模拟电子技术期末试卷答案

1、模拟电子技术期末考试试卷 12010.05班级 学号 姓名 分数 得、题阅、二一二三四五总分-J得分阅卷.填空(25分)(i)本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是电子 ，掺杂越多，则其数量一定越多，相反，少数载流子应是空穴 ，掺杂越多，则其数量一定越少 。(2)把PN结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做单向导电 特性。(3)当PN结外加正向电压时，PN结内多子扩散形成较大的正向电流。(4)硅二极管的导通电压值约为0.6V,错二极管的导通电压约为0.2V。(5)晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的饱和 区和 截止 区。(6)对于由三极管组成的放大电路而言，就其输

2、入回路和输出回路的公共端不同，可以组成共基、共射、共集电三种组态。(7)放大电路的频率特性是指放大倍数值随信号频率而变,称为 幅频特性，而输出信号与输入信号的相位差随信号频率而变,称为 相频特性。(8)假设n级放大电路的每一级的放大倍数分别为Au1、Au2、Au3Aun ,那么多级放大电路的放大倍数AuAu1 Au2Aun(9)要使电路产生稳定的振荡，必须满足振幅平衡 和 相位平衡两个条件。(10)小功率直流电源一般由四部分组成，分别是电源变压器、 整流 、滤波 和稳压电路二.选择题(每题2分，共二.选择题(每题2分，共20分)(1)为了减小输出电阻，应在放大电路中引入I (B)为了稳定静态工

3、作点，应在放大电路中引入I (C)(A)电流负反馈(B)电压负反馈 (C)直流负反馈f f0-(2) RC串并联网络在2 RC时呈(A)感性| (B) | 阻性(3)通用型集成运放的输入级多采用。(A)共基接法(B)共集接法(C)共射接法(4)两个0相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为O(D)交流负反馈(C)容性(D)差分接法O(A) B(B)B2(C) 2B(D) 1+ B TOC o 1-5 h z (5)在(A)、 ( B)、( C)三种电路中输出电阻最小的电路是(B)既能放大电流，又能放大电压的电路是| (C) |。(A)共基放大电路(B)共集放大电路(C) 共射放大电路(6)

4、当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uCuB 凹 uE 。(A) | V(B)(C) =(D) &(7)硅二极管的正向导通压降比错二极管的。| 大(B)小(C) 相等(8)在正弦波振荡器中，放大器的主要作用是()。保证振荡器满足振幅平衡条件，能持续输出振荡信号证电路满足相位平衡条件(C)把外界的影响减弱(9)图1中能组成复合管的是 | (C) | ,其类型是 | (B) | 。(A、PNP B、NPN) TOC o 1-5 h z (10)甲乙类互补对称电路与乙类互补对称电路相比，主要优点是()。(A)输出功率大 (B)效率高| (C) |交越失真小(D)电路结构简单三.判断题(每题

5、2分，共30分)(1)在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。( X )(2)电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。(V)(3)使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。(X)(4)产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。(V)(5)利用两只 NPN型管构成的复合管只能等效为 NPN型管。(/)(6)本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。(V )(7)未加外部电压时，PN结中电流从 P区流向N区。( X )(8)集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。(V )(9)只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。(X )(10)直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。

6、( V )(11)稳定振荡器中晶体三极管的静态工作点，有利于提高频率稳定度。(V )(12)只要工作点合适，晶体管放大器就不会使输出信号的波形产生失真。(X )(13)同一放大电路，若要其增益增大，则其通频带宽度将减小。(V )(14)差动(差分)放大器的电压增益仅与其输出方式(单端或双端)有关，而与输入方式无关。(V )(15)为使输出电压稳定，稳压电源的输出电阻应愈大愈好。(X )四.简答题(每题5分，共15分)(1)简述放大电路的作用和本质。答：放大电路作用是把微弱的电信号(包括电压、电流、功率)增强到负载所需要数值。其本质是一种换能器, 它利用电子器件的控制作用，在输入信号的作用下，将

7、直流电源提供的功率转换成输出信号功率。(2)三极管导通的内部和外部条件是什么？答：内部导通条件：发射区浓度高，基区浓度低且薄，集电结面积大于发射结面积。外部导通条件：发射结正偏，集电结反偏。(3)理想集成运放的主要特点是什么？答：1.开环差模电压放大倍数Au00;2.输入电阻Rid8;3.输出电阻RO04.带宽BW* 转换速率SR*5.共模抑制比KCMR 8。五.计算题(每题5分，共10分)(1)在如图所示的电路中， 三极管的为50,设三极管的 U BE =0.7V , VCC=+i5V,Rb 475k , Rc 3k求电路的静态工作点 IBQ、ICQ、UCEQ o BQ CQ CEQ解：由电

