芯片avr中文参考at90s大多数为单指令周期

特AVRRISC89条指 大多数为单指令周32个8位通用工作寄存12MHz12MIPS的性能数据和非易失性程序内存1K字节的可编程FLASH擦除次数1000次64字节可编程EEPROM 程序加密位Peripheral特点一个可预分频Prescale的8位定时器/计数器片内模拟比较器可编程的看门狗定时器由片内振荡器生成用于程序的SPI口特别的MCU低功耗空闲和掉电模式内外部中断源可选的片内RC振荡器规范Specification低功耗CMOS工艺全静态工作4MHz3V25条件下的功耗工作模式2.0mA空闲模式1I/O和封装15个可编程的I/O20PDIPSOIC封装工作电压2.7V-6.0VAT90S1200-44.0V-6.0VAT90S1200-12速描 AT90S12001MIPS/MHzAVR32ALU算逻单元直接相连允许在一个时钟周期内执行的单条指令同时两个独立的寄存器这种结构提高了代码效率使AVR得到了比普通CISC单片机高将近10倍的性能图 AT90S1200结构方框这种结构可以有效地支持高级语言编程同时保持代码密度紧凑AT90S1200具有以下特点1K字节FLASH64字节EEPROM15个通用I/0口32个通用工作寄存器内外中断源可编程的看门狗定时器程序用的SPI口以及两种可通过软件选择的省电模式工作于空闲模式时CPU将停止运行而寄存器 定时器/计数器看门狗和中断系统继续工作掉电模式时振荡器停止工作所有功能都被 而寄存器内容得到保留只有外部中断或硬件复位才可以退出此ATMELFLASH允许多次编程通过将增强的RISC8位CPU与FLASH集成在一个内1200为许多嵌入式控制应用提供了灵活AT90S1200具有一整套的编程和系统开发工具宏汇编调试/仿真 仿真器和评估管脚配置管脚定义 GNDB口B8I/O口每一个管脚都有内部上拉电阻可单独选择PB0PB1还可作为片内模拟比较器的正AIN0负AIN1输入端B口的输出缓冲器能够吸收20mA的电LED复位过程中B口为三态即使此时时钟还未起振D口D7I/O20mA的电流当作为输入时如果外部被拉低由于上拉电阻的存在管脚将输出电流在复位过程中D口为三态 复位输入超过50ns的低电平将引起系统复位50nsXTAL1振荡器放大器的输入端XTAL2振荡器放大器的输出端晶体振荡器XTAL1XTAL2使用外部时钟时XTAL2应悬空图 振荡器连注若要利用MCU的振荡器作为器件的时钟应该如上图一样连接一个HC缓冲图 外部时钟驱动配RC振荡器可以选择片内的RC振荡器频率为1M作为MCU的时钟从而AT90S1200可以在零的情况下工作当RCEN位编程为 时RC振荡器即成为MCU时钟RCEN位只能并行编程模式下改变所以如果要利用RC振荡器来进行串行的话首先要并行改变为了客户方便起见AT90S1200ARCEN结构纵览4AT90S1200AVRRISC快速寄存器堆包含32个8位可单周期的通用寄存器这意味着在一个时钟周期内ALU可以完成一次如下操作寄存器堆中的两个操作数执行操作将结果存回到寄存器堆ALU支持两个寄存器之间寄存器和常数之间的算术和逻辑操作以及单寄存器的操作AVR采用了HARVARD结构程序和数据总线分离程序内存通过两段式的管道Pipeline进行当CPU相对跳转和相对调用指令可以直接512个地址空间所有的AVR指令都为16位长也就是说每一个程序内存地址都包含一条16位的指令当执行中断和子程序调用时返回地址于堆栈中1200的堆栈为3级硬件堆栈I/O内存空间包含64个CPU的地址如控制寄存器T/CA/D等AVR结构的内存空间是线性的中断模块由I/O空间中的控制寄存器和状态寄存器中的全局中断使能位组成每个中断都具有一个中断向量由中断向量组成的中断向量表位于程序区的最前面中断向量地址低的中断通用工作寄存器堆……图……所有的寄存器操作指令都可以单指令的形式直接所有的寄存器例外情况为5条涉及常数操作的指令SBCI