最新芯片贴装和芯片互连宣讲专业知识讲座课件

概述硅片减薄芯片互连硅片切割芯片帖装成型技术打码去飞边毛刺上焊锡切筋成型芯片封装技术（一级）单晶硅棒概述硅片减薄芯片互连硅片切割芯片帖装成型技术打码去飞边毛刺上1概述封装流程前段操作后段操作前段操作：1000净化级别净化级别：尘埃最允许数/立方米塑料封装概述封装流程前段操作后段操作前段操作：1000净化级别塑料封2第二章芯片贴装与芯片互连2.1芯片制备2.2芯片贴装2.3芯片互连第二章芯片贴装与芯片互连2.1芯片制备32.1芯片制备2.1芯片制备42.1芯片制备矽？晶圆？1961，菲尔查德在硅晶片上制造的第一个集成电路2.1芯片制备矽？晶圆？1961，菲尔查德在硅晶片上制造的52.1芯片制备2.1芯片制备62.1芯片制备晶圆制备硅的提纯2.1芯片制备晶圆制备硅的提纯72.1芯片制备晶圆制备硅的提纯2.1芯片制备晶圆制备硅的提纯82.1芯片制备晶圆制备晶棒制备晶体生长技术：区熔法；布里曼生长法；CZ直拉法优点：工艺成熟，投量量；适于生长大直径单晶；缺点：不可避免来自坩埚及加热棒的污染.2.1芯片制备晶圆制备晶棒制备优点：工艺成熟，投量量；92.1芯片制备晶棒制备2.1芯片制备晶棒制备102.1芯片制备晶圆制备晶棒制备2.1芯片制备晶圆制备晶棒制备112.芯片制备晶圆制备硅棒制备2.芯片制备晶圆制备122.1芯片制备晶圆制备硅棒制备2.1芯片制备晶圆制备132.1芯片制备晶圆制备晶圆切片多线切割机2.1芯片制备晶圆制备多线切割机142.1芯片制备晶圆制备晶圆尺寸据国外媒体报道，三大巨头英特尔、三星和台积电本周宣布，他们将于2012年合作开发450mm晶圆的试生产；但是要研发450mm晶圆所需的设备，投资可能高达1000亿美元。8英寸（200mm）13英寸（300mm）18英寸（450mm）使用0.13微米的制程在200mm的晶圆上可以生产大约179个处理器核心，而使用300mm的晶圆可以制造大约427个处理器核心。2.1芯片制备晶圆制备据国外媒体报道，三大巨头英152.1芯片制备光刻与刻蚀工艺临时性地涂覆光刻胶到硅片上；把设计图形最终转移到硅片上；IC制造中最重要的工艺；占用40-50%的芯片制造时间；决定着芯片的最终尺寸.2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺162.1芯片制备光刻与刻蚀工艺涂胶六甲基乙硅氮烷2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺六甲基乙硅氮烷172.1芯片制备光刻与刻蚀工艺曝光2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺182.1芯片制备光刻与刻蚀工艺显影后烘显影2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺后烘显影192.1芯片制备光刻与刻蚀工艺湿法刻蚀干法刻蚀2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺干法刻蚀202.1芯片制备光刻与刻蚀工艺刻蚀多晶硅2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺212.1芯片制备光刻与刻蚀工艺离子注入2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺222.1芯片制备光刻与刻蚀工艺2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺232.1芯片制备芯片切割DBG法（先划片后减薄）2.1芯片制备芯片切割DBG法（先划片后减薄）242.1芯片制备芯片切割2.1芯片制备芯片切割252.1芯片制备芯片切割

2.1芯片制备芯片切割

262.2芯片贴装芯片贴装（diemount/bonding/attachment)目的：实现芯片与底座（chipcarrier）的连接.要求：机械强度化学性能稳定导电、导热热匹配可操作性2.2芯片贴装芯片贴装（diemount/bonding272.2芯片贴装（diemount)2.2.1共晶粘贴法2.2.2焊接粘贴法2.2.3导电胶粘贴法2.2.4玻璃胶粘贴法2.2芯片贴装（diemount)2.2.1共晶粘贴法282.2芯片贴装2.2.1共晶粘贴法2.2芯片贴装2.2.1共晶粘贴法292.2芯片贴装2.2.1共晶粘贴法润湿性的重要性；预型片的使用（Au-2%Si合金）；优点：金-硅共晶焊接机械强度高、热阻小、稳定性好、可靠性高,高温性能好，不脆化。缺点：生产效率低，不适应高速自动化生产。2.2芯片贴装2.2.1共晶粘贴法优点：金-硅共302.2芯片贴装2.2.2焊接粘贴法

所用气氛：热氮气工艺优点：热传导性好所用材料硬质焊料：金-硅、金-锡、金锗；（塑变应力高，抗疲劳抗潜变特性好）软质焊料：铅-锡、铅-锡-铟.2.2芯片贴装2.2.2焊接粘贴法所用材料312.2芯片贴装2.2.3导电胶粘贴法三种导电胶：（1）各向同性材料；（2）导电硅橡胶；（3）各向异性导电聚合物。共同点：表面形成化学结合和导电功能。2.2芯片贴装2.2.3导电胶粘贴法322.2芯片贴装2.2.3导电胶粘贴法2.2芯片贴装2.2.3导电胶粘贴法332.2芯片贴装2.2.3导电胶粘贴法芯片粘结剂：环氧树脂；聚酰亚胺；硅氧烷聚酰亚胺。填充料：银颗粒或者银薄片（75-80%）使用考虑因素：流动性；粘着性；热传导性；电导性；玻璃化转变温度；吸水性.2.2芯片贴装2.2.3导电胶粘贴法342.2芯片贴装2.2.4玻璃胶粘贴法类似于银浆粘接技术，主要用于陶瓷封装需要严格控制烧结温度.优点：所得芯片封装无空隙、热稳定性优良、低结合应力以及湿气含量低；缺点：有机成分与溶剂必须除去，否则危害可靠性。2.2芯片贴装2.2.4玻璃胶粘贴法类似于银浆粘352.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)2.3.2载带自动键合技术(TAB)2.3.3倒装芯片键合技术(FCB/C4)芯片焊区芯片互连I/O引线半导体失效约有1/4-1/3是由芯片互连所引起，因此芯片互连对器件可靠性意义重大！！！2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)芯片焊区芯片362.3芯片互连2.3芯片互连372.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)主要的打线键合技术：.楔形接点球形接点超声波键合；热压键合；热超声波键合2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)楔形接点球形382.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)频率：20-60kHz；振幅：20-200μm；冷焊？？？2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)频率：20-392.