东芝推出100V N沟道功率MOSFET助力实现电源电路小型化

第第页东芝推出100VN沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化—采用（最新）一代工艺，可提供低导通电阻和扩展的安全工作区—

中国上海，2023年6月29日——（东芝）（电子）元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用东芝最新一代U-MOSX-H工艺制造而成的100VN沟道功率（MOSFET）“TPH3R10AQM”。新款（产品）适用于数据中心和（通信）基站所用的（工业）设备（电源）线路上的（开关电路）和热插拔电路[1]等应用。该产品于今日开始支持批量出货。

TPH3R10AQM具有业界领先的[2]3.1mΩ最大漏极-源极导通电阻，比东芝目前100V产品“TPH3R70APL”低16%[2]。通过同样的比较，TPH3R10AQM将安全工作区扩展了76%[3]，使其适合线性模式工作。而且降低导通电阻和扩大安全工作区的线性工作范围可以减少并联连接的数量。此外，其栅极阈值电压范围为2.5V至3.5V，不易因栅极电压噪声而发生故障。

新产品采用高度兼容的SOP（Ad）vance(N)封装。

未来，东芝将继续扩展其功率MOSFET产品线，通过减少损耗来提高电源效率，并帮助降低设备功耗。

应用

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数据中心和通信基站等通信设备的电源

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（开关电源）（高效率（DC）-DC（转换器）等）

特性

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具有业界领先的[2]低导通电阻：RDS(ON)＝3.1mΩ（最大值）（VGS＝10V）

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宽安全工作区

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高额定结温：Tch（最大值）＝175℃

主要规格

（除非另有说明，Ta＝25℃）

器件型号TPH3R10AQM绝对最大额定值漏极-源极电压VDSS（V）100漏极（电流）（DC）ID（A）Tc＝25℃120结温Tch（℃）175（电气）特性漏极-源极导通电阻RDS(ON)

最大值（mΩ）VGS＝10V3.1VGS＝6V6.0总栅极电荷（栅极-源极+栅极-漏极）Qg典型值（nC）83栅极开关电荷Qsw典型值（nC）32输出电荷Qoss典型值（nC）88输入（电容）Ciss典型值（pF）5180封装名称SOPAdvance(N)尺寸典型值（mm）4.9×6.1库存查询与购买在线购买

注：

[1]在设备运行时，在不关闭系统的情况下导通和关断系统部件的电路。

[2]截至2023年6月的东芝调查。

[3]脉冲宽度：tw＝10ms，VDS＝48V

如需了解有关新产品的更多信息，请访问以下网址：

TPH3R10AQM

https://toshiba-sem（ic）on-st（or）/cn/semiconductor/product/（mosfets）/12v-300v-mosfets/det（ai）l.TPH3R10AQM.html

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/cn/semiconductor/product/mosfets.html

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TPH3R10AQM

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