8、路可知，静态工作点|bq VCC一UBE 15 0.7 30 ARb475集电极电流 ICQ IBQ 50 0.03 1.5mA CQ BQ三极管C、E间静态管压降UCEO Vc Ico ?R 15 1.5 3 10.5V CEQ CC CQ C(2)如图所示电路中，已知变压器次级电压u2 35 2Vcc=2X 13=26vIcm VRl=13/6=2.16 A【评分标准】5分；5分。3. 解： I。=U。/Rl=30/200=0.15 AId=0.5I。=0.5 X0.15=75mA Udrmf 722=72 U。/1.2=1.4 X 30/1.2=35v由RLC=(3- 5)T/2 取系数

9、为5,200C=5/2f= 5/2 义 50=0.05C=0.00025F=250f F【评分标准】8分；3分；5分。模拟电子技术期末考试试卷3一、填空题(25分，每空1分).在本征半导体中，是多子，由形成。在P型半导体中，是少子，由形成。.二极管的基本特性是 ,其反向电阻比正向电阻值 。当二极管两端加正向电 压时，其动态电阻随正向电流的增加而 。.共射电路中，三极管的交流电流放大作用体现在Ib的 变化可控制Ic、的变化，所以三极管是一个由 控制 的器件。它的三种工作状态分别是 .为了稳定静态工作点，在放大电路中应引入负反馈;若要稳定放大倍数、改善非线性失 真等性能，应引入 负反馈。.场效应管

10、是通过改变来改变漏极电流白1所以是一个 控制的器件。.LC振荡器从起振到稳幅，是利用三极管的 :使放大倍数,直至;而RC文氏电桥式振荡器是利用非线性元件的 发生变化，使放大电路中的 蹭大,从而使减小。二、选择题(18分，每小题2分).当负载电阻R= 1kQ时，电压放大电路输出电压比负载开路时输出电压减少20%该放大电路的输出电阻R。()；a. 0.25 k Q b.0 . 5 k Q C . 1 k Q d.1. 5k Q.二极管加正向电压时，其正向是由()。a：:多数载流子扩散形成b：多数载流子漂移形成c：少数载流子漂移形成 TOC o 1-5 h z .当晶体管工作在放大区时，（）。a.发

11、射结和集电结均反偏；b.发射结正偏，集电结反偏；c.发射结和集电结均正偏；.用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是Ui=2.8V ,U2=2.1V ,U3=7V ,那么此三极管是（）型三极管，Ui=2.8V的那个极是（），U2=2.1V的那个极是（），U3=7V的那个极是（）。a. NPN b. PNP c.发射极d .基极 e.集电极.在固定式偏置电路中，若偏置电阻 Rb的值增大了，则静态工作点 Q将（）。a.上移 b.下移 c.不动d.上下来回移动.在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W,则电路中功放管的集电极最大功耗约为（ ）。a . 1W b . 0.5W c .

12、 0.2W TOC o 1-5 h z .对于放大电路，所谓开环是指（）.a.无信号源b.无反馈通路 c.无电源.若桥式整流由两个二极管组成，负载流过电流Io,则每只整流管中电流 代为（），承受最高反向电压为（）。a. Io b. Io/2 c . IO4 d U e . Eh f . 2U.串联型稳压电路中的放大环节放大的对象是（）。a .基准电压b .取样电压c .基准电压与取样电压之差三、判断题（8分，每小题1分）.在分压式偏置电路中，B值的大小对放大器静态工作点Q无影响。（）.通常多级阻容耦合放大电路，若各级均采用共射电路，则电路的输出电压与输入电压总 是反向的。（）.振荡电路中只有正

13、反馈网络而没有负反馈网络。（）.一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。（）.在互不对称功率放大电路输入端所加的电源电压越大越好，则交越失真就越容易 消除。（）.若放大电路的负载固定，为使其电压放大倍数稳定，可以引入电压负反馈，也可以引入电流 负反馈。（）.共集电极（或共漏极）放大电路，由于Au &1,故没有反馈。（）.使用集成运算放大器器件来组成比例运算电路，这时可按比例运算关系任意选用电阻值。 （）四、分析判断题（8分）1.判断下图的反馈类型（8分，每小题4分）RrRr2.五、计算题（41分）Ic、I B、VCB1. （6 分）图中心、&、Rb1、Rb2、Rc、Ic、I

