模拟电子技术第一章080304

第一章常用半导体器件为什么研究半导体？

电子电路工作的核心器件是晶体管，而晶体管是由半导体材料构成的。

学习本章需掌握半导体二极管、晶体管、场效应管的外部特性和主要参数；了解半导体中载流子的运动；半导体二极管、晶体管、场效应管的内部工作原理。1.1半导体基础知识1.1.1本征半导体

一、半导体：导电性能介于导体与绝缘体之间的物质。单质半导体：碳(C)、硅(Si)、锗(Ge)

化合物半导体：磷化镓、砷化镓、磷砷化镓等本征半导体：99.9999999%纯度的具有晶体结构的半导体“九个九”物质按照其原子排列特点可分为：（晶体：原子、分子完全按照严格的周期性重复排列的物质称为晶体，原子呈无序排列的叫做非晶体，介于这两者之间的叫做准晶体。）

晶格：晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵，称为晶格。化学元素周期表钻石结构从本征Si结构上分析其导电性

硅晶体的立体结构二、本征半导体的结构共价键（CovalenceBond）图1.1.1本征半导体平面结构示意图三、本征半导体的激发与复合激发：半导体受外界因素的影响，产生“电子—空穴对”的 过程。复合：电子空穴对消失的过程。特点：a.激发形成两种载流子：自由电子与空穴。b.自由电子数=空穴数。c.两种载流子参加导电。d.导电性能与激发因素有很大关系。本征激发和复合的过程四、本征半导体中的载流子浓度2.在一定的条件下，载流子的数目是一定的。3.本征载流子的浓度计算公式：（1.1.1）1.动态平衡：在激发因素不变的情况下， 激发复合1eV(电子伏)＝1.602189×10-19焦耳本征半导体导电性能差，且与环境温度有关。对温度的敏感性可制作热敏和光敏器件；但是又是造成温度稳定性差的原因。图1.1.3N型半导体1.1.2杂质半导体通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素,得到杂质半导体。一、N型半导体在本征半导体中掺入5价元素，形成N型半导体。特点：自由电子的数目远远大于空穴的数目，称为多子；空穴称为少子。在本征半导体中掺入3价元素，形成P型半导体。特点：空穴的数目远远大于自由电子的数目，称为多子；自由电子称为少子。二、P型半导体图1.1.4P型半导体杂质对半导体导电性的影响

掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响，一些典型的数据如下:

T=300K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:

n=p=1.4×1010/cm31本征硅的原子浓度:4.96×1022/cm3

3以上三个浓度基本上依次相差106/cm3。

2掺杂后N型半导体中的自由电子浓度:

n=5×1016/cm3导电性大大提高。金属与半导体材料的电阻率比较材料名称电阻率ρ（Ω∙m）ρ∕ρCu（倍）温度系数α（K-1）银Silver1.62×10-80.954.1×10-3铜Copper1.69×10-81.004.3×10-3铝Aluminum2.75×10-81.024.4×10-3铁Iron9.68×10-81.516.5×10-3本征硅Silicon,Pure2.5×1031.49×1011-70×10-3N型硅Silicon,n-type8.7×10-45.15×104P型硅Silicon,p-type2.8×10-31.66×105玻璃Glass1010～1014≥5.92×1018石英FusedQuartz1016硅的用途多用于制造敏感元件，例如光敏电阻、热敏电阻等，可以把非电物理量（例如光照强度、温度）转换为电量（例如电阻、电压、电流）。光敏电阻的应用举例—傻瓜相机小结上讲主要介绍了下列半导体的基本概念：本征半导体本征激发、空穴、载流子杂质半导体

P型半导体和N型半导体受主杂质、施主杂质、多子、少子1.1.3PN结一、PN结的形成二、PN结的单向导电性五*PN结的电容效应三、PN结的电流方程四、PN结的伏安特性一、PN结的形成

在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:

因浓度差

多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区

空间电荷区形成内电场

内电场促使少子漂移

内电场阻止多子扩散

最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。对于

P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为

PN结。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。

图01.06PN结的形成过程（动画1-1）

PN结形成的过程可参阅右图二、PN结的单向导电性如果外加电压使PN结中：

P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；

P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏。１、PN结加正向电压时的导电情况外加的正向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结导通呈现低阻性。

PN结加正向电压时的导电情况如下图所示。

（动画1-2）PN结加正向电压时的导电情况

２、PN结加反向电压时的导电情况

外加的反向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场的作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结截止呈现高电阻性。PN结加反向电压时的导电情况如下页图所示。PN结加反向电压时的导电情况在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。

PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：PN结具有单向导电特性。

（动画1-3）PN结加反向电压时的导电情况PN结单向导电性的特点正向导通、反向截止；正向电阻小、反向电阻大；反向电流小、正向电流大；正向电流是多子的扩散电流，与外加电压有关，电压越高，电流越大；反向电流是少子的漂移电流，称为：反向饱和电流。与外加电压无关，与激发有关。三、PN结的电流方程

PN结的电流方程描述PN结两端电压与流过PN结的电流的关系。PN结的伏安特性式)1(-=TDUuSDeIi式中：iD—流过PN结的电流uD—PN结两端的电压IS—反向饱和电流UT—温度电压当量(热电压)，300K时约为26mVk—玻尔兹曼常数，1.38×10-23(J·K-1)q—电子电量，1.602×10-19CT—绝对温标，室温为300K！！PN结电流方程的含义1.当正向电压＞＞UT（≈26mV）时，可简化为：uD2.6mV26mV260mV1V1.5V2.6V0.111038.557.71001.102.718220265.25e+161.14e+252.69e+433.当PN结反向偏置时，uD＜0=TDUuSDeIi2.当PN结正向偏置时，iD与uD之间呈指数关系。例题：P66习题1.2

