的多。好处：结较深；晶格损伤小。不利：难于获得可重复的浓度分布，使用价值小。横向效应：指注入离子在垂直入射方向的平面内的分布情况。它直接影响了MOS晶体管的有效沟道长度。LSS理论：（Lindhard，Scharff，Schiot三人创立）核碰撞（阻挡），注入离子与靶原子核碰撞，将能量传给靶核，离子发生偏转，靶核产生位移。电子碰撞（阻挡）注入离子与靶内的自由电子和束缚电子碰撞，产生电子空穴对。注入离子运动方向基本不变。问答题注入离子在硅衬底中产生的损伤有哪几种？答案答：有