北科大电子技术第14章

(1-1)第十四章

半导体器件电子技术模拟电路部分(14-2)第十四章二极管和三极管§14.1

半导体的导电特性§14.2

PN结及其单向导电性§14.3二极管§14.4

稳压二极管§14.5晶体管§14.6光电器件(14-3)导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。§14.1半导体的导电特性导体、半导体和绝缘体(14-4)

半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：

当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化--

热敏特性、光敏特性。

往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变--

掺杂特性。(14-5)14.1.1

本征半导体一、本征半导体的结构GeSi

通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。

现代电子学中，用的最多的半导体是硅(Si)和锗(Ge)，它们的最外层电子（价电子）都是四个。原子结构图(14-6)本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。在硅和锗晶体中，每个原子都处在正四面体的中心，而相邻四个原子位于四面体的顶点，每个原子与其相邻的原子之间形成共价键，共用一对价电子。硅和锗的晶体结构：(14-7)硅和锗的共价键结构共价键、共用电子对SiSi+4Si+4表示除去价电子后的原子价电子(14-8)

共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。

共价键形成后，每个原子最外层电子是八个，构成比较稳定的结构。

共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。+4+4+4+4(14-9)二、本征半导体的导电机理在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时，价电子完全被共价键束缚，本征半导体中没有可以自由运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为0，相当于绝缘体。在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。1.载流子、自由电子和空穴(14-10)+4+4+4+4自由电子空穴束缚电子自由电子、空穴成对出现(14-11)2.本征半导体的导电机理+4+4+4+4

在其它力的作用下，空穴可吸引附近的电子来填补，其结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可认为空穴是载流子。

本征半导体中存在数量相等的两种载流子：自由电子和空穴。自由电子：在晶格中运动；空穴：在共价键中运动(14-12)本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体中电流由两部分组成：当本征半导体外加电场时1.自由电子做定向运动所形成的电子电流。

2.仍被原子核束缚的价电子按一定方向依次填补空穴形成的空穴电流。+4+4+4+4(14-13)

自由电子在运动过程中如果和空穴相遇就会填补空穴，使两者同时消失，这种现象称为复合。

在一定的温度下自由电子和空穴的产生和复合达到动态平衡，半导体中的载流子维持一定的数目。但是由于这时的载流子数量很少，所以导电能力很差。温度越高，热运动加剧，自由电子和空穴增多，载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。本征半导体载流子的浓度(14-14)14.1.2

N型半导体和P型半导体

在本征半导体中掺入某些微量的杂质，会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子的浓度大大增加。P型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。N型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。(14-15)一、N型半导体Si+5SiSi多余电子磷原子在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。(14-16)N型半导体中的载流子是什么？1.由五价元素提供的电子，浓度与五价元素原子相同。2.本征半导体中成对产生的自由电子和空穴。

因掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。

(14-17)二、P型半导体在硅或锗晶体中掺入少量三价元素硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键时产生一个空位。这个空位可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。SiSi+3Si空位硼原子P型半导体中空穴是多子，自由电子是少子。空穴(14-18)三、杂质半导体的示意表示法－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P型半导体++++++++++++++++++++++++N型半导体P型半导体：三价原子接受电子成为带电负离子

空穴是多子N型半导体：五价原子给出电子成为带电正离子

自由电子是多子(14-19)三、杂质半导体的示意表示法－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P型半导体++++++++++++++++++++++++N型半导体

杂质型半导体中多子和少子的移动都可形成电流，但由于数量关系，起导电作用的主要是多子，受温度影响较小。

一般近似认为多子与杂质浓度相等。(14-20)4.在外加电压作用下，P型半导体中电流主要是

，N型半导体中电流主要是。（a.电子电流、b.空穴电流）

1.在杂质半导体中多子的数量与

（a.掺杂浓度、b.温度）有关。

2.在杂质半导体中少子的数量与（a.掺杂浓度、b.温度）有关。

3.当温度升高时，少子的数量（a.减少、b.不变、c.增多）。abcba

课堂练习

(14-21)PN

结的形成在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN结。§14.2PN结及其单向导电性(14-22)P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场E漂移运动扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽。内电场越强，漂移运动就越强，而漂移的结果使空间电荷区变薄。空间电荷区，也称耗尽层。(14-23)P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场E漂移运动

当扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡时，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变，形成PN结。(14-24)－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++空间电荷区N型区P型区电位VV0(14-25)1.空间电荷区中几乎没有载流子。2.空间电荷区中内电场阻碍P区中的空穴、N区中的自由电子（都是多子）向对方运动（扩散运动）。3.P区中的自由电子和N区中的空穴（都是少子），数量有限，因此由它们形成的电流很小。注意:(14-26)PN结的单向导电性

PN结加上正向电压、正向偏置的意思都是：

P区加正电压、N区加负电压。

PN结加上反向电压、反向偏置的意思都是：

P区加负电压、N区加正电压。(14-27)一、PN结加正向电压内电场外电场变薄PN－－－－++++R（限流电阻）E+_

内电场被削弱，多子扩散加强，能够形成较大的正向电流。(14-28)二、PN结加反向电压－－－－++++内电场外电场变厚NP+_RE

内电场被加强，多子扩散受到抑制，少子漂移加强，但因少子数量有限，只能形成较小的反向电流。(14-29)总结：

1、加正向电压时，PN结处于导通状态，呈低电阻，正向电流较大。

2、加反向电压时，PN结处于截止状态，呈高电阻，

反向电流很小。PN结具有单向导电性(14-30)14.3二极管发光稳压整流检波开关(14-31)常见二极管外形图(14-32)一、基本结构：PN结加上管壳和引线。

结面积小、结电容小、正向电流小。用于检波和变频等高频电路。结面积大、正向电流大、结电容大，用于工频大电流整流电路。用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。(14-33)UI硅管0.5V锗管0.1V反向击穿电压U(BR)导通压降

外加电压大于死区电压，二极管才能导通。

外加电压大于反向击穿电压时，二极管被击穿，失去单向导电性。正向特性反向特性硅0.6~0.8V锗0.2~0.3V死区电压PN+–PN–+

反向电流在一定电压范围内保持常数。

二、伏安特性：非线性(14-34)三、主要参数1.最大整流电流

IOM二极管长时间使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。电流超过允许值时，PN结过热会损坏管子。2.反向工作峰值电压URWM保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是反向击穿电压U(BR)的一半或三分之二。点接触型D管为数十伏，面接触型D管可达数百伏。通常二极管击穿时，其反向电流剧增，单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。(14-35)3.反向峰值电流

IRM指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流越大，说明二极管的单向导电性越差。反向电流受温度影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小（<几微安），锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。以上均是二极管的直流参数，二极管的应用主要是利用它的单向导电性，它可应用于整流、检波、限幅、保护等等。(14-36)UI导通压降实际二极管：正向导通----硅0.6~0.8V锗

0.2~0.3V

死区电压----硅0.5V锗

0.1V

定性分析：判二极管的工作状态----导通、截止

二极管电路分析死区电压(14-37)

理想二极管：正向导通----管压降为零反向截止----相当于断开导通压降硅0.7V锗0.2VUI(14-38)

二极管电路分析

分析方法：

1.断开二极管

2.a)分析其两端电位高低，

b)或其两端所加电压UD的正负。3.a)V阳>V阴→导通

V阳<V阴→截止

b)UD>0→导通

UD<0→截止(14-39)二极管：死区电压=0.5V，正向压降0.7V(硅二极管)理想二极管：死区电压=0，正向压降=0RLuiuouiuott二极管的应用举例例1：二极管半波整流(14-40)例2：二极管的检波应用RRLuIuRuOP11：例14.3.1uR：R和C构成微分电路tttuIuRuOt1t2作用：除去正尖脉冲(14-41)例3：已知：管子为锗管，VA=3V，VB=0V。导通压降为0.3V，试求：VY=?方法：先判二极管谁优先导通，导通后二极管起嵌位作用两端压降为定值。因：VA>VB故：DA优先导通

DB截止若：DA导通压降为0.3V则：VY=2.7V解：P12：例14.3.2DA-12VVAVBVYDBR作用：钳位(14-42)ui>8V，二极管导通，可看作短路uo=8V