是否允许将1.5V的干电池以正向接法接至二极管的两端？为什么？答：不允许。这将导致二极管烧毁或电池短路损坏。由PN结伏安特性式计算可知：当UD=1.5V时，

ID≈IS×1.14×1025（A）这时，即使IS很小，例如nA数量级（10-9A），有：ID≈10-9×1.14×1025=1.14×1016

（A）根据计算，干电池输出功率将达到：

P=U∙I=1.5V×1.14×1016

（A）=1.71×1016（W）=1.71亿亿（W）这显然是不可能的。后果必然是：或者烧毁二极管，或者使电池短路损坏。因此应禁止将二极管直接与电池相连。四、PN结的伏安特性反向区截止区导通区正向区图1.1.10PN结伏安特性曲线UB0ABCD-IS锗管硅管图1.1.10不同材料PN结的伏安特性

死区电压Vth硅材料为0.5V左右；锗材料为0.1V左右。

导通电压Von硅材料为0.6~0.7V左右；锗材料为0.2~0.3V左右。PN结伏安特性曲线的三个区正向导通区1.死区（O-A）；2.导通区（线性区A-B）；反向截止区3.截止区（O-C）;4.击穿区（C-D）。高掺杂：齐纳击穿（|UB|＜4V）;

低掺杂：雪崩击穿（|UB|＞6V）;五*PN结的电容效应

PN结具有一定的电容效应，它由两方面的因素决定。

一是势垒电容CB，

二是扩散电容CD。

(1)势垒电容CB

势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电压使PN结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电。势垒电容的示意图见图1.1.11。图1.1.11势垒电容示意图

扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在P区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。(2)扩散电容CD反之，由P区扩散到N区的空穴，在N区内也形成类似的浓度梯度分布曲线。扩散电容的示意图如图1.1.12所示。

图1.1.12扩散电容示意图当外加正向电压不同时，扩散电流即外电路电流的大小也就不同。所以PN结两侧堆积的多子的浓度梯度分布也不同，这就相当电容的充放电过程。势垒电容和扩散电容均是非线性电容。Cj=CB+CD1.2半导体二极管1.2.1半导体二极管的结构类型1.2.2半导体二极管的伏安特性1.2.3半导体二极管的参数1.2.5稳压二极管1.2.4二极管的等效电路1.2.6其他类型二极管1.2.1半导体二极管的结构类型

在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。它们的结构示意图如图01.11所示。(1)点接触型二极管—

PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。(a)点接触型图1.2.2二极管的结构示意图图1.2.1二极管的几种外形(c)平面型(3)平面型二极管—往往用于集成电路制造工艺中。PN结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。(2)面接触型二极管—

PN结面积大，用于工频大电流整流电路。(b)面接触型(d)二极管的符号k阴极阳极a(4)二极管的符号图1.2.2二极管的结构示意图1.2.2半导体二极管的伏安特性式中IS为反向饱和电流，V为二极管两端的电压降，VT=kT/q

称为温度的电压当量，k为玻耳兹曼常数，q

为电子电荷量，T为热力学温度。对于室温（相当T=300K），则有VT=26mV。二极管的特性与PN结的特性基本相同，也分正向特性、反向特性和击穿特性。其差别在于二极管存在体电阻和引线电阻，在电流相同的情况下，其压降大于PN结的压降。(1.1.3)图1.2.3二极管的伏安特性曲线图示(1)正向特性硅二极管的死区电压Vth=0.5V左右，

锗二极管的死区电压Vth=0.1V左右。

当0＜V＜Von时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。

当V＞0即处于正向特性区域。正向区又分为两段：

当V＞Von时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。(2)反向特性当V＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域：

当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。

当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。

硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。

从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7V时,主要是雪崩击穿；若|VBR|≤4V时,则主要是齐纳击穿。当在4V～7V之间两种击穿都有，有可能获得零温度系数点。半导体二极管的温度特性

温度对二极管的性能有较大的影响，温度升高时，反向电流将呈指数规律增加，如硅二极管温度每增加8℃，反向电流将约增加一倍；锗二极管温度每增加12℃，反向电流大约增加一倍。另外，温度升高时，二极管的正向压降将减小，每增加1℃，正向压降VF(VD)大约减小2mV，即具有负的温度系数。这些可以从图1.2.3所示二极管的伏安特性曲线上看出。图1.2.3温度对二极管的伏安特性的影响半导体二极管图片1.2.3半导体二极管的参数

(1)最大整流电流IF——二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值。(2)反向击穿电压VBR———和最大反向工作电压VR

二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压VBR。为安全计，在实际工作时，最大反向工作电压VR一般只按反向击穿电压VBR的一半计算。

(3)反向电流IR

(4)正向压降VF在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(A)级。在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。(5)动态电阻rd反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然，rd与工作电流的大小有关，即(7)*最高工作频率fM(6)*结电容Cj图1.2.4二极管的高频等效道路：如何用万用表的“”档来辨别一只二极管的阳极、阴极以及二极管的好坏？思考题半导体二极管的型号国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：（1）理想模型图1.2.4（a）二极管的理想等效模型1.2.4二极管的等效电路一、由伏安特性折线化得到的等效模型电路(a)uD>0，二极管导通；uD<0二极管截止。（2）恒压降模型图1.2.4(b)二极管的恒压降等效模型(b)考虑正向压降，uD>0.7V，二极管导通；uD<0.7V，二极管截止。（3）折线型模型图1.2.4(c)二极管的折线型等效模型(c)不但考虑正向压降，还考虑二极管动态电阻的作用。二极管工作在正向特性的某一小范围内（输入变量只有微小）变化时，其正向特性可以等效成一个微变电阻，可以化曲为直，简化处理。即根据得Q点处的微变电导则常温下（T=300K）图1.2.7二极管的微变（小信号）等效模型二、二极管的微变等效电路注：ID是Q点的电流Q点：直流工作点Q(UD,ID)。求动态电阻的公式常温下UT≈26mV非常重要！！！三.二极管基本电路及模型分析法（1）二极管的静态工作情况分析ID+VD--R10K+VDD—20VID+VD--R10K+VDD—20VID+VD--R10K+VDD—20V+Von—(a)原电路(b)理想模型电路(c)恒压降模型电路图1.2.5解：（1）理想模型，VD=0，则

