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太阳能电池关键工艺流程介绍

晶体硅太阳电池制造关键工艺表面化学处理目的:※去除硅片表面由于切割而产生的机械损伤层,正反二表面各约10;※在硅片表面形成尖峰高度3~6四方锥体绒面,间接增加电池对入射太阳光的汲取;※清除硅片表面的油污和重金属离子等杂质;绒面形成方法:酸腐蚀与碱腐蚀,本生产线单晶采纳碱腐蚀,多晶采纳酸腐蚀。

设备:化学清洗机。

绒面作用:由于入射光在表面的多次反射和折射,增加了对光的汲取,其反射率很低。

绒面电池也称为黑体电池或无反射电池。

对电池片电性能影响:直接影响到电池片转换效率。

基本化学反应原理:去除硅片损伤层:+2+=+2↑;2232制绒面:+2+=+2↑;2232酸去除一些金属离子。

盐酸具有酸和络合剂的双重作用,***离子能与2+、3+、+、+、2+、2+等金属离子形成可溶于水的络合物。

晶体硅太阳电池制造关键工艺—集中制结目的:去除集中过程中,在硅片的周边表面形成的集中层。

周边集中层使电池的上下电极形成短路环,必需将它除去。

周边上存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降,以至使电池片成为废品。

方法:等离子干法腐蚀。

原理:等离子体刻蚀是采纳高频辉光放电反应,使反应气体激活成活性粒子,如原子或游离基,这些活性粒子集中到需刻蚀的部位,在那里与被刻蚀材料进行反应,形成挥发性反应物而被去除。

*+4-*≤34+4*↑4+4*+↑242二次清洗—去除磷硅玻璃目的:由于在集中以后在硅片表面形成了一层磷硅玻璃小部分,其它是252或,主要成分还是二氧化硅。

由于了形成此良好的225225欧姆接触,削减光的反射,提高反射膜质量,在沉积减反射膜后续工艺之前,必需用酸把磷硅玻璃腐蚀掉。

方法:利用氢***酸能够溶解二氧化硅的特性来除去硅片表面的二氧化硅层。

+6=[]+22262电池制造关键工艺—生长减反射膜目的:光照耀到平面的硅片上,其中一部分被反射,即使对绒面的硅表面,由于入射光产生多次反射而增加了汲取,但也有约11%的反射损失。

在太阳电池表面沉积深蓝色减反射膜,可大大降低光的反射损失。

作用:1钝化太阳电池的受光面,钝化膜介质的主要作用是爱护半导体器件表面不受污染物质的影响,半导体表面钝化可降低半导体表面态密度。

2钝化太阳电池的体内,在减反射膜中存在大量的+,在烧结过程中会钝化晶体内部悬挂键。

3其还具有卓越的抗氧化和绝缘性能,同时具有良好的阻挡钠离子、掩蔽金属和水蒸汽集中的力量;它的化学稳定性也很好,除氢***酸和热磷酸能缓慢腐蚀外,其它酸与它基本不起作用。

原理:34等离子体1243342350℃等离子体3236432电池制造关键工艺—350℃丝网印刷印制电极等离子体22332目的:350℃1在电池正反表面印刷上金属电极对光生电流进行收集。

2补偿背面+层中的施主杂质使背结反型成以铝掺杂的型层。

作用:提高了电池的开路电压和短路电流,并减小了电极的接触电阻。

方法:采纳丝网漏印工艺。

特点:使线条的宽度可降到50,高度达到10~20。

设计原则:使电池的输出最大,即电池的串联电阻尽可能小和电池的光照作用面积尽可能大。

设备照片:电池制造关键工艺—高温烧结目的:1把丝网印刷上的电

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