标准解读

《GB/T 26065-2010 硅单晶抛光试验片规范》是由中国国家标准化管理委员会发布的一项国家标准，主要针对硅单晶抛光试验片的生产和质量控制。该标准详细规定了硅单晶抛光片的技术要求、测试方法、检验规则以及包装、标志、运输和贮存等方面的内容。

在技术要求方面，标准明确了硅单晶抛光片的基本尺寸规格，包括直径、厚度等参数，并对表面平整度、粗糙度提出了具体的要求。此外，还涉及到了电阻率范围、掺杂类型（P型或N型）的选择等电学性能指标。对于特定应用领域，如微电子行业中的使用，这些参数尤为重要。

关于测试方法，《GB/T 26065-2010》提供了详细的指导，涵盖了几何尺寸测量、表面形貌分析、电导率测定等多个方面。通过采用适当的仪器设备和技术手段，确保能够准确地评价样品是否符合规定的各项性能指标。

检验规则部分，则是围绕如何进行批次抽样检查而设立的一系列准则。它定义了合格判定条件、不合格品处理流程等内容，旨在保证出厂产品的整体质量水平。

最后，在包装、标志、运输及贮存章节中，标准给出了建议性的指南。比如，推荐使用何种材料进行封装以保护产品免受物理损伤；标识信息应包含哪些关键要素以便于识别与追溯；以及在不同环境条件下如何妥善保存硅单晶抛光片以延长其使用寿命等。

该标准为硅单晶抛光片的生产者、使用者及相关检测机构提供了一个统一的标准依据，有助于提高产品质量一致性，促进相关产业健康发展。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2011-01-10 颁布
  • 2011-10-01 实施
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文档简介

ICS29045

H80.

中华人民共和国国家标准

GB/T26065—2010

硅单晶抛光试验片规范

Specificationforpolishedtestsiliconwafers

2011-01-10发布2011-10-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T26065—2010

前言

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位宁波立立电子股份有限公司杭州海纳半导体有限公司

:、。

本标准主要起草人宫龙飞何良恩许峰黄笑容刘培东王飞尧

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T26065—2010

硅单晶抛光试验片规范

1范围

11本标准规定了半导体器件制备中用作检验和工艺控制的硅单晶试验片的技术要求

.。

12本标准涵盖尺寸规格结晶取向及表面缺陷等特性要求本标准涉及了所有

.、。50.8mm~300mm

标准直径的硅抛光试验片技术要求

。

13对于更高要求的硅单晶抛光片规格如颗粒测试硅片光刻分辨率试验用硅片以及金属离子监控

.,:、

片等参见硅单晶优质抛光片规范

,SEMI24《》。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

非本征半导体材料导电类型测试方法

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GB/T1555

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GB/T2828.11:(AQL)

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半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法

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硅片径向电阻率变化的测量方法

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硅单晶抛光片

GB/T12964

硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法

GB/T13387

硅片参考面结晶学取向射线测试方法

GB/T13388X

硅片直径测量方法

GB/T14140

半导体材料术语

GB/T14264

硅片边缘轮廓检验方法

YS/T26

硅单晶优质抛光片规范

SEMI24

表面金属含量测量

ASTMF1526

3术语和定义

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