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施主杂质：受主杂质：本征半导体：1费米能级: 受主能级: 施主能级电子亲和能： n p 区 E 使p E 点的水平禁带宽度随着偏压的继续增大而短到一定量度是时 n . k. n p 相应增加。同样，p 结构是指金属-绝缘层-半导体结构。假若绝缘体层的厚度足够大，则基本上不导电，这时即为MIS 电容器；特二极管； 隧道二极管 n 100s 1cmkT=0.026eV(5 )v /s4100sv 104 / Vs 2E qD 200 /s 5.2 /s22p n n 14-30 = =2 n=9.6513-3npi (5 )9-3p p G0pn2 Ginp0分 分9.3110 210 210 cm5631106 N 的 n 16-3DW 在室温下 半导体介电常数 19-33Aunr =8.854q=1.6-19 -120 EcEN n Ncexp()FkTD0NcEcE kTln0.026lneVNFDWs (EcE )eVsF qV WmWs 5.204.181.02eVD对 n Wm rqN2 Vd ()0 D 2D2128.8510 1.02(21.610 103.710 (cm)5 N 的 n 型硅，由于光照产生了非平衡载流子n= 15-314

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