CPIANDI和ORI这些指令只能通用寄存器堆的后半部分R16到R31AVRALU与32个通用工作寄存器直接相连ALU操作分为3类算 逻辑和位操可编程AT90S12001KFLASH16位宽故尔FLASH51216FLASH的擦除次数至少为1000次AT90S1200的程序计数器PC为9位宽可以寻址到512个字的FLASH程序程序和数据寻址模式单寄存器直接寻址单寄存器间接寻址双寄存器直接寻址I/O直接寻址程序相对寻址子程序和中断硬件堆栈AT90S12003级硬件堆栈9RCALLPC001RETI0PC将出栈12如果有多于3个的子程序或中断连续嵌套发生则第一个进栈的内容将丢 其写为100000次具体操作见后续章指令操作时序AVRCPU由系统时钟驱 此时外部晶体直接产表 地址16进名 T/CT/C0T/C08DDAVR1200的所有I/O和都被放置在I/O空间IN和OUT指令用来不同的I/O地址位寻址而SIBCSIBS则用来检查单个位置位与否为了与后续产品兼容保留未用的位应 0而保留的I/O寄存器则不应一些状态标志位的清除是通过写1 来实现的CBI和SBI指令已置位的标志位时会回写1因此会清除这些标志位I/O寄存器和控制寄存器在后续章节介76543210ITHSVN76543210ITHSVNZC00000000 全局中断使能置位时使能全局中断单独的中断使能由个独立控制寄存器控制如果I 中断标志置位与否都不会产生中断I在复位时 RETI指令执行后置位TBLDBST利用T作为目的或源地址BST把寄存器的某一位拷贝到TH半加标志位S符号位 二进制补码溢出标志位N负数标志位Z零标志位C进位标志位状态寄存器在进入中断和退出中断时并不自动进行和恢复这项工作由软件完复位和中断处理AT90S120033个中断事件有自己的使能位当使能位置位且I也置位的情况下中断可以发生2在中断向量表中处于低地址的中断具有高的优先级所以RESET具有最高的优先级表 复位与中断向向量号程序地址来中断定义1硬件管 上电复位和看门狗复23 T/C04PT0P<指令复位源上电复 外部复 当/RESET引脚上的低电平超过50ns时MCU复看门狗复 I/O$000开始执行$000地址中放置的指令必须为RJMP相对跳转指令跳转到复位处理例程若程序不需中断则中断向量就可放置通常的程序代码图13为复位电路的逻辑图表3定义了复位电路的时序和电参数图 复位逻表 复位电参 VCC=符参最小值典型值最大值单上电复位电压门限上V上电复位电压门限下V--V234复位延迟周期等于16K个WDT钟注1.VPOT上电复位上电复位POR 保证器件在上电时正确复位如图13所示在电源电压达到VPOT后片内定图 MCU启动/RESET与VCC相如果内置于片内的启动时间足够的话/RESETVCC直接相连或是外接上拉电阻如果在加上VCC的同时保持/RESET15外部复位外部复位由外加于/RESET引脚的低电平产生大于50ns的复位脉冲将造成复位施加VRST上升沿时tTOUT延时周期开始然后MCU启动图 工作期间的外部复看门狗复位1XTAL图 工作期间的看门狗复中断处理AT90S1200有2个中断 控制寄存器GIMSK通用中断 寄存器和TIMSKT/C中断屏一个中断产生后全局中断使能位I将 后续中断 用户可以在中断例程里I置位从而开放中断RETII当程序计数器指向实际中断向量开始执行相应的中断例程时硬件清除对应的中断标志一些中断标志位也可以通过软件写1 当一个符合条件的中断发生后如果相应的中断使能位为0则中断标志位置位并一直保持到中断执行或者被软件清除如果全局中断标志 则所有的中断都不会被执 直到I置注意外部电平中断没有中断标志位因此当电平变为非中断电平后中断条件即终止进入中断和退出中断时MCU不会自动保存或恢复状态寄存器故尔需由软件处理通用中断寄存器76543210-------读/RRRRRRR00000000位 