第7章常用电子元器件

第7章常用电子元器件7.1电阻器7.2电位器7.3电容器7.4半导体二极管和三极管7.1电阻器(主要用来控制电压和电流

)※

常用电阻器的电路图形符号如图:

(a)一般图形符号；

(b)可调电阻器；

(c)热敏电阻器；

(d)压敏电阻器；

(e)光敏电阻器；

(f)滑动电阻器电阻器的型号命名及表示法＊国产电阻器的型号命名由下列四部分组成:

第一部分用字母R表示电阻器的主称。第二部分用字母表示电阻器的主要材料。第三部分用数字或字母表示产品的主要特征。第四部分用数字表示序号，以区别电阻器的外形尺寸和性能指标。例如：RJ71-0.125-5.1K＊表示法

直标法图（a）色标法图（b）精密度电阻器一般用五色环来表示，第一至第三色环表示电阻的有效数字，第四色环表示倍乘数，第五色环表示容许偏差

图（a）

详细见色环所代表的意义表

电阻器的主要性能指标

标称阻值（电阻器表面所标注的阻值）允许偏差等级(如表示)

额定功率最高工作电压稳定性(温度系数电压系数)

高频特性噪声电动势电阻器的分类及特点

＊分类：＊常用特点

碳膜电阻器（RT）：阻值范围宽（2.1Ω～10MΩ），稳定性较好，高频特性高，噪声小，但承受的功率小。金属膜电阻器（RJ）：与碳膜电阻器的外形相似，耐热性能好，工作频率范围宽，稳定性好，体积小，噪声低，精度高（可达±0.5%～±0.05%)，且阻值范围宽（一般为1Ω～100MΩ）等特点。金属氧化膜电阻器（RY）：与金属膜电阻器的外形基本相同，比金属膜电阻器有较好的抗氧化性和热稳定性，过载能力强，耐潮湿性能好，但阻值范围小（1Ω～200KΩ）等特点。玻璃釉膜电阻器（RI）：稳定性好，阻值范围大（4.7Ω～200MΩ），高频特性好，噪声低，耐高温性能好，耐潮湿性能好，且耐高压等特点，又称厚膜电阻，体积小。合成碳膜电阻器（RH）：阻值范围宽（100Ω～106MΩ），耐压性能好，但噪声大，频率特性不好。电阻器的选用

＊固定电阻选用

所选电阻器的标称值应接近应用电路中计算值高增益小信号放大电路应选用低噪声电阻器高频电路应选用分布电感和分布电容小的非线绕电阻器在湿度高、温度低的环境中工作时，应用实芯电阻器或玻璃釉电阻器＊熔断电阻器的选择应考虑其双重性能，既要保证它在过负荷时能快速熔断，又要保证它在正常条件下能长期稳定地工作。电阻值过大或功率过大，均不能起到保护作用。热敏电阻器（一种阻值随温度变化而变化的非线性电阻器）

例如：MZ73A-1

光敏电阻器（利用光能产生光效应的半导体光材料制成的）例如：MG45-14可见光敏电阻器

压敏电阻器

（对电压敏感的非线性过电压保护的半导体元件）＊特点：当其两端电压在其标称值以内时，阻值无穷大；当其两端电压在其标称值以外时，阻值很快下降，处于导通状态；当电压减小到标称值以下时，阻值又开始增加。例发：MYL1-1防雷用压敏电阻器

7.2电位器可变电阻器的一种，主要用于调节电路中的电压和电流

电位器的外形及电路图形符号：

电位器的型号命名及表示法

＊型号命名电位器的型号命名由四部分组成：第一部分用字母“W”表示电位器主称。第二部分用字母表示电阻体材料。第三部分用字母表示类别。第四部分用数字表示序号。例如：WXJ2线绕单圈旋转精密电位器＊表示法例如：WHX-1470kΩ，小型合成碳膜电位器阻值为470kΩ。

WXD3-1347kΩ多圈线绕电位器阻值为47kΩ。电位器的主要性能指标

标称阻值与允许误差额定功率线绕电位器有0.25W、0.5W、1W、1.6W、2W、3W、5W、10W、16W、25W、40W、63W、100W；非线绕电位器有0.025W、0.05W、0.1W、0.25W、0.5W、1W、2W、3W。滑动噪声额定工作电压阻值变化规律电位器的选用

依电路要求选用电位器例如：大功率电路选用功率型线绕电位器；精密仪器等电路中应选用高精度线绕电位器、精密多圈电位器、或金属玻璃釉电位器；中、高频电路可选用碳膜电位器；半导体收音机的音量调节兼电源开关可选用小型带旋转式开关的碳膜电位器；立体声音频放大器的音量控制可选用双连电位器等依设备和电路的要求选好类型和规格

合理选择电位器的电参数根据阻值变化规律选用电位器7.3电容器具有储存电能、充电、放电及隔直和通交的特性电容器和电路图形符号如图：(a)固定电容器；(b)有极性的电解电容器；(c)微调电容器；(d)可调电容器；(e)双连可调电容器

电容器的型号命名及表示方法＊型号命名（一般四部分组成

）第一部分用字母C表示电容器的主称。第二部分用字母表示电容器的介质材料。第三部分用数字或字母表示产品的主要特征。第四部分用数字表示离号。例如，CC1-04表示圆片高频瓷介电容器。＊

表示法直标法

例如：电容器上标有CY-8、560pF、200V字样，表示电容器是云母电容器，标称容量为560pF，额定电压是200V。文字符号法

例如：p45=0.45pF；p8=0.8pF；2n3=2.3nF=2300μF。色标表示法例如，色环为红、紫、棕的电容器，其容量为27×101=270pF，允许偏差±20%（第四环为无色）；色环为黄、紫、黑、棕的电容器，其容量为470×101=4700pF，允许偏差±1%。

