电力能源电子器件介绍

1.1半导体基础知识导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。1.1.1本征半导体纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。一、半导体

导电特性处于导体（低价元素构成）和绝缘体（高价元素构成）之间，称为半导体，如锗、硅等，均为四价元素。共价键价电子共有化，形成共价键的晶格结构1.1.1本征半导体纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。一、半导体二、本征半导体的导电情况金属导电是由于其内部有自由电子存在(载流子),在外电场的作用下,自由电子定向移动,形成电流.半导体中有两种载流子:自由电子和空穴自由电子空穴在外电场作用下，电子的定向移动形成电流++++++++--------在外电场作用下，空穴的定向移动形成电流++++++++--------1.本征半导体中载流子为电子和空穴;2.电子和空穴成对出现,浓度相等;3.由于热激发可产生电子和空穴,因此半导体的导电性和温度有关,对温度很敏感。总结1.1.2杂质半导体一、N型半导体

在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。电子----多子;空穴----少子.converteam作者：周宇1.1.2杂质半导体二、P型半导体

在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。空穴----多子;电子----少子.注意杂质半导体中，多子的浓度决定于掺杂原子的浓度；少子的浓度决定于温度。converteam作者：周宇1.1.3PN结采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN结。PN结具有单向导电性。一、PN结的形成P区N区converteam作者：周宇一、PN结的形成在交界面，由于两种载流子的浓度差，出现扩散运动。converteam作者：周宇一、PN结的形成在交界面，由于扩散运动,经过复合,出现空间电荷区空间电荷区耗尽层converteam作者：周宇一、PN结的形成当扩散电流等于漂移电流时，达到动态平衡，形成PN结。PN结converteam作者：周宇1.由于扩散运动形成空间电荷区和内电场;2.内电场阻碍多子扩散，有利于少子漂移;3.当扩散电流等于漂移电流时，达到动态平衡，形成PN结。总结converteam作者：周宇二、PN结的单向导电性

1.PN结外加正向电压时处于导通状态加正向电压是指P端加正电压，N端加负电压，也称正向接法或正向偏置。converteam作者：周宇

内电场外电场外电场抵消内电场的作用，使耗尽层变窄，形成较大的扩散电流。converteam作者：周宇2.PN结外加反向电压时处于截止状态外电场和内电场的共同作用，使耗尽层变宽，形成很小的漂移电流。converteam作者：周宇三、PN结的伏安特性

正向特性反向特性反向击穿PN结的电流方程为其中，IS

为反向饱和电流，UT≈26mV，converteam作者：周宇1.2半导体二极管converteam作者：周宇1.2半导体二极管

将PN结用外壳封装起来，并加上电极引线就构成了半导体二极管。由P区引出的电极为阳极（A），由N区引出的电极为阴极（K）。二极管的符号：PN阳极阴极

converteam作者：周宇converteam作者：周宇

功率二极管的工作原理由于PN结具有单向导电性，所以二极管是一个正方向单向导电、反方向阻断的电力电子器件。converteam作者：周宇1.功率二极管的特性(1)功率二极管的伏安特性二极管具有单向导电能力，二极管正向导电时必须克服一定的门坎电压Uth(又称死区电压)，当外加电压小于门坎电压时，正向电流几乎为零。硅二极管的门坎电压约为0.5V，当外加电压大于Uth后，电流会迅速上升。当外加反向电压时，二极管的反向电流IS是很小的，但是当外加反向电压超过二极管反向击穿电压URO后二极管被电击穿，反向电流迅速增加。

伏安特性UI导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。反向击穿电压UBR死区电压硅管0.6V,锗管0.2V。converteam作者：周宇

环境温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线下移。在室温附近,温度每升高1°C,正向压降减小2~2.5mV;温度每升高10°C，反向电流约增大1倍。二极管的特性对温度很敏感。converteam作者：周宇稳压二极管及应用1.稳压管的工作原理稳压管的符号converteam作者：周宇2.稳压管的主要参数①稳定电压UZUZ是指击穿后在电流为规定值时，管子两端的电压值。②稳压电流IZ③额定功耗PZM