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)402.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)412.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)打线键合的线材铝线：铝-1%硅合金；0.5-1%镁的铝线；铝镁硅合金或铝铜合金.金线：含5-100ppm铍含30-100ppm铜其他线材：银线，铜线PCB或封装不能加热的情况之下；间距小于60micron.用量超过90%间距大于60micron。2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)PCB或封装422.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)影响因素：金铝金属间化合物（AuAl2或Au5Al2)是主因；线材、键合点与金属间化合物之间的交互扩散产生的孔洞；其他，键合点金属化工艺与封装材料之间的反应，亦可生成金属间化合物。2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)432.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)键合拉力测试键合剪切力测试2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)442.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)焊接方法丝球焊超声楔焊2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)45丝球焊丝球焊46丝球焊工艺丝球焊工艺47丝球焊设备-自动化设备丝球焊设备-自动化设备48丝球焊设备-半自动丝球焊设备-半自动49劈刀端部形状-1劈刀端部形状-150劈刀端部形状-2劈刀头部凹槽形状劈刀端部形状-2劈刀头部凹槽形状51第一键合点形状第一键合点形状52第二键合点第二键合点53完整的丝球焊键合完整的丝球焊键合54键合强度与超声频率的关系键合强度与超声频率的关系55超声楔焊超声楔焊562.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术2.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术572.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术2.3.2.1TAB的关键技术2.3.2.2TAB技术的关键材料2.3.2.3TAB的特点2.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术582.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术2.3.2.1TAB的关键技术（1）芯片凸点制作技术光刻胶做掩膜2.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术光刻胶做掩膜592.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术2.3.2.1TAB的关键技术（1）芯片凸点制作技术2.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术602.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术2.3.2.1TAB的关键技术（1）芯片凸点制作技术凸块转移技术2.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术凸块转移技术612.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术2.3.2.1TAB的关键技术（2）TAB载带制作技术单层带（Cu箔）--工艺简单；热稳定性好，价位低；不能做电性测试，容易变形。双层带（Cu-PI双层）；高温稳定性好，可作电性测试，电性能优良；价位高，亦弯曲，容易变形。三层带（Cu-粘贴剂-PI）--最为常用可作电性测试，适合大规模生产；价位高，不适用于高温键合。2.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术62载带上Cu箔引线的图形结构与制作工艺载带上Cu箔引线的图形结构与制作工艺632.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术2.3.2.1TAB的关键技术（3）载带引线和芯片凸点的内引线焊接与外引线焊接技术2.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术64热压组合键合方法热压组合键合方法65单点热压键合方法单点热压键合方法66激光键合激光键合67TAB外引线键合TAB外引线键合682.3.2.2TAB技术的关键材料基带材料要求高温性能与Cu箔的粘接性、热匹配性好尺寸稳定；化学稳定性好；机械强度高材料聚酰亚胺(PI)薄膜，早期最广泛使用的材料，价格稍高聚乙烯对苯二甲酸脂(PET)薄膜苯丙环丁稀(BCB)薄膜导体材料Cu箔与基带连接牢固；导热、导聚乙烯对苯二甲酸脂(PET)薄膜苯丙环电性能好；易于电镀。厚度有18、35、70微米铝箔使用较少规格宽度以35mm最常用。另有70mm和158mm等规格。金属材料Au，Ni，Pb/Sn焊接材料芯片凸点金属材料Au，Cu/Au，Au/Sn，Pb/Sn2.3.2.2TAB技术的关键材料692.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术2.3.2.3TAB的优点结构轻、薄、短、小；电极尺寸、电极与焊区的间距比WB大为减小；可容纳更多引脚，提高安装密度；可对IC芯片进行电老化、筛选和测试；焊点键合拉力比WB高3-10倍。2.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术702.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术712.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术封装结构2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术封装结构722.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术732.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术742.