完整屏蔽体屏蔽效能计算导体平板屏蔽效能

完整屏蔽体屏蔽效能计算导体平板屏蔽效能一 单层屏蔽体1.电磁波在屏蔽体x＝0界面处的传播公式2.单层屏蔽体的有效传输系数3.电场和磁场的有效传输系数

4.单层屏蔽体的屏蔽效能二多层平板屏蔽体的屏蔽效能

三.屏蔽效能的计算1吸收损耗2反射损耗3多次反射损耗四平面波模型推广到非理想屏蔽结构

入射波场强距离吸收损耗AR1R2SE＝R1＋R2＋A＋B＝R＋A＋BB电磁波在穿过屏蔽体时发生衰减是因为能量有了损耗，这种损耗可以分为两部分：反射损耗和吸收损耗。电磁波穿过一层屏蔽体时要经过两个界面，因此要发生两次反射电磁波穿过屏蔽体时的反射损耗等于两个界面上的反射损耗的总和。一 单层屏蔽体具有下标（1,2,3）的μ、ε、σ分别依次表示各区域中媒质的磁导率、介电常数和电导率；γ、Z分别依次表示各区域中平面电磁波的传播常数、媒质的本征阻抗，且用表示电磁波由区域i向区域j传播时，分界面处的传输系数和反射系数。1.电磁波在屏蔽体x＝0界面处的传播公式透射反射

2.单层屏蔽体的有效传输系数(1).不计分界面对电磁波的多次反射由图知：因此

式中

设E2i(0)为区域2中界面X=0处沿+X方向（从左向右）传播的第i次反射波，那么因此，区域2中从X=0处向右传播的所有波的和为：式中

(2).计入分界面对电磁波的多次反射当时，

考虑分界面对电磁波的多次反射，单层屏蔽体的有效传输系数为分界面的多次反射效应体现于因子

沿+x方向传播距离L后形成，它透过区域2和区域3的分界面，在区域3中X=L处形成E3(L)，3.电场和磁场的有效传输系数

令

以TE、TH表示屏蔽体的电场和磁场的有效传输系数

同理式中

分析：1.一般，pE≠pH，qE=qH=q，所以，TE≠TH。2.如果Z1=Z3（区域1与区域3媒质相同），那么pE=pH=p，qE=qH=q，从而TE=TH=T。4.单层屏蔽体的屏蔽效能屏蔽系数:屏蔽区域中同一点屏蔽后与屏蔽前的场强之比.电场和磁场的屏蔽系数分别为：

由上述讨论知，电磁波通过屏蔽体后，电场和磁场为当Z1=Z3时电场和磁场的屏蔽效能相等

无限大平板对垂直入射均匀平面波电场及磁场的屏蔽效能

一 单层屏蔽体1.电磁波在屏蔽体x＝0界面处的传播公式2.单层屏蔽体的有效传输系数3.电场和磁场的有效传输系数

4.单层屏蔽体的屏蔽效能二多层平板屏蔽体的屏蔽效能

三.屏蔽效能的计算1吸收损耗2反射损耗3多次反射损耗四平面波模型推广到非理想屏蔽结构

二多层平板屏蔽体的屏蔽效能

电场和磁场的屏蔽系数2层（n=3）

式中：

n-1层屏蔽体的电场和磁场的屏蔽系数为

式中

根据屏蔽效能的定义知，如果Z1=Zn+1，那么pE=pH=p，从而电场和磁场屏蔽效能相等。媒质1是有耗媒质时，屏蔽效能表达式中的因子不等于零；媒质1无耗时，此因子为零。一 单层屏蔽体1.电磁波在屏蔽体x＝0界面处的传播公式2.单层屏蔽体的有效传输系数3.电场和磁场的有效传输系数

4.单层屏蔽体的屏蔽效能二多层平板屏蔽体的屏蔽效能

三.屏蔽效能的计算1吸收损耗2反射损耗3多次反射损耗四平面波模型推广到非理想屏蔽结构

三.屏蔽效能的计算设厚度为t的导体平板屏蔽体两侧的区域为自由空间，则单层平板屏蔽体的屏蔽效能

吸收损耗

反射损耗

多次反射损耗1吸收损耗令,α和β是电磁波在金属屏蔽体中的衰减常数和相移常数。对于良导体，集肤深度。自由空间传播常数吸收损耗忽略

吸收损耗是电磁波通过屏蔽体所产生的热损耗引起

当fl0MHz．用0.1mm厚的铜皮制成的屏蔽体能将场强减弱100倍以上。屏蔽体可用表面贴有铜箔的绝缘材料制成。当f100MHz时，可在塑料壳体上镀或喷以铜层或银层制成屏蔽体。屏蔽材料越厚，吸收损耗越大，厚度每增加一个趋肤深度，吸收损耗增加约9dB；屏蔽材料的磁导率越高，吸收损耗越大；屏蔽材料的电导率越高，吸收损耗越大；被屏蔽电磁波的频率越高，吸收损耗越大。结论当f1MHz时，用0.5mm厚的任何一种金属板制成的屏蔽体，能将场强减弱l00倍左右。因此，在选择材料与厚度时，应着重考虑材料的机械强度、刚度、工艺性及防潮、防腐等因素。特点t剩余电磁波E1E1=E0e-t/入射电磁波E0趋肤深度（mm）MHz用金属屏蔽材料的相对电导率、磁导率来表示吸收损耗，

