PCB电镀化铜专题培训课件

PCB电镀-化铜PCB电镀-化铜1

Contents1.线路板的结构及技术要求2.线路板线路形成工艺介绍3.线路板曝光工艺4.线路板显影/蚀刻/去膜工艺5.PCB化铜工艺介绍6.PCB电镀工艺介绍Contents1.线路板的结构及技术要求2.线路板线路形2

1.Build-up层线宽2.Build-up层线距3.Core层线宽4.Core层线距5.盲孔孔径6.盲孔内层孔环7.盲孔外层孔环8.通孔孔径9.通孔孔环10.Build-up层厚度11.Core层厚度多层PCB的结构1.Build-up层线宽7.盲孔外层孔环多层PCB的结构3

PCB类别最小线宽/线距最小孔径孔位精度曝光对位精度DesktopPC100/100μm0.25mm±125μm≥±50μmNotebook75/75μm0.20mm盲孔120μm±75μm≥±30μmMobile(HDI/FPC)50/50μm0.15mm盲孔100μm±75μm≥±25μmBGA25/25μm盲孔75μm±50μm±15μmFlipChip12/12μm盲孔50μm±20μm±10μm印刷电路板各种产品的技术规格要求PCB类别最小线宽/线距最小孔径孔位精度曝光对位精度Des4

1.TentingProcess（干膜盖孔法）适用于PCB、FPC、HDI等

量产最小线宽/线距35/35μm2.Semi-AddictiveProcess（半加成法）适用于WBSubstrate、FlipChipSubstrate量产最小线宽/线距12/12μm3.ModifiedSemi-AddictiveProcess（改良型半加成法）适用于CSP、WBSubstrate、FlipChipSubstrate量产最小线宽/线距25/25μm线路形成工艺的种类及应用范围1.TentingProcess（干膜盖孔法）线路形成5

TentingProcess（干膜盖孔法）介绍:普通PCB、HDI、FPC及SubstrateCore层等产品，使用的基材为FR-4（难燃性环氧树脂覆铜板）、RCC（涂覆树脂覆铜板）、FCCL（柔性基材覆铜板）等材料。RCC：FCCL：FR-4：线路形成工艺的种类及应用范围TentingProcess（干膜盖孔法）介绍:普通P6

SAP（半加成法）与MSAP（改良型半加成法）介绍SAP与MSAP工艺采用Build-up工艺制作。其中SAP的主要材料为ABF（AjinomotoBuild-upFilm）和液态树脂；MSAP工艺的主要材料为超薄铜覆铜板（基材为BT、FR-5等，铜厚≤5μm）ABF材料BUM液态树脂覆铜板线路形成工艺的种类及应用范围SAP（半加成法）与MSAP（改良型半加成法）介绍SAP7

盖孔法干膜前处理······压膜曝光显影蚀刻去膜化学沉铜······干膜前处理压膜曝光显影镀铜化学清洗去膜闪蚀············减薄铜蚀刻······干膜前处理压膜曝光显影镀铜化学清洗去膜闪蚀······SAPMSAP线路形成工艺的种类及应用范围盖孔法干膜前处理······压膜曝光显影蚀刻去膜8

TentingProcess（干膜盖孔法）介绍前处理压膜曝光显影蚀刻去膜目的：清洁铜面，粗化铜面，增加干膜与铜面的结合力目的：将感光干膜贴附在铜面上目的：将设计的影像图形通过UV光转移到PCB的干膜上目的：将设计的影像图形通过UV光转移到PCB的干膜上目的：将没有覆盖干膜的铜面去除目的：将铜面残留的干膜去除线路形成工艺的种类及应用范围TentingProcess（干膜盖孔法）介绍前处理压9SAP（半加成法）与MSAP（改良型半加成法）介绍SAP与MSAP工艺的区别是，SAP的基材上面是没有铜层覆盖的，在制作线路前需在线路表面沉积一层化学铜（约1.5μm），然后进行显影等工艺；MSAP基材表面有厚度为3~5μm厚度的电解铜，制作线路前需用化学药水将铜层厚度咬蚀到2μm。目的:将可感光的干膜贴附于铜面上目的:将设计之影像图形,转移至基板的干膜上目的:将没有曝到光之干膜去除目的:将化铜层蚀刻掉目的:将多余的干膜去除目的:将显影后之线路镀满线路形成工艺的种类及应用范围SAP（半加成法）与MSAP（改良型半加成法）介绍SAP10PCB电镀化铜专题培训课件11ABF熟化后的膜厚约在30～70μm之间，薄板者以30～40μm较常用一般双面CO2雷射完工的2～4mil烧孔，其孔形都可呈现良好的倒锥状。无铜面之全板除胶渣(Desmearing)后，其全板面与孔壁均可形成极为粗糙的外观，化学铜之后对细线路干膜的附着力将有帮助。雷射成孔及全板面式除胶渣ABF熟化后的膜厚约在30～70μm之间，薄板者以30～4012PCB电镀化铜专题培训课件13覆晶载板除胶渣的动作与一般PCB并无太大差异，仍然是预先膨松(Swelling)、七价锰(Mn+7)溶胶与中和还原(Reducing)等三步。不同者是一般PCB只处理通孔或盲孔的孔壁区域，但覆晶载板除了盲孔之孔壁外，还要对全板的ABF表面进行整体性的膨松咬蚀，为的是让1μm厚的化铜层在外观上更形粗糙，而令干膜光阻与电镀铜在大面积细线作业中取得更好的附着力。覆晶载板除胶渣的动作14ABF表面完成0.3-0.5μm化学铜之后即可进行干膜光阻的压贴，随后进行曝光与显像而取得众多线路与大量盲孔的镀铜基地，以便进行线路镀铜与盲孔填铜。ABF表面完成0.3-0.5μm化学铜之后即可进行干膜光阻的15咬掉部份化铜后完成线路完成填充盲孔与增厚线路的镀铜工序后，即可剥除光阻而直接进行全面性蚀该。此时板面上非线路绝缘区的化学铜很容易蚀除，于是在不分青红皂白全面铳蚀下，线路的镀铜当然也会有所消磨但还不致伤及大雅。所呈现的细线不但肩部更为圆滑连底部多余的残足也都消失无踪，品质反倒更好！此等一视同仁通面全咬的蚀该法特称为DifferentialEtching。咬掉部份化铜后完成线路完成填充盲孔与增厚线路的镀铜工序后，即16此六图均为SAP3＋2＋3切片图；左上为1mil细线与内核板之50倍整体画面。中上为200倍明场偏光画面，右上为暗场1000倍的呈现，其黑化层清楚可见。左下为1000倍常规画面，中下为200倍的暗场真像。右下为3000倍ABF的暗场画面，底垫为1/3oz铜箔与厚电镀铜，铜箔底部之黄铜层以及盲孔左右之活化钯层与化铜层均清晰可见。此六图均为SAP3＋2＋3切片图；左上为1mil细线与内核17传统的PTHPTH孔金属化传统的PTHPTH孔金属化18工艺流程–

功能去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG

溶胀 使树脂易被高锰酸盐蚀刻攻击

高锰酸盐蚀刻 去除钻污和树脂

还原 除去降解产物和清洁/处理表面.