UR=IDR=20V（2）恒压降模型，VD=0.7V，则UR=IDR例1.2.1求图1.2.5（a）所示电路的硅二极管电流ID和电压VD及UR。（2）二极管限幅电路ID+vo--R10K+vi—例1.2.2电路图VREF

例1.2.2如图1.2.10所示电路。试画出VREF分别为0、10V时的波形。其中vi=10sintV。（3）二极管开关电路*

例1.2.3如图所示电路。试求VI1、VI2为0和+5V时V0的值。R10KV0Vcc+5V例1.2.3电路图VI1VI2D1D2000+5V000+5V+5V0+5V+5VV0VI1

VI2

图1.2.6例1.2.1电路图自己看图1.2.8直流电压源和交流小幅值

电压同时作用的二极管电路iL图1.2.9图1.2.8所示电路的波形分析ur求流过负载电阻RL的电流IL直流分量变化分量（1）稳压二极管的伏安特性稳定电压VZ

稳定电流IZ（IZmin、IZmax）

额定功耗PZM

动态电阻rZ

温度系数图1.2.10稳压管的伏安特性（2）稳压二极管的主要参数利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。其伏安特性如图1.2.10所示。1.2.5稳压二极管

注意：稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。

电阻的作用一是起限流作用，以保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。（3）稳压二极管构成的稳压电路

例1.2.4设计如图所示稳压管稳压电路，已知VO=6V，输入电压VI波动10%，RLmin=1k。稳压管稳压电路解：（1）选择DZ：查手册，选择DZ为2CW13，VZ=(5~6.5V)，IZmax=38mA,IZmin=5mA（2）选择限流电阻R：图1.2.11稳压管稳压电路

[例1．2．2*]在图1．2．11所示稳压管稳压电路中，已知稳压管的稳定电压Uz=6V，最小稳定电流Izm=5mA，最大稳定电流IZmax=25mA；负载电阻RL=600Ω。求解限流电阻R的取值范围。解：从图1.2.11所示电路可知，R上电流IR等于稳压管中电流IDZ

和负载电流IL之和，即:IDZ=5~20mA限流电阻R的取值范围为114～227Ω。1.2.6其它类型二极管(1)发光二极管LED发光二极管包括可见光、不可见光、激光等不同类型，这里只对可见光发光二极管做一简单介绍。发光二极管的发光颜色决定于所用材料，目前有红、绿、黄、橙等可以制成各种形状，如长方形，圆形。开启电压比普通二极管的大，工作电压一般在1.5~2.5V之间，工作电流在5~30mA之间，电流越大，发光越强。发光二极管的开启电压图1.2.12发光二极管红光：1.6~1.8V绿光：1.8~2.0V黄光：1.6~1.8V蓝光：2.2~2.5V白光：2.2~2.5V发光二极管因其驱动电压低、功耗小、寿命长、可靠性高等优点广泛用于显示电路之中。外加反向电压，无光照时的反向电流称之为暗电流；有光照时的反向电流称之为光电流，光照越强，光电流越大。(2)光电二极管（利用PN结的光敏特性，将光能转换成电能）图1.2.13光电二极管的外形和符号图1.2.14光电二极管的伏安特性(3)变容二极管(4)激光二极管(5)隧道二极管和肖特基二极管广泛用于遥控、报警及光电传感器之中图1.2.15例图1.2.3电路图[例1．2．3*]电路如图1．2．15所示，已知发光二极管的导通电压UD=1.6V，正向电流为5～20mA时才能发光。试问：

(1)开关处于何种位置时发光二极管可能发光?(2)为使发光二极管发光，电路中R的取值范围为多少?解：(1)当开关断开时发光二极管有可能发光。当开关闭合时发光二极管的端电压为零，因而不可能发光。(2)因为IDmin=5mA，IDmax=20mA小结本讲主要介绍了以下基本内容：PN结形成：

PN结的单向导电性：正偏导通、反偏截止

PN结的特性曲线：正向特性：死区电压、导通电压反向特性：反向饱和电流、温度影响大击穿特性：电击穿（雪崩击穿、齐纳击穿）、热击穿半导体二极管的构成和类型：点接触型、面接触型、平面型；硅管、锗管；整流管、开关管、检波管、发光管、光敏管、稳压管等。半导体二极管的特性：与PN结基本相同。半导体二极管的参数半导体二极管的等效模型：理想模型、恒压降模型、折线模型和小信号模型应用二极管等效模型分析和计算半导体二极管电路的基本方法简要介绍了其它类型的二极管。1.3.1晶体管的形成、结构、类型及符号晶体管的结构示意图如图1.3.2所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。

图1.3.2两种极性的晶体管e-b间的PN结称为发射结(Je)

c-b间的PN结称为集电结(Jc)中间部分称为基区，连上电极称为基极，用B或b表示（Base）；一侧称为发射区，电极称为发射极，用E或e表示（Emitter）；

1.3晶体管另一侧称为集电区和集电极，用C或c表示（Collector）。发射极的箭头代表发射极电流的实际方向2023/7/6晶体管内部结构特点：(1)基区很薄，且掺杂浓度很低；(2)发射区的掺杂浓度远大于基区和集电区的掺杂浓度；(3)集电结的结面积很大。上述结构特点构成了晶体管具有放大作用的内部条件。图1.3.1晶体管的几种常见外形1.3.2晶体管的电流分配与控制图1.3.4晶体管内部载流子运动与外部电流