ui

≤8V，二极管截止，可看作开路uo=ui已知：

理想二极管，画出uo

波形。8V例4：二极管的用途：

整流、检波、钳位、限幅、开关、元件保护、温度补偿等。ui18V参考点二极管阴极电位为8VD8VRuoui++––(14-43)例5：已知：管子为锗管，VA=3V，VB=0V。导通压降为0.3V，试求：VY=?方法：先判二极管谁优先导通，导通后二极管起嵌位作用两端压降为定值。因：VA<VB故：DB优先导通DA截止若：DB导通压降为0.3V则：VY=0.3V解：P12：例14.3.2DAVAVBDBVY+12VR(14-44)FD1D2AB-12V例6：-0.3V2.7V2.7V2.7V设二极管的导通压降为0.3伏。(14-45)FD1D2AB+12V例7：设二极管的导通压降为0.3伏。0.3V0.3V0.3V3.3V(14-46)例5：已知：管子为锗管，VA=3V，VB=0V。导通压降为0.3V，试求：VY=?方法：先判二极管谁优先导通，导通后二极管起嵌位作用两端压降为定值。因：VA<VB故：DB优先导通DA截止若：DB导通压降为0.3V则：VY=0.3V解：P12：例14.3.2DAVAVBDBVY+12VR(14-47)FD1D2AB-12V例6：-0.3V2.7V2.7V2.7V设二极管的导通压降为0.3伏。(14-48)符号UZIZIZMUZIZ伏安特性

稳压管正常工作时，需加反向电压，工作于反向击穿区。稳压原理：稳压管反向击穿以后，电流变化很大，但其两端电压变化很小。_+UIO§14.4稳压二极管曲线越陡电压越稳_+_+(14-49)UZIZIZMUZIZ伏安特性

稳压管反向击穿是可逆的，当去掉反向电压后，稳压二极管恢复正常。使用时要加限流电阻，稳压二极管在电路中可以起到稳压作用。反向电流超过允许范围时稳压二极管会发生过热击穿而损坏。UIO曲线越陡电压越稳_+_+注意：(14-50)(1)

稳定电压UZ

稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。(2)

电压温度系数U

稳压值受温度变化影响的系数，环境温度每变化1C引起稳压值变化的百分数。(3)

动态电阻(4)

稳定电流IZ、最大稳定电流IZM(5)

最大允许耗散功率PZM=UZIZMrZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。稳压二极管的主要参数:_+UZ(14-51)例1：已知：Uz=12V，IZM=18mA，R=1.6KΩ。试求：Iz=?限流电阻R

的阻值是否合适？解：Iz=(20–Uz)/R=(20-12)/1.6x103

=5mA因：IZ<IZM故：限流电阻R

的阻值合适P14：例14.4.1+IZDZ+20VR=1.6kUZ=12VIZM=18mA_+(14-52)负载电阻：例2：稳压管的技术参数:uoiZDZRiLiuiRL解：uimax

=1.2ui→流过稳压管的电流为IZmax试求：限流电阻R和输入电压ui的正常值。要求：ui发生20%波动时，负载电压基本不变。(14-53)uoiZDZRiLiuiRL联立方程①、②可解得：uimin=0.8ui→流过稳压管的电流为IZmin(14-54)§14.5晶体管(a)金属圆壳封装三极管

(b)塑料封装三极管

(c)大功率三极管

常见晶体管外形图(14-55)14.5.1

基本结构常见：硅管主要是平面型，锗管都是合金型(a)平面型(b)合金型BEP型硅N型硅SiO2保护膜铟球N型锗N型硅CBECPP铟球晶体管结构图(14-56)NPN型晶体管PNP型晶体管发射区集电区基区集电结发射结基极发射极集电极CENNPB发射区集电区基区发射结集电结集电极发射极基极CEPPNBNNCEBPCETBIBIEIC符号BECPPNETCBIBIEIC符号晶体管结构示意图(14-57)基区：最薄，掺杂浓度最低发射区：掺杂浓度最高BECNNP基极发射极集电极结构特点：集电区：面积最大(14-58)BECNNP

三极管放大的外部条件：发射结正偏、集电结反偏PNP发射结正偏VB<VE集电结反偏VC<VBNPN

发射结正偏VB>VE集电结反偏VC>VB

EBRBECRC14.5.2电流分配和放大原理从电位的角度看集电结发射结(14-59)晶体管电流放大的实验电路

设EC=6V，改变可变电阻RB，则基极电流IB、集电极电流IC和发射极电流IE都发生变化，测量结果如下表：mAAVVmAICECIBIERB+UBE+UCEEBCEB3DG100公共端

基极电路集电极电路(14-60)IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.10<0.0010.701.502.303.103.95<0.0010.721.542.363.184.05(1)IE=IB+IC符合基尔霍夫定律(2)IC

IB

，

IC

IE

(3)IC

IB(4)IB=0时，IC

=

ICEO0

晶体管的电流放大作用：基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大的变化。

放大实质：用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，晶体管是电流控制器件。晶体管电流测量数据结论:(14-61)晶体管内部载流子运动发射区向基区扩散电子电子在基区扩散和复合集电区收集从发射区扩散过来的电子BECNNP基极发射极集电极发射区集电区基区集电结发射结(14-62)电流分配和放大原理BECNNPEBRBECIEIBE

基区空穴向发射区的扩散可忽略.