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术752.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点结构2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点结构762.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-蒸发沉积凸点2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-蒸772.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-电镀法2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-电782.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-植球法2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-植792.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-印刷凸点2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-印802.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-钉头凸点2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-钉812.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-凸点转移法2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-凸822.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-微球法2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-微832.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-微球法2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-微842.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-TachydotsTM法2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-T852.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术(2)凸点芯片的倒装焊倒装焊互连基板的金属焊区要求：焊区与芯片凸点金属具有良好的浸润性；基板焊区：Ag/Pd、Au、Cu(厚膜）Au、Ni、Cu（薄膜）2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术862.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术(2)凸点芯片的倒装焊热压焊倒装焊法2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术热压焊倒装焊法872.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术(2)凸点芯片的倒装焊再流焊倒装焊法2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术再流焊倒装焊法882.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术(2)凸点芯片的倒装焊环氧树脂光固化倒装焊法2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术环氧树脂光固化倒892.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术(2)凸点芯片的倒装焊各向异性导电胶导电粒子含量：10%2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术各向异性导电胶导902.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术(2)凸点芯片的倒装焊2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术912.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术(3)底部填充2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术922.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术(3)底部填充2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术932.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术(3)底部填充-填料要求2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术942.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术(3)底部填充-填充工艺毛细作用！！！2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术毛细作用！！！952.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术(4)无铅化凸点2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术962.4芯片互连2.5互联工艺比较2.4芯片互连2.5互联工艺比较97概述硅片减薄芯片互连硅片切割芯片帖装成型技术打码去飞边毛刺上焊锡切筋成型芯片封装技术（一级）单晶硅棒概述硅片减薄芯片互连硅片切割芯片帖装成型技术打码去飞边毛刺上98概述封装流程前段操作后段操作前段操作：1000净化级别净化级别：尘埃最允许数/立方米塑料封装概述封装流程前段操作后段操作前段操作：1000净化级别塑料封99第二章芯片贴装与芯片互连2.1芯片制备2.2芯片贴装2.3芯片互连第二章芯片贴装与芯片互连2.1芯片制备1002.1芯片制备2.1芯片制备1012.1芯片制备矽？晶圆？1961，菲尔查德在硅晶片上制造的第一个集成电路2.1芯片制备矽？晶圆？