电工学半导体器件课件2

海南风光10.1半导体的基础知识，P型硅，N型硅10.2PN结及半导体二极管10.3稳压二极管10.4三极管第10章半导体器件中国矿业大学（北京）信息所海南风光10.1半导体的基础知识，P型硅，N型硅第10章1模拟电路：研究输出与输入信号之间的大小、相位、失真等方面的关系。

基本电路元件：晶体管、场效应管、集成运算放大器。

基本模拟电路：信号放大及运算（信号放大、功率放大）、信号处理（采样保持、电压比较、有源滤波）、信号发生（正弦波发生器、三角波发生器等）。研究方法：建立等效模型，近似计算。模拟电路：研究输出与输入信号之间的大小、相位、失真等方面的关210.1.1本征半导体现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。Si硅原子Ge锗原子§10.1半导体的基本知识10.1.1本征半导体现代电子学中，用的最多的半导体是硅和3硅和锗的共价键结构共价键共用电子对+4+4+4+4+4表示除去价电子后的原子完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为本征半导体。本征半导体的导电能力很弱。硅和锗的共价键结构共价键共+4+4+4+4+4表示除去价电子410.1.2杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。N型半导体（主要载流子为电子，电子半导体）P型半导体（主要载流子为空穴，空穴半导体）10.1.2杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会5N型半导体多余电子磷原子硅原子+N型硅表示SiPSiSi硅或锗+少量磷N型半导体N型半导体多余电子磷原子硅原子+N型硅表示SiPSiSi硅或6空穴P型半导体硼原子P型硅表示SiSiSiB硅原子空穴被认为带一个单位的正电荷，并且可以移动硅或锗+少量硼P型半导体空穴P型半导体硼原子P型硅表示SiSiSiB硅原子空穴被认为7杂质半导体的示意表示法－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P型半导体++++++++++++++++++++++++N型半导体杂质半导体的示意表示法－－－－－－－－－－－－－－－－－－－810.2.1PN结的形成在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN结。§10.2PN结及半导体二极管10.2.1PN结的形成在同一片半导体基片上，分别制造P9P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场E漂移运动空间电荷区PN结处载流子的运动P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N10扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。漂移运动P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场EPN结处载流子的运动内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。漂移运动P11漂移运动P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场EPN结处载流子的运动所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。漂移运动P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－1210.2.2PN结的单向导电性

PN结加上正向电压、正向偏置的意思都是：P区加正、N区加负电压。

PN结加上反向电压、反向偏置的意思都是：P区加负、N区加正电压。10.2.2PN结的单向导电性PN结加上正向电压、正向偏13PN结正向偏置－－－－++++内电场减弱，使扩散加强，扩散飘移，正向电流大空间电荷区变薄PN+_正向电流PN结正向偏置－－－－++++内电场减弱，使扩散加强，空间电14PN结反向偏置－－－－++++空间电荷区变厚NP+_++++－－－－内电场加强，使扩散停止，有少量飘移，反向电流很小反向饱和电流很小，A级PN结反向偏置－－－－++++空间电荷区变厚NP+_++++1510.2.3半导体二极管(1)、基本结构PN结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。PNPN符号阳极阴极10.2.3半导体二极管(1)、基本结构PN结加上管壳和引16(2)、伏安特性UI导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。反向击穿电压U(BR)死区电压硅管0.5V,锗管0.2V。UIE+-反向漏电流（很小，A级）(2)、伏安特性UI导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管017（3）静态电阻Rd，动态电阻rDUQIQUS+-R静态工作点Q（UQ，IQ）（3）静态电阻Rd，动态电阻rDUQIQUS+-R静态工18（3）静态电阻Rd，动态电阻rD静态电阻：Rd=UQ/IQ

（非线性）动态电阻：

rD=UQ/

IQ在工作点Q附近，动态电阻近似为线性，故动态电阻又称为微变等效电阻iuIQUQQIQUQ（3）静态电阻Rd，动态电阻rD静态电阻：Rd=UQ/19例1：二极管：死区电压=0.5V，正向压降

＝0.7V(硅二极管)

理想二极管：死区电压=0，正向压降=0RLuiuOuiuott二极管半波整流例1：二极管：死区电压=0.5V，正向压降RLuiuOui20例2：二极管的应用(设RC时间常数很小）RRLuiuRuotttuiuRuoC例2：二极管的应用(设RC时间常数很小）RRLuiuRuot211.电路分析例1：求VDD=10V时，二极管的电流ID、电压VD