进入P

区的电子除极少数与基区空穴复合，形成电流IBE,基区要薄，浓度小，使绝大多数电子扩散到集电结.

发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散,形成发射极电流IE。(14-63)BECEBRBECIEICBOIC=ICE+ICBOICEIBEICE

集电结反偏，由少子形成的反向电流ICBO，受温度影响比较大。

从发射区扩散到基区到达集电区边缘的电子被拉入集电区形成ICE。IB=IBE–ICBO

IBEIBNNPIC(14-64)直流电流放大倍数：ICE与IBE之比

要使晶体管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。(14-65)

NPN型晶体管PNP型晶体管晶体管起放大作用的条件：发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。电流方向和发射结与集电结的极性ICIEIB+UCE+

UBE

BEC+UBE

IBIEIC

B+UCEEC(14-66)14.5.3特性曲线

管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。为什么要研究特性曲线：

1）直观地分析管子的工作状态

2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路

重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线(14-67)输入回路输出回路BEC(14-68)一、输入特性曲线UCE1VIB(A)UBE(V)204060800.40.8UCE=0VUCE=0.5V0BECNNPEBRBECRC集电结发射结(14-69)IB(A)UBE(V)204060800.40.8UCE1V特点:非线性

工作压降

硅管UBE0.6~0.7V锗管UBE0.2~0.3V死区电压硅管0.5V锗管0.1V(14-70)二、输出特性曲线IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A0(14-71)线性放大区IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A0UCE大于一定数值时,

IC只与

IB有关,

IC=IB发射结正偏，集电结反偏(14-72)IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A0深度饱和时硅管UCES0.3V锗管UCES0.1VIB的变化对IC的影响小，IB>ICUCEUBE,发射结正偏，集电结正偏，饱和区(14-73)IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A0IB=0,IC=ICEO

UBE<死区电压截止区发射结反偏，集电结反偏(14-74)输出特性三个区域的特点放大区：发射结正偏，集电结反偏。

IC=IB,且IC

=

IB+UBE>0

CTEICIEIB+UCEB

-

UBC<0+

UCE>

UBE(14-75)(2)饱和区：发射结正偏，集电结正偏。

IC＜IB，IC≈UCC/RC，UCE≈0+IEB+UBE>

0

CTE

-

UBC>

0+

UCE≈0发射极和集电极之间如同开关接通，电阻很小。UCEUBE(14-76)(3)截止区：发射结反偏，集电结反偏。

IB=0，IC=ICEO

0，UCE

UCCIC=0IB=0+UCE

UCCIEB+UBE≤0

CTE

-

UBC<0+

IC≈0发射极和集电极之间如同开关断开，电阻很大。UBE<死区电压(14-77)输出特性三个区域的特点放大区：发射结正偏，集电结反偏。即：IC=IB,且IC

=

IB(2)饱和区：发射结正偏，集电结正偏。

IC＜IB

，

IC≈UCC/RC

，UCE≈0(3)截止区：

UBE<死区电压，IB=0，

IC=ICEO

0

，UCE

UCC(14-78)例1:

=50，USC

=12V,

RB

=70k，RC

=6k

当USB

=-2V，2V，5V

时，晶体管工作于哪个区？解：当USB

=-2V时：ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEIB=0，IC=0T管工作于截止区

(14-79)T管工作于放大区ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBE解：USB

=2V时：IC最大饱和电流：(14-80)解：USB

=5V时:ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBET管工作于饱和区，因IC和IB

已不是倍的关系IC最大饱和电流：(14-81)三、主要参数

前述电路中，三极管的发射极是输入和输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。共射直流电流放大倍数：

工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，相应的集电极电流变化为IC，则交流电流放大倍数为：1.电流放大倍数和

(14-82)2.集-基极反向截止电流ICBO

ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。温度ICBOICBOA+–EC3.集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEOAICEOIB=0+–

ICEO受温度的影响大。温度ICEO，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。(14-83)4.集电极最大允许电流ICM