INT00请求使能当INT0和I都为1时 外部引脚中断使能MCU通用控制寄存器MCUCR中的中断检测控制位1/0ISC01和ISC00定义中断0是上升沿中断还是下降沿中断或者是低电平中断即使管脚被定义为输出中断仍可产生T/C中断寄存器76543210-------读/RRRRRRR000000000TOIE0T/C0溢出中断使能TOIE0和I都为1时T/C0溢出中断使能当T/C0溢出或TIFRTOV0位置位时中断例程$002得到执行T/C中断标志寄存器76543210-------读/RRRRRRR00000000 TOV0T/C0溢出中断标志位当T/C0溢出时TOV0置位执行相应的中断例程后此位硬件 此外TOV0也可以通过写1 当SREG中的位ITOIE0和TOV0一同置位时中断例程得到执行外部中断外部中断由INT0引脚触发触发方式可以为上升 下降沿或低电 这些设置由MCUCRINT0设置为低电平触发时只要电平为低中断就一直挂起即使INT0配置为输出中断也会发生这种特性可以用来实现软件中断用户不能直接中断标志位如果怀疑有一个边沿触发中断被挂起则标志位可以通过如置位 重新使能外部中中断响应时间AVR4个时钟周期在这4个时钟期间PC自动入栈在通常情况下2个时钟周期如果中断在一个多周期指令执行期间发生则在此多周期指令执行完后MCU才会执行中断程序中断返回亦需4个时钟在此期间PC将被弹出栈SREGI被置位如果在中断期间AVRAT90S1200333个返回地址得到保留其他的将丢失MCU控制寄存器76543210----读/RRRR00000000位 SESLEEPSEMCUMCU进入休眠建议与SLEEP指令相连使用SM此位用于选择休眠模式SM 时为闲置模式SM为 ISC01ISC00INT0中断的边沿或电平表 中断0检测控00011011注意改变ISC01/ISC00时首先要INT0清除GIMSK的INT0位否则可能不必要INT0引脚的电平在检测边沿之前采样如果边沿中断使能则大于一个MCU时钟的脉冲将触发中断如果选择了低电平触发则此电平必须保持到当前执行的指令结束休眠模式进入休眠模式的条件是SE为1然后执行SLEEP指令使能的中断将唤醒MCU完成中断例程后MCUSLEEPI/O内存的内容不会丢失如果在休眠模式下复位则MCU从RESET向量$000处开始运行闲置模式SM为0时SLEEPMCU进入闲置模式在此模式下CPU停止运行而定时器/计数器看门狗和中断系统继续工作内外部中断都可以唤醒MCU如果不需要从模拟比较器中断唤醒MCU为了减少功耗可以切断比较器的电源方法是置位ACSRACD掉电模式SM为1时SLEEPMCU进入掉电模式在此模式下外部晶振停振而外部中断及看门狗在使能的前提下继续工作只有外部复位看门狗复位和外部电平中断INT0可以使MCU脱离掉电模式定时器/计数器 T/C0AT90S12008位的通用定时器/计数器T/C010位的预分频定时器取得预分频的时钟T/C0既可用作使用片内时钟的定时器也可用作对外部触发信号记数的计数器图 T/C0的预分频4种可选的预分频时钟为 CK/64CK/256和 CK为振荡器时钟对于T/C0CK外部时钟

19T/C0T/C0T/C0CPU对信号的正确采样要保证外部信号的转换时间至少为一个CPU时钟周期MCU在内部CPU时钟的上升沿对外部信号进行采样在低预分频条件下T/C0具有高分辨率和高精度的特点而在高预分频条件 T/C0非T/C0控制寄存器 6543210 ----读/ RRRR初始 00000007…3CS02CS01CS00时钟选择表 T/C0预分频选描000001010011100101110外部引脚 下降111外部引脚 上升当T/C0由外部引脚T0驱动时即使PD4T0配置为输出管脚上的信号变化照样可以使计数器发生相应的变化这就为用户提供了一个软件控制的方法765476543210读/00000000T/C0是可以进行读/写的向上计数器只要有时钟输入 