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文档简介
1、1Wlj460887PCB封装命名规范魔电EDA建库工作室2015.6.1目录TOC o 1-5 h z范围4引用4约束4焊盘的命名5表贴焊盘命名规范5 HYPERLINK l bookmark8 通孔焊盘命名规范7 HYPERLINK l bookmark16 花焊盘命名9 HYPERLINK l bookmark24 Shape命名10 HYPERLINK l bookmark0 PCB封装命名11 HYPERLINK l bookmark26 封装命名要求11 HYPERLINK l bookmark30 电阻类命名13 HYPERLINK l bookmark32 电位器命名15 HY
2、PERLINK l bookmark34 电容器命名16 HYPERLINK l bookmark36 电感器命名19 HYPERLINK l bookmark38 磁珠命名21 HYPERLINK l bookmark40 二极管命名21晶体谐振器命名23晶体振荡器命名24 HYPERLINK l bookmark44 熔断器命名24 HYPERLINK l bookmark46 发光二极管命名24 HYPERLINK l bookmark48 BGA封装命名25 HYPERLINK l bookmark50 CGA封装命名25 HYPERLINK l bookmark52 LGA封装命名2
3、6 HYPERLINK l bookmark54 PGA封装命名26CFP封装命名27DIP封装命名27 HYPERLINK l bookmark58 DFN封装命名28 HYPERLINK l bookmark60 QFN封装命名28 HYPERLINK l bookmark62 J型引脚LCC封装命名29 HYPERLINK l bookmark64 5.21无引脚LCC封装命名29 HYPERLINK l bookmark68 QFP类封装命名30 HYPERLINK l bookmark70 SOP类封装命名30 HYPERLINK l bookmark74 SOIC封装命名31 HY
4、PERLINK l bookmark76 SOJ封装命名31SON封装命名31SOT封装命名32TO封装命名33 HYPERLINK l bookmark80 连接器封装命名34 HYPERLINK l bookmark82 其它封装命名341范围本规范适用于主流EDA软件在PCB设计前的封装建库命名。2引用IPC-7351B:GenericRequirementsforSurfaceMountDesignandLandPatternStandard.PCBlibrariesFootprintNamingConvention.约束本规范中所有的命名只能采用占一个字节(即半角输入)的数字(0-9
5、)、字母(a-z无大小写限制)、下划线(_)、中横线(-)四种字符,其它符号均属于非法字符。命名中所使用的尺寸单位只能采用公制单位毫米(mm)或者英制单位毫英寸(mil)。命名中的所有尺寸(如长、宽、高等),如果采用公制,数字的后两位表示小数位(如果实际小数位不止两位则四舍五入到两位数),整数位长度无限制。例如:rl60_50sl5mm中的长度160表示1.6mm,宽度50表示0.5mm。命名中的所有尺寸(如长、宽、高等),如果采用英制,那么数字全都是整数,没有小数位,整个数字的长度无限制。例如:r210_90s6mil中的长度210表示210mil,宽度90表示90mil。规范中大括号以及它
6、包含的内容表示参数。例如:capaeBodySizexHeightLevelmm(m假设对应的封装名为capae240 x310nmm/那么BodySize就是240,Height就是310,Level就是n,如果单位用的毫米,后缀就是mm,否则就是mil。参数解释。Level:密度等级。见5.1节。Mfr.Name:器件厂家。可用完整英文或者英文缩写或者汉语拼音。PartNumber:厂家完整型号。如果包含非法字符,须删除或者用下划线替代。Length:器件长度。取典型值,若无典型值则取平均值,若仅有一个值,则取该值。O1齧賈swzg备qsSms、sgumtlei寸專區呂-.、IsSI-s齬
7、Ih&iRn二shoe。檢屁gg一Rr二suumlou一遐日如包呱檢旨。呱檢1Rr二Bo启巴。輕硼S岳LBJ辜爲-K帑fl-M#:粘glRnaA衆。cxlss二suedsp窃已迪硼S岳LBJ辜爲二、帑fl-M#:粘glRnaA衆O-B-二口usp窃已迪硼S岳、WLI1J戏S瓮lRn蛍ELBJ鑒二usp窃已。輕硼S岳画APO巴。聚二SSQU32qHAPo巴。4岳。啊址聚二吕常工Apo巴。輕硼S岳own二qEAUP。巴。輕硼S岳own二总u占Ap。巴迪-K岳。型mglRn#:粘聚昭二卫善EGP窃已迪硼舊LBJ黛iRn杲ffi二1一迪硼S岳二呂Edsp窃已。-K醫。超聶二倉H一鲁舊二1命名格式:c4