IZ是稳压二极管正常工作时的参考电流。工作电流小于此值时，稳压二极管将失去稳压作用。PZM

等于稳定电压UZ与最大稳定电流IZM（或

IZmax）的乘积。converteam作者：周宇3.稳压管的稳压条件稳压管正向工作时和二极管的特性完全相同。必须工作在反向击穿状态；流过稳压管的电流在IZ和IZM之间。注意！converteam作者：周宇特殊二极管1.光电二极管是一种将光能转换为电能的半导体器件，其结构与普通二极管相似，只是管壳上留有一个能入射光线的窗口。converteam作者：周宇2.发光二极管是一种将电能转换为光能的半导体器件。它由一个PN结构成,当发光二极管正偏时，注入到N区和P区的载流子被复合时，会发出可见光和不可见光。converteam作者：周宇§1.3双极型晶体管converteam作者：周宇§1.3双极型晶体管

一、晶体管的结构和类型NPN型基区发射区集电区发射结集电结发射极基极集电极bec发射极箭头的方向为电流的方向converteam作者：周宇bPNP集电极基极发射极cePNP型converteam作者：周宇converteam作者：周宇双极型功率晶体管BJT的容量水平已达1.8kV／lkA，频率为20kHz。converteam作者：周宇

双极型功率晶体管的工作原理以NPN型双极型功率晶体管为例，若外电路电源使UBC<0,则集电结的PN结处于反偏状态；UBE>0,则发射结的PN结处于正偏状态。此时晶体管内部的电流分布为：(1)由于UBC<0,集电结处于反偏状态，形成反向饱和电流ICBO从N区流向P区。(2)由于UBE>0,发射结处于正偏状态，P区的多数载流子空穴不断地向N区扩散形成空穴电流IPE,N区的多数载流子电子不断地向P区扩散形成电子电流INE。converteam作者：周宇单个BJT电流增益较低，驱动时需要较大的驱动电流，由于单级高压晶体管的电流增益仅为10左右，为了提高电流增益，常采用达林顿结构，如每级有10倍的增益，则3级达林顿结构的电流增益可达1000左右。converteam作者：周宇BJT的开关特性

在开关工作方式下，用一定的正向基极电流IB1去驱动BJT导通，而用另一反向基极电流IB2迫使BJT关断，由于BJT不是理想开关，故在开关过程中总存在着一定的延时和存储时间。converteam作者：周宇BJT的开关响应特性二、晶体管的电流放大作用

放大是对模拟信号最基本的处理。晶体管是放大电路的核心元件，它能够控制能量的转换，将输入的任何微小变化不失真的放大输出，放大的对象是变化量。

晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。晶体管的放大作用表现为小的基极电流可以控制大的集电极电流。共射放大电路converteam作者：周宇1.发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE2.扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流IB3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流ICIBICIE晶体管内部载流子的运动converteam作者：周宇晶体管的电流分配关系IBICIE共射直流电流放大系数converteam作者：周宇晶体管的电流分配关系共射直流电流放大系数共射交流电流放大系数通常认为：converteam作者：周宇晶体管的电流分配关系IBICIEIBICIEconverteam作者：周宇三、晶体管的共射特性曲线UCEIC+-UBEIB+-

实验线路mAAVVRBECEBRCconverteam作者：周宇1.输入特性IB(A)UBE(V)204060800.40.8工作压降：硅管UBE0.6~0.7V,锗管UBE0.2~0.3V。

死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。converteam作者：周宇2.输出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域满足IC=IB称为线性区（放大区）。IC只与IB有关，IC=IB。converteam作者：周宇IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中UCEUBE,集电结正偏，IB>IC，UCE0.3V称为饱和区。2.输出特性converteam作者：周宇IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE<死区电压，称为截止区。2.输出特性converteam作者：周宇输出特性三个区域的特点:放大区：发射结正偏，集电结反偏。即：IC=IB,且IC