集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降，当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。5.集-射极反向击穿电压U(BR)CEO

基极开路时，加在集-射极之间的最大允许电压，称为集-射极反向击穿电压。手册上给出的数值是25C的值。温度上升时，其值将降低。(14-84)6.集电极最大允许功耗PCM

集电极电流IC

流过三极管，所发出的焦耳热为：PC=ICUCE

必定导致结温上升，所以PC

有限制。PCPCMICMU(BR)CEO安全工作区ICUCE0ICUCE=PCM(14-85)在以后的计算中，一般作近似处理：=解：IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)9120Q1Q2P23：例14.5.2已知UCE=6V时：IB=40A,IC=1.5mA和

IB=60A,IC=2.3mA时，求和。例2：(14-86)例3：现测得放大电路中两晶体管各管脚电位如下：

a：V1=12V，V2=3.7V，V3=3V；

b：V1=-6V，V2=-2.1V，V3=-1.9V

试判别各管的管脚、类型、材料。解：分析：b极--中间电位,e极–Ube很小硅管:│Ube│=0.6~0.8V

锗管:│Ube│=0.2~0.3VNPN:Vc=max,Vc>Vb>VePNP:Vc=min,Ve>Vb>Vc方法：先确定b、e、c脚,

然后确定材料、类型a：脚2=b脚脚3=e脚脚1=c脚硅管,NPN管b：脚2=b脚脚3=e脚脚1=c脚锗管,PNP管PNP管NPN管++++++++++++(14-87)§14.6光电器件

发光二极管光电二极管光电晶体管有兴趣的同学自学！(1-88)结束

(14-89)1．半导体材料中有两种载流子：电子和空穴。电子带负电，空穴带正电。在纯净半导体中掺入不同的杂质，可以得到N型半导体和P型半导体。2．采用一定的工艺措施，使P型和N型半导体结合在一起，就形成了PN结。PN结的基本特点是单向导电性。3．二极管是由一个PN结构成的。其特性可以用伏安特性和一系列参数来描述。内容小结(14-90)4.三极管工作时，有两种载流子参与导电，称为双极型晶体管。5.是一种电流控制电流型的器件，改变基极电流就可以控制集电极电流。6.晶体管特性可用输入特性曲线和输出特性曲线来描述。7.有三个工作区：饱和区、放大区和截止区。谢谢观看/欢迎下载BYFAITHIMEANAVISIONOFGOODONECHERISHESANDTHEENTHUSIASMTHATPUSHESONETOSEEKITSFULFILLMENTREGARDLESSOFOBSTACLES.BYFAITHIBYFAITH安全注射与职业防护PART01一、安全注射二、职业防护主要内容安全注射阻断院感注射传播让注射更安全！《健康报》

别让输液成为一个经济问题有数据显示，是世界最大的“注射大国”。2009年我国平均每人输液8瓶，远远高于国际上人均2.5—3.3瓶的平均水平。我国抗生素人均消费量是全球平均量的10倍。因此我国被称为：

“输液大国、抗生素大国和药品滥用大国”。2016年国家十五部委重拳出击

遏制细菌耐药《阻断院感注射传播，让注射更安全（2016-2018年）》专项工作指导方案量化指标医疗卫生机构安全注射环境、设施条件、器具配置等合格率100%医务人员安全注射培训覆盖率100%规范使用一次性无菌注射器实施注射100%（硬膜外麻醉、腰麻除外）医疗卫生机构对注射后医疗废物正确处理率100%医疗卫生机构内部安全注射质控覆盖率100%医务人员安全注射知识知晓率≧95%医务人员安全注射操作依从性≧90%医务人员注射相关锐器伤发生率较基线下降≧20%相关内容基本概念安全注射现况不安全注射的危害如何实现安全注射意外针刺伤的处理

基本概念

注射

注射是指采用注射器、钢针、留置针、导管等医疗器械将液体或气体注入体内，达到诊断、治疗等目的的过程和方法。包括肌内注射、皮内注射、皮下注射、静脉输液或注射、牙科注射及使用以上医疗器械实施的采血和各类穿刺性操作。

基本概念

符合三个方面的要求：对接受注射者无危害；对实施者无危害；注射后的废弃物不对环境和他人造成危害。不安全注射发生率东欧：15%中东：15%亚州：50%印度：50%中国：50%对我国某地3066个免疫接种点的调查表明:一人一针一管的接种点为33.5％一人一针的接种点为62.1％一人一针也做不到的接种点......