(清洁/

蚀刻玻璃）只有三个工艺步骤:溶胀还原高锰酸盐蚀刻工艺流程–去钻污–SecuriganthP/P5019去钻污前（去毛刺后）各种

类型PCB的状态通孔和微盲孔中的钻污铜箔树脂内层多层RCC/FR-4板裸树脂板RCC箔内层底盘玻璃纤维钻污钻污芯

钻污

钻污FR-4SAP膜去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLGSBU–SequentialBuild-upTechnology去钻污前（去毛刺后）各种类型PCB的状态铜箔树脂内层多层20工艺流程–溶胀使树脂易受高锰酸盐蚀刻液的最佳攻击并保障环氧树脂(Tg<150°C)表面的微观粗糙度溶胀去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG工艺流程–使树脂易受高锰酸盐蚀刻液的最佳攻击并保障环氧树脂21溶胀–通孔和微盲孔中溶胀之后的钻污溶胀之后溶胀剂去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG溶胀–溶胀之后溶胀剂去钻污–SecuriganthP22溶胀–溶胀之前(0秒)去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG溶胀–去钻污–SecuriganthP/P500/23溶胀–溶胀150秒之后去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG溶胀–去钻污–SecuriganthP/P500/M24溶胀–溶胀240秒之后去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG溶胀–去钻污–SecuriganthP/P500/25工艺流程–碱性高锰酸盐蚀刻高锰酸盐蚀刻溶液除去内层（铜）表面的钻污，清洁孔壁并且粗化(Tg<150°C)的环氧树脂之表面去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG碱性高锰酸盐蚀刻工艺流程–高锰酸盐蚀刻溶液除去内层（铜）表面的钻污，清洁26高锰酸盐蚀刻之后高锰酸盐蚀刻–蚀刻通孔和微盲孔的表面CH4+12MnO4-+14OH-

CO32-+12MnO42-+9H2O+O22MnO42-

+2H2OMnO2+OH-+O2去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLGMnO4-高锰酸盐蚀刻之后高锰酸盐蚀刻–CH4+12MnO4-27高锰酸盐蚀刻–溶胀之后–不经过蚀刻去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG高锰酸盐蚀刻–去钻污–SecuriganthP/P528高锰酸盐蚀刻–150秒蚀刻之后去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG高锰酸盐蚀刻–去钻污–SecuriganthP/P529高锰酸盐蚀刻–240秒蚀刻之后去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG高锰酸盐蚀刻–去钻污–SecuriganthP/P530去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG环氧树脂(未经固化) BisphenolA Epichlorhydrin高锰酸盐攻击环氧树脂分子中的极性官能团.不含极性官能团的高分子化合物不能被去钻污.高锰酸盐蚀刻–攻击环氧树脂去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BL31去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG标准FR-4(<150°C)高-Tg(>150°C)300x300x2000x2000x非均相

交联均相

交联去钻污高锰酸盐蚀刻–去钻污的结果去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BL32高锰酸盐蚀刻–还原还原剂能还原/除去二氧化锰残留并对玻璃纤维进行前处理以期最佳（沉铜）的覆盖.如有需要，玻璃纤维可被玻璃蚀刻添加剂同时清洁与蚀刻.还原去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG高锰酸盐蚀刻–还原剂能还原/除去二氧化锰残留并对玻璃纤维进33还原–清洁后的通孔与微盲孔表面还原之后Mn4++2e-

Mn2+

H2O2

2H++2e-+O2Conditioner去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLGH2O2/NH2OHNH2OH2H++2H2O+2e-+N2还原–还原之后Mn4++2e-Mn2+H2O34PTH前不同类型的PCB板

–去钻污后的通孔以及微盲孔表面经过去钻污处理后多层板FR-4覆铜板树脂内层传统的PTH内层钻盘FR-4板裸树脂板PTH前不同类型的PCB板–经过去钻污处理后多层板FR-435钻孔之后200x1000x通孔–钻孔之后去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG钻孔之后200x1000x通孔–去钻污–Securi36通孔–去钻污之后去钻污之后200x1000x去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG通孔–去钻污之后200x1000x去钻污–Secur37AjinomotoBareLaminate–Ajinomoto裸树脂板去钻污之前去钻污之前1000x5000x去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLGAjinomotoBareLaminate–Ajin38AjinomotoBareLaminate–Ajinomoto裸树脂板去钻污之后去钻污之后1000x5000x去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLGAjinomotoBareLaminate–Ajin39AjinomotoBareLaminate–Ajinomoto裸树脂板去钻污之前去钻污之前1000x2000x去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLGAjinomotoBareLaminate–Ajin40AjinomotoBareLaminate–Ajinomoto裸树脂板钻污之后1000x2000x去钻污之后去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLGAjinomotoBareLaminate–Ajin41钻孔之后1300x3000x激光钻成的微盲孔–钻孔之后去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG钻孔之后1300x3000x激光钻成的微盲孔–去钻污42去钻污之后1100x2700x激光钻成的微盲孔–去钻污之后去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG去钻污之后1100x2700x激光钻成的微盲孔–去钻污43钻孔之前1000x1000xRCC技术–激光钻成的–

去钻污之前去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG钻孔之前1000x1000xRCC技术–激光钻成的–44去钻污之后1000x1000xRCC技术–激光钻孔

–去钻污之后去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG去钻污之后1000x1000xRCC技术–激光钻孔–45工艺流程-特征&优点溶胀高锰酸盐蚀刻还原