值。解1：正向偏置时：管压降为0，电阻也为0。反向偏置时：电流为0，电阻为∞。解2：返回1.电路分析例1：求VDD=10V时，二极管的电流ID、22VRVmvit0Vi>VR时，二极管导通，vo=vi。Vi<VR时，二极管截止，vo=VR。例2：理想二极管电路中

vi=VmsinωtV，求输出波形v0。解：返回VRVmvit0Vi>VR时，二极管导通，vo=vi。Vi23利用二极管的单向导电性可作为电子开关vI1vI2二极管工作状态D1D2v00V0V导通导通导通截止截止导通截止截止0V5V5V0V5V5V0V0V0V5V例3：求vI1和vI2不同值组合时的v0值（二极管为理想模型）。解：返回利用二极管的单向导电性可作为电子开关vI1vI2二极24两个二极管的阴极接在一起取B点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。V1阳

=－6V，V2阳=0V，V1阴

=V2阴=－12VUD1=6V，UD2=12V∵

UD2>UD1

∴D2优先导通，D1截止。若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB

=0V例4:电路如左图D1承受反向电压为－6V流过D2

的电流为求：UAB

在这里，D2起钳位作用，D1起隔离作用。BD16V12V3kAD2UAB+–返回两个二极管的阴极接在一起V1阳=－6V，V2阳=0V，25例5：求(1).vI=0V,vI=4V,vI=6V时，输出v0的值。(2).Vi=6sinωtV时，输出v0的波形。解：(1).

vI=4V时，D导通。vI=0V时，D截止。v0=vI

vI=6V时，D导通。(2).Vi=6sinωtV（理想模型）

3Vvit06V返回例5：求(1).vI=0V,vI=4V,vI=6V时，输出26例6：理想二极管电路中vi=VmsinωtV，求输出波形v0。V1vit0VmV2Vi>V1时，D1导通、D2截止，Vo=V1。Vi<V2时，D2导通、D1截止，Vo=V2。V2<Vi<V1时，D1、D2均截止，Vo=Vi。返回例6：理想二极管电路中vi=VmsinωtV，求输27例3：

例7：二极管限幅电路:已知电路的输入波形为vi,二极管的VD为0.6伏，试画出其输出波形。解：Vi>3.6V时，二极管导通，vo=3.6V。Vi<3.6V时，二极管截止，vo=Vi。返回例3：例7：二极管限幅电路:已知电路的输入波形为vi28§10.3稳压二极管IZmax稳压二极管符号UIUZIZ稳压二极管特性曲线IZmin当稳压二极管工作在反向击穿状态下,当工作电流IZ在Izmax和

Izmin之间时,其两端电压近似为常数正向同二极管稳定电流稳定电压§10.3稳压二极管IZmax稳压二极管符号UIUZIZ稳29例：稳压二极管的应用RLuiuORDZiiziLUZ稳压二极管技术数据为：稳压值UZW=10V，Izmax=12mA，Izmin=2mA，负载电阻RL=2k，输入电压ui=12V，限流电阻R=200。若负载电阻变化范围为1.5k~4k，是否还能稳压？例：稳压二极管的应用RLuiuORDZiiziLUZ稳压二极30RLuiuORDZiiziLUZUZW=10Vui=12VR=200Izmax=12mAIzmin=2mARL=2k(1.5k~4k)iL=uo/RL=UZ/RL=10/2=5（mA）i=（ui-UZ）/R=（12-10）/0.2=10（mA）

iZ=i-iL=10-5=5（mA）RL=1.5k,iL=10/1.5=6.7（mA）,iZ=10-6.7=3.3（mA）RL=4k,iL=10/4=2.5（mA）,iZ=10-2.5=7.5（mA）负载变化,但iZ仍在12mA和2mA之间,所以稳压管仍能起稳压作用RLuiuORDZiiziLUZUZW=10V31§10.4半导体三极管10.4.1基本结构BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型§10.4半导体三极管10.4.1基本结构BECNNP基32BECNPN型三极管BECPNP型三极管三极管符号NPNCBEPNPCBEBECNPN型三极管BECPNP型三极管三极管符号NCBEP33BECNNP基极发射极集电极基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大发射区：掺杂浓度较高BECNNP基极发射极集电极基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面34发射结集电结BECNNP基极发射极集电极+++++++++++++__________________________+++++++++++++发射结集电结BECNNP基极发射极集电极+++++3510.4.2电流放大原理BECNNPEBRBEc发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。IE1进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB，多数扩散到集电结。IB＋＋＋－＋－－－＋＋＋＋－－－－10.4.2电流放大原理BECNNPEBRBEc发射结正偏36BECNNPEBRBEcIE从基区扩散来的电子漂移进入集电结而被收集，形成IC。IC2ICIB要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。＋＋＋－＋－－－＋＋＋＋－－－－BECNNPEBRBEcIE从基区扩散来的电子漂移进入集电结37静态电流放大倍数静态电流放大倍数，动态电流放大倍数=IC/

