干膜工艺介绍

干膜介绍及干膜工艺详解2013-01主要内容安排：1.干膜介绍及发展趋势2.线路板图形制作工艺(以SES流程为例)3.基本工艺要求4.各工序注意事项5.常见缺陷图片及成因6.讨论1.干膜介绍及发展趋势干膜(DryFilm)的用途：干膜是一种感光材料，是PCB生产中的重要物料，用于线路板图形的转移制作。近几年也开始广泛应用于选择性化金、电镀金工艺。干膜的特性：感光聚合、感光后耐酸不耐碱、不导电，因此可用作抗蚀层或抗电镀层。1.干膜介绍及发展趋势干膜的结构

1.干膜介绍及发展趋势

干膜的主要成分:1.干膜介绍及发展趋势干膜性能的评估解晰度附着力盖孔能力填凹陷能力其他1.干膜介绍及发展趋势为了达到线路板的多层和高密度要求，目前干膜一般解像度要达到线宽间距（Ｌ/Ｓ）在50/50um。但在半导体包装（BGA,CSP)上，线路板一般设计在

L/S在25-40um。必需要高解像度的干膜（L/S=10/10um）。为了满足客户要求、我们公司目前新型干膜的解像度可达到L/S=7.5/7.5um。干膜的发展趋势1.干膜介绍及发展趋势解晰度测试:45/45微米SEM:45/45微米1.干膜介绍及发展趋势25umDryFilm，L/S=7.5/7.5um干膜介绍及发展趋势ASAHI干膜主要型号及特点干膜型号厚度(um)特点YQ-40SDYQ-40PN40针对SES流程具有良好的盖孔、耐酸性、抗电镀性能等YQ-30SD30适用于DES流程，主要用于内层制作，解析度方面较好YQ-50SD50针对SES流程具有良好的盖孔、耐酸性、抗电镀性能、减少电镀夹膜问题等特点AQ-408840针对DES流程具有良好的盖孔、耐酸性、追从性等特点,也适用于电镀流程.SPG-15215适用于生产1.5mil的精细线路

