《微电子学专业实验》教学大纲new

第第7页共7页《微电子学专业实验》教学大纲new《微电子学专业实验》教学大纲一、课程的教学目标与任务EDAEDA的能力。EDA际动手操作以及师生讨论的形式实施。二、本课程与其它课程的联系和分工本课程是在学习了《模拟电子技术》、《数字电路与逻辑设计》、《半导体物理》、《半导体器件物理》、《半导体集成电路》、《微电子制造技术》和《电路计算机辅助设计》等理论课程后实施的一门面向微电子学专业的重要实践课程。三、课程内容及基本要求EDAEDA9设计实验部分以上机为主。要求学生掌握半导体材料特性与微电子技术工艺参数测试方PSPICE、TannerEDA半导体材料特性与微电子技术工艺参数测试分析实验部分：(一)半导体材料电阻率的四探针法测量(1学时)具体内容：测试给定的三块不同规格半导体材料样品电阻EXCEL和处理，画出电阻率波动图。最后试用热探针判别材料导电类型。1.基本要求（1）掌握四探针法测量半导体材料电阻率和薄层材料电阻的测试原理及方法；（2）了解热探针判别材料导电类型的机理和方法。重点、难点重点：样品的电阻率、方块电阻、标准差、不均匀度测量和计算；难点：EXCELMOSV(1C-VX-Y常温、BT1MOSC-V分析结果。1.基本要求掌握C-VX-Y掌握SiO2带电压等相关概念。2.重点、难点重点：MOSC-V计算样品的杂质分布。MOSC-VC-VPN(1具体内容：使用金相显微镜，显示采用磨角法处理并染色的PN1要求PN了解PN范。2.重点、难点重点：PNPN试。3.说明：学习并掌握PN结结深显示及其测试方法。(四)椭偏法测量薄膜♘度(1学时)SiO2及折射率，并对实验结果进行分析和讨论。1.基本要求（1）掌握光的偏振法测量薄膜厚度的测试原理；（2）椭圆偏振仪的使用方法。重点、难点SiO2仪的工作原理与测量技巧。SiO2EDAPSPICE(2ORCAD9.2PSPICE分析。根据分析和模拟结果修改并确定电路结构，给出电路参数。1.基本要求掌握ORCAD9.2PSPICE22.重点、难点重点：对单极共射极放大电路进行参数设置和直流、交流、瞬态分析；难点：参数设置和分析程序设定。3.ORCAD9.2共栅级放大器设计(2Tanner括原理图、网表、版图等，并对所设计的电路进行仿真、调试。Au?100CL?50pFfL?20HzfH?200KHz。1.基本要求（1）掌握TannerS-edit（2）掌TannerTSPICE（3）TannerL-edit2.重点、难点重点：共源共栅极放大电路原图设计、版图设计；难点：共源共栅极放大电路设计和设计规则理解。3.说明：学习Tanner软件的使用方法和功能。(三)差分放大器设计(2学时)Tanner图、网表、版图等，并对所设计的电路进行仿真、调试。放大倍Au?100RL?10KfL?20Hz，上限频率fH?200KHz。1.基本要求（1）掌握TannerS-edit（2）掌TannerTSPICE（3）TannerL-edit2.重点、难点重点：差分放大电路原图设计、版图设计；难点：差分放大电路设计和设计规则理解。3.说明：学习Tanner软件的使用方法和功能。(四)运算放大器设计(4学时)Tanner图、网表、版图等，并对所设计的电路进行仿真、调试。放大倍Au?110RL?10KfL?20Hz，上限频率fH?200KHz。31.基本要求（1）掌握TannerS-edit（2）掌TannerTSPICE（3）TannerL-edit2.重点、难点重点：运算放大电路原图设计、版图设计；难点：运算放大电路设计和设计规则理解。3.说明：学习Tanner软件的使用方法和功能。(五)数字集成电路版图提取与方向设计(4学时)PNCMOS集成电路单元版图的电路反向提取、整理和结构优化；基本要求并将结果标注在整理完成的电路上；间的逻辑波形图，写出逻辑关系（布尔代数表达式）重点、难点重点：集成电路版图提取；难点：数字集成电路单元功能分析。Tanner四、教学安排及方式总学时18/2学时，实验18/2学时，上机18/2学时。教学环节教学时数