电容器色环的意义表：

电容器的主要性能指标

标称容量（标注在电容器的电容量

）

1F=1000mF；1mF=1000μF；1μF=1000nF；1nF=1000pF允许偏差

其精度等级见表：电容器的额定工作电压漏电流电容器的损耗角电容器的分类及特点

＊其分类：

＊常用电容器的特点电解电容器：有正极与负极之分，连接电路注意极性

瓷介电容器：CC1、CC2、CC10高频瓷介系列（性能稳定，损耗和漏电都很小，体积小，耐高温，但其容量较小，机械强度低，易碎易裂）

CT1、CT2低频系列（体积比CC系列小，容量比CC系列大，但稳定性差，耐压一般不高，损耗大。）

云母电容器：频率稳定性好、高频特性好、温度稳定性高、精密度高、可靠性好，但价格较贵，容量较小涤纶膜电容器：容量大、工作电压范围大、体积小、耐热耐湿性好、价格低，但稳定性差

聚苯乙烯薄膜电容器：电性能优良、绝缘电阻高、损耗角小、电容量精度高、耐压强度高、化学稳定性高、但工作温度不高，上限为70～75℃

电容器的选用

选用时可从以下方面考虑：选择合适的型号确定电容器的额定工作电压一般电路，应使工作电压低于电容器的额定工作电压的10～20%。

注意电容器的温度系数、高频特性等参数根据使用环境条件进行选择

温度、湿度、空间大小7.4半导体二极管和三极管半导体二极管＊国产二极管的型号命名方法:国标标准国产二极管的型号命名由五部分组成：第一部分用数字“2”表示二极管的主称。第二部分用字母表示材料与极性。第三部分用字母表示管子类型。第四部分用数字表示序号。第五部分用字母表示规格。例如：2AP9C

＊常用半导体二极管其图形符号如图：(a)二极管一般符号；(b)发光二极管；(c)热敏二极管；(d)变容二极管；(e)隧道二极管；(f)稳压二极管；(g)双向击穿二极管；(h)双向二极管；(i)体效应二极管；(j)磁敏二极管

1.检波二极管：利用其单向导电性，将高频或中频信号中的低频信号或单频信号取出来2.整流二极管：利用PN结的单向导电性，把交流电变成脉动直流电3.稳压二极管：用于稳压电路，在电路中加反向电压时，工作在击穿状态，使用时加限流电阻4.开关二极管：利用二极管单向导电性制成的，在电路中起到接通电流、关断电流的作用，即开关作用

5.发光二极管

：具有单向导电性，只有在单向导通时才能发光6.LED数码显示管等。

半导体三极管

＊国产三极管的型号命名方法，有五部分：

第一部分用数字“3”表示电极数目。第二部分用字母表示材料与极性。第三部分用字母表示管子类型。第四部分用数字表示管子序号。第五部分用字母表示规格。例如：3DG6B＊常用半导体三极管（电路图表符号如图

）

中、小功率晶体管外形图示其电路图形符号例:※

高频小功率三极管※

中、低频小功率三极管※

大功率晶体管※

达林顿晶体管※

场效应三极管※

功率VMOS场效应管※

光敏三极管※

开关三极管第8章半导体数字集成电路8.1半导体数字集成电路命名8.2常用数字集成电路8.1半导体数字集成电路命名

国内半导体数字集成电路命名

＊型号的组成我国半导体数字集成电路的命名分为五部分，每部分的含义如表

示例

:肖特基TTL双4输入与非门国内半导体数字集成电路型号各组成部分的含义:国外半导体数字集成电路命名

国外半导体数字集成电路由生产厂家自己命名，不同厂家各自不同.归纳起来国外各产品型号一般都由“前缀”、“器件”、“后缀”三部分组成。“前缀”常表示公司代号、功能分类、产品系列等，“器件”常表示芯片的结构、容量、类别等，“后缀”常表示封装形式、适用温度范围、功率、分辨率、引线数等。下面举几家仅做参考.摩托罗拉半导体公司产品型号举例

哈里斯（HARRIC）半导体公司（美）产品命名法：

哈里斯半导体公司产品型号：部件器件编号：0×××：二极管矩阵；

61××：微处理器；

63××：CMOSROM；

64××：CMOS接口；

65××：CMOSRAM；

66××：CMOSPROM；

67××：CMOSEPROM；

76××：双极PROM；

77××：可编程逻辑。

8.2常用数字集成电路数字集成电路产品系列

目前常用的集成电路主要分为两大类：一类是双极型集成电路，一类是CMOS型集成电路

从功能和结构上来看，常用系列有：

1.晶体管-晶体管逻辑电路（Transistor-TransistorLogic，简称TTL），它包括：（1）标准TTL系列；（2）高速TTL（HTTL）系列；（3）肖特基TTL（STTL）系列；（4）低功耗肖特基TTL（LSTTL）系列；

（5）先进肖特基TTL（ASTTL）系列；（6）低功耗先进肖特基TTL（ALSTTL）系列2.CMOS集成电路（互补型MOS集成电路），它包括：①标准CMOS（CMOS4000）系列；②高速CMOS（HCMOS）系列；③与TTL兼容的CMOS（HCT）系列；集成运放的分类与选择集成运算放大器分类：

1.通用型运算放大器（A741，LM358双，LM324四）2.高阻型运算放大器（输入阻抗>1091012）

（LF356，LF355，