8、0s6mil正方形圆形:rl20_60sl5mm长方形/椭圆形:说明:焊盘形状。r表示矩形(rectangle);c表示圆形(circle);s表示方形(square);b表示椭圆形(oblong)W:焊盘的长度(长边)。H:焊盘的宽度(短边)s:固定字符,表示阻焊(soldermask)。阻焊增量。阻焊长度(宽度)减去焊盘长度(宽度)的尺寸。创建焊盘使用的单位。只采用mm(公制)和mil(英制)两种。4.1.2D形表贴焊盘例:W=1.2mm,H=0.6mm命名格式:dl20_60sl5mm说明:d表示焊盘形状为D形。W:焊盘的长度(长边)。H:焊盘的宽度(短边)s:固定字符,表示阻焊(sol
9、dermask)。阻焊增量。阻焊长度(宽度)减去焊盘长度(宽度)的尺寸。创建焊盘使用的单位。只采用mm(公制)和mil(英制)两种。4.1.3非标准表贴焊盘非标准表贴焊盘是指不能直接制作,只能用shape组成的除标准焊盘和D形焊盘外的其它任意形状焊盘。例如:命名格式:smd_Pack.Name_Number其中Pack.Name为这个焊盘适用的圭寸装名Number为数字,如果此封装只包含一个非标准焊盘,那么Number可忽略,如果封装包含两个非标准焊盘,那么Number就分别表示1和2,以此类推。例如:封装sot230p700 x180-4nmm包含两个非标准焊盘,那么这两个焊盘名分别为smd
10、_sot230p700 x180-4nmm_1和smd_sot230p700 x180-4nmm_2。4.2通孔焊盘命名规范EDA软件能创建的通孔焊盘,其通孔部分的形状包含圆形、矩形和椭圆形,焊接部分的焊形状有圆形、矩形、椭圆形、正方形、八边形。4.2.1圆形/方形焊盘命名例:H=1.6mm,D=1mm命名格式:带自定义flash的金属孔:tcl60cl00pl70_140_25sl5mu:寸超:?tc::D应21U1:Q不带自定义flash的金属孔:tcl60cl00psl5nim;:)3任(bCiiHi心i2i非金属孔:tc90c100nsOmni说明:t:固定字符,表示通孔焊盘(thro
11、ugh)。焊盘的形状,c为圆形(circle),s为方形(square)。焊盘的边长。表示钻孔形状,c为圆形(circle),s为方形(square)。钻孔直径。钻孔类型。p表示钻孔内壁上锡(plated),为金属孔;n为非金属孔(non-plated)。花焊盘(thermalrelief)的外径。花焊盘(thermalrelief)的内径。花焊盘的辐宽。(10)s:固定字符,表示阻焊(soldermask)。(11)阻焊增量。阻焊长度(宽度)减去焊盘长度(宽度)的尺寸。(12)创建焊盘使用的单位。只采用mm(公制)和mil(英制)两种。4.2.2椭圆形/矩形焊盘命名例:Wl=2.2mm,W2
12、=1.2mm,Hl=1.6mm,H2=0.6mm命名格式:带自定义flash的金属孔:tb2_lbl60_60p230_200_35sl5mm(5不带自定义flash的金属孔:tb220120bl60_60psi5mm非金属孔:tbl50_50bl60_60nsOmni说明:t:固定字符,表示通孔焊盘(through)。焊盘的形状,b为椭圆形(oblong),r为矩形(rectangle)。焊盘的长度。焊盘的宽度。表示钻孔形状,b为椭圆形(oblong),r为矩形(rectangle)。钻孔的长度。钻孔的宽度。钻孔类型。p表示钻孔内壁上锡(plated),为金属孔;n为非金属孔(non-pla
13、ted)。花焊盘(thermalrelief)的外圈长度。(花焊盘(thermalrelief)的内圈长度。花焊盘的辐宽。s:固定字符,表示阻焊(soldermask)。阻焊增量。阻焊长度(宽度)减去焊盘长度(宽度)的尺寸。创建焊盘使用的单位。只采用mm(公制)和mil(英制)两种。4.3化焊盘命名例:D=1.3mm,d=1mm,w=0.2mm,b=90,H1=1.6mm,H2=1mm,Wl=1.9mm,W2=1.3mm命名格式:矩形/椭圆形花焊盘:fl90_130 xl60_100b3C_90mm方形/圆形花焊盘:fl30_100c20_90mtn说明:f:固定字母,代表花焊盘(flash)