发射结正偏，集电结反偏。对于NPN管，VC>VB>VE；对于PNP管，VE>VB>VC。（2）晶体管内部载流子的运动发射区：扩散形成IE；发射载流子基区：复合形成IB；传送和控制载流子集电区：漂移形成IC；收集载流子（1）晶体管具有放大作用的外部条件晶体管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。特点：小的基极电流控制大的集电极电流放大的对象是变化量2023/7/6（3）晶体管的电流分配关系IE=IEN+IEP=ICN+IBN+ICBOIC=ICN+ICBOIB=IBN+IEP-ICBO=IB’-ICBO从外部看IE=IC+IB共射（基）直流电流放大系数，它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。

一般几十~一百多倍一般0.90.99

当输入为变化量（动态量）时，相应的电流放大倍数为交流电流放大倍数：三种组态

晶体管有三个电极，其中两个可以作为输入,两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态，见图02.03。

共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示;共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；图02.03三极管的三种组态2023/7/61.3.3晶体管的特性曲线（共射接法）iB是输入电流，vBE是输入电压(1)输入特性曲线—

iB=f(vBE)

vCE=const+-bce共射极放大电路VBBVCCvBEiCiB+-vCERbRc图1.3.3基本共射放大电路图1.3.5输入特性曲线(a)当vCE=0V时，相当于2个PN结并联，伏安特性与PN结相似。(b)当vCE≥0V时，且满足vCB=vCE

-vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下IB减小，特性曲线右移。(c)当vCE≥1V时，IB基本不变。IC不再增大。2023/7/6输出特性曲线可以分为三个区域:饱和区——该区域内vCE的数值较小，iC受vCE显著控制的区域，一般vCE＜0.7

V(硅管)。此时

发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。截止区——iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时，发射结反偏，集电结反偏。放大区——iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏，vCE大于0.7

V(硅管)。(2)输出特性曲线—

iC=f(vCE)

iB=constiC是输出电流，vCE是输出电压图1.3.6晶体管的输出特性曲线1.3.4晶体管的主要参数2.共基直流电流放大系数=（IC－ICBO）/IE≈IC/IE3.

极间反向电流ICBOICEO基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流E开路集电结的反向饱和电流O是Open的字头晶体管的参数分为三大类:直流参数交流参数极限参数

(1)直流参数1.共射直流电流放大系数

=（IC－ICEO）/IB≈IC/IBvCE=constICEO在输出特性曲线上的位置(2)交流参数1.共发射极交流电流放大系数

=IC/IBvCE=const

2.共基极交流电流放大系数α

α=IC/IE

VCB=const3.特征频率fT(3)极限参数1.集电极最大允许电流ICM2.集电极最大允许功率损耗PCM3.反向击穿电压V(BR)CBOV(BR)EBOV(BR)CEO其关系为：

V(BR)CBO＞V(BR)CEO＞V(BR)EBO输出特性曲线上的过损耗区和击穿区频率增加下降到1时所对应的频率反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力，其测试时的原理电路如图所示。

三极管击穿电压的测试电路1.3.5温度对晶体管特性及参数的影响一、温度对ICBO的影响温度每升高10℃，ICBO增加约一倍。温度降低时ICBO减小。硅管比锗管受温度的影响要小。二、温度对输入特性的影响与二极管伏安特性相类似，当温度升时，正向特性将左移，反之将右移。|uBE|具有负温度系数，即温度升高|uBE|下降图1.3.8温度对晶体管输入特性的影响1.3.6光电三极管图1.3.10光电三极管的等效电路、符号和外形图1.3.11光电三极管的输出特性曲线三、温度对输出特性的影响温度升高时增大。

图1.3.9温度对晶体管输出特性的影响晶体管的型号国家标准对晶体管的命名如下:3

D

G

110B

第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、

C硅PNP管、D硅NPN管

第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、

G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管用字母表示材料用字母表示器件的种类用数字表示同种器件型号的序号用字母表示同一型号中的不同规格三极管2023/7/6晶体管图片思考题1.既然BJT具有两个PN结，可否用两个二极管相联以构成一只BJT，试说明其理由。2.能否将BJT的e、c两个电极交换使用，为什么？3.为什么说BJT是电流控制型器件？例题

例1.3.1图1.3.19所示各晶体管处于放大工作状态，已知各电极直流电位。试确定晶体管的类型（NPN/PNP、硅/锗），并说明x、y、z代表的电极。图1.3.19提示：（1）晶体管工作于放大状态的条件：NPN管：VC>VB>VE，PNP管：VE>VB>VC；（2）导通电压：硅管|VBE|=0.6~0.7V，锗管|VBE|=0.2~0.3V，晶体管T1T2T3T4VB/V0.71-10VE/V00.3-1.70VC/V50.7015工作状态提示：

NPN管（1）放大状态：VBE>Von,VCE≥VBE;（2）饱和状态：VBE>Von,VCE<VBE;（3）截止状态：VBE≤Von且VCE＞VBE;放大饱和放大截止

[例1.3.1]现已测得某电路中几只NPN晶体管三个极的直流电位如表所示，各晶体管b-e间开启电压Uon均为0．5V。试分别说明各管子的工作状态。

例1-7图1.3.20所示电路中，晶体管为硅管，VCES=0.3V。求：当VI=0V、VI=1V和VI=2V时VO=?图1.3.20解：(1)VI=0V时，VBE<Von，晶体管截止，IC=IB=0，