式中t为屏蔽体厚度（mm）；为屏蔽体的相对磁导率；为屏蔽体相对于铜的电导率

或根据所要求的吸收衰减量，求出屏蔽体的厚度，即在频率较高时，吸收损耗是相当大的，2 反射损耗一般情况下，自由空间的波阻抗Z1比金属屏蔽体的波阻抗Z2大得多，即

反射损耗是由屏蔽体表面处阻抗不连续性引起的远场：377近场：取决于源的阻抗同一种材料的阻抗随频率变反射损耗与波阻抗有关，波阻抗越高，则反射损耗越大。源的性质应用条件波阻抗反射损耗(dB)远区平面波的波阻抗近区电场的波阻抗

近区磁场的波阻抗影响反射损耗的因素1500.1k1k10k100k1M10M100M平面波3108/2rfR(dB)r=30m

电场r=1m靠近辐射源r=30m磁场r=1m靠近辐射源对于特定的屏蔽材料，波阻抗越高，反射损耗越大。对于铜屏蔽材料，电场源和磁场源的波阻抗变化规律，如图。（1）屏蔽材料：屏蔽材料的电导率越高、磁导率越低，反射损耗越大。（2）场源特性：对于同一屏蔽材料，不同的场源特性有不同的反射损耗。通常，磁场反射损耗小于平面波反射损耗和电场反射损耗。即但当频率升高时，电场波和磁场波的反射损耗趋向于一致，最终汇合在平面波的反射损耗数值上。150

0.1k1k10k100k1M10M100M平面波3108/2rfR(dB)r=30m

电场r=1m靠近辐射源r=30m磁场r=1m靠近辐射源反射损耗的一般方程（3）场源至屏蔽体的距离：150

0.1k1k10k100k1M10M100M平面波3108/2rfR(dB)r=30m

电场r=1m靠近辐射源r=30m磁场r=1m靠近辐射源电场波：屏蔽体距离辐射源越近，反射损耗越大。磁场波：屏蔽体距离辐射源越远，反射损耗越大。因此要获得尽量高的屏蔽效能，如果是电场源，则屏蔽体应尽量靠近辐射源，如果是磁场，则应尽量远离辐射源。平面波的反射损耗Rp与距离r无关，电场的反射损耗Re与距离的平方成反比，磁场的反射损耗Rm与距离的平方成正比。（4）频率：频率对反射损耗的影响是从两个方面发生，频率升高时，电磁波的波阻抗发生变化，电场波的波阻抗变低，磁场波的波阻抗变高。150

0.1k1k10k100k1M10M100M平面波3108/2rfR(dB)r=30m

电场r=1m靠近辐射源r=30m磁场r=1m靠近辐射源频率升高时，屏蔽材料的阻抗发生变化（变大）。综合这两个方面的影响，就得出图示的反射损耗特性。对于平面波，由于波阻抗一定（377），因此随着频率升高，反射损耗降低。注意：屏蔽材料的反射损耗并不是将电磁能量损耗掉，而是将其反射到空间，传播到其它地方。因此，反射损耗很大并不一定是好事情，反射的电磁波有可能对其它电路造成影响。特别是当辐射源在屏蔽机箱内时，反射波在机箱内可能会由于机箱的谐振得到增强，对电路造成干扰。综合屏蔽效能(0.5mm铝板)150250平面波00.1k1k10k100k1M10M高频时电磁波种类的影响很小电场波r=0.5m磁场波r=0.5m屏蔽效能（dB）频率总的屏蔽效能等于吸收损耗与反射损耗之和低频：趋肤深度很大，吸收损耗很小，屏蔽效能主要决于反射损耗。而反射损耗与电磁波的波阻抗关系很大，因此，低频时不同的电磁波的屏蔽效能相差很大。电场波的屏蔽效能远高于磁场波。高频：频率升高，电场波的反射损耗降低，磁场波的反射损耗增加；由于趋肤深度减小，吸收损耗增加，当频率高到一定程度时，吸收损耗已经很大，屏蔽效能主要由吸收损耗决定。由于屏蔽的吸收损耗与电磁波的种类（波阻抗）无关，在高频时，不同种类的电磁波的屏蔽效能几乎相同。电场波种类与屏蔽效能：屏蔽的难度按电场波、平面波、磁场波的顺序依次增加。电场波是最容易屏蔽的，而磁场波是最难屏蔽的。特别是频率较低的磁场波，很难屏蔽。选购屏蔽材料时，要参考厂家提供的屏蔽数据，一定要搞清楚数据是在什么条件下获得的。导电薄膜、导电涂覆层等对磁场往往屏蔽效能很低，厂家给出的屏蔽数据一般是电场波或平面波的。3多次反射损耗多次反射损耗是电磁波在屏蔽体内反复碰到壁面所产生的损耗。当屏蔽体较厚或频率较高时，导体吸收损耗较大.

在吸收损耗大于10dB时，多次反射损耗B可以忽略。在吸收损耗小于10dB时，多次反射损耗B必须考虑。一般情况下，自由空间的波阻抗比金属屏蔽体的