14、。花焊盘外圈长度。花焊盘外圈宽度。x:分隔符号。花焊盘内圈长度。花焊盘内圈宽度。花焊盘形状。C表示圆形(circle),b表示椭圆形(oblong),s表示方形(square),r表示矩形(rectangle)。花焊盘的辐宽。花焊盘开口方向与水平线的夹角(锐角)。(命名的单位。4.4Shape命名要制作特殊形状的焊盘需要事先在软件中制作焊盘的形状hape,下面是特殊形状焊盘的例子,如键盘按键的焊盘、SON封装的散热焊盘等。(0)111011J-LTL1111SON111110PIN11ii11H-TL-r11命名格式:sh_Pack.Name_Number说明:sh:固定字符,表示特殊形状焊盘
15、(shape)。Pack.Name表示此shape适用的圭寸装名。Number是数字后缀。如果圭寸装只包含一个shape,那么Number可忽略如果圭寸装有两个shape,Number分别是1和2,以此类推。例如:圭寸装sot230p700 xl80-4nmm包含两个非标准焊盘,每个非标准焊盘对应的shape分别是sh_sot230p700 xl80-4nmm_l和sh_sot230p700 x180-4nmm_2。5PCB封装命名5.1封装命名要求由于PCB分为高密度板,中等密度板,低密度板,因此制作的封装也分高中低三个等级。M(A)低密度(most)。后缀M(A)表示低密度封装,封装尺寸较
16、大。N(B)中等密度(nominal)。后缀N(B)表示中等密度封装,封装尺寸适中。L(C)高密度(least)。后缀L(C)表示高密度封装,封装尺寸较小。表贴封装使用M,N,L;插件封装使用A,B,C。例如:SOIC127P1041X419_8NMM,DIP762W46P254L1918H533Q7_14BMM。某些器件,尺寸的典型值完全一样,但偏差不一样。例如Pin的SOIC封装,对于引脚跨距,有些厂家是60.1,有些厂家是60.2。对于这种情况,需要在封装名称最后加上数字1,2,3,4来区分。例如:SOIC127P1041X419_8N_1NMM。有些器件尺寸完全一样,但引脚排列顺序相反
17、,如下图:这种情况需要在封装名称后面加字童R区分。例如上图右边的引脚排序与常规的逆时针排序相反,那么它的命名就是:PLCC127P990X990X457_20RNMM。某些datasheet上的器件引脚最大编号大于引脚总数,如下图:rmrm引脚最大编号14,但实际引脚数是4。对于这种情况,命名中需要先体现出实际引脚数,然后列出引脚最大编号。例如:DIP762W46P254L1918H533Q_4_14BMM。某些器件实际引脚数大于datasheet上的引脚编号,如下图:O00000000O0000OO)0000OO500000O0000HGFEDCBA有编号的引脚数是48个,而实际引脚数是56
18、个。此时命名也需要体现出两者的数值。例如:BGA48C75P6X8_800X1200X120_56_48NMM。不同厂家的晶体管和场效应管,三个极的位置可能排列不一样,如下图:命名时,可在封装名后面加Jpinnumber1,2,3所对应的极。例如1,2,3对应的极是B,C,E,那么封装名称就是SOT95P237X117_BCE_3NMM。RESCAFRESCAVRESCAXSRESCAXERESCANRESCAF5.2电阻类命名5.2.1表贴电阻表贴电阻常见类型:片状电阻Resistorchip(RESC),模制电阻Resistormolded(RESM),柱状电阻ResistorMelf(R
19、ESMELF)。命名格式:片状电阻:resc_eType_BodyLengthxBodyWidthxHeightxPinLengthLevelmm(mil)模制电阻:resmBodyLengthxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)柱状电阻:resmelfBodyLengthxBodyDiameterLevelmm(mil)例如:resc_e2010_500 x250 x65x60nmm表示片状电阻通用尺寸是英制的2010,实际长宽高分别是5mm、2.5mm、0.65mm,弓I脚长度是0.6mm。resmelf260 x76nmm表示圆柱形电阻长度和直径分别是2.6mm和0
20、.76mm。说明:eType中的e表示EIA(采用英制单位),Type表示片状电阻的通用尺寸例如0402,0603,0805等等,下面是通用尺寸的公制英制对照表,本规范命名采用英制Type。英制(inch)020104020603080512061210181220102512公制(mm)060310051608201232163225483250256432例如:英制0805的长宽分别是0.08inch和0.05inch,对应的公制分别是2mm和1.2mm。res(resistor)后面的c表示片状(chip),m表示模制(molded),melf(MetalElectricalFace)表