VO=VCC=12V。(3)VI=2V时：(2)VI=1V时：小结本讲主要介绍了以下基本内容：双极型晶体管的结构和类型：NPN、PNP

晶体管的电流放大作用和电流分配关系晶体管具有放大作用的内部条件晶体管具有放大作用的外部条件

IE=IB+IC=(1+)IB，IC=IB，

晶体管的特性及参数

VBE、Von

晶体管的三个工作状态温度对晶体管参数的影响简要介绍了光电三极管。作业：P70：1.71.10场效应管(FET)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件；仅靠半导体中的多数载流子导电（单极型晶体管）。场效应管不但体积小、重量轻、寿命长，而且输入阻抗高达107～1012Ω，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强1.4场效应管场效应管的特点和分类

（1）特点（2）分类N沟道P沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)图1.4.1结型场效应管的结构和符号1.4.1.结型场效应三极管（1）结型场效应管的形成及结构图1.4.2N沟道结型场效应管的结构示意图（2）结型场效应管的工作原理图1.4.3uDS＝0时uGS对导电沟道的控制作用①vDS=0时，

vGS

对沟道的控制作用当vGS＜0时，PN结反偏，|vGS|耗尽层加厚沟道变窄。vGS继续减小，沟道继续变窄，当沟道夹断时，对应的栅源电压vGS称为夹断电压VGS(off)。对于N沟道的JFET，VGS(off)<0。②vGS=(VGS(off)~0)的某一固定值时，vDS对沟道的控制作用当vDS=0时，iD=0；vDSiD，同时G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。当vDS增加到使vGD=VGS(off)时，在紧靠漏极处出现预夹断。此时vDS夹断区延长沟道电阻iD基本不变，表现出恒流特性。图1.4.4UGS(off)<uGS<0且uDS>0的情况③当vGD<VGS(off)时，vGS对iD的控制作用当vGD=vGS-

vDS<VGS(off)

时，即vDS>vGS-

VGS(off)>0，导电沟道夹断，iD不随vDS变化

；

但vGS

越小，即|vGS|越大，沟道电阻越大，对同样的vDS，iD的值越小。所以，此时可以通过改变vGS

控制iD的大小，iD与vDS

几乎无关，可以近似看成受vGS

控制的电流源。由于漏极电流受栅-源电压的控制，所以场效应管为电压控制型元件。综上分析可知：(a)

JFET沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型三极管；(b)

JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因此输入电阻很高；(c)

JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制；(d)预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。P42页结论！！！（1.4.1）图1.4.5场效应管的输出特性与转移特性曲线（3）结型场效应管的特性曲线及电流方程①输出特性②转移特性（1.4.4）

vGS=0，iD=0增强型N沟道、P沟道

vGS=0，iD0耗尽型N沟道、P沟道1.4.2.绝缘栅型场效应管（MOSFET）（一）N沟道增强型MOS管形成及符号（其结构和符号如图1.4.7所示）图1.4.7N沟道增强型MOS管结构及符号P型半导体上生成一层SiO2

薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底，用符号B表示。图1.4.8uDS

＝0时uGS对导电沟道的影响（二）N沟道增强型MOS管的工作原理当vGS=0时，漏-源之间是两个背靠背的PN结，不存在导电沟道，无论vDS

为多少，iD=0。①vDS=0时，

vGS

对沟道的控制作用当vDS=0且vGS>0时，因SiO2的存在，iG=0。但g极为金属铝，因外加正向偏置电压而聚集正电荷，从而排斥P型衬底靠近g极一侧的空穴，使之剩下不能移动的负离子区，形成耗尽层。当vGS进一步增加时，一方面耗尽层增宽，另一方面衬底的自由电子被吸引到耗尽层与绝缘层之间，形成一个N型薄层，称之为反型层，构成了漏-源之间的导电沟道。使沟道刚刚形成的栅-源电压称之为开启电压VGS(th)。vGS越大，反型层越宽，导电沟道电阻越小。图1.4.9uGS为大于UGS(th)的某一值时uDS对iD的影响②vGS>VGS(th)

的某一固定值时，vDS对沟道的控制作用当vDS=0时，iD=0；vDSiD，同时使靠近漏极处的沟道变窄。当vDS增加到使vGD=VGS(th)时，在紧靠漏极处出现预夹断。此时vDS夹断区延长沟道电阻iD基本不变，表现出恒流特性。（三）N沟道增强型MOS管的特性曲线与电流方程N沟道增强型MOS管的转移特性曲线与输出特性曲线如图1.4.10所示，与JFET一样，可分为四个区：可变电阻区、恒流区、夹断区和击穿区。VGS(th)夹断区2VGS(th)图1.4.8输出特性与转移特性曲线预夹断轨迹②转移特性①输出特性（1.4.5）（四）N沟道耗尽型MOS管（其结构和符号如图1.4.11所示）图1.4.11与N沟道增强型MOS管不同的是，N沟道耗尽型MOS管的绝缘层中参入了大量的正离子，所以，即使在vGS=0时，耗尽层与绝缘层之间仍然可以形成反型层，只要在漏-源之间加正向电压，就会产生iD。若vDS为定值，而vGS>0，vGS

iD；若vGS<0，vGS

iD，当vGS减小到一定值时，反型层消失，导电沟道被夹断，iD=0。此时的vGS称为夹断电压VGS(off)。

若vGS>VGS(off)，且为定值，则iD随vDS

的变化与N沟道增强型MOS管的相同。但因VGS(off)<0，所以vGS在正、负方向一定范围内都可以实现对iD的控制。其转移特性曲线与输出特性曲线见教材P44。（五）P沟道MOS管

P沟道MOS管与N沟道MOS管的结构相同，只是掺杂的类型刚好相反，所以其电压和电流的极性与N沟道MOS管的相反。其转移特性曲线与输出特性曲线见教材P44。

VMOS管与普通MOS管只是制造工艺上的差别，原理上并没什么不同。但其性能与普通MOS管相比，VMOS管的漏区散热面积大，耗散功率可达kW以上；其漏-源击穿电压高，上限工作频率高，线性好。（六）VMOS管图1.4.13各种场效应管的符号及特性N沟道：UGS(off)<0特性曲线在X轴正半轴P沟道：UGS(off)>0特性曲线在X轴负半轴增强型：转移特性曲线不穿iD轴UGS(th)>0耗尽型：转移特性曲线穿iD轴UGS(th)<0

