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文档简介

1.4场效应管放大电路N沟道P沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)分类：1.4结型场效应管

结构工作原理

输出特性转移特性

主要参数

1.4.1

JFET的结构和工作原理

1.4.2

JFET的特性曲线及参数

一、场效应管简介（以N沟道为例）场效应管有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于三极管的截止区、放大区和饱和区。1、结型场效应管利用g-s之间电压来控制d-s之间的电流。iD=f(uGS)转移特性│uGS│增大到一定值，沟道消失，漏极电流为0。导电沟道1.4.1JFET的结构和工作原理1.结构2.工作原理①VGS对沟道的控制作用当VGS＜0时（以N沟道JFET为例）

当沟道夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP

（或VGS(off)）。对于N沟道的JFET，VP<0。PN结反偏耗尽层加厚沟道变窄。VGS继续减小，沟道继续变窄②VDS对沟道的控制作用当VGS=0时，VDSIDG、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。

当VDS增加到使VGD=VP时，在紧靠漏极处出现预夹断。此时VDS夹断区延长沟道电阻ID基本不变③

VGS和VDS同时作用时当VP<VGS<0时，

导电沟道更容易夹断，

对于同样的VDS，

ID的值比VGS=0时的值要小。在预夹断处VGD=VGS-VDS=VP综上分析可知

沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，

所以场效应管也称为单极型三极管。JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。#

为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因

此iG0，输入电阻很高。uGD=UGS(off)时称为预夹断夹断电压漏极饱和电流

特性曲线#

JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？1.4.2JFET的特性曲线及参数2.转移特性VP1.输出特性

源极，用S或s表示N型导电沟道漏极，用D或d表示

P型区P型区栅极，用G或g表示栅极，用G或g表示符号符号1.4.1JFET的结构和工作原理1.结构#

符号中的箭头方向表示什么？绝缘栅型场效应管反型层uDS

不变，uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当反型层将两个N区相接时，管子导通。增强型管SiO2绝缘层耗尽型管加正离子

uGS=0时就存在导电沟道。绝缘栅型场效应管1)增强型MOS管2)耗尽型MOS管开启电压②夹断电压VP(或VGS(off))：①饱和漏极电流IDSS：3.主要参数漏极电流约为零时的VGS值。VGS=0时对应的漏极电流。③开启电压UT：直流参数④直流输入电阻RGS：

对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω。漏极电流达到某一数值时的VGS值。3.主要参数④最大漏极功耗PDM②漏源击穿电压V(BR)DS③栅源击穿电压V(BR)GS

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