=

IB(2)饱和区：发射结正偏，集电结正偏。即：UCEUBE

，

IB>IC，UCE0.3V

(3)截止区：

UBE<死区电压，IB=0，IC=ICEO

0

converteam作者：周宇iCiBRBRCVCCvOvi++--三极管工作状态判断方法：①当vBE＜0.7V时，截止≥0.7V时，放大或饱和converteam作者：周宇converteam作者：周宇1.4晶闸管晶闸管(Thyristor)就是硅晶体闸流管，普通晶闸管也称为可控硅SCR,普通晶闸管是一种具有开关作用的大功率半导体器件。目前，晶闸管的容量水平已达8kV／6kA。converteam作者：周宇1.4.1晶闸管的结构和工作原理1.晶闸管的结构晶闸管是具有四层PNPN结构、三端引出线(A、K、G)的器件。常见晶闸管的外形有两种：螺栓型和平板型。converteam作者：周宇晶闸管的结构和等效电路如图1-4所示，晶闸管的管芯是P1N1P2N2四层半导体，形成3个PN结J1、J2和J3。converteam作者：周宇2.晶闸管的工作原理IG↑→Ib2↑→IC2(Ib1)↑→IC1↑converteam作者：周宇欲使晶闸管导通需具备两个条件：①应在晶闸管的阳极与阴极之间加上正向电压。②应在晶闸管的门极与阴极之间也加上正向电压和电流。(2)晶闸管一旦导通，门极即失去控制作用，故晶闸管为半控型器件。(3)为使晶闸管关断，必须使其阳极电流减小到一定数值以下，这只有用使阳极电压减小到零或反向的方法来实现。converteam作者：周宇3晶闸管的门极驱动电路1.晶闸管的门极驱动电路(1)晶闸管对触发电路的基本要求晶闸管对触发电路的基本要求是：①触发信号可以是交流、直流或脉冲，为了减小门极的损耗，触发信号常采用脉冲形式。②触发脉冲应有足够的功率。触发电压和触发电流应大于晶闸管的门极触发电压和门极触发电流。converteam作者：周宇③触发脉冲应有足够的宽度和陡度。触发脉冲的宽度一般应保证晶闸管阳极电流在脉冲消失前能达到擎住电流，使晶闸管导通，这是最小的允许宽度。一般触发脉冲前沿陡度大于10V/µs或800mA/µs。④触发脉冲的移相范围应能满足变换器的要求。例如，三相半波整流电路，在电阻性负载时，要求移相范围为150°；而三相桥式全控整流电路，电阻负载时移相范围为120°。converteam作者：周宇1.5功率场效应晶体管根据其结构不同分为结型场效应晶体管，金属-氧化物-半导体场效应晶体管。根据导电沟道的类型可分为N沟道和P沟道两大类；根据零栅压时器件的导电状态又可分为耗尽型和增强型两类，目前功率MOSFET的容量水平为50A／500V，频率为100kHz。场效应管:一、结构和电路符号(绝缘栅场效应管)PNNgsdP型衬底两个N区SiO2绝缘层金属铝N沟道增强型gsdBMOS管的工作原理以N沟道增强型为例PNNGSDUDSUGSUGS=0时D-S间相当于两个反接的PN结ID=0对应截止区2个耗尽层PNNGSDUDSUGSUGS>0时UGS排斥空穴，形成耗尽层。PNNGSDUDSUGSUGS>0时UGS足够大时（UGS>VGS(th)），出现以电子导电为主的N型导电沟道。吸引电子VGS(th)称为开启电压PNNGSDUDSUGS当UDS不太大时，导电沟道在两个N区间是均匀的。当UDS较大时，靠近D区的导电沟道变窄。PNNGSDUDSUGS夹断后，即使UDS继续增加，ID仍呈恒流特性。IDUDS增加，UGD=VGS(th)时，靠近D端的沟道被夹断，称为预夹断。converteam作者：周宇2.功率场效应晶体管的工作原理当栅源极电压UGS＝0时，漏极下的P型区表面不出现反型层，无法沟通漏源。此时即使在漏源之间施加电压也不会形成P区内载流子的移动，即VMOS管保持关断状态。当栅源极电压UGS＞0且不够充分时，栅极下面的P型区表面呈现耗尽状态，还是无法沟通漏源，此时VMOS管仍保持关断状态。当栅源极电压UGS或超过强反型条件时，栅极下面的硅的表面从P型反型成N型，形成N型表面层并把源区和漏区联系起来,从而把漏源沟通，使VMOS管进入导通状态。输出特性曲线IDUDS0UGS>0可变电阻区夹断区恒流区DSBGN沟道增强型场效应管NPN型三极管ecbG-------bD-------cS-------e与NPN三极管相似，NMOS管为电压控制器件，当vGS>VGS(th)N,MOS管导通（正电压控制）。converteam作者：周宇1.6绝缘栅双极型晶体管绝缘栅双极型晶体管IGBT是80年代中期问世的一种新型复合电力电子器件，由于它兼有MOSFET的快速响应、高输入阻抗和BJT的低通态压降、高电流密度的特性，这几年发展十分迅速。目前，IGBT的容量水平达(1200～1600A)/(1800～3330V),工作频率达40kHz以上。converteam作者：周宇1.6.1结构和工作原理1.绝缘栅双极型晶体管的结构IGBT相当于一个由MOSFET驱动的厚基区BJT。从图中我们还可以看到在集电极和发射极之间存在着一个寄生晶闸管，寄生晶闸管有擎住作用。采用空穴旁路结构并使发射区宽度微细化后可基本上克服寄生晶闸管的擎住作用。IGBT的低掺杂N漂移区较宽，因此可以阻断很高的反向电压。converteam作者：周宇IGBT的结构、符号及等效电路converteam作者：周宇2.绝缘栅双极型晶体管的工作原理当UDS＜0时，J3PN结处于反偏状态，IGBT呈反向阻断状态。当UDS＞0时，分两种情况：①若门极电压UG＜开启电压UT，IGBT呈正向阻断状态。②若门极电压UG＞开启电压UT，IGBT正向导通。.（.....）成立于2004年，专注于企业管理培训。提供60万企业管理资料下载，详情查看：/map.htm提供5万集管理视频课程下载，详情查看：/zz/提供2万GB高清管理视频课程硬盘拷贝，详情查看：/shop/2万GB高清管理视频课程目录下载：/12000GB.rar高清课程可提供免费体验，如有需要请于我们联系。咨询电话：020-.值班手机：.网站网址：在线文档：

