芯片工艺流程演示文稿

芯片工艺流程演示文稿目前一页\总数五十八页\编于十九点优选芯片工艺流程ppt目前二页\总数五十八页\编于十九点单晶拉制（1）目前三页\总数五十八页\编于十九点单晶拉制（2）目前四页\总数五十八页\编于十九点单晶拉制（3）目前五页\总数五十八页\编于十九点单晶拉制（4）目前六页\总数五十八页\编于十九点单晶拉制（5）目前七页\总数五十八页\编于十九点环境和着装目前八页\总数五十八页\编于十九点单项工艺-扩散(1)卧式4炉管扩散/氧化炉扩散/氧化进炉实景图目前九页\总数五十八页\编于十九点单项工艺-扩散(2)立式扩散/氧化炉扩散/氧化进炉实景图目前十页\总数五十八页\编于十九点单项工艺-扩散(3)扩散工序作业现场目前十一页\总数五十八页\编于十九点单项工艺-光刻(1)先进光刻曝光设备目前十二页\总数五十八页\编于十九点单项工艺-光刻(2)现场用光刻曝光设备目前十三页\总数五十八页\编于十九点单项工艺-光刻(3)检查用显微镜目前十四页\总数五十八页\编于十九点单项工艺-光刻(4)清洗淀积/生长隔离层匀胶（SiO2Si3N4

金属…）-HMDS喷淋（增加Si的粘性）-匀光刻胶目前十五页\总数五十八页\编于十九点单项工艺-光刻(5)前烘对版匀胶-对每个圆片必须按要求对版-用弧光灯将光刻版上的图案转移到光刻胶上。-增加黏附作用-促进有机溶剂挥发目前十六页\总数五十八页\编于十九点单项工艺-光刻(6)显影/漂洗坚膜腐蚀-硬化光刻胶。-增加与硅片的附着性。-将圆片进行显影/漂洗，不需要的的光刻胶溶解到有机溶剂。去胶-干法腐蚀/湿法腐蚀目前十七页\总数五十八页\编于十九点单项工艺-光刻(7)光刻工艺过程目前十八页\总数五十八页\编于十九点单项工艺-CVD（1）目前十九页\总数五十八页\编于十九点单项工艺-CVD（2）初级离子气体被吸收到硅片表面目前二十页\总数五十八页\编于十九点单项工艺-CVD（3）初级离子气体在硅片表面分解目前二十一页\总数五十八页\编于十九点单项工艺-CVD（4）玻璃的解吸目前二十二页\总数五十八页\编于十九点单项工艺-CVD（5）目前二十三页\总数五十八页\编于十九点单相工艺-离子注入（1）目前二十四页\总数五十八页\编于十九点单相工艺-离子注入（2）目前二十五页\总数五十八页\编于十九点单相工艺-离子注入（3）目前二十六页\总数五十八页\编于十九点单相工艺-蒸发（1）蒸发原理示意图目前二十七页\总数五十八页\编于十九点单相工艺-蒸发（2）溅射原理示意图目前二十八页\总数五十八页\编于十九点单相工艺-蒸发（3）目前二十九页\总数五十八页\编于十九点单相工艺-清洗目前三十页\总数五十八页\编于十九点基础认知目前三十一页\总数五十八页\编于十九点衬底材料扩散层外延层单晶片扩散片外延片目前三十二页\总数五十八页\编于十九点一次氧化sio外延层目前三十三页\总数五十八页\编于十九点基区光刻sio外延层目前三十四页\总数五十八页\编于十九点干氧氧化sio外延层目前三十五页\总数五十八页\编于十九点离子注入sio外延层杂质注入目前三十六页\总数五十八页\编于十九点基区扩散sio外延层基区目前三十七页\总数五十八页\编于十九点发射区光刻sio外延层基区目前三十八页\总数五十八页\编于十九点发射区预淀积sio外延层基区发射区集电区目前三十九页\总数五十八页\编于十九点发射区扩散（*）sio外延层基区发射区集电区目前四十页\总数五十八页\编于十九点发射区低温氧化（*）sio外延层基区发射区集电区目前四十一页\总数五十八页\编于十九点氢气处理sio外延层基区发射区集电区目前四十二页\总数五十八页\编于十九点N+光刻（适用于P型片）sio外延层基区发射区集电区目前四十三页\总数五十八页\编于十九点N+淀积扩散（适用P型片）sio外延层基区发射区集电区目前四十四页\总数五十八页\编于十九点N+低温氧化（适用P型片）sio外延层基区发射区集电区目前四十五页\总数五十八页\编于十九点氢气处理（适用P型片）sio外延层基区发射区集电区目前四十六页\总数五十八页\编于十九点3B光刻sio外延层基区发射区集电区目前四十七页\总数五十八页\编于十九点铝蒸发AL外延层基区发射区集电区目前四十八页\总数五十八页\编于十九点四次光刻AL外延层基区发射区集电区目前四十九页\总数五十八页\编于十九点氮氢合金AL外延层基区发射区集电区目前五十页\总数五十八页\编于十九点AL上CVDSiO外延层基区发射区集电区2目前五十一页\总数五十八页\编于十九点氮气烘焙（适用N型片）SiO外延层基区发射区集电区2目前五十二页\总数五十八页\编于十九点五次光刻SiO外延层基区发射区集电区2目前五十三页\总数五十八页\编于十九点中测抽测SiO外延层基区发射区集电区2测试系统目前五十四页\总数五十八页\编于十九点减薄、抛光SiO外延层基区发射区集电区2减薄和抛光部分目前五十五页\总数五十八页\编于十九点蒸金/银Si