14、 B、VCB.电路如图（2）所示，设运山是理想的，试丑Rb1.如下图所示电踣为输出电压可加路，当 V.:VccV01, V02, V。的值。.电路如图（2）所示，设运山是理想的，试丑Rb1.如下图所示电踣为输出电压可加路，当 V.:VccV01, V02, V。的值。（8 分）Rc（510） mA：1（1）求R1的值;端 输出I向电流上1adj远加时Qb过Ri的最小电流iRmin为2V 0 （ 1 5 分）-4-VS4.电路从06.2K r时，求输出惮的调范围Rb2- Cb不,时，求喻出电压 Vo ；O已矢Vcc=v=15VJ|体管|Ti,T2的 B100,r bb=200QRC=R=6kQ

15、,RE=7.2k Q （12分）.二1 .估算Ti,T2管的静态工作点IcqVcEQ2.计算 Av尸VO/（V n -Vi2）,R id ,Rod模拟电子技术期末考试试卷 3 （参考答案）、填空题（25分，每空1分）1.自由电子掺杂自由电子1.自由电子掺杂自由电子本征激发2.单向导电性大 减小3.微小较大电流电流源3.微小较大电流电流源饱和状态放大状态截止状态4直流4直流交流5栅源电压电压电流源6.非线性性减小 6.非线性性减小 KF=1阻值 负反馈深度 放大倍数、选择题（18分，每小题2分）1.a2.a3.b4.a,d,c,e5.b6.b7.b8.b,e、选择题（18分，每小题2分）1.a2

16、.a3.b4.a,d,c,e5.b6.b7.b8.b,e9.C三、判断题（8分，每小题1分）1. X2.x3.x5.x6.V7.x 8.x四、分析判断题（1. X2.x3.x5.x6.V7.x 8.x四、分析判断题（8分）.判断下图的反馈类型（8分，每小题4分）.本级反馈：Rei：第一级的直流的电流串联负反馈Re2：第二级的交、直流的电流串联负反馈级间反馈：Ri、Cf ：交流的电流并联负反馈.本级反馈：第一级的电压串联负反馈第二级的电压并联负反馈级间反馈：电压并联负反馈【评分标准】每题4分五、计算题（41分）1. ( 6 分)解：IC 1 EVB / RE(Rb1Rb2Rb2)REVCC【评分

17、标准】过程6分;（8分）解：【评分标准】求得每个电压值得4分（13分）【评分标准】4分3分8分解： R1 3- 2- 240 120iRmin 5-10 VoT V31R1 R2可得当 R20 时，Vomax V31 V311.2VR1当 R2 6.2kQ 时，Vomax V31 200 1.2 36.63V R1210即输出电压的Vo的调节范围（1.2V 36.63V ）4.【评分标准】6分；6分；解：（1） I cFlmA,VE=9.7V Avd=-71.4,R id =5.6k Q,Rod=12kQ模拟电子技术期末考试试卷 4一、填空题：（28分，每空1分）1、BJT是 控制器件，FET

18、是 控制器件。2、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量， 若两次读数都为8,则此二极管:若两次读数都接近零，则此二极管 ;若读数一次很大，一次读数小，则此 二极管 o.简单的差分放大器双端输出时， 对信号有较强的抑制能力，而对信号有较强的放大作用。.差动放大电路两个输入端的电流分别是 2v和3v,则共模信号是 v,差模信号 为_V。05、要展得低频信号，可选用一振荡器；要获得高频信号可选用 振荡器。6、负反馈虽使放大电路的放大倍数 了，但其他的性能得到了改善：?7、射极输出器的重要特点是 ?口 o8、场效应管栅源间的输入电阻比晶体三极管基射间的输入电阻 。源极输出电路的 重要特点是, ?口

19、 o9、理想集成运放的条件是、? 和、选择题：（20分，每题2分）1、PN结反向向偏置时，其内电场被（C、不变D、不确定0C、不变D、不确定0B、发射极正偏，集电极反偏D、发射极反偏，集电极正偏2、三极管工作在饱和状态的条件是（ A、发射极正偏，集电极正偏C、发射极反偏，集电极反偏3、PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（ a：其反向电流增大 b:其反向电流减小c：其反向电流基本不变 TOC o 1-5 h z 4、稳压二极管是利用PN结的（）。a：单向导电性b:反向击穿性c：电容特性5、二极管的反向饱和电流在 20c时是5A,温度每升高10C,其反向饱和电流增大一 倍，当温度为40c