简短的流程–只须3步

快速和有效的去钻污

体系内再生高锰酸盐（延长槽液寿命)

极好的玻璃处理性能

最高质量的去钻污

无害于环境(交少的有机物)

应用于微盲孔具有最好的润湿性

去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG工艺流程-溶胀高锰酸盐还原简短的流程–只须3步去46*可选工艺流程

–垂直沉铜

应用清洁预浸活化微蚀清洁调整*还原传统的PTH化学沉铜垂直优点：均匀致密的化学铜沉积优异的结合力（不起泡）稳定的槽液使用寿命沉积速率稳定，适用于通孔和盲孔的生产制程55214414...20时间[分]*可选工艺流程–清洁预浸活化微蚀清洁调整*还原传统的47工艺流程

–清洁

&调整清洁剂确保孔内表面达到最佳的表面清洁状态，以便保证有良好的化学铜结合力清洁传统的PTH工艺流程–清洁剂确保孔内表面达到最佳的表面清洁状态，以便48清洁/调整

–树脂表面和铜表面的前处理经过清洁剂/调整剂处理后传统的PTH清洁/调整–经过清洁剂/调整剂处理后传统的PTH49工艺流程

–清洁

&调整如果去钻污工序中没有调整步骤,必须附加一个额外的调整剂或在使用一些特殊的材料如：PTFE聚四氟乙烯,PI聚酰亚胺)时清洁调整传统的PTH去钻污调整

!工艺流程–如果去钻污工序中没有调整步骤,必须附加一个额外50清洁调整

–玻璃表面的前处理调整剂经过清洁调整剂处理后传统的PTH清洁调整–调整剂经过清洁调整剂处理后传统的PTH51调整

–表面前处理调整只有当表面清洁时，玻璃纤维的调整才会起作用来避免可能破坏连接机制的副效应!最好的调整性能

在碱性高锰酸盐去钻污后的还原步骤中调整剂产品

还原清洁剂SecuriganthP(速效普通的双氧水体系的还原剂，添加了调整剂成分)还原清洁剂SecuriganthP500(有机体系的还原剂，添加了调整剂成分)注意：若没有经过调整，化学铜后的背光效果会比较差

!传统的PTH调整–调整最好的调整性能调整剂产品注意：若没有经过调整，52调整

–机理-树脂玻璃

纤维调整剂分子(表面活性剂–Tenside)部分带负电荷经过调整后的玻璃表面经过去钻污后的玻璃表面---------均匀的，有机的，荷电表面

部分带正电荷++++++++++++++传统的PTH调整–-树脂玻璃

纤维调整剂分子部分带负电荷经过调整后的53调整

–机理

/OH/OH/OH|||–O–Si–O–Si–O–Si–O–|||O O O|||NNn调整剂的碳链(部分带正电荷)玻璃纤维

的分子模型(部分带负电)传统的PTH⊕调整–/OH/OH54工艺流程

–微蚀清洁铜的蚀刻及粗化是为了化学铜-内层铜之间有良好的结合效果。

微蚀清洁剂Securiagnth

过硫酸盐体系通常的微蚀清洁剂基于过硫酸钠（SPS）适用于各种技术

微蚀清洁剂SecuriganthC微蚀清洁剂是为特殊的表面性能而设计的。微蚀清洁传统的PTH工艺流程–铜的蚀刻及粗化是为了化学铜-内层铜之间有良好的55微蚀清洁–蚀刻及粗化铜表面SPS:Cu+S2O82-

Cu2++2SO42-经过微蚀清洁后传统的PTH微蚀清洁–SPS:Cu+S2O82-Cu2+56经过去钻污处理后微蚀清洁–清洁及粗化铜表面200x1000x玻璃颗粒传统的PTH经过去钻污处理后微蚀清洁–200x1000x玻璃颗粒传统的57微蚀清洁–过硫酸钠的机理铜的反应

(氧化反应)

S2O82- +2H++2e-

2HSO4-

过硫酸根反应

(还原反应)S2O82-+2H+ +Cu0

Cu2++2HSO4-

Cu0

Cu2++2e-

铜溶解反应

(氧化还原反应)Na2S2O8+H2SO4+Cu0

CuSO4+2NaHSO4

传统的PTH微蚀清洁–铜的反应(氧化反应)S2O858表面结构形貌

–微蚀清洁剂Securiganth过硫酸钠

(SPS)传统的PTH经过刷板后的铜表面

经过微蚀清洁剂Securiganth

过硫酸钠处理之后的铜表面.(150g/lSPS,25ml/lH2SO450%w/w,35°C,1.5分).

表面结构形貌–传统的PTH经过刷板后的铜表面经过微蚀59微蚀清洁

–微蚀清洁剂SecuriganthC的机理铜的反应

(氧化反应)HSO5- +2H++2e-

HSO4-+H2O微蚀清洁剂

SecuriganthC的反应(还原反应)HSO5-+2H+ +Cu0

Cu2++HSO4-+H2OCu0

Cu2++2e-

铜溶解反应(氧化还原反应)KHSO5+H2SO4+Cu0

CuSO4+KHSO4+H2O传统的PTH微蚀清洁–铜的反应(氧化反应)HSO5- +2H+60表面微观形貌

–微蚀清洁剂SecuriganthC经过刷板后的铜表面.(50g/lSecuriganthEtchCleanerC,

50ml/lH2SO450%w/w,35°C,1.5min)传统的PTH经过微蚀清洁剂

SecuriganthC处理后的表面表面微观形貌–经过刷板后的铜表面.(50g/lSe61工艺流程

–活化/催化预浸是用来避免前工序的药液污染活化。

预浸Neoganth系列

预浸药液是为离子钯而设计的

预浸

传统的PTH工艺流程–预浸是用来避免前工序的药液污染活化。 预浸62工艺流程

–活化/催化离子钯（或胶体钯）主要吸附于树脂表面,以及经过调整过的玻璃纤维。使孔壁吸附一层钯金属导电层，以便于后续的化学铜工序。

活化

传统的PTH

催化Neoganth/PallacatCatalyst系列离子钯的催化剂/胶体钯Pd-Sn催化溶液

是为普通的基材设计的催化剂工艺流程–离子钯（或胶体钯）主要吸附于树脂表面,以及经过63活化/催化

–通孔及盲孔表面的活化经过活化处理后传统的PTH活化/催化–经过活化处理后传统的PTH64特征及优点

–NeoganthActivator系列

vs.胶体钯系列

(BlackSeeder)传统的PTH特征及优点–传统的PTH65胶体催化剂–胶体的组成（BlackSeeder)传统的PTHPdCl2+SnCl2

Pdx[Sn(OH)]y+

•yCl-+SnO(OH)2

H2O/H+

胶体催化剂–传统的PTHPdCl2+SnCl2P66钯的吸附

–调整过的表面NeoganthActivator系列的化学反应ActivatorNeoganth系列Pd2+

做为

PdSO4,和有机络合剂 O |–Si–O(-) | O玻璃树脂Pd的吸附:

树脂

>玻璃

>铜 O |–C–O | O(2+)Pdn(2+)PdnN(+)Nn传统的PTH钯的吸附–调整过的表面ActivatorNeogant67钯的吸附

–调整过的表面胶体钯系列的化学反应

(BlackSeeder)胶体钯催化剂系列

Pd2+asPdCl2,andSnCl2

作为胶体种子r O |–Si–O(-) | OGlassResinPd的吸附:

树脂

>玻璃

>铜 O |–C–O | ON(+)Nn传统的PTH(2+)Pdn钯的吸附–调整过的表面胶体钯催化剂系列Pd2+a68特征及优点

–NeoganthActivator系列

vs.胶体钯

(BlackSeeder)ActivatorNeoganthPd2+络合的低聚合物及随后的还原剂优优优低无无Pd2+,pH=alkaline化学溶液能力覆盖性能

玻璃

树脂铜面上钯的损耗铜面的残留对基材的腐蚀可监控性胶体钯催化剂Pd/Sn胶体及随后的速化剂(Sn络合剂)对氧化剂敏感(Sn2+

Sn4+)优优中等可能可能Pd,Sn2+,Sn4+,Cu,pH=0传统的PTH特征及优点–ActivatorNeoganth胶体钯催69工艺流程

–还原经过活化后，ReducerNeoganth将吸附的离子钯还原为金属钯，使之能够在随后的化学铜工艺中起催化的作用。速化剂系列

溶解/去除保护胶体的锡络合层，使金属钯暴露出来。还原剂传统的PTH工艺流程–经过活化后，ReducerNeoganth将70还原–还原的钯种在表面上经过还原处理后传统的PTH还原–经过还原处理后传统的PTH71钯还原-NeoganthReducerWA化学反应

–Dimethylaminoborane(DMAB)[Pd2+-L]+2e-Pd0+L阴极反应氧化还原反应[Pd2+-L]+(CH3)2-NH-BH3+3H2O

Pd0+(CH3)2-NH+H3BO3+2H++L+2H2阳极反应(CH3)2-NH-BH3+3H2O

(CH3)2-NH+H3BO3+2e-+2H++2H2传统的PTH钯还原-NeoganthReducerWA[Pd2+72工艺流程

–化学铜钯（氢）激活自催化化学铜反应，使铜沉积在经过活化/催化的表面。化学铜传统的PTH工艺流程–钯（氢）激活自催化化学铜反应，使铜沉积在经过活73化学铜沉积

–通孔及盲孔的沉积经过化学铜沉积后的表面传统的PTH化学铜沉积–经过化学铜沉积后的表面传统的PTH74化学铜沉积

–主反应反应I:[Cu-L]2++2HCHO+4OH-Cu0+2HCOO-+2H2O+H2+L反应

II:[Cu-L]2++HCHO+3OH-Cu0+HCOO-+2H2O+L传统的PTH化学铜沉积–反应I:[Cu-L]2++2HCHO75化学铜沉积

–阴极反应

2Cu2++2OH-Cu2O+H2O阴极反应:Cu2O+H2O

Cu0+Cu2++2OH-Cu2++2e-Cu0[Cu-L]2++2e-Cu0+L传统的PTH化学铜沉积–2Cu2++2OH-Cu2O76化学铜沉积

–反应

I阳极反应

I:HCHO+3OH-

HCOO-+2H2O+2e-

[Cu-L]2++2e-Cu0+L阴极反应:[Cu-L]2++HCHO+3OH-Cu0+HCOO-+2H2O+L反应

I:传统的PTH化学铜沉积–阳极反应I:HCHO+3OH-77化学铜沉积

–副反应甲醛的氧化反应:2HCHO+2OH-

2H2C(OH)O-

2H2C(OH)O-

+2OH-

2HCOO-+H2+2H2O+e-2HCHO+4OH-

2HCOO-+2H2O+H2+2e-

阳极反应

II:catCatalyst:Pd(H2)/Cu传统的PTH化学铜沉积–甲醛的氧化反应:2HCHO+2OH-78化学铜沉积

–反应

II阳极反应II:2HCHO+4OH-

2HCOO-+2H2O+H2+2e-

[Cu-L]2++2e-Cu0+L阴极反应:[Cu-L]2++2HCHO+4OH-Cu0+2HCOO-+2H2O+H2+L反应

II:传统的PTH化学铜沉积–阳极反应II:2HCHO+4OH-79化学铜沉积

–副反应Cannizzaro:2HCHO+NaOHCH3OH+HCOONaCO2+2NaOH

Na2CO3+H2OCarbonization:HCOONa+NaOH

Na2CO3+H2catCatalyst:Pd/Cu传统的PTH化学铜沉积–Cannizzaro:2HCHO+Na80ControllomatA440–自动主/从添加探针

光学测量

安全方便

温度修正

控制添加泵进行自动补加LogTIoffIoutTI0传统的PTH化学反应

固定的组成消耗比例

在化学铜沉积期间.

主添加

铜的消耗

附从添加

NaOH,甲醛

和络合剂的消耗ControllomatA440–探针LogTIo81滴定

–自动滴定分析仪传统的PTHPhoenixPHXMonitoringSystem与一日本公司有合作

滴定–传统的PTHPhoenix82滴定

–自动滴定分析仪滴定

化学测量

持久分析

控制添加泵进行自动补加传统的PTH化学反应

根据产品的浓度分别进行补加.