IBIC=IB动态电流放大倍数IB：IB+IBIC：IC+IC=IC/

IB一般认为：==，近似为一常数，值范围：20~100IC=

IB静态电流放大倍数静态电流放大倍数，动态电流放大倍数=I3810.4.3特性曲线ICmAAVVUCEUBERBIBUSCUSB

实验线路(共发射极接法)CBERC10.4.3特性曲线ICmAAVVUCEUBERBIBU39IB

与UBE的关系曲线（同二极管）（1）输入特性IB(A)UBE(V)204060800.40.8UCE1V

死区电压，硅管0.5V工作压降：硅管UBE0.7VIB与UBE的关系曲线（同二极管）（1）输入特性IB(40（2）输出特性(IC与UCE的关系曲线)IC(mA)1234UCE(V)3691240A60AQQ’=IC/

IB=2mA/40A=50=IC/

IB

=(3-2)mA/(60-40)A=50=IC/

IB=3mA/60A=50（2）输出特性(IC与UCE的关系曲线)IC(mA)1241输出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=IB,且

IC=

IB

。此区域称为线性放大区。此区域中UCEUBE,集电结正偏，IB>IC，UCE0.3V称为饱和区。此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死区电压,，称为截止区。输出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=42输出特性三个区域的特点:(1)放大区

IC=IB,且

IC=

IB

，BE结正偏，BC结反偏(2)饱和区

IC达饱和，IC与IB不是倍的关系，IB>IC

。BE结正偏，BC结正偏，即UCEUBE

（UCE0.3V

，UBE0.7V）

(3)截止区

UBE<死区电压，IB=0，IC=ICEO0（ICEO穿透电流，很小，A

级）

输出特性三个区域的特点:(1)放大区(2)饱和区(3)43例：

=50，USC=12V，

RB=70k，RC=6k

当USB=-2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？USB=-2V，IB=0，IC=0，Q位于截止区

USB=2V，IB=(USB-UBE)/RB=(2-0.7)/70=0.019mAIC=IB=500.019=0.95mA<

ICS=2mA

，Q位于放大区

IC最大饱和电流ICS=(USC-UCE)/RC=(12-0)/6=2mA

ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBE例：=50，USC=12V，USB=-2V，IB44ICUCEIBUSCRBUSBCBERC

=50，USC=12V，

RB=70k，RC=6k

当USB=-2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？USB=5V，IB=(USB-UBE)/RB=(5-0.7)/70=0.061mAIC=IB=500.061=3.05mA>

ICS=2mA

，Q位于饱和区(实际上，此时IC和IB已不是的关系）ICUCEIBUSCRBUSBCBERC=50，USC45三极管的技术数据：（自学）（1）电流放大倍数（2）集-射间穿透电流ICEO（3）集-射间反向击穿电压UCEO(BR)（4）集电极最大电流ICM（5）集电极最大允许功耗PCM三极管的技术数据：（自学）46海南风光10.1半导体的基础知识，P型硅，N型硅10.2PN结及半导体二极管10.3稳压二极管10.4三极管第10章半导体器件中国矿业大学（北京）信息所海南风光10.1半导体的基础知识，P型硅，N型硅第10章47模拟电路：研究输出与输入信号之间的大小、相位、失真等方面的关系。