20、时，反向饱和电流值为（）。a： 10 b: 15pA c： 20 A d: 40 A6、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）A、反向偏置击穿状态C、正向偏置导通状态B、反向偏置未击穿状态D、正向偏置未导通状态Uce=6V 时。其电流放大系数B为（A B =100B、B =50C、B =150D B =258.当超过下列哪个参数时，三极管一定被击穿（）a.集电极最大允许功耗Pcm b.集电极最大允许电流C.集一基极反向击穿电压U （BR） CBO9、右图为单相桥式整流滤波电路，UB、反向偏置未击穿状态D、正向偏置未导通状态Uce=6V 时。其电流放大系数B为（A B =100B、B =50

21、C、B =150D B =258.当超过下列哪个参数时，三极管一定被击穿（）a.集电极最大允许功耗Pcm b.集电极最大允许电流C.集一基极反向击穿电压U （BR） CBO9、右图为单相桥式整流滤波电路，U为正旋波，其有效值为 其输出电压为28.28V,这是由于（）的结果。1*.1 0C16I CMNtU=20V, f=50Hz。若实际测得a.开路b.C的容量过小c.C的容量过大d.Rl开路10、在非线性失真中，饱和失真也称为（ a顶部失真 b底部失真 c双向失真 、判断题：（8分，每题1分）1、P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子自由电子。（）2、在三极管放大电路的三种基本组态中， 共

22、集电极放大电路带负载的能力最强。3、负反馈可以提高放大电路的放大倍数的稳定值。（）4、功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。（5、因为差动放大电路采用了直接耦合方式，故只能放大直流信号。6、多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽（7、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（）8、要稳定放大电路工作点，可以引入交流负反馈。（）四、判断下列各图中，哪些电路能进行正常的放大：（6分）2.VsRc五、综余题（3也1.已附回cc=12V,VccRb=100KQ,RW= Vcc3滑动变阻居的触点在中间位置物或型态地并画直流负载线R24-C = 4 K3 7 .5

23、(设 Ube = 0 ) (8 分) V。+V EEUiRl=6Q+V EEUiRl=6Q二 Vee十RbC11 CRbC12、一双电源互补对称电路如图题所示，设已知 Vcc=12 V, Rl = 6Q, vi为正弦波。求：（1）在BJT的饱和压降 Vces 可以忽略不计的条件下，负载上可能得到的最大输出功率Pom； （2）每个管子允许的管耗 Pcm至少应为多少？ （ 3）每 个管子的耐压|V（BR）CEO|应大于多少？ （ 10分）3、在图所示单相桥式整流电容滤波电路中，已知RL=40,3题图C=1000uF U2=20sinwtV,现用万用表测量输出直流电压，如果出现下列几种情况,试分析哪

24、个数据合理？那些不合理？会出现什么故障？ （10分）Uo=18V:Uo=28V:Uo=9V:Uo=24V:4、为了用低值电阻实现高电压增益的比例运算4、为了用低值电阻实现高电压增益的比例运算，常用一 T形网络以代替Rf,如图（4）所示，试证明（10分）模拟电子技术期末考试试卷4 （参考答案）一、填空题：（28分，每空1分）电流、电压开路内部短路正常共摸差摸1.5v、1vRC LC降低提高放大倍数的稳定性减小非线性失真展宽频带改善电路输入输出电阻电压跟随特性好输入电阻高输出电阻低大跟随性好输入电阻大输出电阻小开环增益无穷大差模输入电阻无穷大输出电阻为0 共模抑制比无穷大带宽无穷大二、选择题：（2

25、0分，每题2分）1、b, 2、a, 3、b, 4、c, 5、a, 6、a, 7、d, 8、c, 9、d, 10、C三、判断题：（8分，每题1分）1、V, 2、，3、X, 4、，5、X, 6、X, 7、V, 8、X四、1图：不能，2图：不能【评分标准】每个3分五、综合题（38分）.IB= UCC/ （Rb+200） = 40 N AIc= B IB=1.5m AUce= Ucc IcRc=6VIc( mA)80 VA60 VAQ40 VA.520 VAIB=00612 Uce (V)【评分标准】2分2分4分22.解（1）输出功率224.3WV V2CC (12/)24.3W(1) Rm - 2R

26、_ 2 16（2）每管允许的管耗（3）每管子的耐压【评分标准】（1）3分；（2） 3分；（3） 4分；.解：Uo=18V是以的0.9倍，说明电解C开路，不合理；Uo=28V是U2的峰值，说明负载R开路，不合理；U=9V是U2的0.45倍，说明电解C开路，同时至少又有一个二极管脱焊，不合理;U=24V是U的1.2倍，属于正常情况，合理。【评分标准】2.5分 2.5分2.5分2.5分.证明：由于Vsi.R iR2R2,得(R2飞 詈)Ri【评分标准】得出U的表达式给5分，最后证明出等式相等给5分共计10分模拟电子技术期末考试试卷 5填空题（共20分，每空1分）1、P型半导体中多数载流子为 ,少数载

