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文档简介

载流子的漂移扩散爱因斯坦关系式演示文稿第一页，共十七页。优选载流子的漂移扩散爱因斯坦关系式第二页，共十七页。若半导体中非平衡载流子浓度不均匀，同时又有外加电场的作用，载流子要同时做

半导体总的电流扩散运动漂移运动扩散电流漂移电流1、载流子的漂移运动第三页，共十七页。外加电场，电子漂移电流密度为

(5-109)空穴漂移电流密度为

漂移电流：电子、空穴电流都与电流方向一致除了平衡载流子以外，非平衡载流子对漂移电流有贡献。(5-110)第四页，共十七页。图示n型的均匀半导体，x方向加一均匀电场，表面处光注入非平衡载流子。第五页，共十七页。少数载流子空穴电流密度为

电子电流密度为

(5-111)(5-112)第六页，共十七页。

通过对非平衡载流子的漂移运动和扩散运动的讨论，明显看出，迁移率是反映载流子在电场作用下运动难易程度物理量，而扩散系数反映存在浓度梯度时载流子运动难易程度。？扩散系数迁移率第七页，共十七页。2、爱因斯坦关系(n型半导体为例)2.1浓度梯度引起内建电场热平衡状态掺杂不均匀的n型半导体n0(x)梯度引起扩散电流电中性条件被破坏，引起内建电场考虑漂移电流n=n0(x)第八页，共十七页。(5-113)(5-114)(5-116)(5-115)电子（空穴）扩散电流密度电子（空穴）漂移电流密度电子（空穴）漂移电流密度第九页，共十七页。平衡时，不存在宏观电流，因此电场的方向必然使反抗扩散电流，是平衡时电子的总电流和空穴的总电流分别为0。(5-117)(5-118)(5-119)第十页，共十七页。注意:当半导体内部出现电场时，半导体内各处电势不相等,是x函数，写为V(x),则

(5-120)在考虑电子能量时，必须计入附加的静电势能（-qV（x））。第十一页，共十七页。对于非简并半导体，导带底的能量是变化的EC(x)=EC(0)+(-q)V(x)电子的浓度(5-121)第十二页，共十七页。求导得(5-122)将(5-120)(5-122)代入(5-119)得到得到(5-123)第十三页，共十七页。非简并情况下，爱因斯坦关系式注：虽然D，μ的关系是针对平衡载流子推导出来的，但实验证明对非平衡载流子同样成立，因为刚激发的非平衡载流子虽具有和平衡时的载流子不同的速度和能量，但由于晶格的作用，在比寿命短的多的时间内就达到了平衡。第十四页，共十七页。归纳：1、该关系适合于平衡，非平衡非简并情况；2、非均匀载流子浓度会引起扩散；3、由于载流子的扩散会导致自建场；4、有电场存在则能带发生变化；5、非简并情况下第十五页，共十七页。

由爱因斯坦关系式，已知的迁移率数据，可以得到扩散系数。k0T/q=(1/40)V，Si:μn=1400cm2/(V·s),μp=500cm2/(V·s)Dn=35cm2/s，Dp=13cm2/s。Ge:μn=3900cm2/(V·s),μp=1900cm2/(V·

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