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文档简介

微电子工艺基础西安电子科技大学微电子学院戴显英2019.5绪论、微电子技术发展历史一些关键的半导体、微电子技术(工艺)1918年柴可拉斯基晶体生长技术-CZ法/直拉法,Czochralski,S单晶生长、微电子技术发展历史1925年布里吉曼晶体生长技术,BridgmanGaAs及化合物半导体晶体生长1947年第一只晶体管(点接触式),Bardeen、Brattain及Shockley,三人同获1956年诺贝尔物理奖、微电子技术发展历史肖克利(WilliamShockley)巴j(JOhnBardeen)布拉坦Walterbrattain)191019891908-19911902-1987、微电子技术发展历史eplasticwedgeoldfolmetalba20、微电子技术发展历史■1949pn结,Shockley1952Ⅲ-V族化合物半导体,Welker■1952扩散,Pfan,高温深结■1954第一个硅晶体管,Teal,贝尔实验室■1957光刻胶,Andrus,光刻成本占35%■1957氧化物掩蔽层,Frosch和Derrick,可阻止大部分杂质的扩散、微电子技术发展历史ⅳssCⅦD(化学气相淀积)外延晶体生长技术一薄膜Shefa1、Kokorish及Krasilov,改善器件性能、制造新颖器件1957异质结双极晶体管(HBT),Kroemer(2000年诺贝尔物理奖)■1958离子注入,Shockley,低温浅结、精确控制掺杂数目■1958第一个(混合)集成电路,Kiby(2000年诺贝尔物理奖),由Ge单晶制作-1

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