27、流子为。2、用万用表检测二极管时，应将万用表的电阻挡置于 和 量程。3、三极管有 型和 型两种结构，三极管中集电区与基区之间的 PN结称为结，基区与发射区之间的PN结成为 结。4、三极管的输出特性曲线分为 区、区和 区。5、常用的级间耦合方式有 耦合、耦合和 耦合。6、集成运算放大器在线性应用时有 和 两个重要特点。7、实际应用中，要使电路建立起振荡，必须满足的起振条件是 。8、获取中小功率直流电源常用的途径是 、整流、和。二.选择题（共20分，每题2分） TOC o 1-5 h z 1、图中场效应管为（）A、增弓S型N沟道R增弓S型P沟道二G耗尽型N沟道hD耗尽型P沟道2、二极管两端加上正向

28、电压时（）A. 一定导通B .超过死区电压才能导通C.超过0.7伏才导通D .超过0.3伏才导通3、三极管处于饱和状态时，三极管的发射结和集电结分别处于（）A.发射结和集电结都处于正偏B.发射结处于正偏，集电结处于反偏C发射结处于反偏，集电结处于正偏D.发射结和集电结都处于反偏4、单相半波整流电路，若电源变压器次级电压U=100V,则负载电压UL将是（A.100VB.45VC.90VD.120V5、对三极管放大作用的实质，下面说法正确的是（）A.三极管可以把小能量放大成大能量B.三极管可以把小电流放大成大电流C.三极管可以把小电压放大成大电压D.三极管可用较小的电流控制较大的电流6、影响放大器

29、静态工作点稳定的最主要因素是（）A.温度的影响B.管子参数的变化C.电阻变值 D.管子老化7、场效应管是一种 器件,三极管是一种 器件（）A.两者都是电压控制B.两者都是电流控制C.前者为电压控制，后者为电流控制D.前者为电流控制，后者为电压控制8、正弦波振荡器中，选频网络的主要作用是（）。A.使振荡器产生一个单一频率的正弦波B.使振荡器输出较大的信号C.使振荡器有丰富的频率成分D.保证输出电压稳定且失真小9、正弦波振荡器中，选频网络的主要作用是（）。A,使振荡器产生一个单一频率的正弦波B.使振荡器输出较大的信号C.使振荡器有丰富的频率成分D.保证输出电压稳定且失真小10、稳压管工作在 状态下

30、，能够稳定电压。（）A.正向导通B.反向截止C.反向击穿D.任意三.判断正误（共10分，每题1分;正确的画，错误的画“X”）1、由于P型半导体中的多数载流子是空穴，所以 P型半导体带正电。（）2、三极管是由两个PN结组成的，所以可以用两个二极管连接组成一个三极管。（）3、有两个BJT,其中第一个管子的1=150,1 ceo1 =200 A,第二个管子的2=50,I CEO2=10 A,其他参数一样.由于1 2,因此第一个管子的性能优于第二个管子的性能。（）4、共集电极放大电路，由于Au &1,故没有反馈。（） TOC o 1-5 h z 5、画放大电路的交流通路的方法是将电容当成短路，直流电源

31、置零。（）6、固定偏置放大电路的静态工作点比分压式偏置放大电路的稳定。（）7、若放大电路白负载固定，为使其电压放大倍数稳定，可以引入电压负反馈，也可以引入电 流负反馈。（）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。（）9、加法运算电路可分为同相加法运算电路和反相加法运算电路两种。（）10、正弦波振荡电路中的反馈网络是正反馈。（）四、分析简答题（15分）1、判断下图的反馈类型，写出判断依据（10分）2、用相位平衡条件判断下图能否产生振荡（5分）五、计算题（35分）1、（10分）有两个三极管分别接在电路中，今测得它们的管脚的电位（对“地”）分别如下表所列：管脚1管脚123电位（V）43.49管脚123电位（V）-6-2.3-2三极管22、（15分）电路如图所示，已知：E=12V, R=10k , RB1=120k , RB2 =30k , R=3.3k , RE=1.7k , Rl =3.9k , Ube =0.7V,电流放大系数二50,电路中电容容量足够大，试求：（1）静态工作点1 BQ、1 CQ、U CEQ（2）晶体管的输入电阻 小（3）放大器的电压放大倍数 Au、输入电阻m和输出电阻ro + EC3、（10分）电路如图所示，A1和A2为理想运放，R=1K , R2=R4=