看门狗定时器看门狗定时器由片内独立的振荡器驱动在VCC=5V1MHz通过调整定时器的预分频因数8种可以改变看门狗复位时间间隔看门狗复位指令是WDT如果定时时间已经到而且没有执行WDTMCUMCU从复位地址重新图 看门狗定时看门狗定时器控制寄存器76543210----读/RRRR000000007…4WDE看门狗使能WDE为1时看门狗使能WDP2…0预分频器表 看门狗定时器预分频选振荡周期典型溢出时间典型溢出时间000001010011100101110111注看门狗的振荡频率于电压有关WDT应该在看门狗使能之前执行一次如果看门狗在复位之前使能则看门狗定时器有可能不是从0开始记数EEP的时间与电压有关大概在2.5~4ms之间自定时功能可以让用户监测何时开始写下EEPROM应当注意如下问题在电源滤波时间常数比较大的电路中上电/VCC上升/MCU将工作于低于晶振所要求的电源电压在这种情况下程序指针有可能跑飞并执行EEP写指令为了保证EEP的数据完整性建议使用低电压复EEPROM执行EEPROM读/写操作时CPU会停止工作2个周期然后再执行后续指令EEPROM地址寄存器 543210 -读/ R初始 0XXXXXX7…676543210读/00000000对于EEPROMEEDR是需要写到DDAREEDR 6543210 -----读/ RRRRR 00000007…2当EEP数据和地址设置好之 需置位EEWE以便将数据写入 经过写时VCC=2.7V时为4ms左右VCC=5V时为2.5ms左右之后EEWE硬件 判断写时序是否已经完成EEWE置位后CPU要停止2个周期当EEP地址设置好之后需置位EERE以便将数据读入EEDREERE表示EEPROM的数据已经读入 EEPROM数据的只需要一条指令且无需等待EERE置位后注意当一个EEPROM的中断例程被另一个EEPROM的中断例程中断时EEAR和EEDREEROMI在整个中断例程中都为0防止EEPROM数据毁坏由于电源电压过低CPUEEPROMEEPROM数据的毁坏这种情况在使用独立的EEPROM器件时也会遇到EEPROMEEPROM写操作所需要的最低电压二是CPU本身已经无法正常工作当电压过低时保持/RESET信号为低这可以通过外加复位电路 Brown-outDetection来完成有些AVR产品本身就内含BOD电路看有当VCC过低时使AVR内核处于掉电休眠状态这可以防止CPU对程序和执行代码有效防止对EEPROM的误操作模拟比较器模拟比较器比较正输入端PB0AIN0和负输入端PB1AIN1的值 如果PB0AIN0的电压高于PB1AIN1的值比较器的输出ACO将置位此输出可用来触发模拟比较器中断上升沿下降沿或电平变换其框图如图21所示21模拟比较器控制和状态寄存器 543210--读/RRR00000000位 ACD模拟比较器当ACD为1 时模拟比较器的电源将切断可以在任何时候对其置位以关闭模拟比较器这样可以减少器件的功耗改变ACD时要注意模拟比较器的中断否则有可能不必要ACO模拟比较器输出 模拟比较器中断标志位ACIACIS1ACIS0决定如果ACII都为1则CPU执行比较器中断例程进入中断例程后ACI被硬件此外ACI也可以通过对此位写1来达到的目的要注意的是如果ACSR的另一些位被SBI或CBI指令修改时ACI亦被ACIE模拟比较器中断使能ACIE为 ACIS1ACIS0模拟比较器中断模式选择表 中断模式00 0110ACO下降沿中断11ACO上升沿中断注意改变ACIS1/ACIS0时要注意模拟比较器的中断否则有可能不必要的中所有的AVRI/O端口都正的读-修改-写功能这意味着用SBI或CBI指令改变某些管脚的方向值/使能上拉时不会无意地改变其他管脚的方向值/使能上拉BB8I/OB口有3个I/O地址数据寄存器PORTB$18数据方向寄存器DDRB$17和输入引脚PINB$16PORTB和DDRB可读可写PINB只可读所有的管脚都可以单独选择上拉电阻引脚缓冲器可以吸收20mA的电流 