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文档简介

PN结的伏安特性曲线

PN结的伏安特性曲线结论：（1）PN结单向导电性。（2）PN结是非线性的。反向特性外电压与内电场方向相同→PN结电位差↑→PN结宽度↑→总电场↑→破坏原来的平衡→阻止扩散，加剧漂移→形成非常小的反向电流（不计）IS：反向饱和电流，几乎与外加电压大小无关硅IS≈（10-9~10-16）A锗IS≈（10-6~10-8）A

IS是温度敏感的参数

T↑→IS↑

伏安特性根据理论分析，PN结的电流与端电压存在如下关系:①正偏且（或v＞100mV）上式简化为：②反偏且时，结的击穿特性V（BR）为击穿电压雪崩击穿PN结发生反向击穿的机理可以分为两种齐纳击穿1.3.1.二极管的结构及特性Positive或阳极Negative或阴极1.3二极管及其基本电路结构示意图电路符号硅（Si）锗（Ge）砷化镓（GaAs）等半导体材料,白边，长短脚2、伏安特性根据理论分析，二极管的电流与端电压存在如下关系:热电压（室温）导通电压：VD(on）V>VD(on)时，二极管导通，电流i

有明显数值，V<VD(on)时，电流i

很小，二极管截止。硅管：VD(on)锗管：VD(on)导通压降结论：（1）二极管单向导电性。（2）二极管是非线性器件。V（BR）为击穿电压,电流急剧增加。、二极管的主要参数

1、

直流电阻和交流电阻静态工作点Q二极管的直流电阻:与静态工作点有关1、

交流电阻交流电阻的求法：（1）图解法：Q点切线斜率的倒数。与静

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