单独补加

铜,NaOH,甲醛

和络合剂滴定–滴定传统的PTH化学反应83工艺流程

–电镀铜在导电层上进行电镀以加厚通孔的厚度

酸铜溶液

(直流可溶阳极)

e.g.CupracidFP

酸铜溶液

(直流，不溶阳极)

e.g.CupraspeedIN

脉冲电镀铜溶液

(不溶阳极)

e.g.CuprapulseS4电镀铜传统的PTH工艺流程–在导电层上进行电镀以加厚通孔的厚度 酸铜溶液84电镀铜

-通孔和盲孔的电镀经过电镀铜后Cu2++2e-

Cu0传统的PTH电镀铜-经过电镀铜后Cu2++2e-Cu0传统85

极少量的钯吸附在铜表面

适用于各种工艺

可适用于水平或垂直的应用

工作范围宽

使用可生物降解的络合剂，废水处理更容易

高速中等厚度的化学铜经济特点及优点

–化学铜传统的PTH 极少量的钯吸附在铜表面经济特点及优点–传统的PTH86

使用离子钯体系

可利用胶体钯做为活化系统

能达到最高的可靠性指标

适用于大多数的基材

可靠性高

较好的调整-活化/催化系统

无“起泡”

药液易于监控及自动补加技术特点及优点

–化学铜传统的PTH 使用离子钯体系技术特点及优点–传统的PTH87环保

使用酒石酸盐的可生物降解的化学铜药液

使用不含汞/氰化物的稳定剂特征及优点

–化学铜传统的PTH环保特征及优点–传统的PTH88酸铜电镀工艺全板电镀和图形电镀流程介绍

电镀铜前处理和电镀铜槽介绍酸铜电镀工艺全板电镀和图形电镀流程介绍电镀铜前处理和电镀铜89电镀前处理清洁剂介绍图形电镀前处理采用酸性清洁剂(PH0-5)

绝大部分清洁剂没有微蚀作用清洁剂作用：去除铜表面的氧化去除钝化中和，酸化和湿润孔壁和干膜边缘，清洁，去除残留物调整干膜侧壁，预防干膜析出介绍90电镀前处理微蚀

微蚀的目的和作用微蚀粗化铜表面，加强铜－铜结合力去除铜表面的残留物和氧化物，避免污染电镀铜槽

微蚀药水介绍硫酸:10-50ml/lH2SO4氧化剂：

双氧水

H2O2过硫酸钠Na2S2O8电镀前处理微蚀91电镀前处理微蚀技术基础介绍空气搅拌有利于铜表面和孔内均匀的微蚀效果，但不利于硫酸双氧水体系通常微蚀量控制0.5-1.0µm/min.铜离子浓度决定槽寿命，当铜离子浓度超标时，建议新配槽：

过硫酸钠体系铜离子《20g/l,

双氧水体系铜离子《30g/l影响微蚀量的因素：•

氧化剂的浓度•

硫酸的浓度•

铜离子浓度•

槽液温度•

铜的晶体结构•

空气搅拌技术基础介绍92电镀前处理酸浸酸浸的目的和作用酸浸是电镀铜前很重要的步骤酸浸在电镀板面产生均匀的扩散层,确保电镀时板面处于相同游离态条件下快速的起镀。

去除铜面的氧化保护电镀铜槽免受污染活化和湿润铜表面，消除极化点，预防电镀表面缺陷配槽浓度：10％v/vPCB电镀化铜专题培训课件93酸铜电镀酸铜电镀94垂直镀铜电镀反应传统垂直电镀铜阳极：Cu0

Cu2++2e-阳极区间铜溶解阴极：Cu2++2e-Cu0

阴极区间铜沉积到线路板上传统垂直电镀铜95电镀铜药水介绍电镀铜槽液主要含：硫酸铜，硫酸，氯离子，光亮剂，载运剂，整平剂。电镀铜槽各要素的作用电镀铜药水电镀铜槽各要素的作用96电镀铜药水介绍

硫酸铜(CuSO4*5H2O):五水硫酸铜和阳极铜作为电镀的金属来源电镀铜药水97电镀铜药水介绍硫酸

(H2SO4):作为硫酸体系的电镀铜，硫酸起导电作用。电镀铜药水98电镀铜药水介绍氯离子(Cl-):氯离子对阳极均匀腐蚀起很重要的作用。氯离子是光亮剂和载运剂的媒介。电镀铜药水99电镀铜药水电镀时没有添加剂电镀铜药水电镀时没有添加剂100电镀铜药水电镀时没有添加剂电镀铜延展性类似于化学铜的沉积，仅约2－3％电镀铜层有很高的抗拉强度>50mN/cm2电镀铜药水电镀时没有添加剂101电镀铜药水载运剂的作用电镀铜药水载运剂的作用102电镀铜药水载运剂的作用载运剂形成的极化层控制光亮剂，整平剂和氯离子

形成最佳的铜还原环境。部分载运剂能调整铜表面并改善湿润性。电镀铜表面比只有光亮剂电镀时稍光亮些，并且整平的效果有改善。安美特电镀添加剂载运剂作为整平剂的一部分，是在阳极和阴极区间形成均匀极化层的必要成分。电镀铜药水载运剂的作用103电镀铜药水整平剂的作用整平剂和光亮剂协同作用，使电镀铜沉积光亮并象镜子反光一样。整平剂带正电，在阴极线路板上高电流区阻碍铜沉积。电镀铜药水整平剂的作用104电镀铜药水光亮剂作用

和载运剂，氯离子共同作用使得电镀铜沉积光亮如镜.光亮剂又称电镀加速剂，催化剂。光亮剂加速转化:Cu2+

Cu+Cu0光亮剂确保电镀铜层有好的延展性。电镀铜药水光亮剂作用105电镀铜药水光亮剂的作用和载运剂，氯离子共同作用使得电镀铜沉积光亮如镜.光亮剂又称电镀加速剂，催化剂。光亮剂加速转化:Cu2+

Cu+Cu0光亮剂确保电镀铜层有好的延展性。电镀铜药水光亮剂的作用106镀铜流程阳极和阴极有效电镀面积计算阳极和阴极有效电镀面积计算

阳极的电流密度在0.3~2.0ASD之间镀铜流程阳极和阴极有效电镀面积计算107镀铜流程---CVS分析添加剂浓度CVS分析电镀添加剂浓度光亮剂浓度采用MLAT分析方法整平剂浓度采用DT分析方法镀铜流程CVS分析电镀添加剂浓度108深镀能力延展性和抗拉强度