当管脚被拉低时如果上拉电阻已经激活则引脚会输出电流表 B口第二功管第二功能AIN0模拟比较器正输入AIN1模拟比较器负输入MOSI程 MISO程 SCK串行时B口的第二功能时DDRBPORTBB口数据寄存器 543210读/00000000B口数据方向寄存器 543210读/ 初始 0000000765432176543210读/RRRRRRRRPINB不是一个寄存器这个地址用来B口的物理值PORTB时读到的是B口锁存的数据而PINB时读到的是施加于引脚上的逻辑数值B口用作通用数字I/O时B8PBn通用I/O引脚DDRB中的DDBn选择引脚的方向如果DDBn为1则PBn为输出脚如果DDBn为0则PBn为输入脚在复位期间B口为三态口表 B口的配上注00N三态高01Y10N011N1n76…0B口的第二功能SCK 当配置为输入DDB1=0PB1=0时 当配置为输入DDB0=0PB0=0时B口示意图图 B口示意图PB0和PB1图 B口示意图 PB3和PB4图 B口示意图PB7DD口有3个I/O地址数据寄存器PORTD$12数据方向寄存器DDRD$11和输入引脚PIND$10PORTD和DDRD可读可写PIND只可读D口有7个带上拉电阻的双向I/O管脚PD6~PD0 引脚缓冲器可以吸收20mA的电流能够直接驱动LED当管脚被拉低时如果上拉电阻已经激活则引脚会输出电流表 D口第二功管第二功能INT0外部中断0输T0T/C0的外部输D口数据寄存器76543210-读/R00000000D口数据方D口数据方76543210-读/R00000000D口输入引脚地址 543210-读/RRRRRRRR0PIND不是一个寄存器这个地址用来D口的物理值PORTD时读到的是D口锁存的数据而PIND时读到的是施加于引脚上的逻辑数值D口用作通用数字1PDnI/O引脚DDRDDDDnDDDn为出脚如果DDDn为0则PDn为输入脚在复位期间D口为三态口1表 D口的配

PDn上注00N三态高01Y10N011N1n6…0D口的第二功能 T/C0 D口示意图图 D口示意图 PD5和PD6图 D口示意图程序编程程序和数据锁定位AT90S1200具有两个锁定位如表12表 锁定保护模程序锁定位保护类型模111201300注1在并行编程模式下熔断位编程也 要先编程熔断位然后编程锁定熔断位AT90S1200有两个熔断位SPIENSPIEN编程 0 串行程序使能缺省值 0RCEN编程为0后MCU以内部RC振荡器为时钟缺省值为1 以订购缺省值为0 串 不 熔断位只能在并 程序 擦除命令不影响熔断厂所有的Atmel微处理器都有3字节的厂标用以识别器件此代码在串行或并行模式下都可 $1E表明是Atmel生产的 $901K字节的 $01当$01地址为$90 器件为1200注3有效时厂标不能以串行模式读出其返回值将为$00$01和FLASHAT90S12001KFLASH64EEPROM在出厂时已经被擦除为1器件支持+12V高压并行编程和低压串行编程+12V只用来使能高压编程不会有明显在两种编程模式下FLASH是以字节的形式写入的而对于EEPROM片内集成了自擦和自定时除功能在编程时要注意电源电压要满足要求13型串行编程并行编程2.7V–4.5V–并行编程图 并行编信号命名AT90S1200XA1/XA0XTAL1引脚当驱动/WE或/OE时执行加载表 管脚命编程时的信号名称管 O 器件忙 可以接受新命I输出使能低电I写脉冲低电I字节选择0低字 1高字II双向数据总线/OE为低时输出表 XA1和XA0编XTAL1给正脉冲后的操作00加载FLASH或EEPROM的地址BS决定是地址还是低位地址01加载数据BS决定 1011表 