金属的强化方法及机理课件

关于金属的强化方法及机理第1页，讲稿共18页，2023年5月2日，星期三

由于形成固溶体的溶质原子和溶剂原子的尺寸和性质不同，溶质原子的溶入必然引起一些现象，例如：溶质原子聚集在位错周围钉扎住位错（弹性交互作用）；溶质原子聚集在层错处，阻碍层错的扩展与束集（化学交互作用）；位错与溶质间形成偶极子（电学交互作用）。这些现象都增加了位错运动的阻力，使金属的滑移变形变得更加困难，从而提高了金属的强度和硬度。固溶强化机制电学交互作用化学交互作用弹性交互作用第2页，讲稿共18页，2023年5月2日，星期三（二）细晶强化(P14)金属的晶粒越细，单位体积金属中晶界和亚晶界面积越大，金属的强度越高，这就是细晶强化。晶粒大小对纯铁力学性能的影响晶粒的平均直径d(mm)抗拉强度b(MPa)

延伸率(%)9.77.02.516818421528.830.639.5第3页，讲稿共18页，2023年5月2日，星期三

细化晶粒不仅能提高材料的强度，还可以改善材料的塑性和韧性。因为晶粒越细，单位体积内的晶粒数就越多，变形时同样的变形量可分散到更多的晶粒中发生，以产生比较均匀的变形，这样，因局部应力集中而引起材料开裂的几率较小，使材料在断裂前就有可能承受较大的塑性变形，得到较大的伸长率、断面收缩率和具有较高的冲击载荷抗力。第4页，讲稿共18页，2023年5月2日，星期三实验证明，金属的屈服强度与其晶粒尺寸之间有下列关系：

σs=σ0+K/d1/2

此式称为霍耳-配奇公式。式中：σ0——为常数，相当于单晶体的屈服强度；

d——为多晶体中各晶粒的平均直径；

K——为晶界对强度影响程度的常数，

与晶界结构有关。

σs——开始发生塑性变形的最小应力第5页，讲稿共18页，2023年5月2日，星期三细晶强化机制：晶界是位错运动过程中的障碍。晶界增多，对位错运动的阻碍作用增强，致使位错在晶界处塞积（即位错密度增加），金属的强度增加；在单个晶粒内部，塞积的位错群的长度减小，应力集中较小，不足于使位错源开动，必须增加外力。生产中细化晶粒的方法:1、加快凝固速度2、变质处理（如纯铝铸锭）3、振动和搅拌Ti变质处理未变质处理第6页，讲稿共18页，2023年5月2日，星期三（三）位错强化(P40)金属中的位错密度越高，则位错运动时越容易发生相互交割，形成割阶，造成位错缠结等位错运动的障碍，给继续塑性变形造成困难，从而提高金属的强度，这种用增加位错密度提高金属强度的方法称为位错强化。金属材料经冷塑性变形后，其强度与硬度随变形程度的增加而提高，而塑性、韧性则很快降低的现象为加工硬化或形变强化。1、概念第7页，讲稿共18页，2023年5月2日，星期三例如：自行车链条板(16Mn钢板)

原始厚度3.5mm150HBb=520MPa

五次冷轧后1.2mm275HBb>1000MPa又如：冷拔高强度钢丝和冷卷弹簧是利用加工变形来提高他们的强度和弹性极限；坦克和拖拉机的履带、破碎机的颚板以及铁路的道叉等也都是利用加工硬化来提高他们的硬度和耐磨性的。第8页，讲稿共18页，2023年5月2日，星期三金属的塑性变形是通过滑移进行的。在塑性变形过程中，由于位错塞积（位错运动过程中遇到障碍受阻）、位错之间的弹性作用、位错割阶等造成位错运动受阻，从而使材料的强度提高。2、加工硬化机制第9页，讲稿共18页，2023年5月2日，星期三实验证明，金属强度与位错密度有左图所示的关系。退火态金属的位错密度为106~108/cm2

，强度最低，在此基础上增加或降低位错密度，都可有效提高金属强度。加工硬化态金属的位错密度为1011~1012/cm2

。金属强度与位错密度关系示意图位错密度强度退火态金属加工硬化态金属非晶态金属晶须强度晶须强度3、金属强度与位错密度有左图所示的关系第10页，讲稿共18页，2023年5月2日，星期三

冷加工过程中，除了力学性能的变化，金属材料的物理化学性能也有所改变。例如：冷加工后位错密度增加，晶格畸变很大，给自由电子的运动造成一定程度的干扰，从而使电阻有所增加；由于位错密度增大，晶体处于高能量状态，金属易与周围介质发生化学反应，使抗腐蚀性能降低。第11页，讲稿共18页，2023年5月2日，星期三（四）第二相强化第二相粒子可以有效地阻碍位错运动，运动着的位错遇到滑移面上的第二相粒子时，或切过，或绕过，这样滑移变形才能继续进行。这一过程要消耗额外的能量，需要提高外加应力，所以造成强化。但是第二相粒子必须十分细小，粒子越弥散，其间距越小，则强化效果越好。这种有第二相粒子引起的强化作用称之为第二相强化。根据两者相互作用的方式有两种强化机制：弥散强化和沉淀强化。第12页，讲稿共18页，2023年5月2日，星期三固溶与时效处理的工艺过程把某一成分的合金加热到固溶度曲线以上，在某一温度保持一定时间，使得B组元充分溶入α固溶体中，然后迅速冷却，抑制B元素析出，得到过饱和α固溶体，这就是固溶处理。经固溶处理后的合金在室温下放置或加热到低于溶解度曲线的某一温度保温，合金将产生脱溶析出，即B将以新相的形式从过饱和α相中弥散析出，这个过程即是时效。通常将在室温下放置产生的时效称为自然时效；将加热到室温以上某一温度进行的时效称为人工时效。随着时效时间的延长，由于弥散新相的析出而使合金的强度、硬度升高，这种现象称为时效硬化。时效硬化即脱溶沉淀引起的沉淀硬化。

第13页，讲稿共18页，2023年5月2日，星期三绕过机制：基体与中间相的界面上存在点阵畸变和应力场，成为位错滑动的障碍。滑动位错遇到这种障碍变得弯曲，随切应力加大，位错弯曲程度加剧，并逐渐成为环状。由于两个颗粒间的位错线段符号相反，它们将断开，形成包围小颗粒的位错环。位错则越过颗粒继续向前滑动。随着位错不断绕过第二相颗粒，颗粒周围的位错环数逐渐增加，对后来的位错造成更大的阻力。位错→切应力→第二相颗粒→弥散强化机制第14页，讲稿共18页，2023年5月2日，星期三切过机制：位错与颗粒之间的阻力较小时，直接切过第二相颗粒，结果硬颗粒被切成上下两部分，并在切割面上产生位移，颗粒与基体间的界面面积增大，需要做功。并且，由于第二相与基体结构不同，位错扫过小颗粒必然引起局部原子错排，这也会增加位错运动