电镀铜分布热冲击酸铜电镀常规测试酸铜电镀常规测试109镀铜流程---通孔电镀深镀能力测量方法介绍

通孔电镀，最小深镀能力和IPC平均电镀灌孔能力测量计算方法如下：方法1方法2最小深镀能力MinTP%平均电镀灌孔能力AveTP%镀铜流程---110镀铜流程---盲孔电镀深镀能力测量方法介绍

盲孔电镀，深镀能力计算如下：镀铜流程---111镀铜流程---通孔深镀能力的影响因素

介绍

通孔深镀能力的影响因素如下:镀铜流程---112深镀能力参数示例－标准配槽镀铜流程---介绍深镀能力参数示例－标准配槽113线路板类型:板厚2.4mm孔径0.30mm板厚/孔径：

8/1电镀参数:15ASF100min深镀能力MinTP%:90.9%

镀铜流程---

深镀能力－厚板电镀药水CupracidTP

CupracidTP线路板类型:电镀参数:

镀铜流程---

深镀能力－厚板电镀114线路板类型:板厚4.5mm孔径0.30mm板厚/孔径:15/1电镀参数:15ASF100min深镀能力MinTP%:70%

镀铜流程---

深镀能力－厚板电镀药水CupracidTP

CupracidTP线路板类型:电镀参数:

镀铜流程---

深镀能力－厚板电镀115镀铜流程---

深镀能力－厚板电镀药水CupracidTP

高深镀能力药水的优点药水和普通电镀药水对比深镀能力

板厚2.4mm，孔径0.3mm对比发现：电镀效率提高，铜球耗量减少，成本降低很多。镀铜流程---

深镀能力－厚板电镀药水CupracidT116镀铜流程---延展性和抗拉强度测试

电镀铜需要具有足够的延展性和抗拉强度。测试条件:

通常我们制作延展性和抗拉强度的流程如下:•

药水浓度在控制范围•选择抛光过的表面没有刮痕的不锈钢板•槽液充分活化，以1.5ASD电镀

铜厚度50-60um（一次性）•取下所需铜皮，烘烤120-130度4-6小时,测试延展性和抗拉强度。镀铜流程---117镀铜流程－晶体结构和物理性能标准浓度的光亮剂和整平剂•少量twins•晶体结构尺寸:2-5µm•延展性:>18%•抗拉强度:>28KN/cm2镀铜流程－118镀铜流程－晶体结构和物理性能高电流密度区太多的有机污染:•晶体结构（晶界）有异常•晶体尺寸:<1-3µm•延展性:~3%•抗拉强度:~30KN/cm2镀铜流程－119镀铜流程----电镀铜均匀性测试

•电镀铜均匀性主要由设备的设计决定。•有机添加剂和其他药水浓度对分布仅仅起次要的作用。因此，在新线开始时将电镀均匀性调整和优化好是非常重要的。•通常电镀均匀性以COV%

计算,此外在有些厂也以R值来计算。镀铜流程----120

谢

谢 ！PCB电镀化铜专题培训课件121PCB电镀-化铜PCB电镀-化铜122

Contents1.线路板的结构及技术要求2.线路板线路形成工艺介绍3.线路板曝光工艺4.线路板显影/蚀刻/去膜工艺5.PCB化铜工艺介绍6.PCB电镀工艺介绍Contents1.线路板的结构及技术要求2.线路板线路形123

1.Build-up层线宽2.Build-up层线距3.Core层线宽4.Core层线距5.盲孔孔径6.盲孔内层孔环7.盲孔外层孔环8.通孔孔径9.通孔孔环10.Build-up层厚度11.Core层厚度多层PCB的结构1.Build-up层线宽7.盲孔外层孔环多层PCB的结构124

PCB类别最小线宽/线距最小孔径孔位精度曝光对位精度DesktopPC100/100μm0.25mm±125μm≥±50μmNotebook75/75μm0.20mm盲孔120μm±75μm≥±30μmMobile(HDI/FPC)50/50μm0.15mm盲孔100μm±75μm≥±25μmBGA25/25μm盲孔75μm±50μm±15μmFlipChip12/12μm盲孔50μm±20μm±10μm印刷电路板各种产品的技术规格要求PCB类别最小线宽/线距最小孔径孔位精度曝光对位精度Des125

1.TentingProcess（干膜盖孔法）适用于PCB、FPC、HDI等

量产最小线宽/线距35/35μm2.Semi-AddictiveProcess（半加成法）适用于WBSubstrate、FlipChipSubstrate量产最小线宽/线距12/12μm3.ModifiedSemi-AddictiveProcess（改良型半加成法）适用于CSP、WBSubstrate、FlipChipSubstrate量产最小线宽/线距25/25μm线路形成工艺的种类及应用范围1.TentingProcess（干膜盖孔法）线路形成126

TentingProcess（干膜盖孔法）介绍:普通PCB、HDI、FPC及SubstrateCore层等产品，使用的基材为FR-4（难燃性环氧树脂覆铜板）、RCC（涂覆树脂覆铜板）、FCCL（柔性基材覆铜板）等材料。RCC：FCCL：FR-4：线路形成工艺的种类及应用范围TentingProcess（干膜盖孔法）介绍:普通P127

SAP（半加成法）与MSAP（改良型半加成法）介绍SAP与MSAP工艺采用Build-up工艺制作。其中SAP的主要材料为ABF（AjinomotoBuild-upFilm）和液态树脂；MSAP工艺的主要材料为超薄铜覆铜板（基材为BT、FR-5等，铜厚≤5μm）ABF材料BUM液态树脂覆铜板线路形成工艺的种类及应用范围SAP（半加成法）与MSAP（改良型半加成法）介绍SAP128

盖孔法干膜前处理······压膜曝光显影蚀刻去膜化学沉铜······干膜前处理压膜曝光显影镀铜化学清洗去膜闪蚀············减薄铜蚀刻······干膜前处理压膜曝光显影镀铜化学清洗去膜闪蚀······SAPMSAP线路形成工艺的种类及应用范围盖孔法干膜前处理······压膜曝光显影蚀刻去膜129

