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大数电讨论课小组报告——题目10小组成员：满天星、戚杨佳、刘禹希、牟刘杉、李海桐、孟祥一、薛子钊、刘子钊2014年4月10日问题十描述如果某工艺电源电压为5V，NMOS阈值电压为1V，PMOS阈值电压为0V，则画出对称反相器的VTC，并标出其不同的工作区；如果NMOS和PMOS的阈值绝对值均为3V，对称反相器的VTC如何。第一问已知：Vdd=5V，Vthn=1V，Vthp=0V求：反相器的VTC并标明工作区我们的发现！！！我们曾经学过，器件工作在线性区和饱和区时，分别有在饱和区时，存在沟长调制效应，则有我们的发现！！！而我们在讨论过程中，发现若想获得连续的NMOS输出特性曲线，则在线性区中也应考虑到沟长调制效应，即而且我们搜索到一篇名为《MOSFET模型参数的提取》的文章，也提到了类似的观点。反相器的VTC第二问已知：Vdd=5V，Vthn=3V，Vthp=-3V

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