基本电路元件：晶体管、场效应管、集成运算放大器。

基本模拟电路：信号放大及运算（信号放大、功率放大）、信号处理（采样保持、电压比较、有源滤波）、信号发生（正弦波发生器、三角波发生器等）。研究方法：建立等效模型，近似计算。模拟电路：研究输出与输入信号之间的大小、相位、失真等方面的关4810.1.1本征半导体现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。Si硅原子Ge锗原子§10.1半导体的基本知识10.1.1本征半导体现代电子学中，用的最多的半导体是硅和49硅和锗的共价键结构共价键共用电子对+4+4+4+4+4表示除去价电子后的原子完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为本征半导体。本征半导体的导电能力很弱。硅和锗的共价键结构共价键共+4+4+4+4+4表示除去价电子5010.1.2杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。N型半导体（主要载流子为电子，电子半导体）P型半导体（主要载流子为空穴，空穴半导体）10.1.2杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会51N型半导体多余电子磷原子硅原子+N型硅表示SiPSiSi硅或锗+少量磷N型半导体N型半导体多余电子磷原子硅原子+N型硅表示SiPSiSi硅或52空穴P型半导体硼原子P型硅表示SiSiSiB硅原子空穴被认为带一个单位的正电荷，并且可以移动硅或锗+少量硼P型半导体空穴P型半导体硼原子P型硅表示SiSiSiB硅原子空穴被认为53杂质半导体的示意表示法－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P型半导体++++++++++++++++++++++++N型半导体杂质半导体的示意表示法－－－－－－－－－－－－－－－－－－－5410.2.1PN结的形成在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN结。§10.2PN结及半导体二极管10.2.1PN结的形成在同一片半导体基片上，分别制造P55P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场E漂移运动空间电荷区PN结处载流子的运动P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N56扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。漂移运动P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场EPN结处载流子的运动内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。漂移运动P57漂移运动P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场EPN结处载流子的运动所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。漂移运动P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－5810.2.2PN结的单向导电性

PN结加上正向电压、正向偏置的意思都是：P区加正、N区加负电压。

PN结加上反向电压、反向偏置的意思都是：P区加负、N区加正电压。10.2.2PN结的单向导电性PN结加上正向电压、正向偏59PN结正向偏置－－－－++++内电场减弱，使扩散加强，扩散飘移，正向电流大空间电荷区变薄PN+_正向电流PN结正向偏置－－－－++++内电场减弱，使扩散加强，空间电60PN结反向偏置－－－－++++空间电荷区变厚NP+_++++－－－－内电场加强，使扩散停止，有少量飘移，反向电流很小反向饱和电流很小，A级PN结反向偏置－－－－++++空间电荷区变厚NP+_++++6110.2.3半导体二极管(1)、基本结构PN结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。PNPN符号阳极阴极10.2.3半导体二极管(1)、基本结构PN结加上管壳和引62(2)、伏安特性UI导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。反向击穿电压U(BR)死区电压硅管0.5V,锗管0.2V。UIE+-反向漏电流（很小，A级）(2)、伏安特性UI导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管063（3）静态电阻Rd，动态电阻rDUQIQUS+-R静态工作点Q（UQ，IQ）（3）静态电阻Rd，动态电阻rDUQIQUS+-R静态工64（3）静态电阻Rd，动态电阻rD静态电阻：Rd=UQ/IQ

（非线性）动态电阻：

rD=UQ/

IQ在工作点Q附近，动态电阻近似为线性，故动态电阻又称为微变等效电阻iuIQUQQIQUQ（3）静态电阻Rd，动态电阻rD静态电阻：Rd=UQ/65例1：二极管：死区电压=0.5V，正向压降

＝0.7V(硅二极管)

理想二极管：死区电压=0，正向压降=0RLuiuOuiuott二极管半波整流例1：二极管：死区电压=0.5V，正向压降RLuiuOui66例2：二极管的应用(设RC时间常数很小）RRLuiuRuotttuiuRuoC例2：二极管的应用(设RC时间常数很小）RRLuiuRuot671.电路分析例1：求VDD=10V时，二极管的电流ID、电压VD

值。解1：正向偏置时：管压降为0，电阻也为0。反向偏置时：电流为0，电阻为∞。解2：返回1.电路分析例1：求VDD=10V时，二极管的电流ID、68VRVmvit0Vi>VR时，二极管导通，vo=vi。Vi<VR时，二极管截止，vo=VR。例2：理想二极管电路中

vi=VmsinωtV，求输出波形v0。解：返回VRVmvit0Vi>VR时，二极管导通，vo=vi。Vi69利用二极管的单向导电性可作为电子开关vI1vI2二极管工作状态D1D2v00V0V导通导通导通截止截止导通截止截止0V5V5V0V5V5V0V0V0V5V例3：求vI1和vI2不同值组合时的v0值（二极管为理想模型）。解：返回利用二极管的单向导电性可作为电子开关vI1vI2二极70两个二极管的阴极接在一起取B点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。V1阳

=－6V，V2阳=0V，V1阴

=V2阴=－12VUD1=6V，UD2=12V∵

UD2>UD1

∴D2优先导通，D1截止。若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB

=0V例4:电路如左图D1承受反向电压为－6V流过D2

的电流为求：UAB

在这里，D2起钳位作用，D1起隔离作用。BD16V12V3kAD2UAB+–返回两个二极管的阴极接在一起V1阳=－6V，V2阳=0V，71例5：求(1).vI=0V,vI=4V,vI=6V时，输出v0的值。(2).Vi=6sinωtV时，输出v0的波形。解：(1).