TentingProcess（干膜盖孔法）介绍前处理压膜曝光显影蚀刻去膜目的：清洁铜面，粗化铜面，增加干膜与铜面的结合力目的：将感光干膜贴附在铜面上目的：将设计的影像图形通过UV光转移到PCB的干膜上目的：将设计的影像图形通过UV光转移到PCB的干膜上目的：将没有覆盖干膜的铜面去除目的：将铜面残留的干膜去除线路形成工艺的种类及应用范围TentingProcess（干膜盖孔法）介绍前处理压130SAP（半加成法）与MSAP（改良型半加成法）介绍SAP与MSAP工艺的区别是，SAP的基材上面是没有铜层覆盖的，在制作线路前需在线路表面沉积一层化学铜（约1.5μm），然后进行显影等工艺；MSAP基材表面有厚度为3~5μm厚度的电解铜，制作线路前需用化学药水将铜层厚度咬蚀到2μm。目的:将可感光的干膜贴附于铜面上目的:将设计之影像图形,转移至基板的干膜上目的:将没有曝到光之干膜去除目的:将化铜层蚀刻掉目的:将多余的干膜去除目的:将显影后之线路镀满线路形成工艺的种类及应用范围SAP（半加成法）与MSAP（改良型半加成法）介绍SAP131PCB电镀化铜专题培训课件132ABF熟化后的膜厚约在30～70μm之间，薄板者以30～40μm较常用一般双面CO2雷射完工的2～4mil烧孔，其孔形都可呈现良好的倒锥状。无铜面之全板除胶渣(Desmearing)后，其全板面与孔壁均可形成极为粗糙的外观，化学铜之后对细线路干膜的附着力将有帮助。雷射成孔及全板面式除胶渣ABF熟化后的膜厚约在30～70μm之间，薄板者以30～40133PCB电镀化铜专题培训课件134覆晶载板除胶渣的动作与一般PCB并无太大差异，仍然是预先膨松(Swelling)、七价锰(Mn+7)溶胶与中和还原(Reducing)等三步。不同者是一般PCB只处理通孔或盲孔的孔壁区域，但覆晶载板除了盲孔之孔壁外，还要对全板的ABF表面进行整体性的膨松咬蚀，为的是让1μm厚的化铜层在外观上更形粗糙，而令干膜光阻与电镀铜在大面积细线作业中取得更好的附着力。覆晶载板除胶渣的动作135ABF表面完成0.3-0.5μm化学铜之后即可进行干膜光阻的压贴，随后进行曝光与显像而取得众多线路与大量盲孔的镀铜基地，以便进行线路镀铜与盲孔填铜。ABF表面完成0.3-0.5μm化学铜之后即可进行干膜光阻的136咬掉部份化铜后完成线路完成填充盲孔与增厚线路的镀铜工序后，即可剥除光阻而直接进行全面性蚀该。此时板面上非线路绝缘区的化学铜很容易蚀除，于是在不分青红皂白全面铳蚀下，线路的镀铜当然也会有所消磨但还不致伤及大雅。所呈现的细线不但肩部更为圆滑连底部多余的残足也都消失无踪，品质反倒更好！此等一视同仁通面全咬的蚀该法特称为DifferentialEtching。咬掉部份化铜后完成线路完成填充盲孔与增厚线路的镀铜工序后，即137此六图均为SAP3＋2＋3切片图；左上为1mil细线与内核板之50倍整体画面。中上为200倍明场偏光画面，右上为暗场1000倍的呈现，其黑化层清楚可见。左下为1000倍常规画面，中下为200倍的暗场真像。右下为3000倍ABF的暗场画面，底垫为1/3oz铜箔与厚电镀铜，铜箔底部之黄铜层以及盲孔左右之活化钯层与化铜层均清晰可见。此六图均为SAP3＋2＋3切片图；左上为1mil细线与内核138传统的PTHPTH孔金属化传统的PTHPTH孔金属化139工艺流程–

功能去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG

溶胀 使树脂易被高锰酸盐蚀刻攻击

高锰酸盐蚀刻 去除钻污和树脂

还原 除去降解产物和清洁/处理表面.

(清洁/

蚀刻玻璃）只有三个工艺步骤:溶胀还原高锰酸盐蚀刻工艺流程–去钻污–SecuriganthP/P50140去钻污前（去毛刺后）各种

类型PCB的状态通孔和微盲孔中的钻污铜箔树脂内层多层RCC/FR-4板裸树脂板RCC箔内层底盘玻璃纤维钻污钻污芯

钻污

钻污FR-4SAP膜去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLGSBU–SequentialBuild-upTechnology去钻污前（去毛刺后）各种类型PCB的状态铜箔树脂内层多层141工艺流程–溶胀使树脂易受高锰酸盐蚀刻液的最佳攻击并保障环氧树脂(Tg<150°C)表面的微观粗糙度溶胀去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG工艺流程–使树脂易受高锰酸盐蚀刻液的最佳攻击并保障环氧树脂142溶胀–通孔和微盲孔中溶胀之后的钻污溶胀之后溶胀剂去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG溶胀–溶胀之后溶胀剂去钻污–SecuriganthP143溶胀–溶胀之前(0秒)去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG溶胀–去钻污–SecuriganthP/P500/144溶胀–溶胀150秒之后去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG溶胀–去钻污–SecuriganthP/P500/M145溶胀–溶胀240秒之后去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG溶胀–去钻污–SecuriganthP/P500/146工艺流程–碱性高锰酸盐蚀刻高锰酸盐蚀刻溶液除去内层（铜）表面的钻污，清洁孔壁并且粗化(Tg<150°C)的环氧树脂之表面去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG碱性高锰酸盐蚀刻工艺流程–高锰酸盐蚀刻溶液除去内层（铜）表面的钻污，清洁147高锰酸盐蚀刻之后高锰酸盐蚀刻–蚀刻通孔和微盲孔的表面CH4+12MnO4-+14OH-

CO32-+12MnO42-+9H2O+O22MnO42-

+2H2OMnO2+OH-+O2去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLGMnO4-高锰酸盐蚀刻之后高锰酸盐蚀刻–CH4+12MnO4-148高锰酸盐蚀刻–溶胀之后–不经过蚀刻去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG高锰酸盐蚀刻–去钻污–SecuriganthP/P5149高锰酸盐蚀刻–150秒蚀刻之后去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG高锰酸盐蚀刻–去钻污–SecuriganthP/P5150高锰酸盐蚀刻–240秒蚀刻之后去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG高锰酸盐蚀刻–去钻污–SecuriganthP/P5151去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG环氧树脂(未经固化) BisphenolA Epichlorhydrin高锰酸盐攻击环氧树脂分子中的极性官能团.不含极性官能团的高分子化合物不能被去钻污.高锰酸盐蚀刻–攻击环氧树脂去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BL152去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG标准FR-4(<150°C)高-Tg(>150°C)300x300x2000x2000x非均相

