绝缘栅型场效应管

1、绝缘栅型场效应管之图解绝缘栅型场效应管之图解 绝缘栅型场效应管之图解绝缘栅型场效应管是一种利用半导体表 面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道 来控制漏极电流的器件，它的栅极与半导体之间 是绝缘的，其电阻大于1000000000 Q。增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟 道，在VDS作用下无iD。耗尽型：VGS=0时，漏 源之间有导电沟道，在VDS作用下iD。1.结构和符号（以N沟道增强型为例）在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度 较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖 二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。S G DNS G DN沟道箭义向里 衬底断开N沟道绝缘栅型场效应管结构动

2、画其他MOS管符号底底耗尽型S增强型sN沟道寸底g(j衬底耗尽型S增强型sP沟道2.工作原理(以N沟道增强型为例)s g ds g dLJLJPN结VGS=O 时，不管 VDS 极性如何,其中总有一个PN 结反偏，所以不存在导电沟 道。LJLJPN结VGS =0, ID =0VGS必须大于0 管子才能工作。ff肖-i|-is Vgs g dI lPN结PVGS0 时，在 Sio2 介 质中产生一个垂直于半导体 表面的电场，排斥P区多子 空穴而吸引少子电子。当VGS 达到一定值时P区表面将形成反型层把两侧的N 区沟通，形成导电沟道。VGS 0-g吸引电子-反型层-导电沟道 VGS ff反型层变厚

3、,VDS f-ID tI卜VgsPN结VGSNVT时而VDS较小时: VDS ID tVT：开启电压，在VDS作 用下开始导电时的VGS VT = VGS VDSN沟道增强型为例）3.特性曲线（以姑=（弋上 0 2N沟道增强型为例）3.特性曲线（以姑=（弋上 0 2是叼& = 2巧.时的/门值Ky场效应管的转移特性曲线动画预夹端轨迹:Vds =6VVgs =3VnIIii ir2 4 6 8 3 12F放；区|大；腿=5V区，i 我s=4V4.其它类型MOS管（1）N沟道耗尽型：制造时在栅极绝缘层中掺有大量的正离子，所以即使在VGS=0时，由于 正离子的作用，两个N区之间存在导电沟道（类 似结

4、型场效应管）。其它类型MOS管（2）P沟道增强型：VGS = 0时，ID = 0开 启电压小于零，所以只有当VGS 0时管子才能 工作。P沟道耗尽型：制造时在栅极绝缘层中 掺有大量的负离子，所以即使在VGS=0时，由 于负离子的作用，两个P区之间存在导电沟道 (类似结型场效应管)。5.场效应管的主要参数=i开启电压VT :在VDS为一固定数值时, 能产生ID所需要的最小|VGS |值。(增强)=i夹断电压VP ：在VDS为一固定数值时， 使ID对应一微小电流时的|VGS |值。(耗尽)饱和漏极电流IDSS :在VGS = 0时，管 子发生预夹断时的漏极电流。(耗尽)极间电容：漏源电容CDS约为01 1pF,栅源电容CGS和栅漏极电容CGD约为1 3pFo(5)低频跨导gm :表示VGS对iD的控制作 用。DS在转移特性曲线上，gm是曲线在某点上 的斜率，也可由