vI=4V时，D导通。vI=0V时，D截止。v0=vI

vI=6V时，D导通。(2).Vi=6sinωtV（理想模型）

3Vvit06V返回例5：求(1).vI=0V,vI=4V,vI=6V时，输出72例6：理想二极管电路中vi=VmsinωtV，求输出波形v0。V1vit0VmV2Vi>V1时，D1导通、D2截止，Vo=V1。Vi<V2时，D2导通、D1截止，Vo=V2。V2<Vi<V1时，D1、D2均截止，Vo=Vi。返回例6：理想二极管电路中vi=VmsinωtV，求输73例3：

例7：二极管限幅电路:已知电路的输入波形为vi,二极管的VD为0.6伏，试画出其输出波形。解：Vi>3.6V时，二极管导通，vo=3.6V。Vi<3.6V时，二极管截止，vo=Vi。返回例3：例7：二极管限幅电路:已知电路的输入波形为vi74§10.3稳压二极管IZmax稳压二极管符号UIUZIZ稳压二极管特性曲线IZmin当稳压二极管工作在反向击穿状态下,当工作电流IZ在Izmax和

Izmin之间时,其两端电压近似为常数正向同二极管稳定电流稳定电压§10.3稳压二极管IZmax稳压二极管符号UIUZIZ稳75例：稳压二极管的应用RLuiuORDZiiziLUZ稳压二极管技术数据为：稳压值UZW=10V，Izmax=12mA，Izmin=2mA，负载电阻RL=2k，输入电压ui=12V，限流电阻R=200。若负载电阻变化范围为1.5k~4k，是否还能稳压？例：稳压二极管的应用RLuiuORDZiiziLUZ稳压二极76RLuiuORDZiiziLUZUZW=10Vui=12VR=200Izmax=12mAIzmin=2mARL=2k(1.5k~4k)iL=uo/RL=UZ/RL=10/2=5（mA）i=（ui-UZ）/R=（12-10）/0.2=10（mA）

iZ=i-iL=10-5=5（mA）RL=1.5k,iL=10/1.5=6.7（mA）,iZ=10-6.7=3.3（mA）RL=4k,iL=10/4=2.5（mA）,iZ=10-2.5=7.5（mA）负载变化,但iZ仍在12mA和2mA之间,所以稳压管仍能起稳压作用RLuiuORDZiiziLUZUZW=10V77§10.4半导体三极管10.4.1基本结构BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型§10.4半导体三极管10.4.1基本结构BECNNP基78BECNPN型三极管BECPNP型三极管三极管符号NPNCBEPNPCBEBECNPN型三极管BECPNP型三极管三极管符号NCBEP79BECNNP基极发射极集电极基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大发射区：掺杂浓度较高BECNNP基极发射极集电极基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面80发射结集电结BECNNP基极发射极集电极+++++++++++++__________________________+++++++++++++发射结集电结BECNNP基极发射极集电极+++++8110.4.2电流放大原理BECNNPEBRBEc发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。IE1进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB，多数扩散到集电结。IB＋＋＋－＋－－－＋＋＋＋－－－－10.4.2电流放大原理BECNNPEBRBEc发射结正偏82BECNNPEBRBEcIE从基区扩散来的电子漂移进入集电结而被收集，形成IC。IC2ICIB要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。＋＋＋－＋－－－＋＋＋＋－－－－BECNNPEBRBEcIE从基区扩散来的电子漂移进入集电结83静态电流放大倍数静态电流放大倍数，动态电流放大倍数=IC/

IBIC=IB动态电流放大倍数IB：IB+IBIC：IC+IC=IC/

IB一般认为：==，近似为一常数，值范围：20~100IC=

IB静态电流放大倍数静态电流放大倍数，动态电流放大倍数=I8410.4.3特性曲线ICmAAVVUCEUBERBIBUSCUSB

实验线路(共发射极接法)CBERC10.4.3特性曲线ICmAAVVUCEUBERBIBU85IB

与UBE的关系曲线（同二极管）（1）输入特性IB(A)UBE(V)204060800.40.8UCE1V

死区电压，硅管0.5V工作压降：硅管UBE0.7VIB与UBE的关系曲线（同二极管）（1）输入特性IB(86（2）输出特性(IC与UCE的关系曲线)IC(mA)