《化妆品术语》起草情况汇报中国疾病预防控制中心环境与健康相关产品安全所一、标准的立项和下达时间2006年卫生部政法司要求各标委会都要建立自己的术语标准。1ONE二、标准经费标准研制经费：3.8万三、标准的立项意义术语标准有利于行业间技术交流、提高标准一致性、消除贸易误差，作为标准体系中的基础标准，术语标准在各个领域的标准体系中均起着重要的作用。随着我国化妆品卫生标准体系建设逐步加快，所涉及的术语和定义的数量也在迅速增长，在此情形下，化妆品术语标准的制定就显得尤为重要。四、标准的制订原则1.合法性遵守《化妆品卫生监督条例》、《化妆品卫生监督条例实施细则》中关于化妆品的定义。2.协调性直接引用或修改采用的方式，与相关标准中的术语和定义相协调。3.科学性对于没有国标或定义不统一的术语，在定义时体现科学性的原则。4.实用性在标准体系中出现频率较高，与行业联系较紧密的术语优先选用。五、标准的起草经过

第一阶段：资料搜集

搜集国内外相关法规、标准、文献并对国外文献如美国21CFR进行翻译。第二阶段：2007年末形成初稿

初稿内容包括一般术语、卫生化学术语、毒理学术语、微生物术语、产品术语、人体安全和功效评价术语，常用英文成份术语等７部分。第三阶段：专家统稿1.2007年12月第一次专家统稿会（修订情况：1.在结构上增加原料功能术语、相关国际组织和科研机构等内容；2.在内容上增加一般术语、产品术语的种类，将化妆品行业的新产品类别纳入本标准；3.对于毒理学、卫生化学、微生物学术语进行修改；4.删除与化妆品联系不紧密、无存在必要的常用英文成分术语。2.2009年1月第二次专家统稿会会议意见：1.修改能引用国家标准的尽量引用国家标准；对存在歧义的个别用词进行修改。2.删除由于本标准中的“产品术语”一章和香化协会所制定的某个标准存在重复，因此删除“产品术语”一章的内容；对“原料功能术语”的内容进行梳理，删除了20余条内容。3.增加专家建议增加“化妆品限用物质”等若干项术语。第四阶段：征求意见2009年2月面向全国公开征求意见。第五阶段：征求意见的处理与形成送审稿。在征求意见的处理阶段再次征求了相关专家的意见。六、标准的内容依据1.《化妆品卫生监督条例》、《化妆品卫生监督条例实施细则》;2.《化妆品卫生规范》;3.美国21CFR；4.相关领域国家标准如：GB5296.3-20