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二极管的结构及类型1.2.1二极管的结构和类型1.2半导体二极管将PN结加上相应的电极引线和管壳，就成为半导体二极管。P区对应的称为阳极（或正极），N区对应的称为阴极（或负极）。二极管的常见外形阳极阴极结构符号类型按材料分：硅二极管和锗二极管按结构分：点接触型和面接触型按用途分：发光管、整流管、稳压管等按功率分：按封装分：金属封装、塑料封装等大功率管、小功率管引线外壳线触丝线基片点接触型PN结面接触型1.2.2二极管的伏安特性硅二极管和锗二极管的伏安特性。其中实线部分为硅管特性。1、正向特性

当正偏电压很小时，正向电流很小，这时二极管实际上没有导通，呈现很大的电阻，这部分正向特性称为死区。只有当正向电压达到一定值（这个值称为死区电压）后，正向电流按指数规律增大，二极管处于导通状态。室温下，硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.1V。

二极管导通后曲线陡直，表明二极管导通时呈现电阻很小，电流变化范围很大，而其两端电压变化很小。二极管充分导通时的两端电压称为导通电压，硅管的导通电压约为0.6～0.7V，锗管的导通电压约为0.2～0.3V。2、反向特性

反向电压在相当大的变化范围内，反向电流数值很小，管子处于反偏截止状态，呈现电阻很大，且当环境温度不变时，反向电流几乎不变，该电流称为二极管的反向饱和电流。通常小功率硅管的反向饱和电流约为10-3～10-10μA,而锗管的约为1～10-2μA。当温度升高时，反向饱和电流的数值增大。

3、反向击穿特性

当二极管的反向电压增大到一定值后，其反向电流会急剧增大，发生二极管的反向击穿现象，发生击穿时的电压称为反向击穿电压（用UBR表示）。只要采取限流措施，就能保证二极管的电击穿不会变成热击穿而损坏。

由于二极管内部实质上是PN结，所以它的特性对温度很敏感。当温度升高时，扩散运动加强，正向电流增大；此时本征激发的少子数目迅速增加，所以反向电流剧增。在室温附近，温度每升高1℃，正向压降减小2～2.5mV

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