21、示圆柱。5.2.2表贴排阻贴片排阻有下列几种类型:命名格式:弓I脚凹陷的排阻:;叭BodyLength.1rescavPitchpBodyLengthxBodyWidthxHeight_PinQtyLevelmm(mil)弓I脚凸出并且引脚尺寸都一样的排阻:rescaxePitchpBodyLengthxBodyWidthxHeight_PinQtyLevelmm(mil)引I脚凸出并且同一侧引脚尺寸不一样的排阻:rescaxsPitchpBodyLengthxBodyWidthxHeight_PinQtyLevelmm(mil)弓I脚平滑的排阻:rescafPitchpBodyLengthx
22、BodyWidthxHeight_PinQtyLevelmm(mil)例如:rescav50pl60 xl00 x55_8nmm表示引脚凹陷的排阻相邻引脚间距是0.5mm,长宽高分别是1.6mm、1mm和0.55mm,引脚总数是8,以公制为单位制作的中等密度封装。弓I脚在侧面而非底部的排阻命名:rescav_Mfr.Name_PartNumberLevelmm(mil)rescaxe_Mfr.Name_PartNumberLevelmm(mil)rescaxs_Mfr.Name_PartNumberLevelmm(mil)rescaf_Mfr.Name_PartNumberLevelmm(mi
23、l)说明:res(resistor)后面的cav表示引脚凹陷的片状阵列(ChipArray,Concave),caxe表示引脚凸出并且引脚尺寸都一样的片状阵列(ChipArray,Convex,EvenPinSize),caxs表示引脚凸出并且同一侧引脚尺寸不一样的片状阵列(ChipArray,Convex,SidePinsDiff),caf表示引脚平滑的片状阵列(Chip,Array,Flat)。5.2.3轴向电阻LeadWidthLeadBodyLength插装轴向电阻(横向安装):resadhLeadSpacingwLeadDiameterlBodyLengthdBodyDiameter
24、Levelmm(mil);丄剖业IDeadSpacingHegbt插装轴向电阻(纵向安装):resadvLeadSpacingwLeadDiameterlBodyLengthdBodyDiameterLevelmm(mil);例如:RESADH0800W0052L0600D0150BMM表示轴向电阻水平安装,引脚间距8mm,引脚直径0.52mm,电阻长度6mm,电阻直径1.5mm,封装采用公制按照中等密度制作。说明:res(resistor)后面的adh表示轴向水平安装(AxialDiameterHorizontalMounting),adv表示轴向垂直安装(AxialDiameterVert
25、icalMounting)。5.2.4非标准电阻非标准电阻是指上述电阻以外的电阻类型,例如封装为椭圆形,矩形等。命名格式:res_Mfr.NamePartNumberLevelmm(mil);例如:res_zenithsun_sqp5w100jnmmS示厂家zenithsun生产的型号为sqp5w100j的水泥电阻圭寸装以公制为单位制作的中等密度封装。5.3电位器命名命名格式:pot_Mfr.NamePartNumberLevelmm(mil);例如:pot_bourns_pda241srt01504a2nmr表示电位器厂家是Bourns,型号是pda241srt01504a2,封装以公制为单
26、位,中等密度封装。说明:pot(potentiometer)指电位器、电位计、可变电阻器。5.4电容器命名5.4.1表贴电容命名格式:无极性片状电容:capc_eType_BodyLengthxBodyWidthxHeightxPinLengthLevelmm(mil)有极性片状电容:capcp_eType_BodyLengthxBodyWidthxHeightxPinLengthLevelmm(mil)线绕矩形片状电容capcwBodyLengtxDiameteLevemm(mil)模制有极性电容:capmpBodyLengtxBodyWidthxHeighLevemm(mil)模制无极性电
27、容capmBodyLengtxBodyWidthxHeighLevemm(mil)表贴铝电解电容capaeBodySizexHeighLevemm(mil)说明:eType中的e表示EIA(采用英制单位),Type表示片状电阻的通用尺寸例如0402,0603,0805等等,下面是通用尺寸的公制英制对照表,本规范命名采用英制Type。英制(inch)020104020603080512061210181220102512公制(mm)060310051608201232163225483250256432例如:英制0805的长宽分别是0.08inch和0.05inch,对应的公制分别是2mm和1.
