GB/T 26069-2022硅单晶退火片

ICS29045

CCSH.82

中华人民共和国国家标准

GB/T26069—2022

代替GB/T26069—2010

硅单晶退火片

Annealedmonocrystallinesiliconwafers

2022-03-09发布2022-10-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T26069—2022

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替硅退火片规范与相比除结构调整和编辑

GB/T26069—2010《》,GB/T26069—2010,

性改动外主要技术变化如下

,:

范围一章增加了包装标志运输贮存随行文件及订货单等内容更改了硅单晶退火片的

a)“”、、、、,

适用范围见第章年版的第章

(1,20101);

增加了术语退火片技术代及其定义见第章

b)“”“”(3);

增加了和集成电路线宽所需的硅单晶退火片的技术规格见第

c)65nm、45nm、32nm22nm(4

章

);

增加了退火片的基本要求应符合的要

d)GB/T12962、GB/T29504、GB/T12965、GB/T29508

求见

(5.1);

更改了硅片标识径向氧含量厚度及允许偏差局部光散射体等要求删除了直径边缘表面

e)、、、,、

条件平整度滑移体微缺陷刻蚀带深度等要求增加了主参考面或切口晶向边缘轮

、、、(BMD),、

廓背表面状态洁净区宽度等要求见第章年版的

、、(DZ)(5,20104.2);

删除了径向电阻率变化晶向参考面长度主参考面晶向晶体完整性直径间隙氧含量间

f)、、、、、、、

隙氧含量径向变化边缘轮廓的测量方法见年版的和

、(20105.3、5.4、5.5、5.6、5.7、5.9、5.10

5.15)

更改了厚度总厚度变化局部平整度的测量方法见年版的和

g)、、(6.3,20105.115.13);

更改了翘曲度的测量方法见年版的

h)(6.4,20105.12);

增加了背表面光泽度的测量方法见

i)(6.6);

更改了表面金属含量的测试方法见年版的

j)(6.8,20105.17);

增加了体金属铁含量的测试方法见

k)()(6.10);

增加了洁净区宽度及体微缺陷密度的检验方法见

l)(6.11);

更改了组批方式见年版的

m)(7.2,20106.2);

全检项目中增加了导电类型几何参数表面金属含量和氧化诱生缺陷见

n)、、(7.3.1);

增加了检验结果的判定见

o)(7.5);

更改了包装见年版的

p)(8.1,20107.2);

增加了随行文件见

q)(8.5)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位有研半导体硅材料股份公司山东有研半导体材料有限公司浙江众晶电子有限

:、、

公司洛阳鸿泰半导体有限公司开化县检验检测研究院浙江中晶科技股份有限公司浙江金瑞泓科技

、、、、

股份有限公司浙江海纳半导体有限公司中环领先半导体材料有限公司

、、。

本文件主要起草人孙燕宁永铎楼春兰陈锋黄笑容王振国张海英潘金平由佰玲

:、、、、、、、、。

本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为

:

年首次发布为

———2010GB/T26069—2010;

本次为第一次修订

———。

Ⅰ

GB/T26069—2022

硅单晶退火片

1范围

本文件规定了硅单晶退火片以下简称退火片的分类技术要求试验方法检验规则包装标志

()、、、、、、

运输贮存随行文件及订货单内容

、、。

本文件适用于通过退火工艺在硅单晶抛光片表面形成一定宽度洁净区的硅片产品用于技术代

,

的集成电路

180nm~22nm。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

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计划

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