1.4.3场效应三极管的参数和型号

③饱和漏极电流IDSS对耗尽型MOS管或JFET，当VGS=0时所对应的漏极电流。(1)场效应三极管的参数（一）直流参数①开启电压VGS(th)：对增强型MOS管，VGS<VGS(th)时，ID为0，场效应管不导通。②夹断电压VGS(off)：对耗尽型MOS管或JFET，当VGS=VGS(off)时,漏极电流为零。④直流输入电阻RGS：对于结型场效应三极管，RGS大于107Ω，MOS管的RGS大于109Ω。（二）交流参数①低频跨导gm：低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得。

极间电容：Cgs和Cgd约为1~3pF，和Cds约为0.1~1pF。高频应用时，应考虑极间电容的影响。（三）极限参数①最大漏极电流IDM：管子正常工作时漏极电流的上限值。击穿电压V(BR)DS、V(BR)GS：管子漏-源、栅-源击穿电压。③

最大耗散功率PDM：决定于管子允许的温升。注意

：对于MOS管，栅-衬之间的电容容量很小，RGS很大，感生电荷的高压容易使很薄的绝缘层击穿，造成管子的损坏。因此，无论是工作中还是存放的MOS管，都应为栅-源之间提供直流通路，避免栅极悬空；同时，在焊接时，要将烙铁良好接地。③输出电阻rd：

(2)场效应三极管的型号

场效应三极管的型号,现行有两种命名方法。其一是与晶体管相同，第一位3代表三极管，第二位字母代表材料，D是P型硅N沟道；C是N型硅P沟道。第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。如，3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。几种常见的场效应三极管的参数表1.4.4晶体管和

场效应管的比较小结

本讲主要介绍了以下基本内容：场效应管的结构和类型场效应管的工作原理场效应管的特性曲线场效应管的主要参数场效应管与晶体管的比较思考题场效应管符号中的箭头方向表示什么？为什么FET的输入电阻比BJT的高得多？为什么MOSFET比JFET的输入电阻高？场效应管正常放大时，导电沟道处于什么状态？使用MOS管应注意些什么？例题

例1.4.1已知各场效应管的输出特性曲线如图1.4.10所示。试分析各管子的类型。图1.4.10例1.4.1图解:(a)iD>0（或vDS>0），则该管为N沟道；vGS<0，故为JFET。(b)iD<0（或vDS<0），则该管为P沟道；vGS<0，故为增强型MOS管。(c)iD>0（或vDS>0），则该管为N沟道；vGS可正、可负，故为耗尽型MOS管。提示：场效应管工作于恒流区：（1）N沟道增强型MOS管：VDS>0,VGS>VGS(th)>0；P沟道反之。（2）N沟道耗尽型MOS管：VDS>0,VGS可正、可负，也可为0；P沟道反之。（3）N沟道JFET：VDS>0,VGS<0；P沟道反之。图1.4.11例1.4.2图

例1.4.2电路如图1.4.11(a)所示，场效应管的输出特性如图1.4.11(b)所示。试分析当uI=2V、8V、10V三种情况下，场效应管分别工作于什么区域。

(c)当uI=10V

时，假设管子工作于恒流区，此时iD=2mA，故uO=uDS=VDD-iD

Rd=18-28=2V，uDS-VGS(th)=10-4=6V，显然uDS小于uGS=10V时的预夹断电压，故假设不成立，管子工作于可变电阻区。此时，RdsuDS/iD=3V/1mA=3k，故解:(a)当uI=2V

时，uI=uGS<VGS(th)，场效应管工作于夹断区，iD=0，故uO=VDD-iD

Rd=VDD=18V。

(b)当uI=8V

时，假设管子工作于恒流区，此时iD=1mA，故uO=uDS=VDD-iD

Rd=18-18=10V，VGS

=8V时的预夹断电压为uGS-VGS(th)=8-4=4V，uDS大于uGS=8V时的预夹断电压，故假设成立。图1.4.12解：由图中得N沟道JFET的vGS=0，此时，iD=IDSS=4mA。

而要保证场效应管处在恒流区需保证uGD<VGS(off)，即

uGS-uDS<VGS(off)即

uDS-uGS=uDS-0>|VGS(off)|=4V，所以vOmax=VDD–VDS=12-4V=12–4=8V，故RL=vO/IDSS=(0~8V)/4mA=(0~2)k。

例1.4.3电路如图1.4.12所示，场效应管的夹断电压VGS(off)=-4V，饱和漏极电流IDSS=4mA。为使场效应管工作于恒流区，求RL的取值范围。1.16电路如图P1.16所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。试分析VBB为0V、1V、3V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。

图

1.16

解:（1）当VBB＝0时，T截止，uO＝12V

（2）当VBB＝1V时，因为

μA所以T处于放大状态。

（3）当VBB＝3V时，因为

μA

所以T处于饱和状态。

谢谢观看/欢迎下载BYFAITHIMEANAVISIONOFGOODONECHERISHESANDTHEENTHUSIASMTHATPUSHESONETOSEEKITSFULFILLMENTREGARDLESSOFOBSTACLES.BYFAITHIBYFAITH109欧债危机3解救方案1欧债危机简介4近年动态聚焦2危机原因深究5欧债危机与中国欧债危机的全面观欧债危机110相关概念主权债务：指一国以自己的主权为担保向外，不管是向国际货币基金组织还是向世界银行，还是向其他国家借来的债务主权债务违约:现在很多国家，随着救市规模不断的扩大，债务的比重也在大幅度的增加主权信用评价:体现一国主权债务违约的可能性，评级机构依照一定的程序和方法对主权机构（通常是主权国家）的政治、经济和信用等级进行评定，并用一定的符号来表示评级结果。1欧债危机简介111欧债危机，全称欧洲主权债务危机，是指自2009年以来在欧洲部分国家爆发的主权债务危机。欧债危机是美国次贷危机的延续和深化，其本质原因是政府的债务负担超过了自身的承受范围。欧债危机简介112开端三大评级机构的卷入发展比利时，西班牙陷入危机蔓延龙头国受到影响升级7500亿稳定机制达成欧债危机简介发展过程1131欧债危机简介欧猪五国PIIGS（PIIGS—欧债风险最大的五个国家英文名称第一个字母的组合）希腊——债务状况江河日下