1961，菲尔查德在硅晶片上制造的1022.1芯片制备2.1芯片制备1032.1芯片制备晶圆制备硅的提纯2.1芯片制备晶圆制备硅的提纯1042.1芯片制备晶圆制备硅的提纯2.1芯片制备晶圆制备硅的提纯1052.1芯片制备晶圆制备晶棒制备晶体生长技术：区熔法；布里曼生长法；CZ直拉法优点：工艺成熟，投量量；适于生长大直径单晶；缺点：不可避免来自坩埚及加热棒的污染.2.1芯片制备晶圆制备晶棒制备优点：工艺成熟，投量量；1062.1芯片制备晶棒制备2.1芯片制备晶棒制备1072.1芯片制备晶圆制备晶棒制备2.1芯片制备晶圆制备晶棒制备1082.芯片制备晶圆制备硅棒制备2.芯片制备晶圆制备1092.1芯片制备晶圆制备硅棒制备2.1芯片制备晶圆制备1102.1芯片制备晶圆制备晶圆切片多线切割机2.1芯片制备晶圆制备多线切割机1112.1芯片制备晶圆制备晶圆尺寸据国外媒体报道，三大巨头英特尔、三星和台积电本周宣布，他们将于2012年合作开发450mm晶圆的试生产；但是要研发450mm晶圆所需的设备，投资可能高达1000亿美元。8英寸（200mm）13英寸（300mm）18英寸（450mm）使用0.13微米的制程在200mm的晶圆上可以生产大约179个处理器核心，而使用300mm的晶圆可以制造大约427个处理器核心。2.1芯片制备晶圆制备据国外媒体报道，三大巨头英1122.1芯片制备光刻与刻蚀工艺临时性地涂覆光刻胶到硅片上；把设计图形最终转移到硅片上；IC制造中最重要的工艺；占用40-50%的芯片制造时间；决定着芯片的最终尺寸.2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺1132.1芯片制备光刻与刻蚀工艺涂胶六甲基乙硅氮烷2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺六甲基乙硅氮烷1142.1芯片制备光刻与刻蚀工艺曝光2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺1152.1芯片制备光刻与刻蚀工艺显影后烘显影2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺后烘显影1162.1芯片制备光刻与刻蚀工艺湿法刻蚀干法刻蚀2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺干法刻蚀1172.1芯片制备光刻与刻蚀工艺刻蚀多晶硅2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺1182.1芯片制备光刻与刻蚀工艺离子注入2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺1192.1芯片制备光刻与刻蚀工艺2.1芯片制备光刻与刻蚀工艺1202.1芯片制备芯片切割DBG法（先划片后减薄）2.1芯片制备芯片切割DBG法（先划片后减薄）1212.1芯片制备芯片切割2.1芯片制备芯片切割1222.1芯片制备芯片切割

2.1芯片制备芯片切割

1232.2芯片贴装芯片贴装（diemount/bonding/attachment)目的：实现芯片与底座（chipcarrier）的连接.要求：机械强度化学性能稳定导电、导热热匹配可操作性2.2芯片贴装芯片贴装（diemount/bonding1242.2芯片贴装（diemount)2.2.1共晶粘贴法2.2.2焊接粘贴法2.2.3导电胶粘贴法2.2.4玻璃胶粘贴法2.2芯片贴装（diemount)2.2.1共晶粘贴法1252.2芯片贴装2.2.1共晶粘贴法2.2芯片贴装2.2.1共晶粘贴法1262.2芯片贴装2.2.1共晶粘贴法润湿性的重要性；预型片的使用（Au-2%Si合金）；优点：金-硅共晶焊接机械强度高、热阻小、稳定性好、可靠性高,高温性能好，不脆化。缺点：生产效率低，不适应高速自动化生产。2.2芯片贴装2.2.1共晶粘贴法优点：金-硅共1272.2芯片贴装2.2.2焊接粘贴法

所用气氛：热氮气工艺优点：热传导性好所用材料硬质焊料：金-硅、金-锡、金锗；（塑变应力高，抗疲劳抗潜变特性好）软质焊料：铅-锡、铅-锡-铟.2.2芯片贴装2.2.2焊接粘贴法所用材料1282.2芯片贴装2.2.3导电胶粘贴法三种导电胶：（1）各向同性材料；（2）导电硅橡胶；（3）各向异性导电聚合物。共同点：表面形成化学结合和导电功能。2.2芯片贴装2.2.3导电胶粘贴法1292.2芯片贴装2.2.3导电胶粘贴法2.2芯片贴装2.2.3导电胶粘贴法1302.2芯片贴装2.2.3导电胶粘贴法芯片粘结剂：环氧树脂；聚酰亚胺；硅氧烷聚酰亚胺。填充料：银颗粒或者银薄片（75-80%）使用考虑因素：流动性；粘着性；热传导性；电导性；玻璃化转变温度；吸水性.2.2芯片贴装2.2.3导电胶粘贴法1312.2芯片贴装2.2.4玻璃胶粘贴法类似于银浆粘接技术，主要用于陶瓷封装需要严格控制烧结温度.优点：所得芯片封装无空隙、热稳定性优良、低结合应力以及湿气含量低；缺点：有机成分与溶剂必须除去，否则危害可靠性。2.2芯片贴装2.2.4玻璃胶粘贴法类似于银浆粘1322.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)2.3.2载带自动键合技术(TAB)2.3.3倒装芯片键合技术(FCB/C4)芯片焊区芯片互连I/O引线半导体失效约有1/4-1/3是由芯片互连所引起，因此芯片互连对器件可靠性意义重大！！！2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)芯片焊区芯片1332.3芯片互连2.3芯片互连1342.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)主要的打线键合技术：.楔形接点球形接点超声波键合；热压键合；热超声波键合2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)楔形接点球形1352.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)频率：20-60kHz；振幅：20-200μm；冷焊？？？2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)频率：20-1362.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)1372.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)1382.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)打线键合的线材铝线：铝-1%硅合金；0.5-1%镁的铝线；铝镁硅合金或铝铜合金.金线：含5-100ppm铍含30-100ppm铜其他线材：银线，铜线PCB或封装不能加热的情况之下；间距小于60micron.用量超过90%间距大于60micron。