中文名可控硅报告

中文名

可控硅外文名

SiliconControlledRectifier简写

SCR别称

晶闸管

添加自定义项正文可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个 PN结的四层结构的大功率半导体 器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。结构大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸

管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a）〕：第一层A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极2(b）〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极

P型半导体引出的电极叫阳极K。从晶闸管的电路符号 〔图G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。以硅单晶为基本材料的 P1N1P2N2 四层三端器件,起始于1957年，因为它的特性类似于 真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称 晶闸管T，又因为晶闸管最初的在静止整流方面，所以又被称之为硅可控整流元件，简称为可控硅 SCR.在性能上，可控硅不仅具有 单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称 "死硅")更为可贵的可控性 .它只有导通和关断两种状态 .可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此功率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用 .可控硅的优点很多，例如：以小 功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无 噪音；效率高，成本低等等 .可控硅的弱点：静态及动态的 过载能力较差；容易受干扰而误导通 .可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形 .可控硅元件的结构不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由 P型硅和N型硅组成的四层 P1N1P2N2 结构.见图1.它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极 A，从N2层引出阴级 K，从P2层引出控制极 G，所以它是一种四层三端的半导体器件

.工作原理结构原件可控硅是 P1N1P2N2 四层三端结构元件，共有三个 PN结，分析原理时，可以把它看作由一个 PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如右图所示晶闸管特性为了能够直观地认识晶闸管的工作特性，大家先看这块示教板（图 3）。晶闸管 VS与小灯泡 EL串联起来，通过开关 S接在直流电源上。注意阳极 A是接电源的正极，阴极K接电源的负极，控制极G通过按钮开关 SB接在1.5V直流电源的正极 （这里使用的是 KP1型晶闸管，若采用KP5型，应接在3V直流电源的正极）。晶闸管与电源的这种连接方式叫做正向连接，也就是说，给晶闸管阳极和控制极所加的都是正向电压。合上电源开关 S，小灯泡不亮，说明 晶闸管没有导通；再按一下按钮开关 SB，给控制极输入一个触发电压，小灯泡亮了，说明晶闸管导通了。这个演示实验给了我们什么启发呢 ?这个实验告诉我们，要使晶闸管导通，一是在它的阳极 A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。晶闸管特点“一触即发”。但是，如果阳极或控制极外加的是 反向电压，晶闸管就不能导通。控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断。那么，用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢 ?使导通的晶闸管关断，可以断开阳极电源（图 3中的开关 S）或使阳极电流小于维持导通的最小值（称为维持电流）。如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动 直流电压，那么，在电压过零时，晶闸管会自行关断。典型应用电路锁存器电路单向可控硅 SCR振荡器SCR半波整流稳压电源SCR全波整流稳压电源双向可控硅和 固体继电器（SSR）抑制RF干扰的辅助电路形式常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等。可控硅的主要参数可控硅的主要参数有：

平均值1、额定通态平均电流 IT在一定条件下，阳极 ---阴极间可以连续通过的 50赫兹正弦半波电流的平均值。2、正向阻断峰值电压 VPF 在控制极开路未加触发信号， 阳极正向电压还未超过导能电压时， 可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个 参数值。3、反向阻断峰值电压 VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。4、控制极触发电流

Ig1

、触发电压

VGT

在规定的环境温度下，阳极

---阴极间加有一定电压时，

可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。5、维持电流 IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极 正向电流。许多新型可控硅元件相继问世， 如适于高频应用的快速可控硅， 可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的 双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。分类可控硅有多种分类方法。（一）按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。（二）按引脚和极性分类：可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。（三）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。 （四）按电流容量分类： 可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。（五）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电 电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。可控硅型号按一机部IBI144一75的规定，普通型可控硅称为KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅闸流管》。普通可控硅的型号采用如下格式标注:每