葡萄牙——债务将超经济产出西班牙——危险的边缘意大利——债务状况严重爱尔兰——债务恐继续增加114目前，希腊属欧盟经济欠发达国家之一，经济基础较薄弱，工业制造业较落后。海运业发达，与旅游、侨汇并列为希外汇收入三大支柱。农业较发达，工业主要以食品加工和轻工业为主。希腊已陷入经济衰退5年，债务危机持续2年多，已经给希腊经济、政治和社会带来了极大的破坏。严重经济衰退带来的直接后果是，失业率高企，民众生活每况愈下。与此同时，政府收入锐减，偿债目标一再被推迟。2011年11月，希腊失业率高达21%，超过100万人待业。。目前，希腊社会阶层情绪对立严重，普通民众认为，正是当权者无所作为，才将这个国家引向了目前这种灾难性局面。而政府官员普遍存在的贪污腐败和无所作为，更是加重了民众的不满。希腊债务危机115葡萄牙是发达国家里经济较落后的国家之一，工业基础较薄弱。纺织、制鞋、旅游、酿酒等是国民经济的支柱产业。软木产量占世界总产量的一半以上，出口位居世界第一。经济从2002年起有所下滑，2003年经济负增长1.3%。2004年国内生产总值为1411.15亿欧元，经济增长1.2%。2005年国内生产总值为1472.49亿欧元，人均国内生产总值为13800欧元，经济增长率为0.3%。葡萄牙债务危机1162010年1月11日，穆迪警告葡萄牙若不采取有效措施控制赤字将调降该国债信评级。

2010年4月，葡萄牙已经呈现陷入主权债务危机的苗头。葡萄牙当时的公共债务为GDP的77%，与法国处于相同水平；但是，企业以及家庭、人均的债务均超过了希腊和意大利，高达GDP的236%，葡萄牙债券已被投资者列为世界上第八大高风险债券。2011年3月15日，穆迪把对葡萄牙的评级从A1下调至A3。穆迪称，葡萄牙将面对很高的融资成本，是否能够承受尚难预料，该国财政紧缩目标能否如期实现也存在变数。再考虑到全球经济形势仍不明朗、欧洲中央银行可能提高利率以及高油价带来更高经济运行成本，该机构决定下调该国主权信用评级。117惠誉2010年12月把葡萄牙主权信用评级从“AA－”调低至“A＋”2011年3月25日，标普宣布将葡萄牙长期主权信贷评级从“A-”降至“BBB”，3月29日，标普宣布将葡萄牙主权信用评级下调1级至BBB-2011年4月1日，惠誉下调葡萄牙评级，将其评级下调至最低投资级评等BBB-。称债台高筑的葡萄牙需要救援。2011年4月，葡萄牙10年期国债的预期收益率已经升至9.127%，创下该国加入欧元区以来的新高。与此同时葡萄牙将至少有约90亿欧元的债务到期，葡萄牙政府实在支撑不住了，既没钱、没法偿还到期的债务，又没有有效的融资途径，不得不提出经济救援申请。118房地产泡沫是爱尔兰债务危机的始作俑者。2008年金融危机爆发后，爱尔兰房地产泡沫破灭，整个国家五分之一的GDP遁于无形。随之而来的便是政府税源枯竭，但多年积累的公共开支却居高不下，财政危机显现。更加令人担忧的是，该国银行业信贷高度集中在房地产及公共部门，任何一家银行的困境都可能引发连锁反应。爱尔兰5大银行都濒临破产。为了维护金融稳定，爱尔兰政府不得不耗费巨资救助本国银行，把银行的问题“一肩挑”，从而导致财政不堪重负。财政危机和银行危机，成为爱尔兰的两大担忧。史上罕见，公共债务将占到GDP的100%。消息一公布，爱尔兰国债利率随即飙升。爱尔兰十年期国债利率已直抵9%，是德国同期国债利率的三倍。由此掀开了债务危机的序幕。房地产业绑架了银行，银行又绑架了政府，这就是爱尔兰陷入主权债务危机背后的简单逻辑。

爱尔兰债务危机1192011年9月19日，标普宣布，将意大利长期主权债务评级下调一级，从A+降至A，前景展望为负面。在希腊债务危机愈演愈烈之际，意大利评级下调对欧洲来说无疑是雪上加霜。2010年意政府债务总额已达1.9万亿欧元，占GDP比例高达119%，在欧元区内仅次于希腊。由于意大利债务总额超过了希腊、西班牙、葡萄牙和爱尔兰四国之和，因此被视为是“大到救不了”的国家。意大利债务危机120