ADV-40140适合于LDI工艺两种镀通孔线路板制作的比较贴膜曝光电镀铜/锡或或锡/铅蚀板去膜碱性蚀板脱锡或锡/铅铅基铜玻璃纤维底料料曝光原件干膜Tenting制程SES制程研磨全板电镀铜显影2.线路板图形制制作工艺SES流程基本工艺艺基铜玻璃纤维底料全板电镀铜贴膜曝光曝光原件显影电镀铜＋锡或铜＋锡/铅铅去膜碱性蚀板脱锡或锡/铅铅2.线路板图形制制作工艺SES工艺流程详细细介绍前处理的作用用：去除铜表表面的氧化,油污,清洁、粗化铜铜面，以增大大干膜在铜面面上的附着力力。前处理的种类类：化学微蚀蚀、物理磨板板、喷砂处理理（火山灰、、氧化铝）。。典型前处理工工艺流程：除油——水洗——磨板——水洗——微蚀——水洗——酸洗——水洗——烘干前处理：基本工艺要求求前处理刷轮目数:#500～#800刷轮数量:上下两对刷轮（共４支）磨刷电流:+１~2Ａ转速:1800转/分钟摇摆:300次次/分钟磨痕宽度:10~15mm微蚀量：：0.8~1.2um（一般采用SPS+硫酸酸或硫酸+双双氧水溶液，，生产板要求较高时时则采用超粗粗化表面处理理）酸洗浓度：：3~5%硫硫酸溶液基本工艺要求求前处理水洗:多多过3个缸(循环水)喷淋压力：1-3Kgf/cm2吸干:通常用2支海绵吸水辘烘干:热风吹风量为4.0～9.0m3/min热风的温度为70～～90℃其它控制项目目:水裂点：>15s粗糙度1.5<Rz<3.0工序注意事项项前处理磨痕宽度均匀匀一致；各段喷嘴无堵堵塞；水洗后表面无无铜颗粒；吸水水海海绵绵滚滚轮轮干干净净、、湿湿润润、、无无杂杂物物；；烘干干后后表表面面及及孔孔内内无无水水渍渍；；水破破时时间间>20秒；；每次次变变更更生生产产板板厚厚度度时时要要做做磨磨痕痕测测试试。。贴膜膜：：贴膜膜的的作作用用：：是是将将干干膜膜贴贴在在粗粗化化的的铜铜面面上上。。贴膜膜机机将将干干膜膜通通过过热热压压辘辘与与铜铜面面附附着着，，同同时时撕撕掉掉PE膜。。SES工艺艺流流程程详详细细介介绍绍贴膜膜基本本工工艺艺要要求求预热热段段温温度度：：80～～100℃℃贴膜膜前前板板面面温温度度：：40～～60℃℃压辘辘设设定定温温度度：：110～～120℃℃压膜膜时时压压辘辘温温度度：：100～～115℃贴膜膜压压力力：：3.0~5.0kgf/cm2贴膜膜速速度度：：1.5~2.5m/min贴膜膜后后静静置置时时间间：：15min～～24H工序序注注意意事事项项贴膜膜贴膜膜压压辘辘各各处处温温度度均均匀匀；；定期期测测定定贴贴膜膜压压辘辘的的温温度度；；贴膜膜上上下下压压辘辘要要平平行行；；贴膜膜压压辘辘上上无无油油污污或或膜膜碎碎等等杂杂物物；；清洁洁压压辘辘上上异异物物时时不不可可用用尖尖锐锐或或硬硬的的工工具具；；贴膜膜不不可可超超出出板板边边；；干膜膜不不可可超超过过有有效效期期内内。。曝光光：：曝光光的的作作用用是是曝曝光光机机的的紫紫外外线线通通过过底底片片使使干干膜膜上上部部分分图图形形感感光光，，从从而而使使图图形形转转移移到到铜铜面面上上。。干膜Cu基材底片SES工艺艺流流程程详详细细介介绍绍SES工艺艺流流程程详详细细介介绍绍曝光光反反应应机机理理COOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOH单体体聚合合体体主主链链起始始剂剂COOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOH反应应核核心心※※※※※※COOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOH紫外外线线聚合合反反应应图形形原原件件干膜膜层层Substrateab曝光单体体曝光光基本本工工艺艺要要求求曝光光能能量量：：40-80mj/cm2（以以21级Stoufer格数数尺尺7～9级残残膜膜为为准准））曝光光后后静静置置时时间间：：15min~24H工序序注注意意事事项项曝光光曝光光能能量量均均匀匀性性≥90%；每4H测定定曝曝光光能能量量；；抽真真空空时时间间不不能能太太短短，，防防止止曝曝光光不不良良；；曝光光台台面面温温度度太太高高会会造造成成底底片片变变形形；；板面、底底片或曝曝光台面面不能有有脏点；；干膜、底底片小心心操作，，防止划划伤；曝光机空空气过滤滤芯定期期清洁或或更换。。显影：SES工艺流程程详细介介绍显影的作作用：将未曝光光部分的的干膜去去掉，留留下感光光的部分分。显影的原原理：未曝光部部分的感感光材料料没有发发生聚合合反应，，遇弱碱碱Na2CO3（0.8-1.2%)或K2CO3溶解。而而聚合的的感光材材料则留留在板面面上，保保护下面面的铜面面不被蚀蚀刻药水水溶解。。SES工艺流程程详细介介绍显影COOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHNa2CO3／H2O(乳化)单体聚合体主链起始剂Na+Na+Na+Na+Na+Na+Na+COO-COO-COO-COO-COO-COO-COO-显影ＲーCOOH

＋

Na2CO3

Ｒ－COO-

Na+

＋

NaHCO3H2OH2O显影反应应机理显影基本工艺艺要求Na2CO3浓度：：0.8~1.2%显影液温温度：：28~32℃显影压力力：：1.0~2.0kgf/cm2显影点：：50~60％％工序注意意事项显影各段喷嘴嘴不能堵堵塞；显影液要要定期更更换，需需要有自自动添加加，保证证不能超超过药水水负载量量；各段滚轮轮上不能能有油污污等杂物物；烘干后板板子表面面、孔内内无水渍渍。电镀铜＋＋锡/锡铅:SES工艺流程程详细介介绍电镀的作作用：将我们所所需要的的图形处处的铜层层进行加加厚，并并且在铜铜面上镀镀上一层层抗蚀刻刻层（即即锡或锡锡铅）。。基本工艺艺要求电镀铜＋＋锡或锡锡铅以电镀供供应商工工艺要求求为准。。去膜：SES工艺流程程详细介介绍去膜的作作用：通过强碱碱溶液（（一般为为NaOH溶液，浓浓度为2-3%）将覆盖盖在铜面面上抗电电镀的干干膜去掉掉。SES工艺流程程详细介介绍去膜：去膜的原原理：COOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOCOOCOOCOOCOOCOOCOOCOOHCOOCOOCOO－－－－－－－－－－－Na＋Na＋Na＋Na＋Na＋Na＋Na＋Na＋Na＋Na＋Na＋去膜NaOH/H2ORelaxation去膜基本工艺艺要求去膜液浓浓度：：2.0~3.0%（NaOH浓浓度）去膜液温温度：：45~55℃去膜压力力：：2.0~3.0kgf/cm2水洗压力力：：1.0~3.0kgf/cm2去膜点：：50~60％SES工艺流程程详细介介绍蚀刻：蚀刻的作作用：用蚀刻液液将非线线路图形形部分的的铜面蚀蚀刻掉，，而在锡锡或锡铅铅下的铜铜则不能能被蚀刻刻。SES工艺流程程详细介介绍去锡/锡铅：去锡/锡铅的作作用：用去锡/锡铅药液液将锡/锡铅去掉掉，露出出需要的的线路。。基本工艺艺要求蚀刻、去去锡/锡铅以蚀刻药药水和去去锡药水水供应商商工艺要要求为准准。工序注意意事项去膜各段喷嘴嘴不能堵堵塞；去膜液浓浓度不可可超出控控制范围围；去膜液要要定期更更换，需需要有自自动添加加，保证证不能超超过药水水负载量量；去膜段干干膜过滤滤系统工工作良好好，并定定期清理理膜碎；；去膜后水水洗干净净，板子子表面不不能有残残膜；吹干段不不能有大大量水带带入蚀刻刻段。5.常见缺陷陷图片及及成因短路(划伤造成)

