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文档简介

IBC工艺流程IBC工艺流程B印icax旬B印icax旬growth(emitter)⑵5iN*e衿kB掺杂——背面（BS）外延B掺杂形成「+,制作发射极掩模1--PECVD沉积氮化硅，厚度约200nm,作为后道工艺的掩模(3)B5Utha酸洗1——利用去除未经曝光的光刻胶漏出需要做BSF的区域并且用BHF（bufferedhydrofluoric）去除需要做BSF区域的氮化硅刻蚀1——利用HF和HNO3去除BSF区域的Emitter。利用Si的各向异性和氮化硅的各项同性差异可以在相同时间内做到Si和氮化硅的差异性刻蚀，(3)B5UthaSi被腐蚀的速度大于氮化硅，从而做出氮化硅悬臂(4)isotropicefchlng氮化硅悬臂，有助于

BSF和emitter的隔离(4)isotropicefchlng氮化硅悬臂，有助于

BSF和emitter的隔离⑸⑸Pionioiplanbation(selfalfegnedBSF)P掺杂--制作BSF,形成N+。然后利用BHF溶液去除旧的氮化硅层（P掺杂时被污染），在重新PECVD沉积氮化硅层前表面（FS）制绒（Texture）——在TMAH（四甲基氢氧化铵）和IPA（异丙胺）水溶液中利用110面的特性刻蚀出金字塔结构。⑹BSSiN*andFS(7)Pimplantation(FSF)

jnnealing/oxidationFSF和退火--再此去除背面氮化硅层，并在FS进行P扩散制作FSF。然后在850℃和氧气氛围中进行退火，以激活FS和BS注入的离子。此时，在FS和BS形成了10—35nm厚的5心2层作为ARC的第一层。第二层arc——根据SiO2的厚度，在FS沉积70-45nm厚的氮化硅层形成双层ARC，并且起到FS的钝化作用（中和悬挂氢键）。同时在BS沉积100nm厚氮化硅层，以增强背面内反射，同时达到背钝化的目的。背接触电极——在整个BS热蒸发工艺沉积约2Hm厚Al。分离制作电极--利用特定工艺去除除BSF接触区

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