2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)PCB或封装1392.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)影响因素：金铝金属间化合物（AuAl2或Au5Al2)是主因；线材、键合点与金属间化合物之间的交互扩散产生的孔洞；其他，键合点金属化工艺与封装材料之间的反应，亦可生成金属间化合物。2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)1402.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)键合拉力测试键合剪切力测试2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)1412.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)焊接方法丝球焊超声楔焊2.3芯片互连2.3.1打线键合技术(WB)142丝球焊丝球焊143丝球焊工艺丝球焊工艺144丝球焊设备-自动化设备丝球焊设备-自动化设备145丝球焊设备-半自动丝球焊设备-半自动146劈刀端部形状-1劈刀端部形状-1147劈刀端部形状-2劈刀头部凹槽形状劈刀端部形状-2劈刀头部凹槽形状148第一键合点形状第一键合点形状149第二键合点第二键合点150完整的丝球焊键合完整的丝球焊键合151键合强度与超声频率的关系键合强度与超声频率的关系152超声楔焊超声楔焊1532.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术2.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术1542.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术2.3.2.1TAB的关键技术2.3.2.2TAB技术的关键材料2.3.2.3TAB的特点2.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术1552.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术2.3.2.1TAB的关键技术（1）芯片凸点制作技术光刻胶做掩膜2.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术光刻胶做掩膜1562.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术2.3.2.1TAB的关键技术（1）芯片凸点制作技术2.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术1572.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术2.3.2.1TAB的关键技术（1）芯片凸点制作技术凸块转移技术2.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术凸块转移技术1582.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术2.3.2.1TAB的关键技术（2）TAB载带制作技术单层带（Cu箔）--工艺简单；热稳定性好，价位低；不能做电性测试，容易变形。双层带（Cu-PI双层）；高温稳定性好，可作电性测试，电性能优良；价位高，亦弯曲，容易变形。三层带（Cu-粘贴剂-PI）--最为常用可作电性测试，适合大规模生产；价位高，不适用于高温键合。2.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术159载带上Cu箔引线的图形结构与制作工艺载带上Cu箔引线的图形结构与制作工艺1602.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术2.3.2.1TAB的关键技术（3）载带引线和芯片凸点的内引线焊接与外引线焊接技术2.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术161热压组合键合方法热压组合键合方法162单点热压键合方法单点热压键合方法163激光键合激光键合164TAB外引线键合TAB外引线键合1652.3.2.2TAB技术的关键材料基带材料要求高温性能与Cu箔的粘接性、热匹配性好尺寸稳定；化学稳定性好；机械强度高材料聚酰亚胺(PI)薄膜，早期最广泛使用的材料，价格稍高聚乙烯对苯二甲酸脂(PET)薄膜苯丙环丁稀(BCB)薄膜导体材料Cu箔与基带连接牢固；导热、导聚乙烯对苯二甲酸脂(PET)薄膜苯丙环电性能好；易于电镀。厚度有18、35、70微米铝箔使用较少规格宽度以35mm最常用。另有70mm和158mm等规格。金属材料Au，Ni，Pb/Sn焊接材料芯片凸点金属材料Au，Cu/Au，Au/Sn，Pb/Sn2.3.2.2TAB技术的关键材料1662.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术2.3.2.3TAB的优点结构轻、薄、短、小；电极尺寸、电极与焊区的间距比WB大为减小；可容纳更多引脚，提高安装密度；可对IC芯片进行电老化、筛选和测试；焊点键合拉力比WB高3-10倍。2.3芯片互连2.3.2载带自动键合技术1672.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术1682.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术封装结构2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术封装结构1692.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术1702.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术1712.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术1722.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点结构2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点结构1732.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-蒸发沉积凸点2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-蒸1742.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术凸点形成工艺-电镀法2.4芯片互连2.4.3倒装芯片键合技术