《芯片工艺流程》课件

芯片生产工艺流程（课件）整理课件单晶拉制（1）整理课件单晶拉制（2）整理课件单晶拉制（3）整理课件单晶拉制（4）整理课件单晶拉制（5）整理课件环境和着装整理课件单项工艺-扩散(1)卧式4炉管扩散/氧化炉扩散/氧化进炉实景图整理课件单项工艺-扩散(2)立式扩散/氧化炉扩散/氧化进炉实景图整理课件单项工艺-扩散(3)扩散工序作业现场整理课件单项工艺-光刻(1)先进光刻曝光设备整理课件单项工艺-光刻(2)现场用光刻曝光设备整理课件单项工艺-光刻(3)检查用显微镜整理课件单项工艺-光刻(4)清洗淀积/生长隔离层匀胶（SiO2Si3N4

金属…）-HMDS喷淋（增加Si的粘性）-匀光刻胶整理课件单项工艺-光刻(5)前烘对版匀胶-对每个圆片必须按要求对版-用弧光灯将光刻版上的图案转移到光刻胶上。-增加黏附作用-促进有机溶剂挥发整理课件单项工艺-光刻(6)显影/漂洗坚膜腐蚀-硬化光刻胶。-增加与硅片的附着性。-将圆片进行显影/漂洗，不需要的的光刻胶溶解到有机溶剂。去胶-干法腐蚀/湿法腐蚀整理课件单项工艺-光刻(7)光刻工艺过程整理课件单项工艺-CVD（1）整理课件单项工艺-CVD（2）初级离子气体被吸收到硅片表面整理课件单项工艺-CVD（3）初级离子气体在硅片表面分解整理课件单项工艺-CVD（4）玻璃的解吸整理课件单项工艺-CVD（5）整理课件单相工艺-离子注入（1）整理课件单相工艺-离子注入（2）整理课件单相工艺-离子注入（3）整理课件单相工艺-蒸发（1）蒸发原理示意图整理课件单相工艺-蒸发（2）溅射原理示意图整理课件单相工艺-蒸发（3）整理课件单相工艺-清洗整理课件基础认知整理课件衬底材料扩散层外延层单晶片扩散片外延片整理课件一次氧化sio2外延层整理课件基区光刻sio2外延层整理课件干氧氧化sio外延层2整理课件离子注入sio外延层2杂质注入整理课件基区扩散sio外延层2基区整理课件发射区光刻sio外延层2基区整理课件发射区预淀积sio外延层2基区发射区集电区整理课件发射区扩散（*）sio外延层2基区发射区集电区整理课件发射区低温氧化（*）sio外延层2基区发射区集电区整理课件氢气处理sio外延层2基区发射区集电区整理课件N+光刻（适用于P型片）sio外延层2基区发射区集电区整理课件N+淀积扩散（适用P型片）sio外延层2基区发射区集电区整理课件N+低温氧化（适用P型片）sio外延层2基区发射区集电区整理课件氢气处理（适用P型片）sio外延层2基区发射区集电区整理课件3B光刻sio外延层2基区发射区集电区整理课件铝蒸发AL外延层基区发射区集电区整理课件四次光刻AL外延层基区发射区集电区整理课件氮氢合金AL外延层基区发射区集电区整理课件AL上CVDSiO外延层基区发射区集电区2整理课件氮气烘焙（适用N型片）SiO外延层基区发射区集电区2整理课件五次光刻SiO外延层基区发射区集电区2整理课件中测抽测SiO外延层基区发射区集电区2测试系统整理课件减薄、抛光SiO外延层基区发射区集电区2减薄和抛光部分整理课件蒸金/银SiO外延层基区发射区集电区2整理课件背金合金SiO外延层基区发射区集电区2整理课件芯片测试SiO外延层基区发射区集电区2测试系统整理课件N型片制造（一般）工艺流程N型片投片和编批一次氧化基区光刻干氧氧化硼离子注入基区扩散发射区光刻发射区磷预淀积发射区扩散发射区低温氧化3次光刻铝蒸发氮氢合金铝上CVD五次光刻氮气烘焙中测抽测背面合金芯片测试减薄/抛光四次光刻氢气处理蒸金整理课件P型片制造（一般）工艺流程P型投片编批一次氧化基区光刻发射区硼预淀积磷离子注