目前情况

不安全注射

没有遵循上述要求的注射常见不安全注射-对接受注射者不必要的注射注射器具重复使用注射器或针头污染或重复使用手卫生欠佳注射药品污染不当的注射技术或注射部位医用纱布或其他物品中潜藏的锐器常见不安全注射-对接受注射者减少不必要的注射是防止注射相关感染的最好方法据调查，从医疗的角度来说，有些国家高达70％的注射不是必须的应优先考虑那些同样能达到有效治疗的其他方法口服纳肛不安全注射-对实施注射者采血技术欠佳双手转移血液不安全的血液运输手卫生欠佳废弃锐器未分类放置不必要的注射双手针头复帽重复使用锐器锐器盒不能伸手可及患者体位不当不安全注射-对他人不必要的注射带来过多医疗废物医疗废物处置不当废弃锐器置于锐器盒外与医用纱布混放放在不安全的处置地点—如走廊中容易拌倒废物处理者未着防护用品（靴子，手套等）重复使用注射器或针头最佳注射操作注射器材和药物注射器材药物注射准备注射管理锐器伤的预防废物管理常规安全操作手卫生手套其他一次性个人防护装备备皮和消毒清理手术器械医疗废物二次分拣2023/7/6Dr.HUBijie1102023/7/611/05/09110锐器盒摆放位置不合适，放在地上或治疗车下层头皮针入锐器盒时极易散落在盒外，医废收集人员或护士在整理过程中容易发生损伤不正确使用利器盒绝大部分医务人员对安全注射的概念的理解普遍仅局限于“三查七对”，因此安全注射的依从率也非常低。安全注射现况滥用注射导致感染在口服给药有效的情况下而注射给药临床表现、诊断不支持而使用注射治疗

由于滥用注射，导致感染的发生几率明显增加。安全注射现况注射风险外部输入风险：注射器具、药品、材料等产品质量；非正确使用信息，非正规或正规培训传递错误信息，非合理用药及操作习惯等。内部衍生风险：注射的“过度”与“滥用”、非正确的注射、未达标的消毒灭菌、被相对忽略的职业暴露、不被关注的医疗废物管理。

安全注射现况

当前院感注射途径传播的高风险因素使用同一溶媒注射器的重复使用操作台面杂乱，注射器易污染注射后医疗废物管理欠规范---注射器手工分离与二次分捡

对患者的危害-------传播感染

是传播血源性感染的主要途径之一，也是不安全注射的最主要危害。注射是医院感染传播的主要途径之一！不安全注射的危害导致多种细菌感染，如脓肿、败血症、心内膜炎及破伤风等。败血症破伤风心内膜炎脓肿不安全注射

不安全注射的危害

对医务人员的影响

针刺伤：每年临床约有80.6%-88.9%的医务人员受到不同频率的针刺伤！原因：防护意识薄弱、经验不足、操作不规范、防护知识缺乏。

不安全注射的危害

对社会的危害

拿捡来的注射器当“玩具”