命令字节编命令字节执行100001000010000100010000000000000000进入编程模式拉低/RESET和 等待至少给/RESET11.5~12.5VBS在/RESET加上+12V100ns之内发生动作将导致器件无法进入编程模式擦FLASHEEPROMFLASHEEPROM完全擦除之前FLASHEEPROM重新编程之前加载擦 命设置 XA0为 使能命令加BS为0设置DATA为1000 擦除命XTAL1一个正脉冲给/WEtWLWH_CERDY/BSY设置 XA0为 使能命令加BS为0设置DATA为0001 XTAL1一个正脉冲加载地设置 XA0为 使能地址加设置BS为 选择地址的字设置DATA=地址的字节由于只有1K字节故为$00或$01给XTAL1一个正脉冲加载地址的字设置 XA0为 使能地址加设置BS为 选择地址的低位字设置DATA=地址的低位字节$00~$FFXTAL1一个正脉冲设置 XA0为 使能数据加 设置DATA=数据的低位字节$00~$FF XTAL1一个正脉冲设置BS为 选择低位数给/WR一个负脉冲开始编程数 RDY/BSY变高然后开始编程下一字节波形见图31加载数据的字设置 XA0为 使能数据加设置DATA=数据的字节$00~$FFXTAL1一个正脉冲写数据的字设置BS为 选择数给/WR一个负脉冲开始编程数 RDY/BSY变高然后开始编程下一字节波形见图32器件在编程时保存加载令和地址为了有效地进行编 请注意以下几．当写读多个内存地址 命令只需加载一．仅在编程新的页256字节时才需要加载地址字．因为擦除之后所有的FLASH和EEPROM的内容都为1故数据为$FF时可以跳过编EEPROM的编程FLASHEEPROM3132 A加载命令0000B加载地址的字节$00~$01 加载地址的低位字节$00~$FF设置BS为1此时可以读FLASH数据的字设置/OE为1 A加载命令0001B加载地址的低位字节$00~$3F 加载数据的低位字节$00~$FF A加载命令0000B加载地址的低位字节$00~$3F设置/OE和BS为0此时可以从DATA总线数据的低位字设置/OE为1编程熔断位 A加载命令0100 加载数据的低位字 Bitn 代表要编 代表要擦Bit5=SPIENBit0 Bit7-6,4-1 1这些位是保留给/WRtWLWH_PFBRDY/BSY编程锁定位 A加载命令0010 加载数据的低位字 Bitn 代表要编Bit2=LockBit2Bit1=LockBit1Bit7-3,0 1这些位是保留 锁定位只能在擦除上时清读熔断位和锁定位 A加载命令0000设置/OE为0BS为1此时可以从DATA总线数Bit7=LockBit1Bit6=LockBit2Bit5=SPIENBit0=RCEN设置/OE为1读厂标 A加载命令0000 加载数据的低位字节$00~$02设置/OE为0BS为0 设置/OE为1并行编程特性图 并行编程时表 并行编程特性TA= VCC=5V符参最小值典型值最大值单VAData&ControlSetupbeforeXTAL1XTAL1Lowto/WRXTAL1Lowto/OE/WRPulseWidthLowforChip5B/WRPulseWidthLowforProgrammingFuse注1在擦除时使用tWLWH_CE而在编程锁定位是使用2tWLWHtWLRH长则看不见RDY/BSY串行当/RESET拉到地时FLASH和EEPROM可以利用SPI总线进行串 串行接口包SCKMOSI和 /RESET拉低后在进行编程/擦除之前首先要执行编程使能指图 串行编程和校EEPROM将使FLASH和EEPROM的内容全部变为$FFFLASH和EEPROM的地址是分离的FLASH的范围是 EEPROM的范围XTAL1XTAL1XTAL2SCK脉冲的最小高低电低>1XTAL1时钟高4XTAL1串行编程算法进行串行编程时数据在SCKAT90S1200SCK的下降沿输出至少等待 