28、2mm。cap(capacitor)后面的c表示片状(chip),p表示有极性(polarized),cwr表示片状矩形(WireRectangle),m表示模制(molded),mp表示模制有极性(Molded,Polarized),ae(AluminumElectrolytic)表示铝电解。5.4.2表贴电容阵列命名格式:引脚凹陷的电容阵列:capcavPitchpBodyLengthxBodyWidthxHeight-PinQtyLevelmm(mil)引脚平滑的电容阵列:capcafPitchpBodyLengthxBodyWidthxHeight-PinQtyLevelmm(mil)
29、引脚凸出的电容阵列:capcaxPitchpBodyLengthxBodyWidthxHeight-PinQtyLevelmm(mil)例如:capcav50pl60 xl00 x55_8nmm表示引脚凹陷的电容阵列相邻引脚间距是5mm,长宽高分另0是1.6mm、1mm和0.55mm,引脚总数是8,以公制为单位制作的中等密度封装。弓I脚在侧面而非底部的电容阵列:capcav_Mfr.Name_PartNumberLevelmm(mil)capcaf_Mfr.Name_PartNumberLevelmm(mil)capcax_Mfr.Name_PartNumberLevelmm(mil)说明:c
30、ap(capacitor)后面的cav表示引脚凹陷的片状阵列ChipArray,Concave),caf表示引脚平滑的片状阵列(Chip,Array,Flat)。cax表示引脚凸出的片状阵列(ChipArray,Convex)。5.4.3插装电容命名格式:无极性轴向圆柱形电容(横向安装):BodyLengthLeadLeadDiameter-aBodyC)iametercapadhLeadSpacingwLeadDiameterlBodyLengthdBodyDiameterLevelmm(mil)无极性轴向圆柱形电容(纵向安装):BodvDiameterL血D方me馆rLeadSpacing
31、貿心1ApogcapadvLeadSpacingwLeadDiameterlBodyLengthdBodyDiameterLevelmm(mil)有极性轴向圆柱形电容(横向安装):cappadhLeadSpacingwLeadDiameterlBodyLengthdBodyDiameterLevelmm(mil)无极性轴向矩形电容(横向安装):caparhLeadSpacingwLeadDiameterlBodyLengthtBodythicknesshBodyHeightLevelmm(mil)无极性轴向矩形电容(纵向安装):caparvLeadSpacingwLeadDiameterlBo
32、dyLengthtBodythicknesshBodyHeightLevelmm(mil)有极性轴向矩形电容(横向安装):capparhLeadSpacingwLeadDiameterlBodyLengthtBodythicknesshBodyHeightLevelmm(mil)无极性径向圆柱形电容:軒0|特DL&adDiameterYLeadSpacinfjcaprdLeadSpacingwLeadDiameterdBodyDiameterhBodyHeightLevelmm(mil);有极性径向圆柱形电容:capprdLeadSpacingwLeadDiameterdBodyDiamete
33、rhBodyHeightLevelmm(mil);无极性径向矩形电容:Bodythtknss-.LcacfDiameterBodyLengtficaprrLeadSpacingwLeadDiameterlBodyLengthtBodythicknesshBodyHeightLevelmm(mil)无极性径向圆形电容:DiskButtonBodytntknessDiskwithoffsetleadscaprbLeadSpacingwLeadDiameterlBodyDiametertBodythicknesshBodyHeightLevelmm(mil);例如:capadh800w521600d
34、l50bmm表示横向安装的无极性轴向圆柱形电容引脚间距是8mm,引脚直径是0.52mm,封装体长度6mm,封装体直径是1.5mm,以公制为单位制作的中等密度封装。说明:cap(capacitor)后面的adh表示轴向水平安装(AxialDiameterHorizontalMounting),adv表示轴向垂直安装(AxialDiameterVerticalMounting,padh表示有极性轴向水平安装(PolarizedAxialDiameterVerticalMounting),arh表示轴向矩形的水平安装(AxialRectangularHorizontalMounting),arv表示
35、轴向矩形的垂直安装(AxialRectangularVerticalMounting),parh表示有极性轴向矩形的水平安装(PolarizedAxialRectangularHorizontalMounting),rd表示径向圆柱形(RadialDiameter),prd表示有极性的径向圆柱形(PolarizedRadialDiameter),rr表示径向矩形(RadialRectangular),rb表示径向圆形(RadialDiskButton)。5.4.4非标准电容命名格式:可变电容(Capacitors,Variable):capv_Mfr.NamdPartNumbeiLevelmm
36、(mil)其它电容(Capacitors,Miscellaneous):cap_Mfr.NamdPartNumbeiLevelmm(mil)例如:capv_best_jml06-30pfbmm表示best公司生产的型号为jml06-30pf的可调电容,以公制为单位制作的中等密度封装。说明:cap(capacitor)指电容,本规范没有描述的电容类型都属于“其它电容”。5.5电感器命名5.5.1表贴电感命名格式:片状电感:Heightindc_eType_BodyLengthxBodyWidthxHeightxPinLengthLevelmm(mil)模制电感:EiadyLwnq出indmBod