不安全注射的危害

如何实现安全注射三防：人防、技防、器防四减少：减少非必须的注射操作减少非规范的注射操作减少注射操作中的职业暴露减少注射相关医疗废物

如何实现安全注射

重视环境的准备警惕锐器伤正确物品管理严格无菌操作熟悉操作规程执行手卫生安全注射

如何实现安全注射

进行注射操作前半小时应停止清扫地面等工作。避免不必要的人员活动。严禁在非清洁区域进行注射准备等工作。应在指定的不会被血液和体液污染的干净区域里，进行注射准备。当进行注射准备时，必须遵循以下三步骤：1.保持注射准备区整洁、不杂乱，这样可以很容易清洁所有表面2.开始注射前，无论准备区表面是否有血液或体液污染，都应清洁消毒。3.准备好注射所需的所有器材：-无菌一次性使用的针头和注射器-无菌水或特定稀释液等配制药液-酒精棉签或药棉-锐器盒重视环境的准备手卫生之前先做脑卫生！观念的改变非常重要！安全注射，“手”当其冲！认真执行手卫生工作人员注射前必须洗手、戴口罩，保持衣帽整洁；注射后应洗手。操作前的准备注射前需确保注射器和药物处于有效期内且外包装完整。操作前的准备给药操作指导单剂量药瓶——只要有可能，对每位患者都使用单剂量药瓶，以减少患者间的交叉污染多剂量小瓶——如果别无选择，才使用多剂量药瓶-在对每个患者护理时，每次只打开一个药瓶-如果可能，一个患者一个多剂量药瓶，并在药瓶上写上患者姓名，分开存储在治疗室或药房中-不要将多剂量药瓶放在开放病房中，在那里药品可能被不经意的喷雾或飞溅物污染药物准备给药操作指导丢弃多剂量药瓶：-如果已失去无菌状态-如果已超过有效日期或时间（即使药瓶含有抗菌防腐剂）-如果打开后没有适当保存-如果不含防腐剂，打开超过24小时，或制造商建议的使用时间后-如果发现未注明有效日期、储存不当，或药品在不经意间被污染或已知道被污染（无论是否过期）药物准备给药操作指导具有跳起打开装置的安瓿瓶——只要有可能，就使用具有跳起打开装置的安瓿瓶，而不是需要金属锉刀才能打开的安瓿瓶如果是需要金属锉刀才能打开的安瓿瓶，在打开安瓿瓶时，需使用干净的保护垫（如一个小纱布垫）保护手指药物准备准备好注射所需的所有器材：-无菌一次性使用的针头和注射器-无菌水或特定稀释液等配制药液-酒精棉签或药棉-锐器盒注射准备对药瓶隔膜的操作步骤在刺入药瓶前用蘸有70%乙醇棉签或棉球擦拭药瓶隔膜（隔层），并在插入器材前使其晾干每次插入多剂量药瓶都要使用一个无菌注射器和针头不要把针头留在多剂量药瓶上注射器和针头一旦从多剂量药瓶中吸出药品并拔出，应尽快进行注射注射准备贴标签多剂量药瓶配制后，应在药瓶上贴上标签：-配制日期和时间药物的种类和剂量-配制浓度-失效日期和时间-配制者签名对于不需要配制的多剂量药品，贴上标签：-开启日期和时间-开启者名字和签名注射准备皮肤消毒剂在有效期内使用。严格落实皮肤消毒的操作流程（以注射点作为中心，自内向外，直径5cm以上）。一人一针一管一用，禁止重复使用。熟悉操作规程，严格无菌操作使用同一溶媒配置不同药液时，必须每次更换使用未启封的一次性使用无菌注射器和针头抽取溶媒。必须多剂量用药时，必须做到一人一针一次使用。熟悉操作规程，严格无菌操作熟悉操作规程，严格无菌操作红圈标注地方绝对不能碰触！××熟悉操作规程，严格无菌操作皮肤消毒后不应再用未消毒的手指触摸穿刺点！皮肤消毒后应完全待干后再进行注射！熟悉操作规程，严格无菌操作现配现用药液抽出的药液、开启的静脉输入用无菌液体须注明开启日期和时间，放置时间超过2小时后不得使用；启封抽吸的各种溶媒超过24小时不得使用。药品保存应遵循厂家的建议，不得保存在与患者密切接触的区域，疑有污染或保存不当时应立即停止使用，并进行妥善处置。

熟悉操作规程，严格无菌操作

2小时内：——输注类药品；

24小时内：

——溶媒启封抽吸后；

——灭菌物品启封后（棉球、纱布等）提倡使用小包装。每周更换2次：

——非一次性使用的碘酒、酒精等，容器应灭菌。

7天内：——启封后一次性小包装的瓶装碘酒、酒精.药品保存：——应遵循厂家的建议（温度、避光）——不得保存在与患者密切接触的区域。——疑有污染禁用。应注明开启时间物品管理

禁止双手回套针帽禁止用手传递利器禁止用手分离注射器针头禁止手持锐器随意走动禁止随意丢弃锐器，随时入锐器盒禁止用手直接抓取医疗废物

操作时保证充足光线、空间宽敞

操作时从容不迫

操作时尽可能采用有安全保护装置的锐器六禁止三操作警惕锐器伤耐用，防穿透，防渗漏。大小合适，锐器可以完整放入。可能产生锐器的地方均配，不需二次分捡。放置的位置醒目且方便使用，治疗车要放在上层的侧面。一次性使用、禁止徒手打开、清空或清洗重复使用。禁止放入其他杂物。到达3/4时及时封闭。在转运过程中确保密闭，避免内容物外漏。

规范使用锐器盒

二、医务人员职业暴露体液血液分泌物排泄物其他04年7月23日，广州某医院在一次急诊抢救意外伤