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文档简介

1、三极管输入输出特性曲线的测试第1页，共12页，2022年，5月20日，0点7分，星期日预习情况检查1.半导体管特性图示仪的基本原理与应用。2晶体三极管的伏安特性曲线的特点及其主要参数定义。现代电子技术实验国家工科电工电子基础教学基地国 家 级 实 验 教 学 示 范 中 心 第2页，共12页，2022年，5月20日，0点7分，星期日一.实验目的现代电子技术实验国家工科电工电子基础教学基地国 家 级 实 验 教 学 示 范 中 心 2. 掌握晶体管输入输出特性的图测方法。3. 掌握用晶体管特性曲线求参数的方法。进一步熟悉晶体管图示仪的面板旋钮。第3页，共12页，2022年，5月20日，0点7分，

2、星期日二、实验原理1.共射输入特性曲线以输出口电压vCE为参变量，反映iB和vBE的函数关系。vBEiBovONvBEIB1IB2VCE=1VVCE=10V工程上近似为一条输入特性曲线第4页，共12页，2022年，5月20日，0点7分，星期日2.共射输出特性曲线以输入口电流iB为参变量，反映输出口iC与vCE的函数关系曲线。OiCuCEiB1iB5iB4iB3iB2第5页，共12页，2022年，5月20日，0点7分，星期日3.三极管输出特性测试电路iB0iB1iB2iB3第6页，共12页，2022年，5月20日，0点7分，星期日半导体特性图示仪操作面板 测试台集电极电源阶梯电源X轴Y轴第7页，

3、共12页，2022年，5月20日，0点7分，星期日1晶体管输出特性的测量（1）调节图示仪有关控制旋钮，测绘输出特性曲线。（2）在曲线上标出饱和区、截止区和放大区。（3）测量反向击穿电压 BVCEO（基极开路，功耗电阻取5 k） （4）测量 、 。 设VCE =5V，适当选择和记录IBQecb1008：NPN型 三、实验内容第8页，共12页，2022年，5月20日，0点7分，星期日ICICVCE =5ViCIB第9页，共12页，2022年，5月20日，0点7分，星期日2晶体管输入特性的测量（1）正确设置图示仪有关控制旋钮，测绘晶体管输入特性曲线。（2）求出导通电压Von。（3）根据曲线求线性变化区的输入电阻 ： 设置功耗电阻为2501k iBvBEoVONVBEIB第10页，共12页，2022年，5月20日，0点7分，星期日四、实验报告要求1.写出所测参数的定义及其物理意义。2.用坐标纸定量描绘特性曲线，正确标明相应坐标。国家工科电工电子基础教学基地国 家 级 实 验 教 学 示 范 中 心 第11页，共12页，2022年，5月20日，0点7分，星期日五、下次预习要求（P140实验4.11）RC带通滤波器的设计与测试国家工科电工电子基础教学基地国 家 级 实 验 教 学 示 范 中 心 1、如何用电阻和电容构成具有带通滤波特性的功能电路。2、滤波电路的通频带和电路参数之间有怎样的

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