37、yLengthxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)绕线电感:EodyLigngthindpwBodyLengthxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)有极性电感:indpBodyLengthxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)例如:indc_e2010_500 x250 x65x60nmm表示片状电感通用尺寸是英制的2010,实际长宽高分别是5mm2.5mm0.65mm,引脚长度是0.6mm,按中等密度圭寸装制作。说明:eType中的e表示EIA(采用英制单位),Type表示片状电阻的通用尺寸例如0402,0603,0805等等,
38、下面是通用尺寸的公制英制对照表,本规范命名采用英制Type。英制(inch)020104020603080512061210181220102512公制(mm)060310051608201232163225483250256432例如:英制0805的长宽分别是0.08inch和0.05inch,对应的公制分别是2mm和1.2mm。ind(inductor)后面的c表示片状(chip),m表示模制(Molded),pw表示精密绕线(PrecisionWire),p表示有极性(Polarized)。5.5.2插装电感命名格式:轴向电感(横向安装):indadhLeadSpacingwLeadDi
39、ametelBodyLengthdBodyDiameterLevelmm(mil)轴向电感(纵向安装):indadvLeadSpacingwLeadDiametelBodyLengthdBodyDiameterLevelmm(mil)径向电感:indrdLeadSpacingwLeadDiameterdBodyDiametehBodyHeighLevelmm(mil)例如:indadh800w521600d150bmm表示横向安装的轴向电感引脚间距是8mm,引脚直径是0.52mm,封装体长度6mm,封装体直径是1.5mm,以公制为单位制作的中等密度封装。说明:电感ind(inductor)后面
40、的adh表示轴向水平安装(AxialDiameterHorizontalMounting),adv表示轴向垂直安装(AxialDiameterVerticalMounting)。5.5.3非标准电感命名格式:电感ind_Mfr.Nam_PartNumberLevemm(mil)说明:ind(inductor)指电感。本规范没有描述的电感类型都属于非标准电感。5.5.4片状电感阵列命名格式:片状电感阵列(平面)indcafpitchpLengthxWidthxHeigh-PinQtyLevemm(mil)片状电感阵列(凹面)indcavpitchpLengthxWidthxHeigh-PinQt
41、yLevemm(mil)引脚在侧面而非底部的非标准电感阵列:片状电感阵列(平面):indca匚Mfr.Name_PartNumberLevelmm(mil)片状电感阵列(凹面):indcav_Mfr.Name_PartNumberLevelmm(mil)说明:ind后面的cav表示引脚凹陷的片状阵列(ChipArray,Concave),caf表示引脚平滑的片状阵列(Chip,Array,Flat)。5.6磁珠命名5.6.1表贴磁珠命名格式:片状磁珠:fbLengthxWidthxHeightLevelmm(mil)说明:fb表示磁珠(Ferritebead)。5.6.2插装磁珠命名格式:轴向
42、磁珠(横向安装):fbadhLeadSpacingwLeadDiameterlBodyLengthdBodyDiameterLevelmm(mil)轴向磁珠(纵向安装):fbadvLeadSpacingwLeadDiameterlBodyLengthdBodyDiameterLevelmm(mil)径向磁珠:fbrdLeadSpacingwLeadDiametedBodyDiameterhBodyHeighLevelmm(mil)说明:磁珠fb(Ferritebead)后面的adh表示轴向水平安装(AxialDiameterHorizontalMounting),adv表示轴向垂直安装(Axi
43、alDiameterVerticalMounting)。5.6.3非标准磁珠命名格式:fb_PartNumberLevelmm(mil)说明:fb(Ferritebead)表示磁珠。5.7极管命名5.7.1表贴二极管Hc.ghtL世闻咁1命名格式:片状二极管:diocBodyLengthxBodyWidtxHeightLevelmm(mil)模制二极管:diomBodyLengthxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)圆柱体二极管:diomelfBodyLengthxBodyDiameterLevelmm(mil)两端凹面二极管:dioscBodyLengthxBodyWi
44、dthxHeightLevelmm(mil)8斶LengthLeadScanNominalSOD二极管:sodLeadSpanxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)扁平引脚SOD二极管:sodflLeadSpanxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)例如:diom430 x360 x265nmm表示模制二极管长宽高分别是4.3mm、3.6mm和2.65mm,以公制为单位制作的中等密度封装。说明:二极管dio(diode)后面的c表示片状(chip),m表示模制(molded),melf(MetalElectricalFace)表示圆柱。命名格式:轴向二极