意大利和其他出现债务危机的欧洲国家所面临的，并不是简单收支失衡问题，而是根本性的经济扩张动能不足问题。这些南欧国家在享受高福利的同时，却逐渐失去全球经济竞争力。其不同程度存在的用工制度僵化、创新能力低、企业活力不足、偷税以及政治内耗剧烈等，是解决债务危机的重要障碍。然而，目前意政府乃至整个欧元区在应对债务危机上，还仅仅以紧缩开支、修复政府短期资产负债表为主攻方向，在体制性改革问题上却重视不够。倘若这些陷入危机的南欧国家不进行一番伤筋动骨的体制性改革，债务危机将无法获得根本性解决。1212011年10月7日，惠誉宣布将西班牙的长期主权信用评级由“AA+”下调至“AA-”，评级展望为负面。2011年10月18日，继惠誉和标普之后，穆迪也宣布将西班牙的主权债务评级下调两档至A1，前景展望为负面经济疲软、财政“脱轨”，加上超高的失业率和低迷的房地产市场让西班牙已不堪重负。该国经济增长乏力、财政债台高筑和房地产市场萎靡不振，以及这些问题之间不断加深的负面反馈效应。西班牙债务危机1221.影响欧元币值的稳定2.拖累欧元区经济发展3.延长欧元区宽松货币的时间4.欧元地位和欧元区稳定将经受考验5.威胁全球经济金融稳定1欧债危机简介主要影响123crisis2整体经济实力不均1协调机制与预防机制的不健全3欧元体制天生弊端4.欧式社会福利拖累6欧洲一体化进程5民主政治的异化:2欧债危机形成原因1241.欧元区内部机制：协调机制运作不畅，预防机制不健全,致使救助希腊的计划迟迟不能出台，导致危机持续恶化。

2.整体经济实力薄弱：遭受危机的国家大多财政状况欠佳，政府收支不平衡在欧元区内部存在严重的结构失衡问题，地域经济水平的差异和经济结构差异导致债务危机国家的竞争力削弱；

3.欧元体制天生弊端：作为欧洲经济一体化组织，欧洲央行主导各国货币政策大权，欧元具有天生的弊端，经济动荡时期，无法通过货币贬值等政策工具，因而只能通过举债和扩大赤字来刺激经济,《稳定与增长公约》没有设立退出机制；2债务危机形成原因主要原因1254.欧式社会福利拖累：高福利制度异化与人口老龄化，希腊等国高福利政策没有建立在可持续的财政政策之上(凯恩斯主义财政政策的长期滥用)，历届政府为讨好选民，盲目为选民增加福利，导致赤字扩大、公共债务激增，偿债能力遭到质疑。

5.民主政治的异化:6.欧盟内部：德国坚定地致力于构建“一体化”欧洲的战略，法国有相同的意向，但同时也希望通过“欧洲一体化”来遏制德国。德法有足够的经济实力和雄厚的财力在欧债危机之初，甚至现在在很短时间内疚可遏制危机蔓延并予以解决。之所以久拖不决，其根本目的在于借欧债危机之“机”，整顿财政纪律（特别市预算权），迫使成员国部分让出国家财政主权，以建立统一的欧洲财政联盟，在救助基金及欧洲央行的配合下，行使欧元区“财政部”的职能，以便加速推进欧洲一体化进程2债务危机形成原因主要原因1261评级机构2财务造假3积税与就业4EU引起威胁2债务危机形成原因关于评级机构及其他127二、1.评级机构:美国三大评级机构则落井下石，连连下调希腊等债务国的信用评级。(2009年10月20日，希腊政府宣布当年财政赤字占国内生产总值的比例将超过12%，远高于欧盟设定的3%上限。随后，全球三大评级公司相继下调希腊主权信用评级，欧洲主权债务危机率先在希腊爆发。)至此，国际社会开始担心，债务危机可能蔓延全欧，由此侵蚀脆弱复苏中的世界经济。2财务造假埋下隐患：希腊因无法达到《马斯特里赫特条约》所规定的标准，即预算赤字占GDP3%、政府负债占GDP60%以内的标准，于是聘请高盛集团进行财务造假，以顺利进入欧元区。3.税基与就业不乐观：经济全球化深度推进带来税基萎缩与高失业4．欧盟的威胁：马歇尔计划催生出的欧共体，以及在此基础上形成的欧盟，超出了美国最初的战略设定，一个强大的足以挑战美元霸主地位的欧元有悖于美国的战略目标。

2债务危机形成原因关于评级机构及其他1281欧盟峰会成果（2011.10）2欧盟峰会成果（2011.12）3宋鸿兵3解救方案129一、银行体系注资问题

3解救方案之10月峰会欧盟被迫采取一系列措施提供流动性，借以稳定银行体系：欧洲央行联合美联储、英国央行、日本央行和瑞士央行在3个月内向欧洲银行提供无限量贷款；欧洲央行重启抵押资产债券的收购；欧洲央行重新发放12个月期银行贷款。在此次峰会上，欧盟领导人达成一致，要求欧洲90家主要商业银行在2012年6月底前必须将资本金充足率提高到9%。银行国别资本补充额度（单位：亿欧元）希腊300西班牙262意大利147葡萄牙78法国88德国52总计约10601303解救方案之10月峰会二、EFSF扩容问题实现“EFSF的杠杆化操作”，即以目前现有资金向高比例债券提供担保，主要分为两种方式：方式一：按20-25%的比例，用EFSF剩余资金额度为新发债券提供“信用增级”，投资者购买债券时可以购买“风险保险”，从而使债券获得EFSF的担保，当债券出现违约损失时，债权人可以从EFSF获得至少20%的面值补偿；方式二：依托EFSF成立“特别用途工具”（也有称“特别用途投资工具”，缩写为SPV/SPIV），吸纳欧盟以外民间或主权基金以充实EFSF可用资金额度。1313解救方案之10月峰会三、希腊主权债务减记问题欧盟和IMF：1090亿欧元援助贷款银行等私人投资者：自愿减记21%私人债仅减记幅度第二轮救助计划所需资金21%252050%114060%1090私人债仅减记幅度与第二轮救助希腊计划所需资金对比1323解救方案之12月峰会一