交联均相

交联去钻污高锰酸盐蚀刻–去钻污的结果去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BL153高锰酸盐蚀刻–还原还原剂能还原/除去二氧化锰残留并对玻璃纤维进行前处理以期最佳（沉铜）的覆盖.如有需要，玻璃纤维可被玻璃蚀刻添加剂同时清洁与蚀刻.还原去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG高锰酸盐蚀刻–还原剂能还原/除去二氧化锰残留并对玻璃纤维进154还原–清洁后的通孔与微盲孔表面还原之后Mn4++2e-

Mn2+

H2O2

2H++2e-+O2Conditioner去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLGH2O2/NH2OHNH2OH2H++2H2O+2e-+N2还原–还原之后Mn4++2e-Mn2+H2O155PTH前不同类型的PCB板

–去钻污后的通孔以及微盲孔表面经过去钻污处理后多层板FR-4覆铜板树脂内层传统的PTH内层钻盘FR-4板裸树脂板PTH前不同类型的PCB板–经过去钻污处理后多层板FR-4156钻孔之后200x1000x通孔–钻孔之后去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG钻孔之后200x1000x通孔–去钻污–Securi157通孔–去钻污之后去钻污之后200x1000x去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG通孔–去钻污之后200x1000x去钻污–Secur158AjinomotoBareLaminate–Ajinomoto裸树脂板去钻污之前去钻污之前1000x5000x去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLGAjinomotoBareLaminate–Ajin159AjinomotoBareLaminate–Ajinomoto裸树脂板去钻污之后去钻污之后1000x5000x去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLGAjinomotoBareLaminate–Ajin160AjinomotoBareLaminate–Ajinomoto裸树脂板去钻污之前去钻污之前1000x2000x去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLGAjinomotoBareLaminate–Ajin161AjinomotoBareLaminate–Ajinomoto裸树脂板钻污之后1000x2000x去钻污之后去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLGAjinomotoBareLaminate–Ajin162钻孔之后1300x3000x激光钻成的微盲孔–钻孔之后去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG钻孔之后1300x3000x激光钻成的微盲孔–去钻污163去钻污之后1100x2700x激光钻成的微盲孔–去钻污之后去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG去钻污之后1100x2700x激光钻成的微盲孔–去钻污164钻孔之前1000x1000xRCC技术–激光钻成的–

去钻污之前去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG钻孔之前1000x1000xRCC技术–激光钻成的–165去钻污之后1000x1000xRCC技术–激光钻孔

–去钻污之后去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG去钻污之后1000x1000xRCC技术–激光钻孔–166工艺流程-特征&优点溶胀高锰酸盐蚀刻还原

简短的流程–只须3步

快速和有效的去钻污

体系内再生高锰酸盐（延长槽液寿命)

极好的玻璃处理性能

最高质量的去钻污

无害于环境(交少的有机物)

应用于微盲孔具有最好的润湿性

去钻污–SecuriganthP/P500/MV/BLG工艺流程-溶胀高锰酸盐还原简短的流程–只须3步去167*可选工艺流程

–垂直沉铜

应用清洁预浸活化微蚀清洁调整*还原传统的PTH化学沉铜垂直优点：均匀致密的化学铜沉积优异的结合力（不起泡）稳定的槽液使用寿命沉积速率稳定，适用于通孔和盲孔的生产制程55214414...20时间[分]*可选工艺流程–清洁预浸活化微蚀清洁调整*还原传统的168工艺流程

–清洁

&调整清洁剂确保孔内表面达到最佳的表面清洁状态，以便保证有良好的化学铜结合力清洁传统的PTH工艺流程–清洁剂确保孔内表面达到最佳的表面清洁状态，以便169清洁/调整

–树脂表面和铜表面的前处理经过清洁剂/调整剂处理后传统的PTH清洁/调整–经过清洁剂/调整剂处理后传统的PTH170工艺流程

–清洁

&调整如果去钻污工序中没有调整步骤,必须附加一个额外的调整剂或在使用一些特殊的材料如：PTFE聚四氟乙烯,PI聚酰亚胺)时清洁调整传统的PTH去钻污调整

!工艺流程–如果去钻污工序中没有调整步骤,必须附加一个额外171清洁调整

–玻璃表面的前处理调整剂经过清洁调整剂处理后传统的PTH清洁调整–调整剂经过清洁调整剂处理后传统的PTH172调整

–表面前处理调整只有当表面清洁时，玻璃纤维的调整才会起作用来避免可能破坏连接机制的副效应!最好的调整性能

在碱性高锰酸盐去钻污后的还原步骤中调整剂产品

还原清洁剂SecuriganthP(速效普通的双氧水体系的还原剂，添加了调整剂成分)还原清洁剂SecuriganthP500(有机体系的还原剂，添加了调整剂成分)注意：若没有经过调整，化学铜后的背光效果会比较差

!传统的PTH调整–调整最好的调整性能调整剂产品注意：若没有经过调整，173调整

–机理-树脂玻璃

纤维调整剂分子(表面活性剂–Tenside)部分带负电荷经过调整后的玻璃表面经过去钻污后的玻璃表面---------均匀的，有机的，荷电表面

部分带正电荷++++++++++++++传统的PTH调整–-树脂玻璃

纤维调整剂分子部分带负电荷经过调整后的174调整

–机理

/OH/OH/OH|||–O–Si–O–Si–O–Si–O–|||O O O|||NNn调整剂的碳链(部分带正电荷)玻璃纤维

的分子模型(部分带负电)传统的PTH⊕调整–/OH/OH175工艺流程

–微蚀清洁铜的蚀刻及粗化是为了化学铜-内层铜之间有良好的结合效果。

微蚀清洁剂Securiagnth

过硫酸盐体系通常的微蚀清洁剂基于过硫酸钠（SPS）适用于各种技术

微蚀清洁剂SecuriganthC微蚀清洁剂是为特殊的表面性能而设计的。微蚀清洁传统的PTH工艺流程–铜的蚀刻及粗化是为了化学铜-内层铜之间有良好的176微蚀清洁