45、管(横向安装):dioadhLeadSpacingwLeadWidthlBodyLengthdBodyDiameterLevelmm(mil)劉怡口灯widlhU/VS孫丸厘峯土峯s剌習尋场土峯(pjsXiQpuiajxa)pjx:旳映笫障旨爲翕出阳#畔囚由M畔啓冶uraig口坐UIUI99P、mmg(ni者碣B昼幽耳沏習丸峯嘲电乙土峯mmuonxetzxgoiispnx:皿砂(nui)mrnTaAaqjgquinN叫厂帥呗咖厂呼器郢鼬憎致撃冏茸(pui)uraieA町川備whx仰pgXpoaxqjuaqXpogpjx:器郢黙列習嘲电乙慕雪ippd(pui)uiuieA0q心。mj-jqSpH
46、xqjpjMXpoaxqjuaqXpogspjx:器郢黙列習嘲电纟丸峯(I凹)皿皿2a町川備whxqjpjMXpoaxqjuaqXpogspjx:器郢黒剌習嘲电乙丸峯UEdSPE3|H轻Iji&jiTpogE0牙wlglg牙胆器郢黒剌習89(nui)uiuijaAaqigquinld_auiBijpv_ojp:(snoguBngosTpsapoiQ)易谢二乞茸:禺珂删二致剧SZ-9upunopvpopjaAigpuiBiapixy)孫崙阜垂回晦土峯Ape(SupunopvPJuozuohispuiBicipixy)孫崙圭*回晦土峯HP邛日厘曰(apojP)。甲易谢二:旳飲(nui)uiuipA
47、aqigpuiBTQXpoqpqjuaqXpoqHlpJMp9TMupBdspBaqApBOip:(慕崙回)易谢二回晦5.9命名格式:晶体振荡器命名两边凹陷型晶体振荡器OscscpitchpLengthxWidthxHeigh卜PinQtyLevemm(mil)四角凹陷型晶体振荡器:oscccLengthxWidthxHeightLevelmm(mil)两边平面型晶体振荡器:oscsfpitchpLengthxWidthxHeigh-PinQtyLevemm(mil)四角平面型晶体振荡器:osccfLengthxWidthxHeightLevelmm(mil)J型引脚晶体振荡器:oscjpit
48、chpLengthxWidthxHeight-PinQtyLevelmm(mil)L型引脚晶体振荡器:osclpitchpLengthxWidthxHeight-PinQtyLevelmm(mil)插装晶体振荡器:oscLeadSpacingwLeadDiameterpPitchlBodyLengthhBodyHeigh-PinQtyLevelmm(mil)其它非标准晶体振荡器Osc_Mfr.Name_PartNumberLevelmm(mil)例如:osccc320 x250 xl30nmm表示四角凹陷型晶振的长宽高分别是3.2mm、2.5mm和1.3mm,以公制为单位制作的中等密度封装。说
49、明:osc(Oscillator)表示晶体振荡器sc(sideconcave)表示两侧面凹陷,c(cornerconcave)表示四角凹陷,sf(sideflat)表示侧面水平,cf(cornerflat)表示四角无凹陷。5.10熔断器命名命名格式:表贴模制熔断器:fusmBodyLengthxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)插装熔断器:fuse_PartNumberLevelmm(mil)说明:fuse表示熔断器、保险丝,fusm前面的fus表示fuse,m表示模制(molded)。5.11发光二极管命名命名格式:表贴模制发光二极管:ledmBodyLengthxBo
50、dyWidthxHeightLevelmm(mil)表贴2弓I脚侧面凹陷型发光二极管:ledscBodyLengthxBodyWidthxHeight-PinQtyLevelmm(mil)表贴4弓I脚侧面凹陷型发光二极管:ledscPitchpBodyLengthxBodyWidthxHeight-PinQtyLevelmm(mil)插装发光二极管led_PartNumberLevelmm(mil)其它非标准发光二极管:led_PartNumberLevelmm(mil)说明:led指发光二极管,后面的m表示模制(molded),sc(sideconcave)表示侧面凹陷。5.12BGA封装命
51、名HeightBodyLengthPitch命名格式:般BGA封装:bgaPinQtyc/nPitchpColumnsxRows_BodyLengthxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)行列引脚间距不同的BGA封装:bgaPinQtyc/nColPitchxRowPitchpColumnsxRows_BodyLengthxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)错开排列引脚的BGA封装:bgasPinQtyc/nPitchpColumnsxRows_BodyLengthxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)例如:bgall3c50 x5
52、0pl2xl2_700 x700 xl00nmm表示一般的BGA封装引脚数是113,行列的引脚间距都是0.5mm,有12行12列,长宽高分别是7mm,7mm,lmm,采用公制单位制作的中等密度封装。说明:BGA(BallGridArray表示球形栅格阵列BGAS中的s表示错列Staggered;/n表示collapsing/non-collapsing,c对应的焊盘比引脚球要小焊接时引脚球塌陷包围住焊盘要求阻焊比焊盘尺寸大,而n对应的焊盘比引脚球要大,焊接时引脚球不塌陷,要求阻焊尺寸跟焊盘一致。5.13CGA封装命名HeightEJodyLenqthPitchBody命名格式:CGA封装(圆形