短路(去膜不净)

短路(銅渣造成)

短路(銅渣造成

短路(銅渣造成)短路(膜下雜物)

短路(膜下銅渣)

短路(銅渣造成)短路(滲鍍)

5.常见缺陷陷图片及及成因開路(膜碎造成)開路(膜碎造成)開路(膜碎造成)開路(膜碎造成)劃傷,蝕刻後劃傷,蝕刻後

凸起,雜物造成

缺口,膜碎造成

6.讨论谢谢大大家家！9、静夜四无邻邻，荒居旧业业贫。。12月-2212月-22Wednesday,December28,202210、雨雨中中黄黄叶叶树树，，灯灯下下白白头头人人。。。。21:04:3621:04:3621:0412/28/20229:04:36PM11、以以我我独独沈沈久久，，愧愧君君相相见见频频。。。。12月月-2221:04:3621:04Dec-2228-Dec-2212、故人人江海海别，，几度度隔山山川。。。21:04:3621:04:3621:04Wednesday,December28,202213、乍见翻疑疑梦，相悲悲各问年。。。12月-2212月-2221:04:3621:04:36December28,202214、他乡生白发发，旧国见青青山。。28十二月月20229:04:36下午21:04:3612月-2215、比比不不了了得得就就不不比比，，得得不不到到的的就就不不要要。。。。。十二二月月229:04下下午午12月月-2221:04December28,202216、行动动出成成果，，工作作出财财富。。。2022/12/2821:04:3621:04:3628December202217、做前，能能够环视四四周；做时时，你只能能或者最好好沿着以脚脚为起点的的射线向前前。。9:04:36下下午9:04下下午21:04:3612月-229、没有有失败败，只只有暂暂时停停止成成功！！。12月月-2212月月-22Wednesday,December28,202210、很多多事情情努力力了未未必有有结果果，但但是不不努力力却什什么改改变也也没有有。。。21:04:3621:04:3621:0412/28/20229:04:36PM11、成功就就是日复复一日那那一点点点小小努努力的积积累。。。12月-2221:04:3621:04Dec-2228-Dec-2212、世间成成事，不不求其绝绝对圆满满，留一一份不足足，可得得无限完完美。。。21:04:3621:04:3621:04Wednesday,December28,202213、不知香积积寺，数里里入云峰。。。12月-2212月-2221:04:3621:04:36December28,202214、意志志坚强强的人人能把把世界界放在在手中中像泥泥块一一样任任意揉揉捏。。28十十二二月20229:04:36下下午21:04:3612月月-2215、楚塞三三湘接，，荆门九九派通。。。。十二月229:04下午午12月-2221:04December28,202216、少年十五二二十时，步行行夺得胡马骑骑。。2022/12/2821:04:3621:04:3628December202217、空山新雨后后，天气晚来来秋。。9:04:36下午9:04下下午21:04:3612月-229、杨杨柳柳散散和和风风，，青青山山澹澹吾吾虑虑。。。。12月月-2212月月-22Wednesday,December28,202210、阅阅读读一一切切好好书书如如同同和和过过去去最最杰杰出出的的人人谈谈话话。。21:04:3621:04:3621:0412/28/20229:04:36PM11、越是是没有有本领领的就就越加加自