然后在MOSIPB5串行输入编程使能指如果此时执行了擦除指 则须等待 然后在/RESET上施加正脉冲回到第二FLASHEEPROMtWD_PROG的时间对于擦除过的器件数据$FF就用不着再写了任意一个内存地址都可以用读指令在MISOPB6读编程结束后可以把/RESET拉高进入正常工作模式下电过程如果需要的话将XTAL1拉低如果没有用外部晶振或者用的是内部RC振荡器把/RESET拉高EEPROM数据检测EEPROMP1自擦除过程结束后器件则返回P2P1和P2的定义见表18当写过程结束后的数据则为写入的数据用这种方法可以确定何时可以写入新数据但是对于特定的数据P1P2就不可以用这种方法了此时应当在编程新数据之前至少等待tWD_PROG的时间如果在编程EEPROM之前已经进行 擦除则数据$FF就可以不用再编程表 EEPROM数据检测返回型FLASH数据检测写FLASH时如果内部写过程没有结束则正在写的地址时会得到返回值$FF否则读$FFtWD_PROG的时间如果在编程FLASH之前已经进行过擦除则数据$FF就可以不用再编程了35表 AT90S1200的串行编程指指指令格式操10100101xxxxxxxx1010100xxxxxxxxx00100000oooo从字地址a:b高或低字节o01000000iiii写H高或低字10100000oooo11000000iiii1010xxxxxxxx0011xxxxxxxxoooo注意a=b=H0低地址1o=输出数据i=输入数据x=任意1=Lock2=Lock注意3串行编程电特性36表20串行编程电特性TA=- 到 VCC=2.7V–符参最小值典型值最大值单1/振荡频 VCC=2.7V–04振荡周 VCC=2.7V–1/振荡频 VCC=4.0V–0振荡周 VCC=4.0V–4MOSISetuptoSCK1.252.521符22符直流特性TA=- 到 VCC=2.7V–符参条最小值典型值最大值单0.3VCCV0.1V0.6VCCV0.7VCCV0.85VCCV3BDIOL=20mAVCC=IOL V4BDIOH=20mAVCC=5VIOH=10mAVCC=V流I/O脚VCC=6VpinA VCC=6Vpin流I/OkI/Ok工作状态VCC3V闲置状态VCC3VWDT使能VCC9A A输入流注 最大值代表保证可以0时的最高电最小值代表保证可以1时的最低电D0–D5和ZTAL2的IOL之和过100mAB0–B7和D6的IOL之和过100mAD0–D5和ZTAL2的IOH之和过100mAB0–B7和D6的IOH之和过100mA外部时钟驱动波形图 外部时外部时钟符参单最小值最大值最小值最大值1/040ss典型特性100%的测试功耗测量的条件为所有I/O引脚配置为输入有上拉正弦波发生器作为时钟器件功耗受以下因素影响工作电压工作频率I/O口的加载I/O口变换频率执行的代码以及工作温度主要因素是工作电压和频率容性负载的功耗可由CL*VCC*f进行计算式中CL为负载电容VCC=工作电压器件曲线标度高于测试的极限使用时一定要按照订购器件的指标来使用工作于掉电模式时看门狗使能及两条曲线之差即表示了看门狗的功耗图 工作电流与频率的关图 工作电流与电压的关图 工作电流与电压的关 内部振荡图 工作电流与频率的关 闲置模图 工作电流与电压的关 闲置模图 工作电流与电压的关系闲置模 内部振荡图 工作电流与电压的关系掉电模 看门狗图 工作电流与电压的关系掉电模 看门狗使图 片内RC振荡器频率与电压的关图 模拟比较器电流与电压的关图 模拟比较器偏置电压与共模电压的关 图 模拟比较器偏置电压与共模电压的关50图 上拉电阻电流与输入电压的关图 上拉电阻电流与输入电压的关图 I/O引脚吸入电流与输出电压的关图 I/O引脚输出电流与输出电压的关图 I/O引脚吸入电流与输出电压的关图 I/O引