53、引脚):cgaPinQtycPitchpColumnsxRows_BodyLengthxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)CGA封装(方形引脚):cgaPinQtysPitchpColumnsxRows_BodyLengthxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)例如:cga717cl27p27x27_3300 x3300 x560nmm表示CGA封装引脚总数是717,引脚间距是1.27mm,行列数都是27,长宽高分别是33mm,33mm,5.6mm,采用公制单位制作的中等密度封装。说明:CGA(ColumnGridArray)表示表贴的圆柱栅格阵列,与
54、BGA类似,只是引脚不是焊接球而是焊接柱。5.14LGA封装命名HeiahtBodyLengthPitch命名格式:LGA封装(圆形引脚):cgaPinQtycPitchpColumnsxRows_BodyLengthxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)LGA封装(方形引脚):cgaPinQtysPitchpColumnsxRows_BodyLengthxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)LGA封装(矩形引脚):cgaPinQtyrPitchpColumnsxRows_BodyLengthxBodyWidthxHeightLevelmm(mil)说明
55、:LGA(LandGridArray)为岸面栅格阵列,引脚是触点而不是插针。c表示Circular,s表示Square,r表示Rectangle。5.15PGA封装命名BodyLengthHeiqht$e$&$9$WidthPitch命名格式:PGA策-pga(PinQty)p(piHh二Columns)x(Rows)wodyLength)x(BodyWidth)x(Heigh二(Level)mm(mil)gs-PGA(PinGridArray)训|商尊2质s5=。ILLL1:rirr11nLJuedcp塾町CFPisjffi-cfp(piHh)p(LeadspansHeights丄Pi侖宫-
56、Cfpl27p54oxlo22onmm训WCFP曲jffis战ssg画届砌1.27mm二trm砌5.4mm、馴汁测a砌lo2mm、巴s-a磐砌20、gs-CFP(CeramicFlat:packages)ffiBap-fiis。PilchDIP储熬BodyLengthB0CI.I*Wd宇-L&adslaniNbminIK-部前质n-训=JnTDIPis-dip(pirch)p(LeadspansHeigh二丄PinQty二Level)mm(mil)dip(Leadspacing)w(LeadWidth)p(piHh三BodyLength?(Heights丄PinQty二Level)mm(mil
57、)B酚DIP曲牌-cdip(Leadspacing)w(LeadWidth)p(pirch三BodyLength)h(Heigh二丄PinQty二Leve二mm(mil)書養DIP1-dipc(Leadspacing)w(LeadWidth)p(pirch三BodyLength)h(Heigh二丄PinQty二Leve二mm(mil)jrinPitch.叫.0O00BodyWdlhDIP插座:dipsLeadSpacingwLeadWidthpPitchlBodyLengthhHeight-PinQtyLevelmm(mil)说明:dip(DualIn-linePackage)表示双列直插圭寸
58、装,cdip中的c表示陶瓷(Ceramic),dipc中的c表示腔体(Cavity),dips中的s表示插座(Sockets)。5.18DFN封装命名命名格式:DFN封装:dfnBodyLengthxBodyWidthxHeight-PinQtyLevelmm(mil)说明:DFN(DualFlatNo-lead)指双列扁平无引脚伸出的封装。5.19QFN封装命名PitchBodyL皂门命名格式:QFN封装:qfnPitchpBodyLengthxBodyWidthxHeight-PinQtyLevelmm(mil)引脚缩回型QFN封装:pqfnPitchpBodyLengthxBodyWid
59、thxHeight-PinQtyLevelmm(mil)说明:QFN(QuadFlatNo-lead)表示四周扁平无引脚伸出圭寸装,pqfn中的p表示引脚缩回(Pull-back),引脚离封装体边沿有一定距离。5.20J型引脚LCC封装命名命名格式:PLCC封装:吕LoadSpNHLIplccPitchpLeadSpanLlxLeadSpanL2xHeight-PinQtyLevelmm(mil)PLCC贴片式插座:plccsPitchpLeadSpanL1xLeadSpanL2xHeight-PinQtyLevelmm(mil)CLCC封装:clccPitchpLeadSpanL1xLead
60、SpanL2xHeight-PinQtyLevelmm(mil)JLCC封装:jlccPitchpLeadSpanL1xLeadSpanL2xHeight-PinQtyLevelmm(mil)说明:PLCC(PlasticLeadedChipCarriers)为带引线的塑料芯片载体,plccs中的s表示插座(Sockets)CLCC(ceramicleadedchipcarrier)为带J形引脚的陶瓷芯片载体。JLCC(J-leadedchipcarrier)是指带窗口的CLCC。5.21无引脚LCC封装命名BodyLenqthrn二imuuuT&3命名格式:LCC封装:lccPitchpBo
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