额定速态平均屯成系列共分为 14100V为一级，1000V以上的等子每

个，如表1一5所示。正反向重复蜂值屯压级别规定200V为一级。取电压教除以 100做为级别标志，如表

1000V1-6

以下的管子所示。通态平均电压组别依电压大小分为

9组，用宇毋表示，如表

1一所示。例如.KP500-12D

表示的是通态平均电流为

500A,额定(正反向重复峰值

)电压为

1200V

，管压降

(通态平均电压)为

0.6---0.7V

的普通型可控硅

.综上所述，小结如下 :可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三个电极，用硅半导体材料制成的管芯由PNPN四层组咸。可控硅由关断转为导通必须同时具备两个条件:(1〕受正向阳极电压;(2)受正向门极电压。(3)可控硅导通后，当阳极电流小干维持电流 In时.可控硅关断。可控硅的特性主要是:(l)阳极伏安特性曲线，(2)门极伏安特性区。(5)应在额定参数范围内使用可控硅。选择可控硅主要确定两个参致 :主要参数电流⒈额定通态电流（ IT）即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的 IT一般为一安到几十安。⒉反向重复峰值电压 （VRRM）或断态重复峰值电压 （VDRM），俗称耐压。常用可控硅的 VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。⒊控制极触发电流（ IGT），俗称触发电流。常用可控硅的 IGT一般为几微安到几十毫安。4，在规定环境温度和散热条件下，允许通过阴极和阳极的电流平均值封装常用可控硅的封装形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252、SOT-23、SOT23-3L等用途普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路。以最简单的单相半波可控整流电路为例，在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。画出它的波形（c）及（d），只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出。Ug到来得早，晶闸管导通的时间就早；Ug到来得晚，晶闸管导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。1：小功率塑封双向可控硅通常用作声光控灯光系统。额定电流： IA小于2A。2：大；中功率塑封和铁封可控硅通常用作功率型可控调压电路。像可调压输出直流电源等等。3：大功率高频可控硅通常用作工业中；高频熔炼炉等。鉴别可控硅从外形上分主要有螺旋式、 平板式和平底式三种， 螺旋式的应用较多。 可控硅有三个电极 ---阳极（A）阴极（C）和控制极（G）。它有管芯是 P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个 PN结。可控硅和只有一个 PN结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用，为其发挥 “以小控大”的优异控制特性奠定了基础。 在应用可控硅时， 只要在控制极加上很小的电流或电压， 就能控制很大的阳极电流或电压。电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把 5安培以下的可控硅叫小功率可控硅， 50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅为什么其有 “以小控大”的可控性呢？下面我们用图表 -27来简单分析可控硅的工作原理。首先，可以把从阴极向上数的第一、 二、三层看面是一只 NPN型号晶体管，而二、三四层组成另一只 PNP型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。当在阳极和阴极之间加上一个 正向电压 Ea，又在控制极 G和阴极C之间（相当 BG1的基一射间）输入一个正的触发信号， BG1将产生基极电流Ib1，经放大，BG1将有一个放大了β1倍的集电极电流IC1。因为BG1集电极与 BG2基极相连，IC1又是BG2的基极电流 Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了 β2的集电极电流 IC2送回BG1的基极放大。如此循环放大，直到 BG1、BG2完全导通。实际这一过程是 “一触即发”的过程，对可控硅来说，触发信号加入控制极，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。可控硅一经触发导通后， 由于循环反馈的原因， 流入BG1基极的电流已不只是初始的 Ib1，而是经过 BG1、BG2放大后的电流（ β1*β2*Ib1）这一电流远大于 Ib1，足以保持 BG1的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态只有断开电源 Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集电极电流小于维持导通的最小值时，可控硅方可关断。当然，如果 Ea极性反接，BG1、BG2由于受到反向电压作用将处于截止状态。这时，即使输入触发信号，可控硅也不能工作。反过来，Ea接成正向，而触动发信号是负的，可控硅也不能导通。另外，如果不加触发信号，而正向阳极电压大到超过一定值时，可控硅也会导通，但已属于非正常工作情况了。可控硅这种通过触发信号（小的触发电流）来控制导通（可控硅中通过大电流）的可控特性，正是它区别于普通硅整流二极管的重要特征。普通可控硅的三个电极可以用 万用表欧姆挡R×100挡位来测。大家知道，晶闸管 G、K之间是一个 PN（a），相当于一个 二极管，G为正极、K为负极，所以，按照测试二极管的方法，找出三个极中的两个极，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表黑表笔接的是控制极 G，可以用刚才演示用的示教板电路。接通电源开关S，按一下按钮开关 SB，灯泡发光就是好的，不发光就是坏的。

结鉴别可控硅三个极的方法很简单，

根据

P-N

结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在 R*10或R*1挡，防止电压过高控制极 反向击穿。若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。可控硅是可控硅整流 元件的简称，是一种具有三个 PN结的四层结构的大功率半导体 器件。实际上，可控硅的功用不仅是整流， 它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路， 实现将直流电变成交流电的逆变， 将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从 弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。主要生产厂家主要厂家品牌：LITTELFUSE/TECCOR

ST，NXP/PHILIPS ，NEC，ON/MOTOROLA，TOSHIBA，JX，SANREX，SANKEN

，RENESAS/MITSUBISHI，SEMIKRON ，EUPEC

，，IR，JBL

等。术语IT(AV)--通态平均电流 VRRM--反向重复峰值电压 IDRM--断态重复峰值电流ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流 VTM--通态峰值电压IGT--门极触发电流 VGT--门极触发电压 IH--维持电流 dv/dt--断态电压临界上升率di/dt--通态电流临界上升率 Rthjc--结壳热阻 ⅥSO--模块绝缘电压 Tjm--额定结温VDRM--通态重复峰值电压 IRRM--反向重复峰值电流 IF(AV)--正向平均电流PGM--

门极峰值功率

PG----门极平均功率延伸阅读1、栅极上的噪声电平在有电噪声的环境中，如果栅极上的噪声电压超过

VGT，并有足够的栅电流激发可控硅

(晶闸管)内部的正反馈，则也会被触发导通。应用安装时，首先要使栅极外的连线尽可能短。当连线不能很短时，可用在然后G与MT1之间加一个 1KΩ的电阻来降低其灵敏度，也可以再并联一个

绞线或屏蔽线来减小干扰的侵入。100nf的电容